「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering target composed of Cu-In-Ga-Se four-element based alloy in which the composition segregation is considerably less, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

組成偏析の極めて少ないＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of reducing troubles such as abnormal electric discharge or peeling of a deposited film due to a shield used for the apparatus.例文帳に追加

スパッタリング装置に使用されるシールドが原因となる、異常放電や付着膜の剥がれを低減させたスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

Subsequently, at least one among sputtering method, vapor deposition method, plating method and printing method is applied to the surface of the filter membrane and forms a conductive membrane.例文帳に追加

次いで、前記ろ過膜の表面にスパッタリング法、蒸着法、メッキ法及び印刷法の少なくとも一つを用いて導電膜を形成する。 - 特許庁

Aluminum is laminated on a surface of the oxide film 10 by sputtering to form an aluminum film 2 of a (111) plane over the entire surface.例文帳に追加

そして、この酸化膜１０の表面に、スパッタリングによってアルミニウムを積層することで、全面が（１１１）面のアルミニウム膜２を形成する。 - 特許庁

The film mainly containing the IZO is substantially composed of amorphous or fine crystals and the film in such a structure deposited in a sputtering method.例文帳に追加

このＩＺＯを主成分とする膜は、本質的にアモルファス状あるいは微結晶よりなり、このような膜はスパッタリング法で製膜される。 - 特許庁

In the sputtering system for depositing a thin film on a substrate 10, while allowing a target 5 to be confronted with the substrate 10 and performing scanning, scan film deposition is carried out.例文帳に追加

基板１０に薄膜を成膜するスパッタ装置において、ターゲット５に基板１０を対向させて走査しながらスキャン成膜する。 - 特許庁

The Cr-Ta film 2 is composed of an alloy film consisting of Cr of 90 atomic % and Ta of 10 atomic % and can be film-deposited by sputtering.例文帳に追加

Ｃｒ−Ｔａ膜２は、Ｃｒ９０原子％とＴａ１０原子％とからなる合金膜であり、スパッタにより成膜することができる。 - 特許庁

To provide a magnetron assembly including one or more magnetrons (112) each forming a closed plasma loop on a sputtering face of a target (124).例文帳に追加

ターゲット（１２４）のスパッタ面状に閉鎖プラズマループをそれぞれ形成する１つ以上のマグネトロン（１１２）を含むマグネトロンアセンブリを提供する。 - 特許庁

A zinc-oxide film is formed by a sputtering method, in which a non-doped zinc-oxide target and Ar gas and oxygen gas for the discharge gas are used.例文帳に追加

ノンドープの酸化亜鉛ターゲットを用い、また、放電ガスとしてＡｒガスと酸素ガスとを用い、スパッタ法によって酸化亜鉛膜を形成する。 - 特許庁

Resistance of the oxide semiconductor layer is increased by forming a silicon oxide film in contact with the oxide semiconductor layer by a sputtering method.例文帳に追加

酸化物半導体層の高抵抗化は、該酸化物半導体層に接して、スパッタ法により酸化珪素を形成することによって行う。 - 特許庁

Since the presence ratio of the (111) plane is small, a work function and an etching rate of the electrode are small, and electric discharge property and sputtering resistance are enhanced.例文帳に追加

(111)面の存在割合が少ないことで、この電極は、仕事関数やエッチングレートが小さく、放電性及び耐スパッタリング性を高められる。 - 特許庁

The membrane layer (thickness: about 100-1,500 Å) is preferably formed by a sputtering method using silicon oxide (e.g.; silicon dioxide) as a target.例文帳に追加

該薄膜層（膜厚１００〜１５００Å程度）は酸化ケイ素（例えば二酸化ケイ素）をターゲットとしてスパッタリング法にて好ましく形成される。 - 特許庁

Thus, by setting the pressure during sputtering, melting does not occur in subsequent treatments and a favorable via hole can be formed.例文帳に追加

このようにスパッタ時の圧力を設定することにより、その後の処理において溶けが発生せず、良好なヴィアホールを形成することができる。 - 特許庁

REFLECTION FILM FOR REFLECTION PLATE EXCELLENT IN CORROSION RESISTANCE AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING REFLECTION FILM FOR REFLECTION PLATE EXCELLENT IN CORROSION RESISTANCE例文帳に追加

耐腐食性に優れた反射板用反射膜およびこの耐腐食性に優れた反射板用反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

To provide an alloy for electrode by which, as compared with conventionally used pure Ni for electrode, sputtering resistance can be greatly improved.例文帳に追加

従来から使用される電極用純Ｎｉと比較して、耐スパッタ性を飛躍的に向上することが可能な電極用合金を提供する。 - 特許庁

The sputtering target includes: an alloy phase, which includes one or more of Ga, In, and Se, and Cu; and a pure Se phase.例文帳に追加

スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金相と、純Ｓｅ相とで構成されている。 - 特許庁

To materialize a reactive sputtering method for controlling a polarization direction of a nitride semiconductor thin film by a simple method without being restricted in substrates.例文帳に追加

基板の限定がなく、簡易な方法で、窒化物半導体薄膜の分極方向を制御することができる反応スパッタリング法を実現する。 - 特許庁

The sputtering target substantially comprises an oxide of the element and 1-50 mass% carbon.例文帳に追加

このような酸化膜形成用スパッタリングターゲットは、上記した元素の酸化物と1〜50質量％の範囲の炭素とから実質的に構成されている。 - 特許庁

To form a fluoride optical thin film on the surface of a quartz substrate by reactive DC magnetron sputtering so that the thin film is not peeled off after being formed.例文帳に追加

石英基板上へ、反応性ＤＣマグネトロンスパッタでフッ化物光学薄膜を、成膜後に膜剥がれしてしまわないように成膜すること。 - 特許庁

To provide a magnet unit for a magnetron sputtering apparatus, which changes and adjusts a magnetic field to be formed by a simple operation.例文帳に追加

形成する磁場を簡単な操作で変更・調整することができるマグネトロンスパッタ装置用磁石ユニットを提供することを課題とする。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR PHASE CHANGE-TYPE MEMORY, FILM FOR PHASE CHANGE MEMORY FORMED BY USING THE TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TARGET例文帳に追加

相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜並びに及び同ターゲットの製造方法 - 特許庁

To deposit a film of uniform film quality over the whole region a substrate face while maintaining the characteristics of high adhesion in an unbalanced magnetron sputtering (UBMS) process.例文帳に追加

アンバランスドマグネトロンスパッタリング（ＵＢＭＳ）法の高密着性の特徴を維持しつつ、基板面全域で膜質の均一な膜を形成する。 - 特許庁

In the sputtering target produced through a surface polishing stage, water is sprayed under a prescribed pressure, so that surface treatment is performed thereto.例文帳に追加

表面研削工程を経て製造されたスパッタリングターゲットにおいて、水を所定の圧力で噴射することにより表面処理を施したもの。 - 特許庁

In producing the thin film of the oxide fluorescent substance for the electroluminescent element by sputtering, the film is formed while carrying out a rapid thermal anneal treatment.例文帳に追加

スパッタリングによりのエレクトロルミネッセンス素子用酸化物蛍光体薄膜を製造する際に、ラピッドサーマルアニール処理を行いながら成膜する。 - 特許庁

It is preferable to form the bonding coat 24 by physical vapor deposition, such as magnetron sputtering, electron beam physical vapor deposition, jet vapor deposition, and plasma thermal spraying.例文帳に追加

ボンディングコート（２４）は好ましくはマグネトロンスパッタ法、電子ビーム物理蒸着、ジェット蒸着、プラズマ溶射等の物理蒸着法で形成される。 - 特許庁

INDIUM OXIDE-METALLIC THIN POWDER MIXTURE, ITO SPUTTERING TARGET USING THE SAME POWDERY MIXTURE AS RAW MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME TARGET例文帳に追加

酸化インジウム−金属錫混合粉末及び同混合粉末を原料とするＩＴＯスパッタリングターゲット並びに同ターゲットの製造方法 - 特許庁

The antireflection film satisfying the above condition is formed by sputtering at the ambient temperature of ≤175°C, preferably ≤150°C.例文帳に追加

この条件を満たす反射防止膜を形成するには、１７５℃以下、好ましくは１５０℃以下の雰囲気温度でスパッタリング法によって形成する。 - 特許庁

The loop antenna is film-formed with indium tin oxide or indium zinc oxide, which is a transparent conductive material, using a sputtering apparatus.例文帳に追加

ループアンテナは、透明性を有する導電性材料である酸化インジウムスズや、酸化インジウム亜鉛等をスパッタリング装置などで薄膜形成する。 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor, a sputtering target with high reproducibility of target composition, and a field effect transistor with large-area uniformity and high reproducibility.例文帳に追加

酸化物半導体、ターゲット組成の再現性が高いスパッタリングターゲット、大面積均一性、再現性の高い電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FLUORIDE OPTICAL THIN FILM CORRESPONDING TO HIGH PERFORMANCE ULTRAVIOLET WAVELENGTH AREA ON QUARTZ SUBSTRATE BY REACTIVE DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性ＤＣマグネトロンスパッタ法による高性能紫外波長領域対応フッ化物光学薄膜の石英基板への成膜方法 - 特許庁

A residual gallium layer 3 on the surface of the thin piece 6 cut by the focused ion beam apparatus is removed by sputtering a gas cluster ion beam 1 such as argon.例文帳に追加

アルゴンなどのガスクラスターイオンビーム1のスパッタで、集束イオンビーム装置で切り出した薄片6の表面の残留ガリウム層3の除去を行う。 - 特許庁

The catalyst surface is formed by either method of vacuum sputtering, electroplating, electroless plating, alloying, thermal spraying, and doping by using platinum group metal.例文帳に追加

触媒表面は白金族金属を用い、真空スパッタリング、電気メッキ、無電解メッキ、合金化、溶射、ドーピングのいずれかの方法により形成する。 - 特許庁

A nitrogen-containing oxide thin film is made by sputtering an oxygen-deficient target in the presence of a small amount of added nitrogen.例文帳に追加

酸素を欠損させたターゲットを使用し、微量に窒素を添加してスパッタリングを行うことにより窒素含有酸化物薄膜を作製する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING COPPER ALLOY WIRING FILM AND COPPER ALLOY WIRING FILM LITTLE AFFECTED BY HEAT AND FORMED BY USING THE SAME例文帳に追加

銅合金配線膜形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成した熱影響を受けることの少ない銅合金配線膜 - 特許庁

In the dual magnetron for sputtering, the positions of the magnetron can be moved in complementary radial directions between sputter deposition and target cleaning.例文帳に追加

スパッタリング用デュアルマグネトロンにおいて、該マグネトロンの位置は、スパッタ堆積とターゲット洗浄の間で、相補的半径方向に動かすことができる。 - 特許庁

A Cu film 8 of 100 nm thick is deposited on TaN 7 by sputtering, and a Cu film 9 of 500 nm thick is formed thereon by electrolytic plating.例文帳に追加

ＴａＮ７上に１００ｎｍ厚のＣｕ膜８をスパッタ成膜し、さらに電解メッキにより５００ｎｍ厚のＣｕ膜９を成膜する。 - 特許庁

The surface roughness of the base material 2 is ≤0.1 μm by Ry (maximum height), and the hard carbon film 3 is deposited by a sputtering process.例文帳に追加

基材２の表面粗さはＲｙ（最大高さ）で０．１μｍ以下であり、硬質炭素被膜３はスパッタリング法により成膜されている。 - 特許庁

A Cu film 8 of 100 nm thick is formed on TaN 7 by sputtering and a Cu film 9 of 500 nm thick is formed thereon.例文帳に追加

ＴａＮ７上に１００ｎｍ厚のＣｕ膜８をスパッタ成膜し、さらに電解メッキにより５００ｎｍ厚のＣｕ膜９を成膜する。 - 特許庁

REFLECTIVE FILM AND SEMI-TRANSMISSIVE REFLECTIVE FILM OF OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING THE FILMS, AND OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加

光情報記録媒体の反射膜および半透過反射膜、これらを製造するためのスパッタリングターゲット、並びに光情報記録媒体 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of forming a thin film having a stable compsn. from the point directly after the start of use to exhaustion.例文帳に追加

使用開始直後から消耗寿命に至るまで、安定した組成の薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic control sputtering target structure and equipment which uniformize the wear of a target material and improve the durability of the target material.例文帳に追加

ターゲット材の摩損を均一にさせ、ターゲット材の耐久性を向上させる磁気制御スパッタリング・ターゲット構造及び設備を提供する。 - 特許庁

In particular, sputtering targets 10 and 12 are mounted on the places higher than the position of the workpiece 20 and are oriented at an angle of 30 to 60 degrees to a perpendicular axis.例文帳に追加

特に、スパッタリングターゲット１０、１２はワークピース２０位置より高く装着され、垂直軸に対して３０〜６０度の角度で配向される。 - 特許庁

To attain a sputtering system capable of depositing, with superior coating on a portion different in height, a film composed of a metal or its compound on a contact hole of high aspect ratio.例文帳に追加

高アスペクト比の接続孔内に金属やその化合物からなる膜を段差被覆性良く形成できるスパッタ装置を実現すること。 - 特許庁

A protection film, for example, made of unillustrated Au or the like with a thickness of about 30-50 nm is formed on the Ni layer 4 by the sputtering.例文帳に追加

さらに、Ｎｉ層４上にスパッタリングによって例えば厚さ３０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の図示しないＡｕなどからなる保護膜を形成する。 - 特許庁

To provide a power source, a power source for sputter, and a sputtering apparatus for considerably increasing the current capacity with a simple configuration.例文帳に追加

簡素な構成で電流容量を大幅に増大することができる電源、スパッタ電源及びスパッタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁