「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索

This substrate can be manufactured by the dry coating of silicon oxide by vacuum deposition method, sputtering method, CVD method, and the like.例文帳に追加

この基板は酸化珪素の真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などのドライコーティングにより製造することが可能である。 - 特許庁

In this method for forming the photocatalyst film, an SiO_2 film is laminated on a TiO_2 film by sputtering in vacuum.例文帳に追加

本発明は真空中でＴiＯ_2膜上にスパッタリングによってＳiＯ_2膜を積層する光触媒膜の形成方法である。 - 特許庁

Next, a photonic crystal polarizer 11 is integrally formed by alternately laminating multilayer films of Si and SiO_2 by making use of a bias sputtering device.例文帳に追加

つぎにバイアススパッタ装置を用いて、SiとSiO_2の交互多層膜を積層してフォトニック結晶偏光子１１を一体形成する。 - 特許庁

ARTICLE COATED WITH ZIRCONIUM COMPOUND FILM, METHOD FOR PRODUCING THE ARTICLE, AND SPUTTERING TARGET USED FOR COATING WITH THE FILM例文帳に追加

ジルコニウム化合物膜が被覆された物品、その物品の製造方法及びその膜を被覆するために用いるスパッタリングターゲット - 特許庁

The ZnO semiconductor film containing Ru is formed by sputtering using targets 21, 22 containing ZnO and Ru.例文帳に追加

ＺｎＯ及びＲｕを含むターゲット２１，２２を用いたスパッタリングにより、Ｒｕを含有するＺｎＯ半導体膜を形成する。 - 特許庁

When an amorphous oxide semiconductor is formed on a substrate by sputtering, deposition is carried out while cooling the substrate.例文帳に追加

スパッタ法を用いて基板上にアモルファス酸化物半導体を形成するにあたり、基板を冷却しながら成膜を行う。 - 特許庁

To develop a compact high magnetic field magnetron for causing the perfect coverage of a deep hole and performing persistent self-sputtering of copper.例文帳に追加

深いホールの完全なカバレッジをもたらし、銅の持続型セルフスパッタリングをおこなうため、小型高磁場のマグネトロンを開発すること - 特許庁

DC-SPUTTERING PROCESS FOR MANUFACTURING THIN-FILM FERROELECTRIC CAPACITOR HAVING SMOOTHING ELECTRODE AND IMPROVED MEMORY RETENTIVITY例文帳に追加

平滑電極および向上されたメモリ保持性を有する薄膜強誘電体キャパシタを製造するためのＤＣスパッタリングプロセス - 特許庁

To provide a method for producing high-purity titanium suitable for a sputtering target by efficiently separating impurities from sponge titanium.例文帳に追加

スポンジチタン中の不純物を効率よく分離し、スパッタリングターゲットに適した高純度のチタンを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

A tungsten film 92 is prepared by performing sputtering on a substrate 9 held by a substrate holder 3 within a process chamber 1.例文帳に追加

プロセスチャンバー１内で、基板ホルダー３に保持された基板９に対しスパッタリングによるタングステン膜９２の作成が行われる。 - 特許庁

SUBSTRATE HOLDING METHOD IN SPUTTERING DEVICE AND SUBSTRATE HOLDER OF DEVICE FORMING THIN FILM ON SUBSTRATE SURFACE IN PLASMA ATMOSPHERE例文帳に追加

スパッタリング装置における基板保持方法、並びに、プラズマ雰囲気中で基板表面に薄膜を形成する装置の基板ホルダー - 特許庁

TARGET FOR ION BEAM SPUTTERING, METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE FOR OXIDE SUPERCONDUCTOR, AND METHOD FOR PRODUCING WIRE ROD OF OXIDE SUPERCONDUCTOR例文帳に追加

イオンビームスパッタ用ターゲット、酸化物超電導導体用基材の製造方法および酸化物超電導線材の製造方法 - 特許庁

By using process gas for sputtering as the pressurized gas, non-stabilization of plasma is prevented when the pressurized gas leaks from the film 4.例文帳に追加

加圧ガスとして、スパッタリングのプロセスガスを使用することで、フィルム４から加圧ガスが漏出した場合のプラズマの不安定化を防ぐ。 - 特許庁

The sputtering target comprises a fluoride of at least one element selected from the group consisting of Al, Ba, Ca, Gd, La, Li, Mg, Pb, and Y.例文帳に追加

Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｇｄ，Ｌａ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｐｂ，Ｙの群から選択した少なくとも１種の元素のフッ化物からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a backing plate for sputtering with small heat expansion coefficient, high rigidity and light in weight as well as an aluminum alloy.例文帳に追加

熱膨張係数が小さく、高剛性で、アルミニウム合金と同程度の軽量のスパッタリング用バッキングプレートを提供する。 - 特許庁

REFLECTION FILM AND TRANSLUCENT REFLECTION FILM FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM, AND Ag ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE REFLECTION FILM例文帳に追加

光記録媒体用反射膜および半透明反射膜並びにこれら反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

Thereafter, in a state with the resistor film 200 remaining, crystal seeds 65A are formed on the silicon wafer 110 by sputtering.例文帳に追加

そのあと、このレジスト膜２００を残した状態で、シリコンウエハ１１０上にスパッタによって結晶種６５Ａを形成する。 - 特許庁

To provide an assembly of titanium target for sputtering having a high jointing strength and jointing soundness, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

高い接合強度及び接合健全性を有するスパッタリング用チタンターゲット組立て体、及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A silicon oxide film 2 is formed on a silicon substrate 1, on which a barrier metal layer 3 is formed through a sputtering method.例文帳に追加

シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形成し、シリコン酸化膜２上にスパッタリング法により、バリアメタル層３を形成する。 - 特許庁

The sputtering target material is composed of an Ag based alloy obtained by adding a specified small amount of Bi to Ag so as to be alloyed.例文帳に追加

Ａｇに、特定少量のＢｉを添加して合金化してなるＡｇ基合金から構成されたスパッタリングターゲット材。 - 特許庁

The obtained ingot is subjected to machining and intermediate annealing and subsequently to organic washing and etching to obtain the sputtering target.例文帳に追加

得られた鋳塊に機械加工と中間焼鈍を行い、その後有機洗浄とエッチングを行ってスパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁

An iron nitride layer film formed by a sputtering method is selectively etched by RIE to form an upper pole chip 11a.例文帳に追加

スパッタリングによって成膜された窒化鉄層をＲＩＥにより選択的にエッチングして上部ポールチップ１１ａを形成する。 - 特許庁

The magnet unit 20 for a magnetron sputtering system has a plurality of magnet assemblies 30 each having a through-hole 30a.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ装置用磁石ユニット２０は、各々が貫通孔３０ａを有する複数の磁石組立体３０を有する。 - 特許庁

To provide a target material for forming an optical recording medium protective layer exhibiting excellent cracking resistance under high output sputtering conditions.例文帳に追加

高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用ターゲット材を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system where the probability of the intrusion of outgases into a sputtered film is reduced, and the improvement of its film quality is made possible.例文帳に追加

スパッタ膜にアウトガスが混入してしまう確率を小さくし、その膜質向上を可能としたスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring material which is extremely little in diffusion to Si films and a sputtering target for forming the same.例文帳に追加

Ｓｉ膜への拡散が非常に少なく低抵抗の配線材料及びそれを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

POWDER, SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET, EACH CONTAINING ELEMENTS Cu, In, Ga AND Se, AND METHOD FOR PRODUCING THE POWDER例文帳に追加

Ｃｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅの元素を含有する粉末、焼結体およびスパッタリングターゲット、並びに上記粉末の製造方法 - 特許庁

After a surface of the substrate 108 is subjected to the reverse sputtering of the predetermined quantity, application of the voltage by the pulse DC power supply 109 is stopped.例文帳に追加

基板１０８の表面が所定量逆スパッタされた後、パルスＤＣ電源１０８による電圧の印加を止める。 - 特許庁

To secure shield and contact of a joint of an RF route, in an RF sputtering device in which a cathode is independently opened and closed.例文帳に追加

カソードを独立して開閉するＲＦスパッタ装置において、ＲＦ経路の接続部のシールド及び接触を確保する。 - 特許庁

The 2nd magnetic layer 4 is deposited by a sputtering method and it has a polycrystal structure consisting of magnetic materials such as CoPt alloy.例文帳に追加

第２磁性層４はスパッタリング法により成膜し、ＣｏＰｔ合金などの磁性材料よりなる多結晶構造とする。 - 特許庁

To provide an inexpensive cylindrical sputtering target and a method of manufacturing the same, the target and the method causing no cracks nor peeling in target material even when used in sputtering using a large power and capable of being applied for targets composed of various materials unlike thermal spray method or HIP method.例文帳に追加

大電力によるスパッタ時においても、ターゲット材の割れや剥離が発生せず、溶射法やＨＩＰ法によるものと異なり、あらゆる材質のターゲットに適用可能で、かつ、低コストの円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin-film-forming method includes forming a thin film through sputtering targets 29a and 29b, while exhausting air from an outlet 11d formed in a vacuum chamber 11, and introducing a sputtering gas containing at least a reactive gas into a film-forming zone 20.例文帳に追加

真空槽１１に設けられた排気口１１ｄからの排気と、成膜プロセスゾーン２０への少なくとも反応性ガスを含むスパッタガスの導入とを行いながらターゲット２９ａ，２９ｂに対するスパッタによって薄膜を形成する薄膜形成方法である。 - 特許庁

By performing dry etching which mainly has physical sputtering action after formation of the polycrystalline silicon layer 19, a surface convex part is deleted by the physical sputtering action and embedded in a recessed part, so that the surface of the polycrystalline silicon layer 19 is smoothed.例文帳に追加

多結晶シリコン層１９の形成後、主として物理的なスパッタリング作用をもつドライエッチングを施すことにより、物理的なスパッタリング作用により表面の凸部が削られて凹部へと埋め込まれて、多結晶シリコン層１９の表面が平滑化される。 - 特許庁

In the method for depositing a transparent conductive film on an organic film by a DC magnetron sputtering method using an In-Sn-O based target, the sputtering is performed with the bias voltage of -70 to -130V, and the target current of 0.1-0.7A.例文帳に追加

Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法により有機フィルム上に透明導電膜を形成する方法であって、前記スパッタリングは、−７０〜−１３０Ｖのバイアス電圧、０．１〜０．７Ａのターゲット電流で行うことを特徴とする。 - 特許庁

The single titanium-tantalum thin film, having a compositional gradient from the top to the bottom, can be formed by various techniques including PVD, CVD, sputter deposition using a sputtering target having a uniform composition, and sputter deposition using a plurality of sputtering targets.例文帳に追加

最上部から底部まで組成勾配を有する単一のチタン−タンタル薄膜は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、均一な組成のスパッタリングターゲットを用いたスパッタ堆積及び複数のスパッタリングターゲットを用いたスパッタ堆積を含む各種の技術を用いて形成してよい。 - 特許庁

A nickel layer 4 with a thickness of approximately 100 nm is formed on a main surface of a silicon layer 3 by the sputtering method, and a titanium nitride layer 5 with a thickness of 300-500 nm is formed on a main surface of the nickel layer 4 as an oxidation protective layer by the sputtering method.例文帳に追加

シリコン層３の一方主面上に厚さ約１００ｎｍのニッケル層４を、スパッタリング法によって形成し、さらに、ニッケル層４の一方主面上に酸化保護層として厚さ３００〜５００ｎｍの窒化チタン層５を、スパッタリング法によって形成する。 - 特許庁

The method for forming the metal oxide thin film is characterized by sputtering at a base material temperature of 100°C or less with a magnetron sputtering apparatus in which a target is arranged aslant so that sputtered particles can be launched in an angle of 75 degree or less against the base material.例文帳に追加

基材に対して７５°以下の角度でスパッタ粒子が入射するように傾斜させてターゲットを配置したマグネトロンスパッタリング装置を用いて、１００℃以下の基材温度でスパッタリングすることを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。 - 特許庁

This sputtering target for the formation of the optical logging protection film capable of DC sputtering and low in abnormal discharge comprises 10-30 mole % silicic and titanic compound oxide, 0.5-30 mole % indium oxide and the balance of zinc sulfide.例文帳に追加

ケイ素とチタンの複合酸化物：１０〜３０モル％、酸化インジウム：０．５〜３０モル％を含有し、残部が硫化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする直流スパッタリング可能でかつ異常放電の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

When the β iron silicide region is manufactured on the silicon substrate by using a sputtering method, the conditions of the type of ion and its accelerating voltage, a pressure in an apparatus, an incident angle of ion or their combination are set to set a sputtering yield to 2.4 or more.例文帳に追加

シリコン基板にβ鉄シリサイド領域をスパッタ法を用いて作製する際、スパッタリング収率を２．４以上に設定するような、イオンの種類及びその加速電圧、装置内の圧力、イオンの入射角、またはその組み合わせの条件を設定する。 - 特許庁

In the deposition method for depositing the Si oxide film on a substrate by sputtering, an oxygen gas is supplied onto the substrate and the Si oxide film is deposited by sputtering Si from a direction oblique to the surface of the substrate using Si as a target.例文帳に追加

基板上にスパッタリングによりＳｉ酸化膜を形成する方法であって、基板上に酸素ガスを供給するとともに、ＳｉをターゲットとしてＳｉを基板面に対して斜め方向からスパッタリングしてＳｉ酸化膜を形成するＳｉ酸化膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a cylindrical sputtering target which does not generate the crack and exfoliation of target materials even at large-power sputtering, can be applied to a target of a variety of materials different from that manufactured by a thermal spray method and an HIP method, and is low in cost, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

大電力によるスパッタ時においても、ターゲット材の割れや剥離が発生せず、溶射法やＨＩＰ法によるものと異なり、あらゆる材質のターゲットに適用可能で、かつ、低コストの円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering target comprises a zinc oxide sintered body, wherein a crystalline orientation degree I_002/(I_002+I_110) calculated by peak intensities in the X-ray diffraction measurement on the major face 11a to be exposed to a sputtering atmosphere, is 0.2 to <0.58.例文帳に追加

酸化亜鉛焼結体からなり、スパッタリング雰囲気にさらされる主面１１ａのＸ線回折測定のピーク強度により算出される結晶配向度Ｉ_００２／（Ｉ_００２+Ｉ_１１０）が０．２以上、０．５８未満であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The dielectric layer is deposited by means of cathode sputtering, for example, by means of the cathode sputtering which is assisted by a magnetic field and is preferably reactive in the presence of oxygen and/or nitrogen, with exposure to at least one ion beam (3) from an ion source (4).例文帳に追加

誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。 - 特許庁

To obtain a sputtering target for deposition of optical disk protective film, capable of increasing the uniformity of film and enhansing productive efficiency by improving powder as material for target and enabling DC sputtering using the resultant target.例文帳に追加

ターゲットの材料である粉末の改善を図り、これによって形成したターゲットを用いてＤＣスパッタリングを可能とすることにより成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットを得ることを目的とする。 - 特許庁

The titanium oxynitride film is formed through reactive sputtering by connecting a pulsed power supply 5 to the cathodes 3A and 3B, circulating a mixed gas of oxygen, nitrogen and argon and alternately sputtering two targets 4 and 4 by alternately applying pulse voltages to the cathodes 3A and 3B.例文帳に追加

カソード３Ａ，３Ｂにパルス電源５を接続し、酸素と窒素とアルゴンの混合ガスを流通させながらカソード３Ａ，３Ｂに交互にパルス電圧を印加することにより２個のターゲット４，４を交互にスパッタする反応性スパッタにより、酸窒化チタン膜が形成される。 - 特許庁