「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, an SiO_2 film covering the ferroelectric capacitor from the upper side of the alumina film 23 is formed through sputtering method.例文帳に追加

更に、強誘電体キャパシタをアルミナ膜２３の上から覆うＳｉＯ_2膜をスパッタ法により形成する。 - 特許庁

Then, a lower electrode film 16, a dielectric film 18, and an upper electrode film 20 are sequentially film-formed by sputtering.例文帳に追加

続いて、下部電極膜１６，誘電体膜１８，上部電極膜２０を順にスパッタ成膜する。 - 特許庁

The conductive membrane is formed on the substrate by a deposition method, a sputtering method, or an RF ion plating method.例文帳に追加

蒸着法、スパッタ法、ＲＦイオンプレーティング法により基板上に導電性の膜を形成する。 - 特許庁

Then, a Pt layer 1 is formed as an oxidation prevention layer by the sputtering method on the Cr layer 2.例文帳に追加

次に、このＣｒ層２の上に酸化防止層としてＰｔ層１をスパッタリング法により形成した。 - 特許庁

For example, the DLC film can be formed by the ion-plating method and the sputtering method using graphite as a target.例文帳に追加

例えば、ＤＬＣ膜は、黒鉛をターゲットとしたイオンプレーティング法やスパッタリング法により形成できる。 - 特許庁

As a material of the electrodes 5a, 5b, a metal having sputtering resistance such as Mo, Nb and Ta is used.例文帳に追加

電極５ａ，５ｂの材質として、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａといった耐スパッタリング用の金属を使用する。 - 特許庁

HIGH FREQUENCY SPUTTERING DEVICE, GLAND RING ON THE SUBSTRATE SIDE AND TARGET SIDE AND FORMATION OF OXIDIZED INSULATING FILM例文帳に追加

高周波スパッタリング装置、その基板側及びターゲット側グランドリング、並びに、酸化絶縁膜の成膜方法 - 特許庁

The metallic thin film is preferably formed by either of processes such as vapor deposition, ion plating and sputtering.例文帳に追加

金属被膜は、蒸着、イオンプレーティングおよびスパッタリングのいずれかの方法で成膜するのが好ましい。 - 特許庁

The incident angle θ of sputter particles when the electrode layers 4 are formed by sputtering is adjusted.例文帳に追加

また、電極層４をスパッタにより形成するときの、スパッタ粒子の入射角θを調節する。 - 特許庁

To prevent the abnormal precipitation of plating even when electroless plating treatment is performed after reverse sputtering treatment.例文帳に追加

逆スパッタ処理後に無電解めっき処理を行った際にも、めっきの異常析出を防止する。 - 特許庁

TARGET FOR SPUTTERING AND THIN DIELECTRIC OPTICAL FILM FORMED BY USING THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スパッタリング用ターゲットおよびそれを用いて形成した誘電体光学薄膜並びにその製造方法 - 特許庁

A nucleus 14 of titanium is formed by sputtering on a lower electrode 12 of iridium as shown in Fig. C.例文帳に追加

図１Ｃに示すように、イリジウムの下部電極１２の上に、スパッタ法によりチタンの核１４を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayer film formed by a sputtering method, the multilayer film mirror having a small decrease in reflection factor.例文帳に追加

スパッタ法で形成した多層膜ミラーであって、反射率の低下が小さい多層膜ミラーを提供する。 - 特許庁

In this case, the targets subjected to physical sputtering are preferably composed of a plurality of kinds of materials.例文帳に追加

この場合、複数の種類の材料で構成されるターゲットを物理スパッタリングすることが好ましい。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus for generating the magnetic field on the front side of a target when depositing a metal layer.例文帳に追加

金属層を形成するときターゲット前面に磁場を発生させるためのスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

After that, metal 4 of Al, Ti, or the like is formed on the surface side of the SiN film 2 by deposition, sputtering, or the like (e).例文帳に追加

その後、Al、Ti等の金属４を、SiＮ膜２の表面側に蒸着、スパッタ等により成膜する（ｅ）。 - 特許庁

The surface of a substrate is cleaned by plasma treatment, and thereafter, a metal thin film is deposited by sputtering.例文帳に追加

基板の表面をプラズマ処理によって清浄化し、その後スパッタリングにより金属薄膜を成膜した。 - 特許庁

SPUTTER SOURCE, SPUTTER FILM FORMING APPARATUS, SPUTTERING METHOD, OPTICAL MULTI-LAYER FILM, OPTICAL MEMBER PROJECTION EXPOSURE APPARATUS例文帳に追加

スパッタ源、スパッタ成膜装置、スパッタ成膜方法、光学多層膜、光学部材及び投影露光装置 - 特許庁

When a film of aluminum alloy is formed on a semiconductor substrate by a sputtering process, partial pressure ratios of nitrogen and oxygen included in an argon gas during the sputtering film formation to the entire sputtering gas are controlled to be about 51 ppm or less and about 11 ppm or less respectively to thereby form a film of aluminum alloy.例文帳に追加

半導体基板上に、スパッタリング法でアルミニウム合金からなる膜を形成する際、スパッタリング成膜中のアルゴンガス中に含有する窒素および酸素の、スパッタリングガス全体に対する分圧比が各々約５１ｐｐｍ以下、約１１ｐｐｍ以下になるように制御して、アルミニウム合金からなる膜を形成する。 - 特許庁

In the film deposition method performed by a vacuum film deposition system using a sputtering method, sputtering plasma is used to decompose a target material, and ions are irradiated onto a deposition surface being deposited using a controllable surface modification plasma separately from the sputtering plasma.例文帳に追加

スパッタリング法を用いる真空成膜装置による成膜方法であって、ターゲット材料を分解するためにスパッタリング用プラズマを用い、かつ前記スパッタリング用プラズマとは個別に制御可能な表面改質用プラズマを用いて成膜中の成膜表面にイオンを照射することを特徴とする成膜方法を用いた。 - 特許庁

This invention discloses also the method of manufacturing the Cu wiring film of the semiconductor device of sputtering the Cu alloy sputtering target including 25-53 mass% of Ce oxide, and the remainder including Cu and the inevitable impurities, to form the base film, and then of forming the Cu wiring film on the base film by sputtering.例文帳に追加

また、本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットをスパッタリングして下地膜を形成し、次いで該下地膜上にＣｕ系配線膜をスパッタリングにより形成する半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法である。 - 特許庁

In the ITO sputtering target, the number of the adhered particles with an average diameter of ≥ 0.2 μm existing in the area of 100 μm × 100 μm of the surface to be sputtered is not more than 400, which is achieved by subjecting the sputtering surface of a ITO sputtering target sintered body to multiple oscillation ultrasonic cleaning.例文帳に追加

ＩＴＯスパッタリングターゲット焼結体のスパッタ面を多重発振超音波洗浄することにより得られたスパッタされる表面の１００μｍ×１００μｍのエリアに存在する平均直径０．２μｍ以上の付着粒子の数が４００個以下であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a reactive sputtering apparatus in which the inside of a vacuum chamber 1 where a substrate S to be processed and a target 6 confronted with the substrate S are arranged includes a means feeding a sputtering gas and a reaction gas, the reactive sputtering apparatus forming a homogeneous compound thin film over the whole region of the substrate S even if the substrate to be processed S has a large diameter.例文帳に追加

処理基板Ｓと処理基板Ｓに対向するターゲット６とを配置した真空チャンバー１内にスパッタガスと反応ガスとを供給する手段を備える反応性スパッタリング装置において、処理基板Ｓが大径化しても、処理基板Ｓの全域に亘り均質な化合物の薄膜を形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a Sb-Te sputtering target which effectively prevents generation of particles, abnormal electric discharge, generation of nodules, occurrence of cracks or breakage, etc., in sputtering and of which the oxygen content is reduced; its production method; and a powder for sintering suitable for producing the sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生等を効果的に抑制し、さらにターゲット中に含まれる酸素を減少させることのできるＳｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該スパッタリングターゲットを製造するために好適な焼結用粉末を提供する。 - 特許庁

The method for sputtering includes a first process (S02) to form a film having high resistivity by sputtering on a shield member disposed near the target, a second process (S03) to dispose a substrate to face the target and a third process (S04) to form, using the target, a dielectric film on the substrate by sputtering.例文帳に追加

このスパッタリング方法は、スパッタリングでターゲットの近傍に配置されたシールド部材に高比抵抗膜を形成する第１の工程（Ｓ０２）と、基体をターゲットに対向させて配置する第２の工程（Ｓ０３）と、スパッタリングでターゲットにより基体上に誘電体膜を形成する第３の工程（Ｓ０４）とを含む。 - 特許庁

This sputtering apparatus for manufacturing a piezoelectric element film comprises a vacuum tank for maintaining the film deposition pressure, a vacuum pump for evacuating the vacuum tank, a power source for performing the sputtering, a gas introduction system required for the sputtering, a bias power source for applying the bias to a substrate, and an introduction unit for applying the bias to a predetermined part of the film surface.例文帳に追加

成膜圧力を保持する為の真空槽、真空槽を排気する為の真空ポンプ、スパッタリングを行う為の電源、スパッタリングに必要なガス導入システム、基板にバイアスを印加させる為のバイアス電源、膜表面の特定部分にバイアスを印加する為の導入部で構成される圧電素子膜製造スパッタリング装置。 - 特許庁

In the sputtering target containing a rectangular sintered body in which surface grinding is applied to a sputtering surface in a direction practically parallel to major axis, chamfering is applied to the edge parallel in the grinding direction, among the edges consisting of the sputtering surface and the edges of the sintered body.例文帳に追加

スパッタリング面に長軸に対して実質的に平行方向に平面研削が施された矩形の焼結体を含むスパッタリングターゲットにおいて、焼結体のスパッタリング面と側面とから構成されるエッジ部のうち研削方向に対して平行なエッジ部に対して面取りされているスパッタリングターゲットを用いる。 - 特許庁

In the sputtering target, the backing plate and the instrument in the sputtering device, an electron discharge trace is formed on the surface where the unnecessary film is deposited during sputtering, and the electron discharge trace is composed of many inclined protrusions having an inclination of less than 90°.例文帳に追加

スパッタリング中の不要な膜が堆積する面に放電加工痕を形成したスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器であって、該放電加工痕は９０°未満の俯角を有する傾斜した多数の突起からなることを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器。 - 特許庁

In the sputtering method in an oxidation mode for depositing an optical multilayer film on a substrate face within a vacuum tank, the total pressure in the vacuum tank is controlled in the process of depositing the optical multilayer film, thus at least either the sputtering voltage or sputtering current is held to prescribed value or prescribed width.例文帳に追加

真空槽内で基板面上に光学多層膜の成膜をする為の酸化モードでのスパッタ方法であって、前記光学多層膜の成膜中に前記真空槽内の全圧を調節することによってスパッタ電圧又はスパッタ電流の少なくとも一方を所定値又は所定幅に保つスパッタ方法。 - 特許庁

In a device in which a substrate is moved to pass in front of a sputtering target 9 provided in a vacuum film forming chamber 1 and the substrate is subjected to sputtering film formation, a moving body 12 moving along the moving path of the substrate is provided, and this is fitted with a rubbing member 13 removing depositions on the sputtering face of the target.例文帳に追加

真空成膜室１内に設けたスパッタターゲット９の前方に基板５を移動通過させて該基板へスパッタリング成膜する装置に於いて、該基板の移動経路６に沿って移動する移動体１２を設けてこれに該ターゲットのスパッタ面の付着物を除去する擦り部材１３を取り付けた。 - 特許庁

For forming a carbon film, sputtering is carried out from a carbon sputtering target(TG) under the previously decided gas pressure in a gaseous mixture of nitrogen of 20% lowest ratio and a sputtering gas, by which carbon is adhered to a substrate(SB), and, next, the substrate(SB) is heat-treated at >100°C in a high vacuum.例文帳に追加

炭素皮膜を生成するため、最低比率２０％の窒素とスパッタガスとを含む混合気体において予め決められたガス圧で炭素スパッタターゲット（ＴＧ）からスパッタリングを実行することにより基板（ＳＢ）上に炭素が付着され、次いで基板（ＳＢ）は高真空下で１００℃を超える温度により熱処理される。 - 特許庁

To provide a metal mask for sputtering which does not flaw a black matrix and coloring pixels when aligning the metal mask for sputtering to a glass substrate formed with the black matrix and coloring pixels and superposing the metal mask thereon and which does not give rise to abnormal discharge right after sputtering and consequently does not yield defective articles.例文帳に追加

ブラックマトリックス及び着色画素が形成されたガラス基板上に、スパッタ用メタルマスクを位置を合わせして重ねる際に、ブラックマトリックスや着色画素に傷を付けしまうことのない、また、スパッタを行った直後に異常放電がおこることのない、従って、不良品を発生させないスパッタ用メタルマスクを提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus for uniformizing a film thickness, film quality and film characteristics, by uniformizing the concentration of a reactive gas flowing along the surface of a target and thereby improving the uniformity of the reaction of the reactive gas with the target, when introducing a sputtering gas and the reactive gas into a vacuum chamber so as to form a film by reactive sputtering.例文帳に追加

スパッタガスと反応性ガスを真空室内に導入して反応性スパッタリングによる成膜を行うとき、ターゲットの表面に沿って流れる反応性ガスの濃度を均一にして、反応性ガスとターゲットの反応の均一化を高め、膜厚、膜質、膜特性を均一化できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

At the time of sputtering, a negative voltage is applied to the target, a target surface has negative potential, sputtering is started by a collision of Ar+ and sputtered CoCrPt and SiO_2 are deposited on the surface of an intermediate layer 5.例文帳に追加

スパッタリング時は、ターゲットに負の電圧が印加され、ターゲット表面が負の電位になり、Ａｒ＋が衝突することでスパッタリングが始まり、スパッタされたＣｏＣｒＰｔとＳｉＯ_２は中間層５の表面に堆積する。 - 特許庁

To prevent film deposition on a substrate holder and a disk substrate conveying trouble by reliably detecting the existence/non-existence of a disk substrate at the time of depositing a film by sputtering in a sputtering system for producing an optical information recording medium.例文帳に追加

光情報記録媒体生産用のスパッタ装置において、スパッタ成膜時のディスク基板の有無の検知を確実に行うことにより、基板ホルダ上への膜堆積の防止やディスク基板搬送トラブルの防止を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an IZO sputtering target which makes it possible to improve the productivity and reduce the cost by curtailing the processes while maintaining the characteristics as an IZO sputtering target.例文帳に追加

ＩＺＯスパッタリングターゲットの製造において、ＩＺＯスパッタリングターゲットとしての特性を維持しつつ、工程を削減することにより生産性の向上及び製造コストの低減が可能となる製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an MgO sputtering target of uniform fine crystals and excellent in mechanical properties, capable of reducing nodules and particles at the time of sputtering and simultaneously small in cracking and chipping for uniformly forming an MgO film on a large scale.例文帳に追加

ＭｇＯ膜を大規模かつ均一に成膜するために、均一微細結晶かつ機械的特性に優れ、スパッタ時のノジュール、パーティクルを減らすことができ、同時に割れや欠けなどの少ないＭｇＯスパッタリングターゲットの開発。 - 特許庁

To provide a power supply which can be rapidly and surely stopped when a short circuit due to a physical contact, an "aerial arc", etc. occurs, and to provide a power supply system, a sputtering power supply and a sputtering apparatus.例文帳に追加

物理的な接触による短絡や「気中アーク」などが発生した場合に迅速且つ確実に停止することができる電源、電源システム、スパッタ電源及びスパッタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a sputtering method capable of forming a thin film of uniform thickness on the surface of a substrate in a rotary type sputtering device having a rectangular planar target provided with a magnetic circuit for magnetron discharge and to provide the device.例文帳に追加

マグネトロン放電用磁気回路が設けられた矩形平板ターゲットを有するロータリ式スパッタリング装置において、基板の表面に均一な膜厚の薄膜が形成できるスパッタリング方法とその装置を提供する。 - 特許庁

A lead wiring 120 is deposited in two steps through sputtering by a parallel planar method for deposition with beams from the direction vertical to a substrate and sputtering by a planetary method for deposition with beams diagonal to the substrate.例文帳に追加

引出し配線１２０を、基板と垂直の方向からのビームで堆積する平行平板方式のスパッタリングと、基板と斜め方向からのビームで堆積するプラネタリー方式のスパッタリングとの２段階で堆積する。 - 特許庁

To provide a sputtering target, with which a backing plate can be integrally joined to a target material at high joining strength without coarsening the crystal grains of the target and the amount of particles generated during sputtering can be reduced.例文帳に追加

ターゲットの結晶粒を粗大化させることなく、バッキングプレートとターゲット材とを高い接合強度で一体に接合でき、スパッタリング時におけるパーティクルの発生量を低減できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a magnetic recording medium film which can obtain high PTF to improve a sputter rate, and can also eliminate the risk when handling the raw material powder, and to provide a method for manufacturing the sputtering target.例文帳に追加

高いＰＴＦが得られてスパッタレートの向上を図ることができ、原料粉末の取り扱い時の危険性も排除できる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering target and a magnetron sputtering apparatus which enable the use of a thick target and are capable of enhancing the productivity by increasing the leakage flux of the target of low magnetic flux permeability and low leakage flux.例文帳に追加

磁束透過率が低く漏れ磁束が小さいターゲットの漏れ磁束を増加させて肉厚のターゲットの使用を可能にし、生産性の向上を図ることができるスパッタリングターゲット及びマグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

The sputtering target comprises a zinc oxide sintered body having a relative density of ≤99%, wherein a lightness difference ΔL* within the plane of the major face 11a to be exposed to a sputtering atmosphere is ≤5.例文帳に追加

相対密度９９％以下の酸化亜鉛焼結体からなり、スパッタリングの雰囲気に曝される主面１１ａにおいて、面内の明度差ΔＬ＊が５以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット１１。 - 特許庁

To provide an ITO sputtering target for forming a transparent conductive film causing few nodule generation during film formation by sputtering and hardly causing abnormal electrical discharge and particles by promoting the cleaning of the target surface.例文帳に追加

ターゲット表面の清浄化をより一層進め、スパッタリングによる成膜中にノジュールの発生が少なく、異常放電やパーテイクルが生じにくい透明導電膜形成用ＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁