「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a tungsten-oxide sputtering-target material and a vapor- deposition material with which the occurrence of dust (particle) and abnormal electric discharge can be decreased and a high-quality tungsten-carbide film can be stably deposited by a sputtering method or an electron beam evaporation method, and also to provide a manufacturing method for the vapor-deposition material.例文帳に追加

ダスト（パーティクル）や異常放電の発生を低減し高品質の酸化タングステン膜を安定してスパッタリング法や電子ビーム蒸着法により製膜できる酸化タングステンスパッタリングターゲット材および蒸着材ならびにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a back side sputtering method and a semiconductor device manufacturing apparatus for implementing the sputtering method, where the stress of a metallic film formed on the back side of a wafer for forming semiconductor elements is small and hence the wafer warps less even its thickness becomes reduced.例文帳に追加

半導体素子を形成するウェーハ裏面に形成された金属膜の膜応力が小さく、したがってウェーハ厚が薄くなっても反りの発生が少ない裏面スパッタリング方法及びこのスパッタリングを実施する半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

This film-forming method includes: using a sputtering target containing 3-40 mol% TiO_2 and 60-97 mol% ZnO; and forming the oxide film with a sputtering technique on the surface of a substrate, or on the surface of a layered film which has been prepared by alternately layering the oxide film and the electroconductive film, on the surface of the substrate.例文帳に追加

ＴｉＯ_2 を３〜４０モル％、ＺｎＯを６０〜９７モル％含むスパッタリングターゲットを用い、スパッタリング法により基材表面、または該基材上に酸化物膜と導電膜とが交互に積層された積層膜表面に、酸化物膜を形成する。 - 特許庁

To effectively suppress the generation of a micro arc even if power supply to a target is increased in order to shorten a tact time necessary for sputtering when film-forming a Ge simple film, a Ge compound film, a Ge alloy film, and the like, by sputtering method.例文帳に追加

Ｇｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜、Ｇｅ合金膜などをスパッタ法により成膜する際に、スパッタリングに要するタクトタイムを短縮するために、ターゲットへの投入電力を増大させた場合においても、マイクロアークの発生を有効に抑制することを可能にする。 - 特許庁

To provide a sputtering target with which the production efficiency of an Nb oxide film and eventually an optical thin film etc., can be enhanced by improving the deposition rate of the Nb oxide film when the Nb oxide film appropriate for the optical thin film is deposited by sputtering.例文帳に追加

光学薄膜に好適なＮｂ酸化膜をスパッタ成膜するにあたって、Ｎｂ酸化膜の成膜速度を向上させることによって、Ｎｂ酸化膜ひいては光学薄膜等の生産効率を高めることを可能にしたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The tin-platinum double oxide expressed by a general formula, Sn_XPt_(1-X)O_2 (0.6<X<0.99) and having a rutile structure is synthesized, for example, by sputtering SnO_2 and Pt at the same time in an inert sputtering gas containing oxygen to form a film.例文帳に追加

例えば、酸素を含有する不活性スパッタガス中でＳｎＯ_２とＰｔとを同時スパッタで成膜して合成することにより、一般式Ｓｎ_ＸＰｔ_（１−Ｘ）Ｏ_２（０．６＜Ｘ＜０．９９）で示されるルチル構造を有する錫・白金複酸化物を合成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target, for depositing a film having different compositions in the inner circumferential side and the outer circumferential side on a disk substrate, which can use a sputtering system same as the one used for the conventional disk shaped target having a uniform composition on the whole, and whose production is facilitated.例文帳に追加

ディスク基板上に、内周側と外周側とで組成の異なる膜を形成するために、従来の全体が均一組成の円盤状ターゲットに用いられるものと同じスパッタ装置が使用でき、かつ作成が容易であるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a sputtering target by which a resist layer capable of corresponding to the requirement for increasing the recording capacity of various devices can be formed with high precision in such a manner that the oxidizing degree of metal unsaturated oxide composing the resist layer can easily be stabilized, and to provide a sputtering target.例文帳に追加

各種デバイスの高記録容量化の要求に対応可能なレジスト層を構成する金属非飽和酸化物の酸化度合いを容易に安定して、かつ精度良く形成することができるスパッタターゲットの製造方法及びスパッタターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a copper sputtering target material for a TFT which can reduce a tensile residual stress in a copper film which has been deposited even not changing a deposition condition (pressure in deposition, gas kind used for deposition or the like), and to provide a copper film for a TFT, and a sputtering method.例文帳に追加

成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材、ＴＦＴ用銅膜、及びスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

In the target holder which is also used for a grounding shield and a deposit-preventive plate, at least two stages of notches of different depth not in contact with a sputtering target 1 or a backing plate 2 are formed in an insulating component 11 in contact with the sputtering target 1 or the backing plate 2.例文帳に追加

アースシールド及び防着板を兼用するターゲット押さえにおいて、スパッタリングターゲット１または、バッキングプレート２に接触する絶縁部品１１に、スパッタリングターゲット１またはバッキングプレート２に接触しない深さの異なる２段以上の切込みを設ける。 - 特許庁

A plurality of substrate holders 1 in the sputtering system are respectively provided with an optical sensor 28 for detecting the substrate and an optical fiber 31, the existence/non-existence of the disk substrate 10 on each substrate holder 1 is detected, and when the disk substrate 10 exists, a film depositing operation by sputtering is performed.例文帳に追加

スパッタ装置における複数の基板ホルダ１にそれぞれ基板検知用光センサ２８及び光ファイバ３１を設けて、各基板ホルダ１上のディスク基板１０の有無を検知し、ディスク基板１０が存在するときスパッタ成膜動作を行う。 - 特許庁

This sputtering target is characterized in that a component ratio of a silicon element against a mainly composing metal element contained in the sputtering target is higher than a stoichiometric ratio of the highest silicon content among silicide components capable of being compared with the two elements.例文帳に追加

スパッタリングターゲットに含まれる主要構成金属元素に対するシリコン元素の含有量が、それら２元素が構成し得るシリサイド化合物のうち最もシリコンの含有量が高い化学量論比率よりも、シリコンの含有比が高くなっていることを特徴とする。 - 特許庁

In the sputtering target having an erosion region which is eroded and a non-erosion region which is not eroded on sputtering, the surface roughness (Ra) of the upper face in the non-erosion region is ≥2.0 μm.例文帳に追加

スパッタリングの際に浸食されるエロージョン領域と、浸食されない非エロージョン領域とを有するスパッタリングターゲットにおいて、非エロージョン領域の上面の表面粗さ（Ｒａ）が２．０μｍ以上であるスパッタリングターゲットを提供することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a highly durable visible ray reflection film in which the adhesion between a base coat and silver sputtering layer can be improved, the excellent corrosion resistance can be imparted to the silver sputtering layer enhanced, and the high light reflectivity can be maintained even if pinholes occur.例文帳に追加

ベースコートと銀スパッタ層との間の密着性を向上させ、銀スパッタ層に優れた耐腐食性を付与すると共に、仮にピンホールが発生しても高い光反射性を維持することができる、耐久性に優れた可視光線反射フィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide a film-forming method by sputtering, which forms a thin film with a uniformly distributed film thickness and film quality, without installing a cathode peripheral member such as a distribution correction plate, and achieves a dust control and the extension of a running time, and to provide a magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

分布修正板等のカソード周辺部材を設置しなくても膜厚分布及び膜質分布が均一な薄膜を形成することができ、ダスト抑制及びランニングタイムの延長等を達成できるスパッタ成膜方法及びマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a backing plate an assembly of sputtering target and backing plate, a method for joining the sputtering target and the backing plate, and a method of sputter film deposition capable of preventing warping and cracking and hardly causing the melting of a brazing filler metal for bonding even if applied electric power is increased.例文帳に追加

反り、割れを防止し、かつ投入電力を上げてもボンディング鑞材の溶け出しが生じにくいバッキングプレート、スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法及びスパッタリング成膜方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

After a titanium film and a titanium nitride film are successively deposited on an insulating film formed on a semiconductor substrate through sputtering, the surface of a titanium target used for the deposition of the titanium nitride film is cleaned by sputtering to remove nitrides formed on the titanium target surface.例文帳に追加

半導体基板上に形成された絶縁膜上に、スパッタリング法によりチタン膜および窒化チタン膜を順次堆積した後に、窒化チタン膜の堆積に用いたチタンターゲットの表面をスパッタリングクリーニングして、チタンターゲット表面に形成された窒化物を除去する。 - 特許庁

This ECR sputtering method attains an excellent nitriding reaction and a high sputtering yield by irradiating a substrate with plasma originating from a sputter target, simultaneously ionizing reactive gases such as nitrogen gas and irradiating the substrate with ions of the ionized reactive gas.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタにおいて、スパッタターゲットのプラズマを基板に照射するとともに、窒素ガス等の反応性ガスをイオン化し、このイオン化した反応性ガスイオンを基板に照射することによって、窒化反応を良好なものとするとともに、高いスパッタリングイールドを得る。 - 特許庁

To provide a sputtering device capable of preventing the adhesion of particles scattered by sputtering to the inner wall of a chamber, moreover capable of preventing dielectric breakdown of the particles deposited on a sticking preventing member and furthermore capable of preventing needless plasma discharge in the chamber.例文帳に追加

スパッタリングにより飛散した粒子がチャンバの内壁へ付着することを防止できると共に、防着部材に堆積した粒子の絶縁破壊を防止することができ、更に、チャンバ内での不要なプラズマ放電を防止することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high-purity ruthenium sputtering target which does not produce a crack when the sputtering target is upsized with a melting method, and inhibits formation of particles during formation of a film for forming a capacitor electrode or the like in a semiconductor memory, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

スパッタリングターゲットを熔解法によって大型化する際にクラックを発生させず、しかも半導体メモリーのキャパシタ用電極等を形成するための製膜時にパーティクルの発生を抑えることができる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットとその製造方法の提供。 - 特許庁

These rings increased in thickness provide additional materials for sputtering without giving minus influence on the properties of a thin film.例文帳に追加

これら増加された厚さのリングは薄膜性質にマイナスの影響を与えることなくスパッタリングのための追加材料を提供する。 - 特許庁

The reduction in magnetic permeability can be attained by bending the ferromagnetic material in the part of targets 10 and 100 where most of sputtering occurs.例文帳に追加

この透磁率低下は、ターゲット１０、１００の大部分のスパッタリングが起る部分で強磁性材料を曲げることによって達成する。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a film deposition system for depositing a mixed film of a metal and SiO_2 at high speed by sputtering.例文帳に追加

金属とＳｉＯ_2の混合膜を高速かつ安定してスパッタリングで形成可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus excellent in maintenance property by allowing easy exchange of targets, and to provide a method of manufacturing a liquid crystal device.例文帳に追加

容易なターゲット交換を可能とすることでメンテナンス性に優れた、スパッタリング装置、及び液晶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering device which enables the improvement in film formation rate while preventing the damage of the surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面の損傷を抑えつつ、成膜速度を向上させることのできるスパッタリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a phase shift mask blank is carried out by discharging both of a silicon target and a metal silicide target or the like at a time by sputtering to deposit a film.例文帳に追加

スパッタ法でシリコンターゲットと、金属シリサイド等のターゲットを同時に放電させて成膜する位相シフトマスクブランクの製造方法。 - 特許庁

To provide a multitarget sputtering apparatus provided with a vacuum chamber 1 which has a small volume, stores many targets 7 therein, and loads and unloads them to and from a target position.例文帳に追加

多数のターゲット７を容積の小さい真空チャンバ１内に収納し、ターゲット位置へのローディングとアンローディングを可能とする。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus that can form a film on a substrate surface at high speed without doing damage to the surface and is less likely to cause abnormal electrical discharge.例文帳に追加

基板表面にダメージを与えずに高速成膜できると共に、異常放電が発生しにくいスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

Then, on the entire surface of the insulation film 2 including the trenches 3 for interconnections, a TaN film 4 and a sputter Cu film 5 are formed by sputtering.例文帳に追加

次に、配線用溝３を含む絶縁膜２上の全面に、ＴａＮ膜４及びスパッタＣｕ膜５をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

The sputtering target is an alloy composed of two or more kinds of elements, and the alloy is not a compound of these elements.例文帳に追加

スパッタリングターゲットが２種類以上の元素から構成される合金であって、該合金が該元素の化合物でない合金であること。 - 特許庁

A metal film 12 as an intermediate layer having excellent compatibility with a base material 10 is deposited on the base material 10 through sputtering.例文帳に追加

基材１０上に、当該基材１０と相性の良い中間層としての金属膜１２が、スパッタリング処理によって形成される。 - 特許庁

Through the second nozzles, a second gas is fed which is a material for producing second ionic species higher in sputtering efficiency than the first ionic species.例文帳に追加

第２ノズルからは、第１イオン種よりスパッタ効率の高い第２イオン種を生成する原料となる第２のガスが導入される。 - 特許庁

To provide a lithographic apparatus for reducing sputtering caused by gas introduced to a projection beam optical path, and a method for manufacturing the apparatus.例文帳に追加

投影ビーム光路に導入されたガスによるスパッタリングを低減するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供すること。 - 特許庁

The light emission wavelength and light emission intensity of the discharge of the Ti at the time of sputtering of the target 21a are detected by a PEM 31a.例文帳に追加

ターゲット２１ａのスパッタ時におけるＴｉの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａによって検知される。 - 特許庁

An electrode part surrounding the metal sample is cooled when the contaminated part of the surface of the metal analytical sample is removed by sputtering.例文帳に追加

金属分析試料の表面汚染部をスパッタリングにより除去するにあたり、金属試料を取り囲む電極部を冷却する。 - 特許庁

The HfSiO film uses, for instance, an alloy wherein a weight ratio of Hf to Si is 1:1 is used as a target, and formed by sputtering.例文帳に追加

ＨｆＳｉＯ膜は例えばＨｆ及びＳｉの重量比が１対１の合金をターゲットとして用い、スパッタリングにより成膜する。 - 特許庁

To provide an indium target capable of achieving a high sputtering rate while suppressing the occurrence of abnormal discharge, and to provide a method for production thereof.例文帳に追加

異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを達成することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Sputtering, CVD, a sol-gel process or aerosol deposition (AD) may be applied as a method for forming the functional film 14.例文帳に追加

図１（ｂ）において、機能性膜１４を形成する方法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、エアロゾルデポジション（ＡＤ）法等がある。 - 特許庁

SPUTTERING APPARATUS FOR DISKLIKE SUBSTRATE, SUBSTRATE CHUCKING METHOD FOR THE APPARATUS, MANUFACTURING METHOD FOR DISKLIKE RECORDING MEDIUM USING THE APPARATUS例文帳に追加

円板状基板用スパッタ装置、当該装置における基板チャッキング方法、当該装置を用いたディスク状記録媒体の製造方法 - 特許庁

It is preferable that the substrate temperature in the sputtering step is 400°C to 700°C and the deposition rate is 0.2 μm/h to 1.0 μm/h.例文帳に追加

スパッタリングを行う際の基板温度は、４００℃〜７００℃であり、堆積速度は０．２μｍ／ｈ〜１．０μｍ／ｈであることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which arcing due to emission of thermal electron can be reduced during a sputtering process for forming bumps.例文帳に追加

バンプ形成時のスパッタ工程において熱電子放出によるアーキングを低減し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus, capable of increasing the amount and size of clusters produced by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

生成するクラスター量を増大しかつ大きなクラスターを生成することのできるマグネトロンスパッタ法による方法と装置を提供すること。 - 特許庁

To efficiently manufacture an optical disk, including an operation for attaching and detaching masks within a vacuum vessel before and after a sputtering film formation process.例文帳に追加

スパッタ成膜工程の前後にマスクの着脱を真空容器内で行なう操作を含めて効率よく光ディスクを製造する。 - 特許庁

GaSb-BASED PHASE-CHANGE RECORDING FILM WITH HIGH CRYSTALLIZATION SPEED, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING IT例文帳に追加

結晶化速度の速いＧａＳｂ系相変化型記録膜およびこのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

To provide an electron-beam evaporation apparatus which attains a strong adhesion of a film formed by deposition of an evaporated (sputtering) metal and a high formation speed.例文帳に追加

蒸着（スパッタリング）金属による形成成膜の接着力が強く、形成速度の速い電子ビーム蒸着装置を提供する。 - 特許庁