「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

In the film deposition system 1 used in this invention, a film deposition face 22 in a substrate 20 is made oblique to the sputtering face 12 of a target 11, and sputtering particles are made incident obliquely on the film deposition face 22.例文帳に追加

本発明に用いられる成膜装置１では、基板２０の成膜面２２が、ターゲット１１のスパッタ面１２に対して斜めにされており、スパッタ粒子は成膜面２２に斜めに入射する。 - 特許庁

To adjust specific resistance of a sputtering target comprising In, Ga and Zn to 2.0×10^-2 Ωcm or less so as to enable formation of a Zn_xGa_yIn_zO_(x+3y/2+3z/2) thin film by DC sputtering.例文帳に追加

Ｚｎ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＯ_（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）薄膜をＤＣスパッタリングで作製可能なようにＩｎとＧａとＺｎと酸素とからなるスパッタリングターゲットの比抵抗を２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下にすること。 - 特許庁

Further, since multi-color sputtering is made possible owing to the installation of a plurality of bell caps 12A, 12B, it is made possible for the installation space to be narrow as compared with the case a plurality of single color sputtering apparatuses are installed.例文帳に追加

また、複数のベルカップ１２Ａ，１２Ｂを具備することによって多色塗装を可能にしているので、複数台の単色スパッタ塗装機を設置する場合に比べて、設置スペースが小さくて済む。 - 特許庁

The sputtering gas is introduced in the discharging space 18 by a sputtering gas introduction system 30, and the reaction gas is introduced in the container 10 by a reaction gas introduction system 31 from the outside of the discharging space 18.例文帳に追加

スパッタリングガスは、スパッタリングガス導入系３０より放電空間１８に導入され、反応ガスは反応ガス導入系３１より放電空間１８外から容器１０内に導入される。 - 特許庁

To provide a sputtering system where, when depositing a film by sputtering, the need of performing maintenance of a vacuum tank under release to the air can be reduced, and stabilization of a film deposition process can be attained.例文帳に追加

スパッタリングにより成膜するに際し、大気に解放してメンテナンスを行う必要性を少なくすることができ、成膜プロセスの安定化を図ることが可能となるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a backing plate which keeps an adequate contact with a target when the shape of the target is complicated, and the target is deformed while a film is formed with a sputtering method, and to provide a sputtering apparatus.例文帳に追加

ターゲット形状を複雑にした場合に、スパッタ成膜中にターゲットの変形が生じてもターゲットとバッキングプレートとの良好な接触性が保たれるバッキングプレート及びスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target material for producing a Ni-W-Cr alloy interlayer film and a thin film produced by using the sputtering target material for producing the thin film, in a vertical magnetic recording medium.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。 - 特許庁

In addition, a method of manufacturing the solar cell has a step of forming a thin film containing Zn, Sn and O in a surface of a transparent electrode film by a sputtering method using the sputtering target mentioned above.例文帳に追加

また、本発明の太陽電池の製造方法は、上記スパッタリングターゲットを用いたスパッタ法により、透明電極膜の表面にＺｎ、Ｓｎ及びＯを含有する薄膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

Thus, a Cu post required for a conventional semiconductor device is not required, an expensive sputtering apparatus required for formation is not needed, and sputtering time required long is not required at all.例文帳に追加

これにより、従来の半導体装置で必要であったＣｕポストを不要とし、その形成に必要であった高額なスパッタリング装置を不要とし、長時間必要であったスパッタリング時間を不要とする。 - 特許庁

This thermal transfer film to be used comprises a transfer layer accumulated on a substrate film and a layer formed on at least a portion of the transfer layer by one of DC sputtering and DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基材フィルム上に転写層が堆積され、転写層の少なくとも一部にＤＣスパッタ法およびＤＣマグネトロンスパッタ法の一方で形成された層を含む熱転写フィルムを用いる。 - 特許庁

To provide a target for magnetron sputtering, which can make the amount of leakage magnetic flux during magnetron sputtering higher than ever before without reducing the amount of a ferromagnetic metal element contained in a target.例文帳に追加

ターゲットに含まれる強磁性金属元素の含有量を減少させずに、マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させることができるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a target structure which enables sputtering of gallium or gallium-containing material in a molten state even when the film deposition rate is increased by increasing the input electric power and a sputtering apparatus including such a target structure.例文帳に追加

投入電力を増大させて成膜速度を高めても、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料のスパッタリングを可能にするターゲット構造とこれを備えたスパッタリング装置。 - 特許庁

A chromium thin film 2 being the seed layer and a tantalum thin film 3 being a sub-carrier layer are formed by using an ion beam sputtering method and the tantalum thin film 4 being a principal carrier layer is formed by using a magnetron sputtering method.例文帳に追加

イオンビームスパッタ法を用いてシード層であるクロム薄膜２と、副キャリア層であるタンタル薄膜３を形成し、マグネトロンスパッタ法を用いて主キャリア層であるタンタル薄膜４を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a mask blank, a film is deposited on a transparent substrate using the sputtering target and a sputtering gas used in the film deposition contains nitrogen and/or oxygen.例文帳に追加

また、本発明のマスクブランクの製造方法は、上記スパッタリングターゲットを用いて、透明基板上に成膜することを特徴とし、成膜時に使用される成膜ガスは、窒素及び／又は酸素を含んでいる。 - 特許庁

To provide a sputtering target made of copper and a copper alloy in which the periods of carrying and preservation are prolonged, and which is usable in a highly clean atmosphere in a sputtering process.例文帳に追加

銅又は銅合金製スパッタリングターゲットの運搬や保管の期間を延ばすと共に、スパッタリングプロセスの高度な清浄雰囲気において使用可能な銅および銅合金製スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering cathode which improves a utilizing efficiency of a target while improving a film forming speed and a uniformalization of a film thickness at the same time and a magnetron type sputtering device furnished with it.例文帳に追加

成膜速度および膜厚均一性を同時に向上させながら、ターゲットの利用効率を改善することができるスパッタリングカソードおよびこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

The surfactant has vapor pressure of less than 1 Pa at 100°C, resulting in preventing the degree of vacuum from lowering due to gas generated from the urethane foam during sputtering, thus allowing sputtering to be carried out successfully.例文帳に追加

界面活性剤の１００℃における蒸気圧が１Ｐａ未満であるため、スパッタリング時にウレタンフォームからガスが発生して真空度が低下することが防止され、スパッタリングを良好に行うことができる。 - 特許庁

The sputtering apparatus 1 sputters a target 8 by ions in plasma using a magnetron sputtering method, to form an ITO film originated from the target 8 on a glass substrate 5 attached to a rotating carrousel 4.例文帳に追加

スパッタリング装置１は、マグネトロンスパッタリング法を用いてターゲット８をプラズマ中のイオンによりスパッタリングし、回転するカルーセル４に取り付けられたガラス基板５にターゲット８によるＩＴＯ膜を形成する。 - 特許庁

To provide a mosaic sputtering target capable of effectively preventing the contamination of a film deposited by sputtering with impurities and also capable of effectively suppressing the occurrence of particles deteriorating the reliability of the film.例文帳に追加

スパッタリングにより形成される膜の不純物による汚染を効果的に防止でき、また膜の信頼性を損うパーティクルの発生を効果的に抑制できるモザイク型スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A target 3 is installed along a side surface of a vacuum chamber 1 and perpendicular to a bottom surface of the vacuum chamber 1 with a sputtering surface directed inward of the vacuum chamber 1, and a substrate surface faces the sputtering surface of the target 3.例文帳に追加

スパッタ面を真空チャンバ１内方へ向けた状態で真空チャンバ１底面に垂直に、チャンバ側面に沿ってターゲット３を設置し、基板表面をターゲット３のスパッタ面と対向させる。 - 特許庁

To analyze a change in a sputtering yield with respect to the measured depth direction profile of an ion implantation element by utilizing attenuation depth and the sputtering yield in a concentration analyzing method of an element in a depth direction.例文帳に追加

深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。 - 特許庁

The sputtering target is disposed in a plane, with a front of the plane 6 defined as the side on which the glow discharge plasma is located during sputtering and a back of the plane defined as the opposite side.例文帳に追加

スパッタリングターゲットは、スパッタリング中にグロー放電プラズマが形成される側として規定される平面６の前部と、反対の側として規定される平面の後部とを有する平面内に配置される。 - 特許庁

To provide a high purity copper sputtering target suitable for producing a thin film wiring material for a semi-conductor of LSI or the like, generating a reduced few amount of particles in forming thin film by sputtering.例文帳に追加

スパッタリングにより薄膜を形成する際にパーティクルの発生の少ない、ＬＳＩなどの半導体薄膜配線材料を製造するために好適な高純度銅スパッタリングターゲットを得ることを課題とする。 - 特許庁

In this case, the metal film 13 can be made into a film by vacuum deposition, sputtering or the like of Cr, In or the like.例文帳に追加

金属皮膜１３は、Ｃｒ，Ｉｎ等を真空蒸着、スパッタリング等することにより成膜できる。 - 特許庁

A normal cleaning step and HF processing are performed, and a Co film is deposited on a substrate face through sputtering.例文帳に追加

通常の洗浄工程、ＨＦ処理を施し、Ｃｏ膜をスパッタリングにより基板面に堆積させる。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING FLUORESCENT FILM FOR ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, CAUSING LITTLE GENERATION OF PARTICLE例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜を形成するためのパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット - 特許庁

SPUTTERING TARGET MATERIAL, ELECTRICALLY CONDUCTIVE BLACKENED FILM OBTAINED BY USING THE SAME, AND PACKAGING COMPONENT HAVING THE FILM例文帳に追加

スパッタリングターゲット材料、これを用いて得られる導電性黒化膜、及び該膜を有する実装部品 - 特許庁

MAGNETRON SPUTTERING DEVICE, IN-LINE FILM FORMING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

マグネトロンスパッタ装置、インライン式成膜装置、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置 - 特許庁

METHOD FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DIODE AND MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS例文帳に追加

透明導電膜形成方法及び有機電界発光素子の製造方法およびマグネトロンスパッタ装置 - 特許庁

To reduce the load on a sputtering apparatus caused by attraction force acting between a ferromagnetic target and a magnet unit.例文帳に追加

強磁性体ターゲットと磁石ユニットの間に働く吸引力による装置への負荷を低減する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM AND SPUTTERING APPARATUS THEREFOR, AND COLOR FILTER USING THE SAME例文帳に追加

透明導電性薄膜の製造方法およびそのためのスパッタ装置、ならびにそれを用いたカラーフィルター - 特許庁

To provide a substrate for sputtering, improved in adhesion to film, and its manufacturing method.例文帳に追加

膜との密着性が向上したスパッタリング用基板およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET, METHOD FOR FORMING HARD FILM AND HARD FILM COATED MEMBER USING THE SAME例文帳に追加

スパッタリングターゲットの製造方法、それを用いた硬質被膜の形成方法および硬質被膜被覆部材 - 特許庁

The electrode is formed by sputtering the base material at 5-85°, in a nonactive gas atmosphere, with respect to the base material.例文帳に追加

また、不活性ガス雰囲気下で、前記基材に対して、５〜８５°でスパッタリングによって形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target superior in mechanical strength for forming a phase-change memory film.例文帳に追加

機械的強度に優れた相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus provided with a function of controlling particles which exfoliate from a deposition shield.例文帳に追加

防着板からの剥離パーティクルを抑制する機能を備えたマグネトロンスパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

A large amount of plasma energy is applied in a process (2) where a ZnO thin film is deposited by sputtering.例文帳に追加

スパッタリングによりＺｎＯ薄膜堆積を行う工程（２）では、大きなプラズマ・エネルギーが加えられている。 - 特許庁

These amounts of the oxides are compounded with each other, molded and subsequently fired to obtain the ITO sputtering target.例文帳に追加

これらの酸化物を上記量で配合し、成形した後焼成してＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁

Then, a connection groove 17 is formed by laser scribing, and a second electrode 4 is formed by a sputtering method or the like.例文帳に追加

その後、接続溝１７をレーザスクライブにより形成し、第２電極４をスパッタ法などで形成する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM FORMED BY USING THE SAME, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE例文帳に追加

スパッタリングタ—ゲットと、それを用いて形成した反強磁性体膜、磁気抵抗効果素子および磁気装置 - 特許庁

Thus, the sputtering degree of the target 20 is also uniform and the film deposition can also be performed uniformly.例文帳に追加

そのため、ターゲット２０がスパッタされる度合いも均一となり、成膜もより均一に行うことができる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF Co-BASE SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETIC RECORDING FILM OF LOW RELATIVE MAGNETIC PERMEABILITY例文帳に追加

比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

Otherwise, the Co-based sputtering target material containing the oxide may be formed at a forming temperature of 1,000-1,350°C.例文帳に追加

また、上記成形温度を１０００〜１３５０℃とする酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材。 - 特許庁

To form a counter electrode of a transparent material on an organic LED layer without giving sputtering damage thereto.例文帳に追加

対向電極を透明材料で有機ＬＥＤ層上にスパッタダメージを与えることなく形成すること。 - 特許庁

To lower the drive voltage of a plasma information display element and produce a protection film excellent in the anti-sputtering performance.例文帳に追加

プラズマ情報表示素子の駆動電圧を下げると共に、耐スパッタリング性能に優れた保護膜を得る。 - 特許庁