sputteringを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6532件
ALUMINA ALLOY THIN FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE ELECTRODES AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE SAME例文帳に追加
半導体デバイス電極用Al合金薄膜及び半導体デバイス電極用Al合金薄膜形成用のスパッタリングターゲット - 特許庁
INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER, SPUTTERING TARGET USING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER例文帳に追加
酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法 - 特許庁
This silicone rubber composition comprises spherical polysilsesquioxane particles having a brass metal layer formed on the surfaces thereof by a sputtering method.例文帳に追加
スパッタ法で真鍮金属層を表面に形成させた球状ポリシルセスキオキサン粒子を含有するシリコーンゴム組成物。 - 特許庁
Prior to the removal of the next layer, focused ion beam sputtering with oxygen-containing gas smoothes the base of a trench.例文帳に追加
次の層を取り除く前に、酸素含有ガスと共に集束イオンビームスパッタリングを用いて、トレンチ底面を平滑にする。 - 特許庁
The indium oxide sputtering target is composed of an indium oxide sintered compact having an indium oxide phase and a metal phase.例文帳に追加
酸化インジウムスパッタリングターゲットを酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体により構成する。 - 特許庁
To provide a strontium-ruthenium oxide target which gives good film deposition by a sputtering method.例文帳に追加
ストロンチウム・ルテニウム酸化物ターゲットをスパッタリング法により形成するのに良好な膜形成できるターゲットを提供する。 - 特許庁
The silicon oxide thin film is formed by introducing argon added oxygen, while performing argon-ion sputtering.例文帳に追加
酸素ガスにアルゴンガスが添加されて導入され、アルゴンイオンによるスパッタリングを行いながら、酸化珪素薄膜が作成される。 - 特許庁
Al ALLOY FILM, WIRING STRUCTURE HAVING Al ALLOY FILM, AND SPUTTERING TARGET USED IN PRODUCING Al ALLOY FILM例文帳に追加
Al合金膜、Al合金膜を有する配線構造、およびAl合金膜の製造に用いられるスパッタリングターゲット - 特許庁
To provide a magnetron sputtering apparatus for forming a thin film having high quality, high reproducibility and an intermediate refractive index.例文帳に追加
高品質で再現性が高い、中間屈折率を有する薄膜を形成できるマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a cold-cathode fluorescent lamp with high resistance to sputtering at low cost, a back light unit, and a display apparatus.例文帳に追加
低コストで、かつ、高い耐スパッタ性を有する冷陰極蛍光ランプ、バックライトユニット及びディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a sputtering target for coating an Si based ceramic film capable of stable continuous coating for a long time.例文帳に追加
長時間安定した連続コーティングが可能な、Si系のセラミック膜をコーティングするためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
Furthermore, the first conductive layer is created through sputtering on the main surface of the substrate before dividing the component region.例文帳に追加
さらに、前記第1の導電層は、部品領域の分割前に基板の主要面上にスパッタを通じて生成される。 - 特許庁
The sputtering target includes the components so as to have a mole ratio S/(Ba+Eu) of 3.6 to 4.0; and has a bending strength of 60 MPa or higher.例文帳に追加
スパッタリングターゲット中のモル比S/(Ba+Eu)は3.6〜4.0であり、かつ、曲げ強度は60MPa以上である。 - 特許庁
To provide a vacuum treatment system where the object to be treated can be continuously subjected to vacuum treatment such as sputtering and CVD (chemical vapor deposition).例文帳に追加
本発明は、処理物にスパッタリング,CVD等の真空処理が連続してできる真空処理装置を提供する。 - 特許庁
The protective film comprises, e.g., a metal film, and the metal film can be formed, e.g., by sputtering, depositing, or plating.例文帳に追加
保護膜は例えば金属膜からなり、金属膜は例えばスパッタ、蒸着またはめっきにより形成することができる。 - 特許庁
To prepare a stannic-oxide based, transparent electroconductive film with low resistance and high excoriation resistance, to provide its manufacturing method, and a sputtering target.例文帳に追加
低抵抗で耐擦傷性の高い酸化錫系透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁
The partial pressure of the N2 gas in the mixed gas used for the sputtering method is specified to be 0.5-10%, preferably 1-9%.例文帳に追加
このスパッタリング法に用いられる混合ガス中のN_2 ガスの分圧を、0.5〜10%、好ましくは1〜9%とする。 - 特許庁
In the process shown in Fig. 1 (b), an SiO_2 film wherein dot bodies 104 are buried is deposited on a substrate by a sputtering method.例文帳に追加
図1(b)に示す工程では、スパッタ法により、基板上にドット体104を埋めるSiO_2膜を堆積する。 - 特許庁
The insulating layer 20a is formed by an insulating material, e.g. alumina, by, for example, a sputtering method or a CVD method.例文帳に追加
絶縁層20aは、例えばスパッタ法またはCVD法によって、絶縁材料例えばアルミナにより形成する。 - 特許庁
To provide a plasma type ignition device which has a superior durability and in which consumption of a cathode due to cathode sputtering is suppressed.例文帳に追加
陰極スパッタリングによる陰極の消耗を抑制して耐久性に優れたプラズマ式点火装置を提供する。 - 特許庁
To suppress the occurrence of particles due to abnormal discharge during sputtering at the time of forming an EUV-ray reflecting multilayer film.例文帳に追加
EUV光反射多層膜の成膜において、スパッタ中の異常放電によるパーティクルの発生を抑制する。 - 特許庁
METALLIC MATERIAL, SPUTTERING TARGET MATERIAL USING THE METALLIC MATERIAL, GRAIN REFINING METHOD FOR METALLIC MATERIAL AND APPARATUS THEREFOR例文帳に追加
金属材料、この金属材料を用いてなるスパッタリングターゲット材、金属材料の微細化加工方法及び装置 - 特許庁
To decrease a necessity of performing maintenance in a state of opening a sputtering apparatus in the air and stabilize a film-forming process.例文帳に追加
スパッタ装置を大気に解放してメンテナンスを行う必要性を少なくするとともに、成膜プロセスを安定化させる。 - 特許庁
As to a target 3 for magnetron sputtering, a magnetic substance 4 is burried to the inside of a target 1 or the inside of a backing plate 2.例文帳に追加
ターゲット1の内部、もしくはバッキングプレート2の内部に、磁性体4を埋め込んだマグネトロンスパッタ用ターゲット3である。 - 特許庁
To efficiently deposit a film of high quality when depositing a thin film on a substrate by the sputtering method.例文帳に追加
スパッタリング法を用いて基板上に何らかの薄膜を形成するに際して、高品質の膜を効率良く形成する。 - 特許庁
The method for manufacturing the transparent conductive film employs the apparatus, to form the film without causing the abnormal discharge by a high-speed sputtering.例文帳に追加
この装置を用いて、異常放電を発生することなく、高速スパッタ成膜して透明導電膜を製造する。 - 特許庁
By this procedure, fine, uniform grain size of desired random crystal orientation can be obtained in the final sputtering target.例文帳に追加
これにより最終スパッタ・ターゲット中に所望不規則結晶配向の微細かつ均一な結晶粒サイズが得られる。 - 特許庁
A sputtering apparatus 10 includes a GeTe target 22a and an Sb_2Te_3 target 22b having mutually different compositions.例文帳に追加
スパッタ装置10は、互いに異なる組成を有したGeTeターゲット22a及びSb_2Te_3ターゲット22bを有する。 - 特許庁
To provide a sputtering target material composed of an Ag based alloy, having high reflectivity and also excellent in heat resistance.例文帳に追加
Ag基合金から構成された、高い反射率を有し且つ耐熱性に優れたスパッタリングターゲット材を提供すること。 - 特許庁
A target electrode used in sputtering is composed of a backing plate 3 and a target 1 fixed thereon through a quartz plate 2.例文帳に追加
スパッタリングに用いられるターゲット電極は、バッキングプレート3の上に石英板2を介してターゲット1が固定されている。 - 特許庁
SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING REFLECTION FILM OF OPTICAL RECORDING MEDIUM AND REFLECTION FILM FORMED BY USING THE TARGET例文帳に追加
光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて形成された反射膜 - 特許庁
AL ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE, AND AL ALLOY SPUTTERING TARGET例文帳に追加
表示装置用Al合金膜、表示装置および該表示装置の製造方法、ならびにAl合金スパッタリングターゲット - 特許庁
A contact-wiring plug 13 of a two-layer structure consisting of a barrier metal layer and a tungsten layer is formed by a sputtering method.例文帳に追加
バリアメタル層とタングステン層との2層構造のコンタクト配線プラグ13を、スパッタリング法等を用いて形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method which does not deteriorate the reliability of wiring even though etching a barrier metal layer by sputtering.例文帳に追加
バリアメタル膜をスパッタエッチングしても、配線の信頼性を低下させない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an ECR sputtering apparatus capable of stably depositing an alloy thin film having a high accuracy compositional ratio.例文帳に追加
高精度な組成比を有する合金薄膜を安定的に成膜することができるECRスパッタリング装置の提供。 - 特許庁
DIELECTRIC PROTECTIVE FILM FOR ZnS-SiO2 BASED OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE DIELECTRIC PROTECTIVE FILM例文帳に追加
ZnS−SiO2系光情報記録媒体用誘電保護膜及び該誘電保護膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁
It is preferable that the surface electrode 2 be formed, by using an electroless plating method or a sputtering method or a vapor deposition method.例文帳に追加
表面電極2は,無電解メッキ法,スパッタ法あるいは蒸着法により形成されていることが好ましい。 - 特許庁
To provide a target for magnetron sputtering in which the progress of ununiform erosion is suppressed, and whose utilization efficiency is improved.例文帳に追加
不均一なエロージョン進行を抑制し、ターゲットの利用効率を向上させるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供する。 - 特許庁
To provide a magnetron sputtering apparatus capable of improving the uniformity of a film thickness and target utilization by a relatively simple constitution.例文帳に追加
比較的簡素な構成で、膜厚の均一性とターゲットの利用率を向上させたマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁
Specifically, the insulation film 12 is formed on the capacitor unit 11 and then a Ta film is formed on the insulation film 12 by a sputtering method.例文帳に追加
すなわち、キャパシタユニット11上に絶縁膜12を被覆し、その上にスパッタ法によりTa膜を形成する。 - 特許庁
RESISTOR THIN FILM MATERIAL, RESISTOR THIN FILM, SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE SAME, AND THIN-FILM RESISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 - 特許庁
To form a metallic thin film low in resistance and excellent in conductivity by preventing the oxidation during film formation by the sputtering method.例文帳に追加
スパッタリング法による成膜中の酸化を防止して、低抵抗値で導電性に優れた金属薄膜を形成する。 - 特許庁
Coating 18 is formed to an almost fixed film thickness on the vertical wall of the resist frame by sputtering a magnetic material.例文帳に追加
磁性材料をスパッタリングすることにより、レジストフレームの垂直壁に被膜18を略一定の膜厚に形成する。 - 特許庁
In the method, sputtering of a particle beam (8) is performed between a contaminating particle source (5) and the microcomponent (2).例文帳に追加
本発明の方法においては、汚染粒子ソース(5)とマイクロコンポーネント(2)との間において粒子ビーム(8)をスパッタする。 - 特許庁
Ag-BASED ALLOY WIRING ELECTRODE FILM AND Ag-BASE ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FLAT PANEL DISPLAY, AND FLAT PANEL DISPLAY例文帳に追加
フラットパネルディスプレイ用Ag基合金配線電極膜およびAg基合金スパッタリングターゲット、並びにフラットパネルディスプレイ - 特許庁
To provide a sputtering target material composed of Ag alloy and having high reflectivity and excellent sulfidation resistance.例文帳に追加
Ag合金から構成された、高い反射率を有し且つ耐硫化性に優れたスパッタリングターゲット材を提供すること。 - 特許庁
A semiconductor wafer before sputtering comprises a semiconductor substrate 1 and an underlying insulating film 2 (A).例文帳に追加
図2(A)はスパッタリング前の半導体ウェハを示しており、半導体ウェハは半導体基板1と下地絶縁膜2とからなる。 - 特許庁
AlTi SERIES ALLOY SPUTTERING TARGET, WEAR RESISTANT AlTi SERIES ALLOY HARD FILM AND FORMATION OF THE FILM例文帳に追加
AlTi系合金スパッタリングターゲット及び耐摩耗性AlTi系合金硬質皮膜並びに同皮膜の形成方法 - 特許庁
PRODUCTION METHOD OF LIGHT ABSORPTION LAYER FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM SOLAR CELL, AND In-Cu ALLOY SPUTTERING TARGET例文帳に追加
化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法、およびIn−Cu合金スパッタリングターゲット - 特許庁
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