「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a titanium oxide target having higher density compared to the conventional one and free from the occurrence of breaking in DC sputtering.例文帳に追加

従来よりも高密度でかつＤＣスパッタに際して割れが発生することが無い酸化チタンターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

SILICON OXIDE FILM DOPED WITH RARE EARTH (RE) INCLUDING NANO CRYSTALLINITY SILICON DEPOSITED BY SPUTTERING FOR APPLICATION TO ELECTROLUMINESCENT ELEMENT例文帳に追加

電界発光素子に適用するための、スパッタ堆積させた、ナノ結晶性シリコンを含む、希土類（ＲＥ）元素をドープしたシリコン酸化膜 - 特許庁

Sputtering gas and reactive gas are coupled through an input port into the vessel or through the single opening into the coating chamber.例文帳に追加

スパッタリング・ガスおよび反応性ガスは、投入口を通して容器内に、また単一の開口部を通してコーティング・チャンバー内に結合される。 - 特許庁

The sputtering target 1 has a structure where Si phases 3 are continuously present in the gaps of SiC crystal grains 2 so as to be a network shape.例文帳に追加

スパッタリングターゲット１は、ＳｉＣ結晶粒２の隙間にＳｉ相３がネットワーク状に連続して存在する組織を具備する。 - 特許庁

A substrate 15 having an insulator layer 100 provided with a hole H is mounted inside a chamber for SIP (Self Ionized Plasma) provided with a sputtering target.例文帳に追加

ホールＨが設けられた絶縁体層１００を有する基板１５を、スパッタターゲットを備えるＳＩＰ用のチャンバ内に載置する。 - 特許庁

To provide a film-forming method which causes an adequate nitriding reaction, is suitable for producing a nitride thin film, and forms a film at a high sputtering yield and at a high film-forming speed.例文帳に追加

窒化反応が良好で窒化物薄膜の生成に適し、かつ、スパッタリングイールドが高く成膜速度が高い成膜を行う。 - 特許庁

Ammonium nitrate or ammonium sulfate being the powdery reaction product bonded to a plasma electrode is released mechanically or electrically by sputtering.例文帳に追加

プラズマ電極に付着した粉末状の反応生成物である硝安や硫安を機械的又は電気的にスパッタリングして剥離させる。 - 特許庁

To offer a power transmitting mechanism which prevents a cut shear pin from falling off or sputtering without providing any cover particularly.例文帳に追加

特別にカバーを設けることなく、切断されたシャーピンの落下や飛散を防止することができる動力伝達機構を提供する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a magnetic material film by which film deposition can be performed at a high film deposition rate by magnetron sputtering with a thick magnetic material target.例文帳に追加

厚い磁性材ターゲットでマグネトロンスパッタリングにより高い成膜速度で成膜できる磁性材膜の成膜方法の提供。 - 特許庁

To provide a sputtering cathode which is inexpensively and easily switched into a balance type/an unbalance type by magnetic field design.例文帳に追加

磁場設計をして安価且つ簡単にバランス型/アンバランス型に切替え可能なスパッタリング陰極を提供、実現しようというものである。 - 特許庁

To prevent abnormal discharge in a method for depositing a carbon thin film by sputtering, and to efficiently deposit the film of high quality.例文帳に追加

スパッタリングによりカーボン薄膜を成膜する方法において、異常放電を防止し、良質な膜を効率良く成膜できるようにする。 - 特許庁

To provide a lithographic apparatus which reduces sputtering due to gas that has been introduced in an optical path of a projection beam, and to provide a device manufacturing method.例文帳に追加

投影ビーム光路に導入されたガスによるスパッタリングを低減するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device which can restrain generation of a hollow cathode discharge and also can restrain the generation of a sputtering or the like caused by plasma.例文帳に追加

ホローカソード放電の発生を抑制し、プラズマによるスパッタ等の発生も抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A doped target of an electrically conductive material is used, and, a layer is deposited by a sputtering process such as PVD or IMP PVD.例文帳に追加

ドープ済みの導電性材料のターゲットを使用し、ＰＶＤまたはＩＭＰ ＰＶＤのようなスパッタリングプロセスによって層を堆積させる。 - 特許庁

To provide a sputtering method by which film hanging of an outer peripheral part of a substrate to be treated is prevented by a simple method so as to uniform a film thickness distribution.例文帳に追加

簡易な方法で、被処理基板外周部の膜だれを防止し、膜厚分布を均一化するスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target that hardly causes cracks therein and hardly peels off from a backing plate or backing tube, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

割れや、バッキングプレートやバッキングチューブに対する剥がれが生じ難いスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The sputtering system comprises a rotatable cathode 802, a rotatable stage 801, and a rotatable blocking plate 805.例文帳に追加

本発明のスパッタリング装置は、回転可能なカソード８０２と、回転可能なステージ８０１と、回転可能な遮蔽板８０５とを備える。 - 特許庁

After a CVD insulating film is laminated on the through-hole including the notched part, metal layers of a barrier layer and a seed layer are formed by sputtering.例文帳に追加

ノッチ部を含む貫通孔にＣＶＤ絶縁膜を積層した後に、バリア層およびシード層のメタル層をスパッタ法により形成する。 - 特許庁

A sputtering instrument exists in semiconductor manufacturing, including a quake-free mechanism, and can perform accurate exposure, which is applied to the present invention.例文帳に追加

半導体の製造にスパッタリング装置がある、免震機構を装備しており、正確な露光が可能であることを本発明に適用した。 - 特許庁

A magnetron sputtering apparatus 101 comprises a target 107, a substrate holder 103, a magnetic field former 111b, and a driving device 130b.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ装置１０１は、ターゲット１０７と、基板ホルダ１０３と、磁界形成器１１１ｂと、駆動装置１３０ｂとを具備する。 - 特許庁

A target 22 is arranged on the upper part in the sputtering chamber 11 so as to be applied with the magnetic fields by the permanent magnets 14 and 15.例文帳に追加

このスパッタ室１１内上部には永久磁石１４、１５による磁界が印加されるように、ターゲット２２が配置されている。 - 特許庁

Both the center pole and outside pole are at least partially disposed on the front side of the plane defined by the sputtering target.例文帳に追加

中心磁極および外側磁極の両方の少なくとも一部が、スパッタリングターゲットにより規定される平面の前部に配置される。 - 特許庁

To realize an apparatus for plasma treating capable of effectively preventing adherence of a sputtering article onto a board to be treated in a treating camber.例文帳に追加

処理チャンバ内での被処理基板上へのスパッタ物付着を効果的に防止することができるプラズマ処理装置を実現する。 - 特許庁

To provide a cold-cathode discharge lamp capable of making its life longer by restraining sputtering of a lead wire.例文帳に追加

導入線のスパッタリングを抑制して冷陰極放電ランプの長寿命化を図ることができる冷陰極放電ランプを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system which can deposit a magnetic film in which variation in the direction of magnetic anisotropy is reduced, and to provide a film deposition method.例文帳に追加

磁気異方性の方向のバラツキを低減した磁性膜を形成可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a film of a magnetooptical recording medium, superior in strength, particularly a bending strength, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

強度、特に曲げ強度に優れた光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve faster deposition rate of a magnetic material film as well as long-term deposition stability in a facing target type sputtering apparatus.例文帳に追加

対向ターゲット式スパッタ装置において、磁性体膜の成膜速度を高速化するとともに、長時間の成膜安定性を実現する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of suppressing sputter in a space of a target joining part, and preventing mixing of impurities in a deposited film and local consumption of the joining part.例文帳に追加

ターゲット材接合部隙間のスパッタを抑え、成膜内への不純物混入及び接合部の局所的な消耗を防止する。 - 特許庁

To make the packaging material of a varistor incombustible when it is destroyed, and prevent combustible materials present in its periphery from the spreading fire caused by the sputtering of the packaging material.例文帳に追加

バリスタの破壊時に、外装材の不燃性を図るとともに、外装材の飛散による周囲の可燃物の延焼を防止する - 特許庁

To provide a counter target type sputtering apparatus capable of forming a film having higher reliability, and to provide a method of manufacturing a liquid crystal device.例文帳に追加

より信頼性の高い成膜を可能とする対向ターゲット型のスパッタリング装置、及び液晶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a reflecting film having a uniform thickness on a semiconductor substrate forming an optical guide portion for guiding light to a light receiving portion by sputtering.例文帳に追加

受光部に光を導く導光部を形成する半導体基板に、スパッタリングにより厚さ均一の反射膜を形成すること。 - 特許庁

To provide a target for physical film deposition reducing abnormal discharge upon sputtering, and to provide an oxide semiconductor film having PAN (Phosphoric acid-Acetic acid-Nitric acid) resistance.例文帳に追加

スパッタリング時に、異常放電を低減できる物理成膜用ターゲット、及び耐ＰＡＮ性の高い酸化物半導体膜を提供する。 - 特許庁

The plasma is kept to be in high density by lines of magnetic force and lines of electric force formed in the vicinity of the surface of the sputtering target 52.例文帳に追加

このプラズマは、スパッタ・ターゲット５２の表面近傍に形成された磁力線及び電気力線によって高密度に保たれる。 - 特許庁

For example, the supporting is executed by the screwing between a male screw 4a and a female screw 5a and the fitting of a taper part and a flange part, and it is fixed to a sputtering system.例文帳に追加

例えば、雄ネジ４ａと雌ネジ５ａの螺合、テーパー部やフランジ部の嵌合により支持して、スパッタリング装置に固定する。 - 特許庁

To reduce damage of the surface to be deposited, which is caused by a collision of charged particles produced when a film is formed by a magnetron sputtering technique.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング法により成膜を行った場合に荷電粒子の衝突に起因して被堆積面が受けるダメージを小さくする。 - 特許庁

An Al2O3 film is deposited on the surface of a substrate composed of Ti-Al alloy by a sputtering method or an electron beam vapor deposition method.例文帳に追加

Ｔｉ−Ａｌ系合金からなる基材の表面にスパッタリング法または電子ビーム蒸着法によりＡｌ_2 Ｏ_3 被膜を形成する。 - 特許庁

An existing ratio of a plurality of metal elements at the interface is controlled to 0.07 or more with an operation parameter during the sputtering process.例文帳に追加

スパッタリング時の運転パラメーターにより、その複数の金属元素の界面元素存在比率が０．０７以上をとる様に制御する。 - 特許庁

ALLOY COATED FILM FOR METAL SEPARATOR OF FUEL CELL, METHOD FOR PRODUCING SAME, SPUTTERING TARGET MATERIAL, METAL SEPARATOR, AND FUEL CELL例文帳に追加

燃料電池の金属セパレータ用合金皮膜、その製造方法およびスパッタリング用ターゲット材、並びに金属セパレータおよび燃料電池 - 特許庁

Herein, the roughening of the surface is carried out by a blast by dry ice particles, a sputtering using an inert gas, or a dry etching using an etching gas.例文帳に追加

ここで、粗面化にはドライアイス粒子によるブラスト、不活性ガスを用いるスパッタリング、またはエッチングガスを用いるドライエッチングにより行う。 - 特許庁

To enhance the sputtering resistance of a protective layer composed of magnesium oxide and including silicon in a plasma display panel, and improve its service life.例文帳に追加

酸化マグネシウムからなる保護層に珪素が含まれたプラズマディスプレイパネルにおいて、保護層の耐スパッタ性を高めて寿命を向上させる。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING LEAD ZIRCONIUM TITANATE-BASED SINTERED BODY, LEAD ZIRCONIUM TITANATE-BASED SINTERED BODY, AND LEAD ZIRCONIUM TITANATE-BASED SPUTTERING TARGET例文帳に追加

チタン酸ジルコン酸鉛系焼結体の製造方法、チタン酸ジルコン酸鉛系焼結体及びチタン酸ジルコン酸鉛系スパッタリングターゲット - 特許庁

An Si layer 11 and an Mo layer 12 are formed alternately by magnetron sputtering to form the multilayered film mirror 10 on a substrate 100.例文帳に追加

基板１００上に、マグネトロンスパッタリングによってＳｉ層１１とＭｏ層１２を交互に成膜して多層膜ミラー１０を形成する。 - 特許庁

The temperature in sputtering a titanium film is set to ≥200°C and ≤225°C, thereby film properties are made highly resistant against oxidation (step 11).例文帳に追加

チタン膜をスパッタリングする際の温度を２００℃以上２２５℃以下とすることにより膜質を酸化に対して強いものとする（ステップ１１）。 - 特許庁

HIGH-PURITY METAL Mo COARSE POWDER SUITABLE FOR RAW POWDER FOR MANUFACTURING HIGH-PURITY METAL Mo SINTERED TARGET FOR SPUTTERING例文帳に追加

スパッタリング用高純度金属Ｍｏ焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適した高純度金属Ｍｏ粗粒粉末 - 特許庁

The sputtering target contains a matrix material and a luminescent center, and the matrix material is represented by composition formula M^II_vA_xB_yO_zS_w.例文帳に追加

母体材料と発光中心とを含有し、母体材料が組成式Ｍ^ＩＩ_ｖＡ_ｘＢ_ｙＯ_ｚＳ_ｗで表されるスパッタリングターゲット。 - 特許庁