「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnet array in a magnetron sputtering device, which achieves a higher target utilization than that of a conventional apparatus.例文帳に追加

従来の装置よりも高いターゲット利用率を与える、マグネトロンスパッタリング装置における磁石配列体を提供する。 - 特許庁

Subsequently, lithium is grown into a film on the surface of the silicon substrate W in a separate vacuum chamber 41 by sputtering without breaking the vacuum.例文帳に追加

続いて真空を破らずに別の真空室４１でこのシリコン基板Ｗの表面にリチウムをスパッタ成膜する。 - 特許庁

The electrode base film 20, the intermediate metallic film 21, and the vibrating electrode film 2a are formed by a sputtering method.例文帳に追加

電極下地膜２０、中間金属膜２１及び振動電極膜２ａは、スパッタリング法によって形成される。 - 特許庁

To provide a planar magnetron sputtering system capable of improving efficiency of target utilization and preventing deterioration in film quality.例文帳に追加

ターゲットの利用効率を向上させると同時に膜質の劣化を防止できるプレーナーマグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

TRANSLUCENT REFLECTING FILM FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM, AND AG ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE TRANSLUCENT REFLECTING FILM例文帳に追加

光記録媒体用半透明反射膜およびこの半透明反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

Oxygen existing in atmosphere in the sputtering chamber 11 reacts by introduced hydrogen and water (H_2O) is formed.例文帳に追加

導入した水素によって、スパッタ室１１内の雰囲気中に存在する酸素が反応し、水（Ｈ_２Ｏ）を形成する。 - 特許庁

Then a titanium nitride film 23 is formed on the flank and bottom of the through hole 22a by a directional sputtering method.例文帳に追加

そして、スルーホール２２ａの側面及び底部上に窒化チタン膜２３を指向性スパッタリング法を用いて形成する。 - 特許庁

The heat-conductive layer 7 may be formed as a metal layer such as a chromium or aluminum layer by vapor-depositing or sputtering.例文帳に追加

熱伝導層７は、クロム層やアルミニウム層等の金属層を蒸着あるいはスパッタにより形成することができる。 - 特許庁

The conductive layers 23 are manufactured by one of methods including sputtering, spin coating, solution coating, and powder coating methods.例文帳に追加

導電層２３は、スパッタリング、スピンコーティング、溶液コーティングおよび粉末コーティングを含む方法の内の一つにより製造する。 - 特許庁

The sputtering target material is composed of an Ag based alloy obtained by adding a specified small amount of P to Ag and alloying the same.例文帳に追加

Ａｇに特定少量のＰを添加して合金化してなるＡｇ基合金から構成されたスパッタリングターゲット材。 - 特許庁

The substrate is a transparent one, and the lower part substrate electrode can be formed by the electron cyclotron resonance sputtering method.例文帳に追加

前記基板が透明基板であり、前記下部電極も電子サイクロトン共鳴スパッタ法によって形成してもよい。 - 特許庁

The conductive layer is formed of gold (Au) by using a high-frequency sputtering method, and the adhesion layer is formed of titanium (Ti).例文帳に追加

導電膜層は、高周波スパッタ法を用いて、金（Ａｕ）で形成され、密着層は、チタン（Ｔｉ）で形成される。 - 特許庁

SPUTTERING APPARATUS AND METHOD WITH MULTIANGULAR BARREL, FINE PARTICLES AND MICROCAPSULES COATED THEREBY, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

多角バレルスパッタ装置、多角バレルスパッタ方法及びそれにより形成された被覆微粒子、マイクロカプセル及びその製造方法 - 特許庁

To provide a magnetron unit and a sputtering system capable of suppressing overhang and enhancing the bottom coverage.例文帳に追加

オーバーハングを抑制でき、且つ、ボトムカバレッジを向上できるマグネトロンユニット及びそれを備えたスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a copper alloy wiring film of a flat panel display and a sputtering target for forming the copper alloy wiring film.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイの銅合金配線膜および銅合金配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a GaN semiconductor layer grown on a glass substrate by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板上にスパッタリング法で成長されたＧａＮ半導体層を有する窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

WIRING AND ELECTRODE ELECTRODE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY FREE FROM GENERATION OF HEAT DEFECT AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THEM例文帳に追加

熱欠陥発生のない液晶表示装置用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

THIN FILM FOR CONTACT ELECTRODE OF MICRO-MACHINE SWITCH, AND SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING THIN FILM FOR CONTACT ELECTRODE例文帳に追加

マイクロマシンスイッチの接触電極用薄膜およびこの接触電極用薄膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a method for obtaining a sputtering target containing indium oxide at high production efficiency while maintaining high density.例文帳に追加

酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットを、高い密度を維持して、かつ、高い生産効率で得る方法を提供する。 - 特許庁

This magnetron sputtering deposition device has a susceptor 14 and a target holder 16 confronted in an airtight treating chamber 10.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング成膜装置は、気密な処理室１０内で対向するサセプタ１４とターゲットホルダ１６とを有する。 - 特許庁

An Ar reverse sputtering having ≤8,000 J energy is performed to colored layers 6a-6c in which through holes 7 are formed.例文帳に追加

スルーホール７が形成された着色層６ａ〜６ｃに対し、エネルギーが８０００Ｊ以下のＡｒ逆スパッタを行う。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a transparent conductive film with higher conductivity, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

さらに高い導電性を有する透明導電膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering device that reduces plasma concentration near the center of a target and that helps prevent cracks from generating.例文帳に追加

ターゲット中心付近へのプラズマ集中を低減し、クラック発生防止に寄与するマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Pd alloy sputtering target having a low content of impurities such as oxygen and to provide a method for the production thereof.例文帳に追加

酸素等の不純物の量の少ないＰｄ合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system where maintenance man-hour, maintenance time, maintenance cost, system rise time or the like are reduced.例文帳に追加

メンテナンス工数、メンテナンス時間、メンテナンス費用、装置立ち上げ時間などが縮減されたスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To disclose a sputtering target system where the main direction (longitudinal direction) is defined along the width direction of an object with a large area.例文帳に追加

大面積の対象物の幅方向に沿って主方向（長手方向）が定義されるスパッタリングターゲット装置を開示する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing Co-based sintered alloy sputtering target for forming magnetic recording film having low relative magnetic permeability.例文帳に追加

比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the base metal layers 31, 35 are formed by sputtering, and the rewirings 32, 36 are formed by electrolytic plating.例文帳に追加

この場合、下地金属層３１、３５はスパッタにより形成し、再配線３２、３６は電解メッキにより形成する。 - 特許庁

A yoke 23 for constituting magnetic circuits and the superconducting magnetic field generator 1C are built in the sputtering gun 35.例文帳に追加

そして、スパッタガン３５には、磁気回路を構成するためのヨーク２３と超電導磁場発生装置１Ｃが組み込まれている。 - 特許庁

When depositing a second insulating layer 9 by sputtering method on a 2nd wiring layer 8 in which a wiring form or the like is formed, a 2nd insulating narrow recessed part 9a of thin film thickness is formed on a 2nd wiring narrow recessed part 8a according to nature of the sputtering method.例文帳に追加

配線形状などが形成された第２配線層８の上に、スパッタリング法により第２絶縁層９を成膜すると、第２配線狭凹部８ａにはスパッタリング法の性質により膜厚の薄い第２絶縁狭凹部９ａが形成される。 - 特許庁

In a chamber, sputtering is performed to form an erosion area different from that formed under a predetermined deposition condition required for forming a desirable sputtered film on a sputtering surface of the target material containing two or more elements.例文帳に追加

まず、チャンバ内において、複数の元素を含むターゲット材を用いて、所望のスパッタ膜を成膜する所定の成膜条件で形成される浸食領域とは異なる浸食領域がターゲット材のスパッタ面に形成されるように、スパッタリングを行なう。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering device capable of effectively consuming the electric power to be supplied to the sputtering of a target, also highly retaining the utilizing efficiency of the target and capable of controlling the thickness distribution of the thin film to be formed on a substrate to a prescribed range.例文帳に追加

投入される電力を有効にターゲットのスパッタに費やすことが可能で、且つターゲットの利用効率を高く保ち、基板上に形成される薄膜の厚さ分布を所定の範囲内に収めることが可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a metal mask for sputtering, which does not give an adverse effect such as increase in an ohmic value due to moisture adsorbed in a resinous salient, to a transparent conductive film, even when the film is formed with the use of the metal mask provided with the resinous salient for sputtering.例文帳に追加

樹脂の凸部を設けたスパッタ用メタルマスクを用いて透明導電膜を成膜しても、樹脂の凸部に吸着された水分に起因する抵抗値の上昇といった悪影響を受けないスパッタ用メタルマスクを提供すること。 - 特許庁

Also disclosed is a method for producing an Ni-W-B-based sputtering target material for producing an intermediate layer film in a perpendicular magnetic recording medium characterized in that raw material powder produced by a gas atomizing process is compacted, so as to be the sputtering target material.例文帳に追加

また、上記スパッタリングターゲット材をガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したことを特徴とする垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

After depositing an aluminum-made base thin film 93 on an inner side of the very small hole 90 formed in the substrate 9 by the ionization sputtering, a reflow thin film 91 is formed through the reflow while forming an aluminum film by the sputtering at the temperature of about 300°C (D).例文帳に追加

基板９に形成された微細なホール９０の内面にアルミのベース薄膜９３をイオン化スパッタによって作成した後、３００℃程度の温度でアルミ膜をスパッタによって作成しながらリフローさせてリフロー薄膜９１を作成する（Ｄ）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an IZO sputtering target which makes it possible to improve the productivity and reduce the cost by curtailing the processes and lowering the sintering temperature while maintaining the characteristics as an IZO sputtering target.例文帳に追加

ＩＺＯスパッタリングターゲットの製造において、ＩＺＯスパッタリングターゲットとしての特性を維持しつつ、工程を削減し、かつ焼結温度を下げることにより生産性の向上及び製造コストの低減が可能となる製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a metal-carbon composite material capable of considerably improving various characteristics of a DLC film by controlling the inclusion of moisture etc. in a sputtering device when used as a sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングのターゲットとして用いられた場合に、スパッタリング装置内に水分等が含まれるのを抑制することにより、ＤＬＣ膜の諸特性を飛躍的に向上させることができる金属‐炭素複合材料を提供することを目的としている。 - 特許庁

At least one of the ferromagnetic layers is formed of amorphous ferromagnetic material deposited in a film through magnetron DC sputtering, and the intermediate layer is of magnesium oxide deposited in a film through magnetron RF sputtering to have a single crystal structure in a direction of film thickness.例文帳に追加

少なくとも一方の強磁性層は、マグネトロンＤＣスパッタにより成膜したアモルファス状態の強磁性体とし、前記中間層は、マグネトロンＲＦスパッタにより成膜した、膜厚方向において単結晶構造を有する酸化マグネシウムとする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a cylindrical sputtering target in which deviation and bending of outer peripheral surfaces of adjacent cylindrical target materials are eliminated or reduced, in the method for manufacturing the cylindrical sputtering target made of a plurality of cylindrical target materials.例文帳に追加

複数の円筒形ターゲット材からなる円筒形スパッタリングターゲットの製造方法において、隣り合う円筒形ターゲット材の外周面のズレや折れ曲がりがない又は極めて小さい円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。 - 特許庁

A surface of titanium is nitrided in advance in a sputtering device to form titanium nitride and then sputtering targeting the titanium nitride is carried out in a state wherein introduction of nitrogen is stopped to form a first metal layer 5 comprising the titanium nitride film.例文帳に追加

スパッタ装置内において事前にチタンの表面を窒化させておくことで窒化チタンを形成しておき、その後、窒素の導入を停止した状態で窒化チタンをターゲットとしたスパッタにより、窒化チタン膜によって構成される第１金属層５を形成する。 - 特許庁

To suppress variability in film thickness in a process of depositing e.g. an antireflection coating by stabilizing film deposition rate from the initial stage of the use of a target to the end of its life in a sputtering deposition process using an Nb sputtering target.例文帳に追加

Ｎｂスパッタリングターゲットを用いたスパッタ成膜工程において、ターゲットの使用初期からライフエンドまで成膜速度を安定化させることによって、例えば反射防止膜の形成工程における膜厚のばらつきの発生を抑制する。 - 特許庁

In an assembly comprising the sputtering target and the backing plate with less particle generation, a backing plate area with sputter particles flying and adhering thereto during the sputtering is formed of the same material as that of the target.例文帳に追加

スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体において、スパッタリング中にスパッタ粒子が飛来して付着するバッキングプレート領域をターゲットと同一の材料としたことを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。 - 特許庁

Since it is not necessary to form a transparent electrode on an organic thin film by a direct sputtering method, sputtering damages of the element can be eliminated.例文帳に追加

ＩＴＯ簡易剥離法及び本方法により作製した２枚の支持基板を貼り合せることで素子作製を行う方法であって、有機薄膜上に直接スパッタリング法により透明電極形成を行う必要がないことから、素子のスパッタダメージがフリーとなる。 - 特許庁

N_2 gas is then flown into the sputtering chamber until that the concentration of N_2 gas in the camber is at least 35% to deposit by sputtering a second refractory metal-silicon-nitrogen layer 16 on top of the first refractory metal-silicon-nitrogen layer.例文帳に追加

次に、チャンバ内のＮ_2ガスの濃度が少なくとも３５％になるまで、Ｎ_2ガスがスパッタリング・チャンバ内に流し込まれ、第１の耐熱金属−ケイ素−窒素の層上に、第２の耐熱金属−ケイ素−窒素の層１６がスパッタ付着される。 - 特許庁

To provide a sputtering system, upon film deposition by a sputtering process, which prevents the incidence of electrons and oxygen ions on a substrate and reduces damage to a substrate or a film on the substrate, thus can improve film properties, and to provide a film deposition method.例文帳に追加

スパッタリング法による成膜時において、電子や酸素イオンが基板に入射することを防ぎ、基板や基板上の膜へのダメージを低減することで、膜特性を向上させることができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁