「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目)

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sputteringを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 6532件

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例文

A sputtering system provided includes: a substrate holder 3 holding a substrate 20 in a vacuum tank 2 and movable; a sputtering source 4 including first and second cathode parts 6, 7 in the vacuum tank 2; and a slit mechanism 9 having an opening part 10 for passing through sputtering particles 40.例文帳に追加

本発明は、真空槽２内において基板２０を保持して移動可能な基板ホルダー３と、真空槽２内において第１及び第２のカソード部６、７を有するスパッタ源４と、スパッタ粒子４０を通過させるための開口部１０を有するスリット機構９とを備える。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is an Al-based target and is free from cracking when it is formed even if it has a high content of Cr exhibiting more excellent corrosion resistance and further which is also free from cracking during sputtering, and to provide a method for producing the sputtering target.例文帳に追加

Ａｌ系のターゲットにおいて、より優れた耐食性を示す高いＣｒの含有量とした場合であっても、ターゲットの成形時に割れが発生することなく、また、スパッタ時においても割れが発生することがないスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By this constitution, the angle of incidence of the ion beam with reference to the sample 4 becomes constant, a sputtering rate becomes constant over the whole sputtering region, and the composition in the depth direction from the surface of the sample can be analyzed with high accuracy over the whole sputtering region.例文帳に追加

この構成により、試料４に対するイオンビームの入射角は一定となるので、スパッタ領域全域にわたってスパッタレートが一定となり、もってスパッタ領域全域にわたって試料表面からの深さ方向における高精度な組成分析を行うことが可能となる。 - 特許庁

In the method comprising a step wherein a semiconductor layer composed of a group III nitride compound semiconductor containing Ga as a group III element is formed on a substrate 11 by sputtering, when the semiconductor layer is formed, the sputtering is performed while supplying nitrogen and argon into a chamber which is used for the sputtering.例文帳に追加

基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 - 特許庁

例文

To provide a sputtering apparatus capable of depositing a thin film of the excellent film quality on a substrate by reducing the number of sputtering particles flying in the diagonal direction with a substrate surface being a reference with respect to the sputtering particles flying onto the substrate from targets.例文帳に追加

スパッタリング装置において、ターゲットから基板上に飛来するスパッタ粒子に対して基板面を基準にした時の斜め方向から飛来するスパッタ粒子を低減させることにより、基板上に良好な膜質の薄膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

例文

The method is characterized by providing a first film deposition area for sputtering a metal target and a second film deposition area for sputtering titanium oxide in a vacuum chamber and depositing the mixed film of the metal and the titanium oxide by sputtering the metal and the titanium oxide in respective areas.例文帳に追加

真空チャンバ内に、金属ターゲットをスパッタリングするための第１の成膜領域と、チタン酸化物をスパッタリングするための第２の成膜領域とを設け、各領域において、金属とチタン酸化物とをスパッタリングして金属とチタン酸化物の混合膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus having a structure which suppresses the deflection of electroconductive rods (anode rods) toward the downward side due to its self weight, in a sputtering apparatus for performing sputtering by arranging a substrate to be treated on an lower side or an upper side of a target in parallel to the target so as to oppose the target, while tilting the substrate against the vertical direction.例文帳に追加

平行に対向させて、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、導電性棒（アノードロッド）の自重による、その下側への反りを抑制できる構造のスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a target for sputtering capable of ameliorating the texture of crystal orientation of the target, of improving the uniformity of a film when sputtering is carried out, and of enhancing the quality of sputtering deposition and greatly improving the yield of manufacturing and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ターゲットの結晶配向の組織を改善し、スパッタリングを実施した際の、膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させ、さらに製造歩留まりを著しく向上させることができるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a target for sputtering in which the structure of crystal orientation is improved, thus the uniformity of a film upon sputtering is made satisfactory, the quality of sputtering film deposition is improved, and further, a production yield can be remarkably improved, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

ターゲットの結晶配向の組織を改善し、スパッタリングを実施した際の、膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させ、さらに製造歩留まりを著しく向上させることができるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a high-density sputtering target for forming a phase change optical disc protective film having zinc sulfide-silicon oxide as its principal components, which is capable of reducing particles and nodules produced during sputtering upon sputtering, has minimal variation in quality and capable of improving mass productiveness, and which has minute crystal grains.例文帳に追加

スパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり高密度を備えた硫化亜鉛−ケイ酸化物を主成分とする相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁

例文

A vacuum chamber is partitioned symmetrically into a sputtering chamber 11a capable of performing a sputtering process and a chemical film deposition chamber 11b capable of performing a chemical film deposition process, and a substrate transport means 3 for freely transporting a substrate S to be treated is positioned between respective film deposition positions in the sputtering chamber 11a and the chemical film deposition chamber 11b.例文帳に追加

真空チャンバを、スパッタリング法を実施できるスパッタ室１１ａと、化学的成膜法を実施できる化学的成膜室１１ｂとに左右に区画し、スパッタ室内及び化学的成膜室の各成膜位置の間で処理基板Ｓを移動自在とする基板搬送手段３を設ける。 - 特許庁

To provide a pulse sputtering system and a pulse sputtering method where, when ionized sputtering particles are deposited on a base material biased to a negative potential, so as to form a film, even in the case arc discharge is generated at the base material or the peripheral member thereof, the film formation can be performed without deteriorating the quality of the formed film.例文帳に追加

イオン化したスパッタ粒子を負電位にバイアスした基材に堆積させ成膜するに際し、基材あるいはその周辺部材にアーク放電が発生した場合でも成膜品質を劣化させることなく成膜することができるパルススパッタ装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method and a sputtering apparatus where, when film deposition is performed by sputtering using an AC power source, the generation of arc discharge is swiftly detected to cut off the output from the AC power source, and energy upon the generation of arc discharge is reduced, so as to effectively prevent the generation of particles and splashes.例文帳に追加

交流電源を用いたスパッタリングにより成膜する際に、迅速にアーク放電発生を検出して交流電源からの出力を遮断し、アーク放電発生時のエネルギーを小さくしてパーティクルやスプラッシュの発生などを効果的に防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a sputtering system capable of applying a sputtering film deposition to a substrate and a base material stably for a long time and at a high speed, to provide a layered product, which is film-deposited by using the sputtering system, and to provide an optically functional filter and an optical display device having the layered product.例文帳に追加

基板、基材に対し、安定して長時間、かつ高速でのスパッタ成膜が可能であるスパッタリング装置を提供することであり、また、これを用いて成膜した積層体及び、この積層体を有する光学機能性フィルタおよび光学表示装置を提供する。 - 特許庁

Further, regarding this method, an iridium oxide film is formed by a reactive sputtering process where, using a target comprising iridium, sputtering is performed while introducing an oxygen-containing gas under the conditions where film deposition temperature is 275 to 400 °C and sputtering pressure is 0.69 Pa (5.2 mTorr) to 1.09 Pa (8.2 mTorr).例文帳に追加

また、イリジウムを含むターゲットを用い、酸素を含むガスを導入しながらスパッタリングする反応性スパッタリング法により、成膜温度が２７５℃以上４００℃以下の条件およびスパッタ圧力が０．６９Ｐａ（５．２ｍＴｏｒｒ）以上１．０９Ｐａ（８．２ｍＴｏｒｒ）以下の条件下で、イリジウム酸化膜を形成する方法である。 - 特許庁

To provide a DC magnetron sputtering reactor for sputtering copper, its use, a shield or the like for enhancing self-ionized plasma(SIP) sputtering at low pressure, and a method for applying copper coating to a narrow via or trench by using SIP for a first copper layer.例文帳に追加

銅をスパッタリングするための直流マグネトロンスパッタ反応器、その使用方法、低圧での自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリングを増進させるシールド等、及び第１の銅層のためにＳＩＰを使用して狭くて深いビアまたはトレンチ内へ銅をコーティングする方法を提供する。 - 特許庁

At least a portion of a sputtering gas after sputtering is exhausted at the upstream of a cluster discharge opening of a cluster production chamber against a gas flow so that the amount of the sputtering gas contained in a gas exhausted from the discharge opening becomes less than the amount introduced into the cluster production chamber.例文帳に追加

スパッタリング後のスパッタガスの少なくとも一部を、クラスター生成室のクラスター取出口よりもガス流に対して上流側で排出することにより、該取出口から排出されるガス中に含まれるスパッタガスの量を、クラスター生成室に導入した量より少なくする。 - 特許庁

In the case the ferromagnetic sputtering target has a disk shape, one of the plurality of recessed parts is arranged at the center of the ferromagnetic sputtering target, and at least a part of the plurality of recessed parts is arranged almost at equal intervals along the circumference concentric with the ferromagnetic sputtering target.例文帳に追加

前記強磁性体スパッタリングターゲットは円板状である場合、前記複数の凹部の一つは、前記強磁性体スパッタリングターゲットの中心に配置され、前記複数の凹部の少なくとも一部は、前記強磁性体スパッタリングターゲットと同心の円周に沿って略等間隔で配置されている。 - 特許庁

The sputtering gas is introduced to the film-forming zone 20 through a first sputtering gas introduction pipe 2a arranged in a position close to the outlet 11d, and through a second sputtering gas introduction pipe 2b arranged in the position far from the outlet 11d.例文帳に追加

成膜プロセスゾーン２０へのスパッタガスの導入は、排気口１１ｄから近い位置に設けられた第１のスパッタガス導入管２ａからのスパッタガスの導入と、排気口１１ｄから遠い位置に設けられた第２のスパッタガス導入管２ｂからのスパッタガスの導入とで行う。 - 特許庁

This invention provides a vibrating membrane for the electrostatic electroacoustic transducer that is formed by forming a titanium thin film on top of a very thin film 2 made of a synthetic resin by sputtering, layering a nickel thin film on top of the titanium thin film by sputtering or layering a nickel thin film on top of the titanium thin film by sputtering and layering a titanium thin film on top of the nickel thin film by sputtering.例文帳に追加

合成樹脂よりなる極薄フィルム２の表面にチタニウム薄膜をスパッタリングにより成膜してこのチタニウム薄膜の表面にニッケル薄膜をスパッタリングにより成膜積層し、或いはニッケル薄膜をスパッタリングにより成膜してこのニッケル薄膜の表面にチタニウム薄膜をスパッタリングにより成膜積層した静電型電気音響変換器用振動膜。 - 特許庁

When depositing the colossal magneto-resistive material thin film which has epitaxially grown after crystal orientation on a base electrode by sputtering using facing targets, a sputtering process having at least two steps are used, a deposition rate is relatively slowed down in the sputtering process in a first step, and the deposition rate is relatively accelerated in the sputtering process in later steps to form the thin film.例文帳に追加

対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。 - 特許庁

The active material thin film formed on the collector 1 is composed of an interfacial layer formed on the collector and an active material layer formed on the interfacial layer, the interfacial layer is formed by an RF sputtering method by an RF sputtering source, and the active material layer is formed by a DC pulse sputtering method by a DC pulse sputtering source 5.例文帳に追加

集電体１上に形成される活物質薄膜が、集電体上に形成される界面層と、該界面層上に形成される活物質層とから構成されており、界面層がＲＦスパッタ源４によるＲＦスパッタ法により形成され、活物質層がＤＣパルススパッタ源５によるＤＣパルススパッタ法により形成されることを特徴としている。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact sputtering target assembly in which the efficient sputtering capable of coping with a local erosion caused by magnetron sputtering is made possible, the use of an expensive raw material of the oxide sintered compact target such as ITO can be saved as much as possible without affecting the sputtering performance and a large-sized product difficult in integrately forming can be easily manufactured.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリングによる局部的エロージョンに対応できる効率的なスパッタリングを可能とし、スパッタ性能に影響を与えることがなくＩＴＯ等の酸化物焼結体ターゲットの高価な原料の使用量を可能な限り節減し、かつ一体成形が困難な大型品を容易に製造できる酸化物焼結体スパッタリングターゲット組立体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a cylindrical sputtering target which can remarkably reduce cracking and chipping.例文帳に追加