「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(67ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable eroded regions of targets which are arranged so as to oppose to each other in a sputtering chamber to be easily changed, without detaching a magnet unit which is arranged below the targets and forms a tunnel-shaped magnetic flux above the targets from a sputtering apparatus, when a direction from the targets toward the substrate is defined to be an upper direction.例文帳に追加

スパッタ室で相互に対向配置されるターゲットから基板に向う方向を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の磁束を形成する磁石ユニットを、スパッタ装置から取り外すことなく、簡単にターゲットの侵食領域を変更できるようにする。 - 特許庁

The method of producing sputtering target includes processes of: mixing tin oxide powder, zinc oxide powder and oxide powder of elements of trivalence or more which contain no sulfide; calcining the mixture at 800 to 1,300°C; crushing and granulating the calcined mixture; thereafter forming the crushed and granulated material by pressing; and, thereafter, sintering the formed material to produce the sputtering target.例文帳に追加

硫化物を含まない酸化錫粉、酸化亜鉛粉、及び３価以上の元素の酸化物粉を混合して８００〜１３００℃で仮焼し、粉砕、造粒処理を経て加圧成形を行った後、焼結して製造することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

The sputtering system 100 includes the sputtering chamber 30, a plasma gun 40 capable of forming plasma by discharging between a cathode unit 41 and an anode A, and magnetic field generating means 24A and 24B, capable of deforming plasma 22 discharged from the plasma gun 40 to a sheet by action of magnetic field.例文帳に追加

スパッタリング装置１００は、スパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマ２２を磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。 - 特許庁

The mask blank is obtained by forming, on a substrate 11 made of synthetic quartz, a light-shielding layer 12 comprising TaN (with 84.0 atom% of Ta and 16.0 atom% of N in terms of a film composition ratio) to a film thickness of 43 nm by DC magnetron sputtering in a mixture gas atmosphere of xenon (Xe) and nitrogen (N) using Ta as a sputtering target.例文帳に追加

合成石英からなる基板１１上に、スパッタリングターゲットにＴａを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ）の混合ガス雰囲気で、ＤＣマグネトロンスパッタにより、ＴａＮ（膜組成比 Ｔａ：８４．０原子％，Ｎ：１６．０原子％）からなる遮光層１２を４３ｎｍの膜厚で成膜する。 - 特許庁

Because a film can be deposited on the surface of the substrate by means of sputtering using glow discharge by impressing voltage while alternately reversing the polarities of the respective targets 2A and 2B, the execution of sputtering together with charge neutralization can be carried out using a small-sized, space-saving system of inline type, belljar type, etc.例文帳に追加

ターゲット２Ａ、２Ｂの極性を交互に反転させ、電圧を印加させる方法で、グロー放電によるスパッタリングにより基体表面に被膜を形成させることにより除電を行いながらのスパッタリングが小型のスペースのないインライン型やベルジャー型装置などを用いることもできる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal-clad plastic substrate having a metal layer formed, by sputtering on a polyimide film surface which improves the adhesive strength of the metal layer made by sputtering to the metal film surface and the long-time stability under high-temperature environment.例文帳に追加

ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法により金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、ポリイミドフィルムとスパッタリングにより形成される金属層との界面の密着強度とその高温環境下での長期安定性を高める方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering which has a high sputtering efficiency, and can make better the uniformity of film thickness and the ignition properties of plasma even in a production process using a 300 mm wafer, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、スパッタリング効率が高く、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing the optical recording medium by placing a plurality of targets opposite to a substrate in a sputtering apparatus and forming a plurality of layers on the substrate by the sputtering of the targets, the distance between each of the targets and the substrate is set in the range of 100-250 mm.例文帳に追加

スパッタ装置内に複数のターゲットを基板に対向配置して、この複数のターゲットをスパッタすることにより、この基板上に複数の層を形成するる光記録媒体の製造方法において、前記複数のターゲットと前記基板との距離は、１００ｍｍ〜２５０ｍｍの範囲にある。 - 特許庁

The sputtering target for forming the barrier film is an Ni-Cr-based alloy containing Cr: 5-30 wt.%, Ti and/or Zr: 1-10 wt.%, wherein the residue consists of inevitable impurities and Ni, and a relative permeability in an in-plane direction of a sputtering face is not more than 100.例文帳に追加

Ｃｒ：５〜３０ｗｔ％、Ｔｉ及び／又はＺｒ：１〜１０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＮｉからなるＮｉ−Ｃｒ系合金であって、スパッタ面の面内方向の比透磁率が１００以下であることを特徴とするバリア膜形成用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide an erosion profiled target which keeps satisfactory uniformity of a film (uniformity of film thickness) throughout the sputtering life of the target, generates few particles, does not deform the target during sputtering, and further has the long life of the target, and to provide a method for manufacturing the target, and a target-backing plate.例文帳に追加

ターゲットのスパッタライフを通じて膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）を良好にするとともに、パーティクルの発生が少なく、スパッタリング中のターゲットの変形がなく、さらにはターゲットの寿命が長いエロージョンプロファイルターゲット、ターゲットの製造方法及びターゲット−バッキングプレートを提供する。 - 特許庁

To provide a method of thin film deposition, by which a target is hardly cracked even if sputtering voltage is increased and the improvement of the productivity of a thin film is easily attained by increasing the film deposition speed in the thin film deposition by a sputtering method using a ceramic target.例文帳に追加

セラミツクターゲットを用いてスパッタリング法により薄膜を成膜するにあたり、スパッタリング電力を増加させても、上記ターゲットに亀裂が入りにくく、成膜速度の増大による薄膜の生産性の向上を容易にはかれる薄膜の成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A magnetic storing chamber 13 is arranged in the upper part of a sputtering chamber 11 forming a discharge space, and the inside thereof is stored with permanent magnets 14 and 15 so as to apply the magnetic fields into the sputtering chamber 11 in a state in which they are fixed to the lower face of a magnet rotary stand 16.例文帳に追加

放電空間を形成するスパッタ室１１の上方には磁石収納室１３が配置されており、この内部にはスパッタ室１１内に磁界を印加するように、永久磁石１４、１５が磁石回転台１６の下面に固定された状態で収納されている。 - 特許庁

The Cu-Ga based alloy sputtering target material includes, in atom%, not less than 25% and less than 40% of Ga, the balance comprising Cu and unavoidable impurities, wherein the sputtering target material has an oxygen content of less than 250 ppm and a grain size of more than 10 μm and not more than 100 μm.例文帳に追加

また、原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２５０ｐｐｍ未満、かつ結晶粒径が１０μｍを超え、１００μｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金スパッタリングターゲット材。 - 特許庁

In the ECR sputtering apparatus for depositing the thin film comprising a plurality of elements on a substrate S by generating plasma by electron cyclotron resonance and sputtering a target with the generated plasma, a plurality of targets 11A, 11B corresponding to the plurality of elements A, B constituting the thin film are arranged.例文帳に追加

電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成し、生成されたプラズマでターゲットをスパッタリングして基板Ｓ上に複数の元素から成る薄膜を形成するＥＣＲスパッタリング装置において、薄膜を構成する複数の元素Ａ，Ｂに対応して複数のターゲット１１Ａ，１１Ｂを配設する。 - 特許庁

To provide a phase-change type optical disk protection film-forming sputtering target which reduces particles and nodules occurring at sputtering, can improve a mass-productivity with reduced variations in quality, and mainly contains zinc sulfide-silicon oxide having fine crystal grains and a high density.例文帳に追加

スパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり高密度を備えた硫化亜鉛−ケイ酸化物を主成分とする相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁

To provide a method for stably producing a sputtering target material where, when a sputtering target material of an Fe-Co based alloy used for the formation of a soft magnetic film used for a vertical magnetic recording medium or the like is produced from a cast ingot, the cast ingot is subjected to plastic working.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜の形成に使用されるＦｅ−Ｃｏ系合金のスパッタリングターゲット材を鋳造インゴットから製造するにあたって、鋳造インゴットに塑性加工を施したスパッタリングターゲット材を安定して製造する方法を提供する。 - 特許庁

In the gas flow sputtering device, argon or the like is introduced from a sputtering gas guide-in port 11, a target 15 is sputtered by plasma generated in discharge between an anode 13 and the target 15, and sputter particles flicked off are transported by coercive flow of argon or the like to a base board 16 to be deposited.例文帳に追加

ガスフロースパッタ装置では、スパッタガス導入口１１からアルゴン等を導入し、アノード１３及びターゲット１５間での放電で発生したプラズマによりターゲット１５をスパッタリングし、はじき飛ばされたスパッタ粒子をアルゴン等の強制流にて基板１６まで輸送し堆積させる。 - 特許庁

To produce a sputtering target assembled body capable of obtaining high adhesion and high joining strength even at high temp. and moreover pro vided with sufficient joining shear strength as the one in which a target material and a backing plate used for sputtering are joined via an insert material.例文帳に追加

スパッタリングに使用されるターゲット材２とバッキングプレート３とが、インサート材４を介して接合されてなるスパッタリングターゲット組立体１として、高温下においても高い密着性と高い接合強をが得られ、さらに十分な接合剪断強度を備えたスパッタリングターゲット組立体１を製造する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for depositing an oxide film capable of enhancing the production efficiency of a metal oxide film and thus an optical thin film or the like by suppressing reduction of the film deposition rate of the metal oxide film when performing the sputtering film deposition of the metal oxide film suitable for the optical thin film.例文帳に追加

光学薄膜に好適な金属酸化膜をスパッタ成膜するにあたって、金属酸化膜の成膜速度の低下を抑制することによって、金属酸化膜ひいては光学薄膜等の生産効率を高めることを可能にした酸化膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The method is suitably used for a dry deposited film including hydrogen derived from at least Si-H bond or N-H bond, which is formed by a means selected from among vapor deposition, reactive vapor deposition, sputtering, reactive sputtering, and chemical vapor deposition.例文帳に追加

本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 - 特許庁

The recessed and projected parts cause the target atoms knocked out in an oblique direction at a predetermined angle from recessed positions of the sputtering surface to collide with a sidewall of the recessed and projected parts, thereby preventing the target atoms knocked out in an oblique direction from being discharged from the sputtering surface.例文帳に追加

そして、前記凹凸形状部は、前記スパッタ面の凹部位置から所定の角度で斜め方向に叩き出されたターゲット原子を前記凹凸形状部の側壁に衝突させることで、前記斜め方向に叩き出されたターゲット原子が前記スパッタ面から放出されることを防いでいる。 - 特許庁

In forming a silver series transparent conductive thin film of the thickness of 1 to 30 nm by a sputtering method with a target with silver as a main ingredient put on a substrate, the method utilizes an atmosphere containing oxygen gas as a sputtering atmosphere in deposition.例文帳に追加

基体上に、銀を主成分とするタ—ゲツトを用いて、スパツタリング法により厚さが１〜３０ｎｍの銀系透明導電体薄膜を成膜するにあたり、成膜時のスパツタリング雰囲気を酸素ガスを有する雰囲気としたことを特徴とする銀系透明導電体薄膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for depositing a high refractive index thin film by a DC sputtering process, and allows a high film deposition rate of the high refractive index thin film and high productivity, and to provide a method of depositing the high refractive index thin film using the target.例文帳に追加

本発明は、高屈折率薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に用いられるスパッタリングターゲットであって、高屈折率薄膜の成膜速度が速く生産性が高いスパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた高屈折率薄膜の形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus which realizes such a magnetic field shape as to enable plasma to be generated in a wide region over the surface of a target, enhances a use efficiency of a target material, and can inhibit dust and abnormal electrical discharge, and to provide a sputtering method using the apparatus.例文帳に追加

プラズマをターゲット表面の広範囲に発生させることが可能な磁場形状を実現し、ターゲット材料の利用効率を向上させ、ダストや異常放電を抑制することを可能とするマグネトロンスパッタ装置、および当該装置を用いたスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a film formation rate on a surface of the substrate is raised due to an improvement of the sputtering efficiency resulting from an increase of sputtering particles around the target, and the rise of the substrate temperature can be controlled in minimum due to the inhibition of plasma scattering toward the vicinity of the substrate.例文帳に追加

そして、ターゲット近傍におけるスパッタ粒子が増加して、スパッタの効率を向上するため基板表面における成膜速度を高めることができ、且つ、基板近傍へのプラズマの拡散を抑止することにより、基板温度の上昇を最小限に抑えることが可能となる。 - 特許庁

A cassette 11 in a load-lock chamber which can simultaneously accommodate a plurality of substrates is provided in the load-lock chamber which is arranged so that the substrates can be taken in/taken out without opening a sputtering chamber in the atmosphere, and a metal substrate 20 used in the pre-sputtering is provided in the cassette in the load-lock chamber.例文帳に追加

スパッタ室を大気中に開放しないで基板の取り入れ、取り出しができるように配置されたロードロック室１０に、複数の基板を同時に収納可能なロードロック室内カセット１１を設け、ロードロック室内カセットにプリスパッタリング処理に用いる金属製基板２０を備えている。 - 特許庁

In the sputtering apparatus in which a target material is film- deposited on a film deposition surface of a substrate 12 by sputtering a target 11, a deposition preventive plate 15 for preventing any excessive target material from being deposited on the inner wall of a chamber is disposed at least on an outer side of the outer periphery of the substrate 12.例文帳に追加

ターゲット１１をスパッタリングすることによって、基板１２の成膜面上にターゲット材料を成膜可能に構成したスパッタリング装置において、少なくとも基板１２の外周外側に、余剰のターゲット材料がチャンバの内壁に付着するのを防止するための防着板１５を設ける。 - 特許庁

The ECR sputtering apparatus 1 comprises: an ECR sputtering source 2 which generates the plasma originating from the sputter target by using an electron cyclotron resonance mechanism and irradiates a substrate 10 with the generated plasma; and an ion beam source 3 which ionizes a supplied gas like the reactive gas and irradiates the substrate 10 with the ionized gas.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ装置１は、電子サイクロトロン共鳴によってスパッタターゲットのプラズマを発生し、発生したプラズマを基板１０に照射するＥＣＲスパッタ源２と、反応性ガス等の供給ガスをイオン化し、イオン化したガスを基板１０に照射するイオンビーム源３を備える。 - 特許庁

The film-forming apparatus is directed for forming a first metal film on the substrate by sputtering at 300°C or lower; subsequently forming a second metal film on the first metal film by sputtering at 500 to 1,000°C; and forming a third metal film on the second metal film with a vapor deposition process.例文帳に追加

前記成膜装置は、基板上に３００℃以下の温度で第１の金属膜をスパッタリング成膜した後に、第１の金属膜上に５００℃〜１０００℃の温度で第２の金属膜をスパッタリング成膜し、蒸着法により第２の金属膜上に第３の金属膜を成膜するものである。 - 特許庁

The target material 5a is formed on the hole 3 by first sputtering in which a distance between a target 5 and the semiconductor substrate 1 is a first value L2, and the target material 5a is formed on the hole 3 by second sputtering in which the distance is a second value L1 smaller than the first value L2.例文帳に追加

ターゲット５と半導体基板１との距離を第１の値Ｌ２とする第１のスパッタリングによってターゲット材料５ａを穴３に成膜し、上記距離を第１の値Ｌ２よりも小さい第２の値Ｌ１とする第２のスパッタリングにより、ターゲット材料５ａを穴３に成膜する。 - 特許庁

Because the gas flow sputtering method does not require high vacuum exhausting, it is conducted by using the low cost equipment, and further because high speed sputter deposition is feasible, the electrochromic element is manufactured at a low cost due to reduction of a cost of equipment and shortening of sputter deposition time by adopting the gas flow sputtering method.例文帳に追加

ガスフロースパッタリング法は、高真空排気が不要であるため安価な設備で実施でき、しかも高速成膜が可能であることから、ガスフロースパッタリング法を採用することによる設備費の低減、成膜時間の短縮により、エレクトロクロミック素子を安価に製造することが可能となる。 - 特許庁

The scan film deposition is carried out while the gas flow rate of the first gas with a low sputtering rate is always increased, and the gas flow rate of the second gas with a high sputtering rate is always reduced correspondingly to the secular change of the target shape caused by the erosion of the target 5, thus a film thickness change is prevented.例文帳に追加

ターゲット５のエロージョンに起因するターゲット形状の経時変化に対応させて、スパッタレートの小さい第１のガスのガス流量を常に増加させ、スパッタレートの大きい第２のガスのガス流量を常に減少させながらスキャン成膜を行うことで、膜厚変化を防ぐ。 - 特許庁

In a reactive sputtering device, a sputtering electrode 15 with a target 16 loaded is connected with a DC power source 38 and an RF power source 42 via a matching box 40, and these DC power source 38 and RF power source 42 are connected to a synchronous control circuit 44.例文帳に追加

反応性スパッタ装置において、ターゲット１６を搭載するスパッタ電極１４には、ＤＣ電源３８及びマッチングボックス４０を介したＲＦ電源４２が接続され、これらＤＣ電源３８及びＲＦ電源４２は同期制御回路４４に接続されている。 - 特許庁

According to this invention, since each of targets 15 moves to a substrate 10 upon sputtering the targets 15, all the regions of the substrate 10 face the targets 15 upon the sputtering, and thus, a film with uniform film quality can be deposited on the surface of the substrate 10.例文帳に追加

本発明では、ターゲット１５がスパッタリングされるときに、各ターゲット１５が基板１０に対して移動するので、スパッタリングのときに基板１０の全ての領域がターゲット１５と対向することになり、基板１０の表面に膜質均一な膜を形成することができる。 - 特許庁

At the time of forming at least the boundary side with the outermost high-refractive index layer of the silicon oxide layer 15 in the step of forming the silicon oxide layer 15 by sputtering method, voltage per unit current of 19 V-42 V is applied to a sputtering cathode having a target for forming the silicon oxide film.例文帳に追加

酸化ケイ素層１５をスパッタ法で形成するにあたり、この酸化ケイ素層１５のうちの少なくとも最外高屈折率層との界面側を形成する際、この酸化ケイ素成膜用のターゲットを備えたスパッタカソードに、単位電流あたり１９Ｖ〜４２Ｖの電圧を印加する。 - 特許庁

To provide an Ru sputtering target for forming an Ru film or an Ru oxide film excellent in adhesion and used at the time of forming an electrode for the capacitor of a semiconductor memory of a high integrating degree or the like and to provide Ru raw material powder for producing the Ru sputtering target.例文帳に追加

高集積度の半導体メモリーのキャパシタ用電極などを形成する際に使用される密着性に優れたＲｕ膜または酸化Ｒｕ膜を形成するためのＲｕスパッタリングターゲットおよびそのＲｕスパッタリングターゲットを製造するためのＲｕ原料粉末を提供する。 - 特許庁

The coating machine features means of aligning the sputter direction S in a direction pointing away from direction S for pre-sputtering the target, and for aligning the sputter direction S in a direction pointing towards the substrate for coating the substrate by sputtering material from the targets.例文帳に追加

コーティング機は、ターゲットをプレスパッタするためにスパッタ方向Ｓから離れるように向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるとともに、ターゲットから材料をスパッタすることによって基板をコーティングするために基板に向く方向にスパッタ方向Ｓを合わせるための手段を特徴としている。 - 特許庁

In a magnetron sputtering system, the transition sputtering is performed by supplying an inert gas and a reactive gas in respective desired flow rates into a vacuum chamber while adjusting the variation with time of discharge electric power or discharge admittance to be within ±10% and controlling the voltage of a sputter electric source.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置において、真空チャンバー内に不活性ガスと反応性ガスをそれぞれ所望の流量で供給し、放電電力、または放電アドミッタンスの時間変動を±１０％以内で行い、且つ該スパッタ電源の電圧を制御して遷移スパッタを行う。 - 特許庁

In this method for producing a sputtering target, a process in which a sputtering target raw material containing B as essential components is melted and cast to form a cast ingot, and the obtained cast ingot is subjected to annealing treatment and is thereafter subjected to rolling into a prescribed shape is included.例文帳に追加

Ｂを必須成分として含有するスパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成し、得られた鋳造インゴットに対してアニーリング処理を行ったのち、これを所定形状に圧延する工程を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

To obtain a sputtering target capable of effectively reducing or preventing cracking caused by the difference in thermal expansion coefficients in the process of producing a target, particularly, a ceramics target, i.e., in the stage of joining the target and a backing plate and furthermore capable of effectively reducing or preventing similar cracking or warpage also at the time of sputtering.例文帳に追加

ターゲット、特にセラミックスターゲットの製造工程、すなわちターゲットとバッキングプレートとの接合工程において、熱膨張率の相違による割れを効果的に低減又は防止するとともに、スパッタリングの際にも同様な割れ又は反りを効果的に低減又は防止できるスパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁

The method for producing the transparent electroconductive film of an oxide containing indium and zinc by using a sputtering technique includes sputtering the target containing indium oxide and zinc oxide as main components while keeping the magnetic field in parallel to the target surface in a strength lower than 400 Oe (oersted).例文帳に追加

スパッタリング法によるインジウムと亜鉛を含む酸化物の透明導電膜の製造方法であって、酸化インジウムと酸化亜鉛を主成分とするターゲットの表面の平行磁場強度を４００Ｏｅ（エルステッド）未満に保持してスパッタすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。 - 特許庁

A sputtering target obtained, by mixing indium oxide of 5 to 15 wt% with zinc oxide is used for manufacturing the resistor, and a thin film is deposited on a substrate, by performing sputtering in atmosphere containing nitrogen of 30% or higher to argon gas.例文帳に追加

この抵抗体は、酸化亜鉛に対し酸化インジウムを５ｗｔ％〜１５ｗｔ％混合させたスパッタリングターゲットを用い、アルゴンガスに対し窒素が３０％以上含まれる雰囲気中でスパッタリングを行なうことにより基板に薄膜を堆積させることにより作製できる。 - 特許庁

In the tubular sputtering target particularly for producing a TFT display comprising a target material utilizable in a sputtering process and free from joints or seams in a tubular region, the target material is composed of Al or an aluminum alloy.例文帳に追加

スパッタプロセスにおいて利用可能な管状領域に合わせ目又は継ぎ目がないターゲット材料を有する、特にＴＦＴディスプレーを製造するための管状スパッタターゲットにおいて、前記ターゲット材料がＡｌ又はアルミニウム合金からなることを特徴とする管状スパッタターゲット - 特許庁

A resistance thin film is formed on an insulating material substrate by conducting the sputtering using, as a sputtering target, a metal resistance material where Ta is included in 30 to 60 mass%, the remaining part includes Cr and Ni, and mass ratio to Ni of Cr is 0.5 to 1.1.例文帳に追加

Ｔａを３０〜６０質量％含み、かつ、残部はＣｒおよびＮｉを含み、ＣｒのＮｉに対する質量比が０．５〜１．１である金属抵抗体材料をスパッタリングターゲットとして用いてスパッタリングを実施し、絶縁材料基板上に抵抗薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a target which has a low resistivity, a high relative density to theoretical density, and high strength, in which the content of indium is reduced and abnormal discharge generated when a transparent conductive film is formed by a sputtering method is suppressed so as to perform stable sputtering, and to provide a producing method therefor.例文帳に追加

抵抗が低く、理論相対密度が高く、強度が高く、インジウム含有量が低減されており、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことができるターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁