「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

STRONTIUM RUTHENATE SINTERED COMPACT, ITS PRODUCTION AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME例文帳に追加

ルテニウム酸ストロンチウム焼結体とその製造方法及びこれを用いたスパッタリングターゲット - 特許庁

TARGET FOR SPUTTERING, DIELECTRIC FILM FORMED USING THE TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE FILM例文帳に追加

スパッタリング用ターゲット、それを用いて形成した誘電体膜およびその製造方法 - 特許庁

MATERIAL FOR FORMING WIRING, SPUTTERING TARGET FOR FORMING WIRING, WIRING THIN FILM AND ELECTRONIC PARTS例文帳に追加

配線形成用材料、配線形成用スパッタリングターゲット、配線薄膜及び電子部品 - 特許庁

MANUFACTURE OF Mg-CONTAINING ITO SPUTTERING TARGET AND Mg-CONTAINING ITO EVAPORATION MATERIAL例文帳に追加

Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットおよびＭｇ含有ＩＴＯ蒸着材の製造方法 - 特許庁

OXIDE FOR SEMICONDUCTOR LAYER OF THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET, AND THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ - 特許庁

The protective film 5 is deposited by sputtering in which resin, especially fluororesin is used as a material.例文帳に追加

保護膜５は、樹脂、特にフッ素樹脂を材料としたスパッタリング法で成膜される。 - 特許庁

ITO POWDER, ITS PRODUCTION METHOD AND METHOD FOR PRODUCING ITO SPUTTERING TARGET例文帳に追加

ＩＴＯ粉末及びその製造方法並びにＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

MAGNETRON SPUTTERING DEVICE, CYLINDRICAL CATHODE, AND METHOD OF COATING THIN MULTICOMPONENT FILM ON SUBSTRATE例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置、円筒陰極、及び薄い複合膜を基板上に成膜する方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Al OR Al ALLOY SPUTTERING TARGET WITH FINE CRYSTAL GRAIN例文帳に追加

微細な結晶粒を有するＡｌまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

IMPROVED MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM FOR LARGE-AREA SUBSTRATE HAVING REMOVABLE ANODE例文帳に追加

着脱可能な陽極を有する大面積の基板用改良型マグネトロンスパッタリングシステム - 特許庁

Aluminum, titanium, copper, zinc, stainless steel, etc., are formed as the metal sputtering layer.例文帳に追加

上記ベース金属スパッタ層としては、アルミニウム、チタン、銅、亜鉛、ステンレス鋼などを形成する。 - 特許庁

An aluminum conductor 13 is then formed by sputtering aluminum, and is converted into a capacitor electrode.例文帳に追加

次に、アルミを用いてスパッタリングで導電体１３を形成し、キャパシタの電極とする。 - 特許庁

SUBSTRATE HOLDER FOR FILM DEPOSITION BY SPUTTERING, AND FABRICATION OF PHOTOMASK BLANK USING THE SAME例文帳に追加

スパッタリング成膜用の基板ホルダー及びそれを用いたフォトマスクブランクスの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PURIFYING METALS AND FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET OF HIGH PURITY METAL例文帳に追加

金属の高純度化方法及びスパッタリング用高純度金属ターゲットの製造方法 - 特許庁

PRECIPITATE FOR SPUTTERING TARGET, SINTERED COMPACT, TARGET, PROTECTIVE FILM AND THEIR PRODUCTION METHODS例文帳に追加

スパッタリングターゲット用沈殿物、焼結体、ターゲットおよび保護膜並びにそれらの製造方法 - 特許庁

To reduce the accumulation of electric charges on a semiconductor device caused upon sputtering.例文帳に追加

スパッタリングをおこなう際に生じる半導体装置への電荷の蓄積を軽減する。 - 特許庁

A substrate 34 is disposed facing the front side of the target 32 in a sputtering chamber 30.例文帳に追加

スパッタリングチャンバ３０内に基板３４をターゲット３２前面に向かうように配置させる。 - 特許庁

To provide a high strength sputtering target for forming a protective film for a light recording medium.例文帳に追加

光記録媒体の保護膜を形成するための高強度スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, OPTICAL THIN FILM USING THE SAME, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加

スパッタリングターゲット、それを用いた光学薄膜とその製造方法、および光記録媒体 - 特許庁

When the substrate is cooled to room temperature after the sputtering, the whole substrate is warped to be recessed upward.例文帳に追加

スパッタ後に室温まで冷却すると、基板全体が上方に凹になるように反る。 - 特許庁

As a target member 10 for sputtering a target material where the CNT contains, the Cu is employed.例文帳に追加

スパッタリング用ターゲット材１０としては、ＣｕにＣＮＴが含まれたターゲット材を用いる。 - 特許庁

The above sputtering target is used to produce a halftone phase shift mask and a blank.例文帳に追加

上記スパッタリングターゲットを用いてハーフトーン型位相シフトマスク、及びブランクを製造すること。 - 特許庁

High frequency plasma (e.g. inert gas plasma of Ar+) is generated in a sputtering chamber.例文帳に追加

スパッタチャンバにおいて高周波プラズマ（例えばＡｒ+ 等の不活性ガスプラズマ）を発生させる。 - 特許庁

To provide an OLED device with reduced sputtering damages.例文帳に追加

スパッタリングによる損傷が低減されたＯＬＥＤ装置を提供することが目的である。 - 特許庁

CONDUCTIVE TITANIUM OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, TRANSLUCENT MEMBER, AND IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING MEDIUM, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SPUTTERING TARGET, AND MAGNETIC RECORDING/ REPRODUCING APPARATUS例文帳に追加

磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリング用ターゲットおよび磁気記録再生装置 - 特許庁

To provide a target for magnetron sputtering which can form a metal fluoride film free from optical absorption with high reproducibility, and in which the occurrence of deformation or cracks can be suppressed even in a high temperature state upon sputtering, and to provide a sputtering method using the target.例文帳に追加

光吸収のない金属フッ化物膜を再現性よく形成できるとともに、スパッタリング時の高温状態においても変形又はクラックの発生を抑制できるマグネトロンスパッタリング用ターゲット及び該ターゲットを用いたスパッタリング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which can deposit a sputtered film having an excellent uniformity in a film thickness distribution on a wafer without increasing the cost and size of the sputtering apparatus, and further without reducing the reliability and yield of a product, and to provide a sputtering method using the same.例文帳に追加

スパッタ装置を高コスト化・大型化させることなく、さらには製品の信頼性や歩留りを低下させることなく、ウェーハ上に膜厚分布の均一性の優れたスパッタ膜を形成することができるスパッタ装置及びそれを用いたスパッタ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a target which suppresses generation of nodules when a transparent conductive oxide is formed by a sputtering process and can stably perform sputtering, to provide the transparent conductive oxide formed from the target, and to provide a method for producing the sputtering target.例文帳に追加

スパッタリング法により透明導電性酸化物を成膜する際のノジュールの発生を抑制し、安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、このようなターゲットからなる透明導電性酸化物、およびこのようなターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

The CoCrPt-based sputtering target is a sputtering target containing cobalt, chromium, ceramics and platinum, and the maximum diameter of the high chromium content particles containing the chromium atoms at high concentration and unevenly distributed in the sputtering target is ≤40 μm.例文帳に追加

コバルト、クロム、セラミックスおよび白金を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットに偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子の最大差し渡し径が４０μｍ以下であることを特徴とするＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲット。 - 特許庁

The cold mirror is manufactured by sputtering two or more kinds of sputtering materials each having different refractive index respectively in a separated film deposition zone while introducing oxidation reactive gas and a sputtering gas to deposit oxide films each having different refractive index on the surface of a processed material.例文帳に追加

酸化反応性ガスとスパッタリングガスを導入しながら、屈折率が異なる２種以上のスパッタリング材料を、別々の成膜ゾーンでスパッタリングすることにより、被加工物の表面に屈折率の異なる酸化膜を成膜してコールドミラーとすることを特徴とする。 - 特許庁

The sputtering system comprises: a sputtering treatment chamber 40 provided with a plurality of independent cathodes 41; and a substrate stage 44 provided in the treatment chamber 40, and in a state that a treatment substrate on the substrate 44 is successively made to face a target 22 on each cathode 41, sputtering treatment is performed.例文帳に追加

独立した複数のカソード４１を備えたスパッタリング処理室４０と、処理室４０内に設けられた基板ステージ４４とを有し、基板ステージ４４上の処理基板を各カソード４１上のターゲット２２と順次対向させてスパッタリング処理を実行する。 - 特許庁

To provide a facing target sputtering system in which the exchanging frequency of targets can be reduced by increasing the total quantity of erosion to one target, and, also, in reactive sputtering, stable sputtering is maintained, and film deposition can smoothly be performed.例文帳に追加

一つのターゲットに対する総エロージョン量を増やすことで、該ターゲットの交換頻度を少なくすると共に、反応性スパッタにおいても、安定したスパッタを持続させて、成膜を円滑に行なうことができる対向ターゲット式スパッタ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

A plasma sputtering reactor 10 is composed for the continuous self-sputtering or low pressure sputtering of copper in particular, a pedestal 16 supporting a wafer 18 to be sputter-deposited includes back face cooling or heating via heat transfer gas, and the heat transfer gas is composed of helium.例文帳に追加

特に銅の持続セルフスパッタリングあるいは低圧スパッタリング用に構成されたプラズマスパッタリングリアクタ１０であり、スパッタ堆積されるウェーハ１８を支持するぺデスタル１６は伝熱ガスを介してのウェーハ１８の裏面冷却あるいは加熱を含み、伝熱ガスはヘリウムである。 - 特許庁

A magnetron to be used in a DC magnetron sputtering reactor can be rotated at a smaller diameter in a deposition stage, and can be rotated at a large diameter in a cleaning stage, and the sputtering material re-deposited outside the deposition sputtering track is removed in the cleaning stage.例文帳に追加

ＤＣマグネトロンスパッタリング反応器で使用するマグネトロンは、堆積段階では小さい直径で回転でき、クリーニング段階では大きい直径で回転でき、それにより堆積スパッタリング軌道の外側に再堆積したスパッタ材料は、クリーニング段階で除去される。 - 特許庁

The silicon nitride film, having low moisture permeability and a high light transmittance, is prepared by using a target 101 made of Si_3N_4 and sputtering the target 101 with a sputtering gas containing at least 99.9% N_2 in an RF magnetron-type sputtering apparatus.例文帳に追加

ＲＦマグネトロン型スパッタ装置において、Ｓｉ_３Ｎ_４により形成されたターゲット１０１を用い、９９．９％以上のＮ_２を含むスパッタガスによりターゲット１０１をスパッタし、低透湿度特性および高光透過特性を有する窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target having low bulk resistance, high density, uniform particle size, fine structure, and high flexure strength while keeping the characteristics of an IGZO (InGaO_3 (ZnO)_m) sputtering target.例文帳に追加

ＩＧＺＯスパッタリングターゲットの有する特性を保持したまま、バルク抵抗が低く、密度が高く、粒径がより均一で微細化した組織を持ち、抗折強度が高いスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A sputtering device 10 constituting a sputtering unit is arranged in a first film-forming stage 8, and a vapor deposition device 11 is arranged in a second film-forming stage 9.例文帳に追加

真空槽３内の第１成膜ステージ８には、スパッタリング装置を構成するスパッタリング装置１０が配置され、第２成膜ステージ９には、蒸着装置１１が配置されている。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus and method capable of assuring the uniformity of a film thickness from the start of using a target till the end thereof with a simple configuration and a program for controlling sputtering.例文帳に追加

簡易な構成で、ターゲットの使用開始から終了までの膜厚の均一性を確保することができるスパッタリング装置及び方法並びにスパッタリング制御用プログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a technique which can suppress the generation of particles including Ni-Mo due to an increase in sputtering time in sputtering using an Ni-Mo based alloy target plate.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｍｏ系合金ターゲット板を用いたスパッタリングにおいて、スパッタリング時間の増加に伴うＮｉ−Ｍｏを含んだパーティクルの発生を抑制することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a protective film of an optical recording medium, which is made of a zinc sulfide-silicon dioxide sintered compact and can perform high-speed sputtering, and its manufacturing method.例文帳に追加

高速でスパッタリングすることが可能な硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide sputtering equipment and a method of thin film formation, practically unaffected by the timewise fluctuation of sputtering conditions and capable of unifomizing the thickness of thin film with higher accuracy.例文帳に追加

スパッタリング条件の時間的変動による影響を受けにくく、薄膜の膜厚をより高精度に均一化させることができるスパッタリング装置および薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

During the scan film deposition, using two kinds of gases with different sputtering rates as sputtering gases, the gas flow rates of the two gases are controlled by first and second mass flow controllers 4a, 4b, respectively.例文帳に追加

このスキャン成膜中に、スパッタガスとしてスパッタレートの異なる２種類のガスを用いて、２つのガスのガス流量を第１、第２のマスフローコントローラ４ａ、４ｂによってそれぞれ制御する。 - 特許庁

To provide a sputtering target material of an Fe-Co-Ni-based alloy having low magnetic permeability, which can improve the efficiency of use in the magnetron sputtering, and can increase the plate thickness of the target.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリングにおける使用効率改善やターゲット板厚を厚くすることが可能である透磁率の低いＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus, which reliably provides a uniform bottom coverage of a via hole inside a surface of a substrate regardless of sputtering films having different compositions in a single chamber.例文帳に追加

１つのチャンバで組成の異なる膜をスパッタリングする場合であっても、基板面内のビアホールにおけるボトムカバレッジの均一性を確保することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁