「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method is effective particularly for the manufacture of a sputtering target to which a large-sized flat plate shape is required.例文帳に追加

本発明は、特に大型平板形状が要求されるスパッタリング用ターゲットの製造に対して有効である。 - 特許庁

To provide a sputtering system where an integrating wattmeter can be automatically reset at the time of exchanging a target.例文帳に追加

ターゲットの交換時に、自動的に積算電力計をリセットすることができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

A thin film temperature measurement element 34 is formed on the ceramic substrate 31 of a thermoelectric conversion module 12 by sputtering.例文帳に追加

薄膜測温素子３４は、熱電変換モジュール１２のセラミック基板３１上にスパッタされて構成されている。 - 特許庁

In the sputtering method where, to the film deposition face of a substrate 2, particles generated by the sputtering of a target 3 arranged so as to be confronted therewith are stuck, so that a film is deposited, high frequency pulse voltage of which the frequency is ≥50 kHz and Off-Duty value is 40 to 50% is applied to the target, so that the sputtering is performed.例文帳に追加

基体２の成膜面にそれと対向配置したターゲット３のスパッタリングによって発生する粒子を付着させて成膜するスパッタリング方法において、前記ターゲットに、周波数５０ｋＨｚ以上、Ｏｆｆ−Ｄｕｔｙ値が４０〜５０％である高周波パルス電圧を印加してスパッタリングを行うことを特徴とするスパッタリング方法。 - 特許庁

A method of manufacturing the planar antenna includes the steps of: depositing a first conductor film 7 with a predetermined thickness on at least a substrate 1 by a sputtering method; further depositing an intermediate film 8 with a predetermined thickness on the predetermined conductor film 7 by the sputtering method; and further depositing a second conductor film 9 with a predetermined thickness on the intermediate film 8 by the sputtering method.例文帳に追加

少なくとも基板１上に所定の膜厚で第１の導体膜７をスパッタ法により形成するステップと、前記所定の導体膜７上に更に所定の膜厚で中間膜８をスパッタ法により形成するステップと、前記中間膜８上に更に所定の膜厚で第２の導体膜９をスパッタ法により形成するステップとを有している。 - 特許庁

An almost planar sputtering target material is provided which has a rectangular sputtering surface, rectangular side surfaces and a rectangular bonding surface, wherein, a corner part formed resulting from abutting of at least the three surfaces among the plurality of surfaces composing the sputtering target material is chamfered.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲット材は、矩形状のスパッタリング面、矩形状の側面および矩形状のボンディング面を有する略板状のスパッタリングターゲット材において、該スパッタリングターゲット材を構成する複数の面のうち、少なくとも３つの面が当接することにより形成されるコーナー部に、面取り処理が施されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a zinc oxide-based oxide sintered compact from which a film having a specific resistance lower than 3×10^-3 Ω×cm can be obtained by sputtering even in the case that the arrived vacuum degree in a vacuum vessel of a sputtering device before introducing argon gas and generating direct-current plasma does not reach 5×10^-5 Pa; and a sputtering target using the same.例文帳に追加

アルゴンガスを導入して直流プラズマを発生させる前のスパッタリング装置の真空容器内の到達真空度が５×１０^-5Ｐａにまで達しなくても、スパッタリングによって得られる膜の比抵抗を３×１０^-3Ω・ｃｍよりも小さくすることができる酸化亜鉛系酸化物焼結体およびそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a target for magnetron sputtering in which the sputtering rate in the corner part can be made equal to that in the straight line part even when the conventional magnetron sputtering system is used, and which can effectively be consumed at least in the truck-shaped elliptical part, and allows to widen an effective range where film is deposited so as to have a uniform film thickness.例文帳に追加

従来のマグネトロンスパッタリング装置を用いても、ターゲットのコーナー部のスパッタリングレートを直線部のスパッタリングレートと同等のものとし、少なくともトラック状の長円形部分においてはターゲットを有効に消耗させることのできる、また、均一な膜厚に成膜される有効範囲を広くすることのできるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供すること。 - 特許庁

In a magnetron sputtering film deposition method for producing a thin film by which the film deposition is performed by masking a part of a target, the mask includes an area where the re-adhesion (deposition) amount on the target is larger than the sputtering amount of the target, and includes an area where the sputtering amount of the target is comparable with the re-adhesion (deposition) amount on the target.例文帳に追加

薄膜作製を行うマグネトロンスパッタ成膜方法で、ターゲットの一部をマスクして成膜を行う成膜方法において、マスクが、ターゲットのスパッタ量よりもターゲット上への再付着（堆積）量が多い領域を含み、かつ、ターゲットのスパッタ量とターゲット上への再付着（堆積）量とが拮抗する領域を含むことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

The target construction has a sputtering region disposed on a front surface on the target construction, a flange region 22 laterally outward relative to the sputtering region and having a front surface extending from the sputtering region to the outer edge of the construction, and a protective layer 50 covering at least a part of the front surface of the flange region 22.例文帳に追加

ターゲット構造物であって、ターゲット構造物の前面に配置されたスパッタ面を含むスパッタ領域と、スパッタ領域に対して横方向外方に向かい、かつ、スパッタ領域から前記構造物の外縁まで延びる前面を有するフランジ領域２２と、フランジ領域２２の前面の少なくとも一部を覆う保護層５０とを備える。 - 特許庁

The ITO deposition device is successively provided with an ITO deposition treatment part which forms an sputtering deposition ITO membrane by a low temperature method; a high frequency wave measuring part which measures the resistance or reactance of the sputtering deposition ITO membrane by the predetermined frequency in a high frequency AC four terminal method; and an annealing treatment part which applies annealing treatment on the sputtering deposition ITO membrane.例文帳に追加

順に、低温成膜法によりＩＴＯ膜をスパッタ成膜するＩＴＯ成膜処理部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜について、高周波の交流４端子法により、所定の周波数でその抵抗およびまたはリアクタンスを測定する高周波測定部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜をアニール処理するアニール処理部とを、備えている。 - 特許庁

To provide a sputtering system which prevents metal particles from depositing on the inside of a through-hole upon formation of a sheet layer, and prevents occurrence of voids upon filling of a conductive material, and to provide a sputtering method.例文帳に追加

本発明に係るスパッタ装置は、シード層を形成する際に貫通孔内部に金属粒子が堆積することを防止し、導電材を充填する際にボイドが生じることを防止するスパッタ装置及びスパッタ方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering coil 104 provides energy into a plasma and also acts as a source of sputtering material to be sputtered onto a workpiece from the coil 104 to supplement material being sputtered from a target 110 onto the workpiece.例文帳に追加

前記スパッタ用コイル１０４は、エネルギーをプラズマ中に結合し、そしてまた、ターゲット１１０からワークピース上にスパッタされる物質を補うために、コイル１０４からワークピース上にスパッタされるスパッタ用物質の供給源とする。 - 特許庁

The support structure comprises an element 20, provided with a material with a small sputter rate, a material with a large sputter threshold energy, or a material with a large ion implantation yield, in order to suppress the sputtering and the generation of sputtering product.例文帳に追加

支持構造は、スパッタリングおよびスパッタリング生成物の生成を抑制するための、スパッタ率が小さい材料、スパッタ閾値エネルギーが大きい材料、またはイオン注入歩留りが大きい材料を備えたエレメント２０を備えている。 - 特許庁

By subjecting the sputtering target to sputtering in an oxygen-containing gas, an optical thin film comprising Si and O as the main components, and also comprising a third element other than the main components in the range of 10 to 2,000 ppm in the total content is deposited.例文帳に追加

このようなスパッタリングターゲットを、酸素を含むガス中でスパッタリングすることによって、主成分としてＳｉとＯとを含有し、かつ主成分以外の第三元素を合計量で10〜2000ppmの範囲で含む光学薄膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a film of a magnetic recording medium capable of inhibiting abnormal discharge and stably obtaining a FePt-C film, by suppressing generation of particles during sputtering, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

スパッタリング時にパーティクルの発生を抑制して異常放電を防止可能であり、安定してＦｅＰｔ−Ｃ膜を得ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a process for preparing a high-density ITO sputtering target particularly relating to sputtering of ITO thin film used for transparent electrodes of flat panel display, in which nodules on the surface of the target, giving a cause to faults in a film, are not formed.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイの透明電極等に用いられるＩＴＯ薄膜のスパッタリングにおいて、膜中欠陥の発生原因となるターゲット表面のノジュールが発生しない高密度ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造法を提供する。 - 特許庁

A coating layer of carbon or a mainly carbon-comprising substance is formed on the surface of a substrate made of PET by sputtering with such a self-bias range that the surface to be coated may not be damaged by the sputtering, then high-frequency energy is gradually increased to raise the hardness of the carbon-coating layer.例文帳に追加

PETからなる被形成面にスパッタによる損傷を与えない程度のセルフバイアスで炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、徐々に高周波エネルギを増加して被膜の硬度を上げていく。 - 特許庁

Then, N_2 gas is flown into the sputtering chamber until the density of N_2 gas in the chamber reaches at least 35%, and a second heat-resistant metal-silicon-nitrogen layer is adhered in the sputtering manner onto the first heat-resistant metal-silicon-nitrogen layer.例文帳に追加

次に、チャンバ内のＮ_２ガスの濃度が少なくとも３５％になるまで、Ｎ_２ガスがスパッタリング・チャンバ内に流し込まれ、第１の耐熱金属−ケイ素−窒素の層上に、第２の耐熱金属−ケイ素−窒素の層がスパッタ付着される。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering cathode, which includes a magnetism generating mechanism, in which an intermediate magnetic pole is arranged between a center magnetic pole and an outer peripheral magnetic pole, and reduces local erosion of a sputtering target and largely improves usage efficiency.例文帳に追加

中心磁極と外周磁極の間に中間磁極を配置した磁気発生機構を備え、スパッタリングターゲットの局所的な侵食を低減させ、使用効率を大幅に向上させたマグネトロンスパッタリングカソードを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of preventing any sputtering condition in a vacuum film deposition chamber from being fluctuated even when opening a gate valve between a supply chamber and the vacuum film deposition chamber, or a gate valve between the vacuum film deposition chamber and a delivery chamber.例文帳に追加

仕込み室と真空成膜室との間のゲートバルブ、若しくは、真空成膜室と取り出し室と間のゲートバルブを開放しても真空成膜室内のスパッタリング条件を変動させることがないスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

A mask blank 10 is produced by forming a thin film 2 for patterning, comprising a material containing at least one of metal and silicon, on a light-transmitting substrate 1 by a sputtering method using a sputtering film-forming device.例文帳に追加

透光性基板１上に金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなるパターン形成用薄膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することによりマスクブランク１０を製造する。 - 特許庁

To provide a Cu-containing, Al-based alloy sputtering target which is favorable for forming a metal wiring thin film having excellent low wiring resistance and hillock resistance, and capable of suppressing occurrence of splash during the sputtering, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

低配線抵抗と耐ヒロック性に優れた金属配線薄膜の形成に有用であり、さらにスパッタリング時のスプラッシュの発生を抑制することができる、Ｃｕ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製法を提供する。 - 特許庁

The film deposition device is provided with a plurality of first chambers 11 for forming a soft magnetic thin film on a base material by sputtering and at least one second chamber 12 for layering and forming a non-magnetic thin film on the soft magnetic thin film by sputtering.例文帳に追加

基材に軟磁性薄膜をスパッタリングにより形成するための複数の第１チャンバ１１と、軟磁性薄膜に非磁性薄膜をスパッタリングにより積層して形成するための少なくとも１つの第２チャンバ１２とを備える。 - 特許庁

To provide a sputtering system capable of suppressing thermal deformation of photosensitive resin by a simple remodeling, and to provide a method for forming a molding die by using the sputtering system capable of obtaining the molding die having a shape of a very small optical waveguide at low cost.例文帳に追加

簡単な改造で感光体樹脂の熱変形を抑制し得るスパッタ装置と、微細な光導波路の形状をもつ成形型を低コストで得られるスパッタ装置を用いた成形型の作製方法を提供する。 - 特許庁

A first amorphous alumina film having 10-5,500 Å thickness by an ECR sputtering method and a second amorphous alumina film having 0.2-2.4 μm thickness by a sputtering method are successively laminated on a base to form the substrate for the thin film magnetic head.例文帳に追加

基板上にＥＣＲスパッタリング法による厚み１０〜５５００Åの第１アモルファスアルミナ膜と、スパッタリング法による厚み０．２〜２．４μｍの第２のアモルファスアルミナ膜とを順次積層して薄膜磁気ヘッド用基板を構成する。 - 特許庁

A vapor deposition method and an ion beam sputtering method are adopted at a time so as to form a film in which a structure of low denseness is formed by the vapor deposition method and vacancies of this structure are filled with a structure of high denseness formed by the ion beam sputtering method.例文帳に追加

蒸着法とイオンビームスパッタ法とを同時に適用して、蒸着法によって形成された緻密度の低い構造の隙間にイオンビームスパッタ法によって形成された緻密度の高い構造のものを埋めた膜を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus and a sputtering method having high degree of freedom of a target material without impairing the discharge stability or the mass productivity, and to provide a manufacturing method of an optical disk with reduced defects and excellent mass productivity.例文帳に追加

放電の安定性あるいは量産性を損なうことなく、ターゲット材料の自由度の高いスパッタリング装置、スパッタリング方法を提供し、欠陥を低減した光ディスクを量産性よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of prolonging the lifetime while maintaining a constant surface shape without supplementing any film material, and depositing a film without optical absorption with excellent reproducibility without any limitation in the film deposition direction during the sputtering.例文帳に追加

表面形状を一定として膜材料の継ぎ足し等がなく長寿命化するとともに、スパッタリング時の成膜方向の制約がなく、光吸収のない膜を再現性よく形成できるスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

To provide an ion sputtering system where uniform coating can be applied to a sample having ruggedness, the contamination of a vacuum and the defect in operation caused by the exhaustion of grease do not occur, and further, the time for sputtering is not long.例文帳に追加

本発明は、凹凸のある試料に均一なコーティングができ、真空を汚したり、グリース切れによる動作不良がなく、しかも、スパッタリングに費やす時間が長くかからないイオンスパッタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a target for sputtering composed of an oxide sintered compact comprising TiOx and NbOx for the purpose of depositing a high refractive index optical thin film having reduced film defects and also having reduced optical absorption by a sputtering process.例文帳に追加

スパッタリング法により膜欠点が少なく、かつ光学吸収の小さい高屈折率光学薄膜を形成することを目的としてＴｉＯxとＮｂＯxとを含有する酸化物焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを提供する。 - 特許庁

This ZnOx semiconductor layer is formed by using various thin film forming techniques such as a spin coat method, a DC sputtering method, an RF sputtering method, a metal organic vapor phase deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD).例文帳に追加

このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。 - 特許庁

A mixing ratio of water or hydrogen gas added to a sputtering gas is changed according to a scanning position of a substrate, in a process for depositing by introducing the sputtering gas into a deposition chamber and relatively scanning against a target with rotating the substrate.例文帳に追加

成膜室内にスパッタガスを導入し、基板を回転させながらターゲットに対して相対的に走査させて成膜する工程で、基板の走査位置に応じて、スパッタガスに添加する水又は水素ガスの混合比を変化させる。 - 特許庁

Moreover, sputtering gas is introduced into the interior of the first treatment chamber 11, and either one out of first to third targets is sputtered by plasma of the sputtering gas, thereby capable of forming a thin film on the surface of the substrate 70.例文帳に追加

また、第一の処理室１１の内部に、スパッタガスを導入して、スパッタガスのプラズマが第一〜第三のターゲットのうち、いずれか一つのターゲットをスパッタすることにより基板７０の表面に薄膜を形成することができる。 - 特許庁

The sputtering apparatus executes the simultaneous discharge of a plurality of targets, and a cathode has a shield having an aperture surface with the area larger than the sputtering area of the targets in front thereof, and with the height larger than the thickness of the targets.例文帳に追加

複数のターゲットを同時に放電させるスパッタリング装置であり、カソードには、それらの前方に前記ターゲットのスパッタ面積より大きい開口面を有し、かつ、ターゲットの厚みより高さのある遮蔽体を有する構成とした。 - 特許庁

To provide a CrTi-based alloy and a sputtering target material having suppressed generation of a compound used to form a thin film by sputtering, and a method for producing a perpendicular magnetic recording medium using the same.例文帳に追加

本発明は、スパッタリングにより薄膜を形成するために用いられる化合物の生成を抑制したＣｒＴｉ系合金およびスパッタリング用ターゲット材並びにそれを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Data for constitution design of the polarizer and the wavelength plate are obtained in order to alternately laminate multilayers on the substrate while maintaining cyclic rugged shapes in an x-axis direction of each layer by combining sputtering deposition and sputtering etching (S2).例文帳に追加

基板上にスパッタデポジションとスパッタエッチングを組み合わせて、各層のｘ軸方向に周期的な凹凸形状を保存しながら交互に多層膜を積層するための、偏光子，波長板の構成設計のデータを取得する（Ｓ２）。 - 特許庁

To provide a bias sputtering apparatus with enhanced reliability, which can make a bias power stable by eliminating unstable factors of the applied bias power, when forming a shadow on the front periphery of a substrate with the bias sputtering method.例文帳に追加

基板前面外周部にシャドーを形成する方式のバイアススパッタにおいて、バイアス電力印加時の不安定要因を排除し、安定的なバイアス電力印加が可能であって、信頼性の向上されたバイアススパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

In this case, argon gas is introduced under vacuum and a metal or a metal compd. is used as a target in a sputtering method to form a sputtering film on the film comprising a resin showing optical anisotropy at the time of melting.例文帳に追加

真空下でアルゴンガスを導入し、金属または金属化合物をターゲットとし、スパッタリング法により、溶融時に光学的異方性を示す樹脂よりなるフィルム上にスパッタリング膜を形成する積層フィルムの製造方法。 - 特許庁

To provide a method of sputtering with sputtering apparatus for depositing a layer upon a substrate which includes a sputter target with a face exposed to the substrate and a magnetron providing a magnetic field that moves relative to the target face.例文帳に追加

基材にさらされる面を有するスパッタターゲットと、当該ターゲットの面に対して移動する磁界を与えるマグネトロンとを有する、基材上に層を堆積させるためのスパッタリング装置を用いたスパッタリング法を提供する。 - 特許庁

To provide a pretreating method for metal analysis and its device capable of preventing recontamination such as re-oxidation of the surface of a sample in a sputtering process, and thus providing a correct analyzed value always even when the sputtering is repeated.例文帳に追加

スパッタリングの過程で生ずる再酸化などの試料表面の再汚染を防止し、それによりスパッタリングを繰り返しても常に正しい分析値を与えることのできる金属分析の予備処理方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target, when a thin film essentially consisting of titanium dioxide and having a high index of reflection is formed by DC (Direct Current) sputtering process, which solves the conventional defect that a film deposition rate is extremely slow and productivity is extremely inferior.例文帳に追加

二酸化チタンを主成分とした高屈折率の薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に、従来有していた成膜速度が極めて遅く生産性が非常に悪いという欠点を解消しようとするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The method for manufacturing the Ag-alloy thin film comprises employing the above target, supplying an Ar gas for a sputtering gas and at least one gas selected from O_2, H_2O and H_2+O_2 for an additive gas, and sputtering the target, to manufacture the Ag alloy film containing oxygen.例文帳に追加

このターゲットを用い、スパッタリングガスとしてのＡｒガスと添加ガスのＯ_２、Ｈ_２ＯおよびＨ_２＋Ｏ_２から選ばれた少なくとも１つのガスとを供給してスパッタし、酸素を含有する上記Ａｇ合金膜を製造する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a highly resistant transparent conductive film which can be basically used by a DC magnetron sputtering apparatus, and deposit a transparent and highly resistant film, and to provide a manufacturing method of the highly resistant transparent conductive film using the target.例文帳に追加

基本的にはＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an Mn-Ir alloy sputtering target for forming a magnetic thin film, which emits little gas and generates little particles in sputtering, and is used for forming a diamagnetic film superior in corrosion resistance and magnetic property.例文帳に追加

スパッタリングの際のガス放出やパーティクルの発生が少なく、耐食性に優れ、磁気特性も良好な反磁性膜を形成するための磁性薄膜形成用Ｍｎ−Ｉｒ合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁