sputteringを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6532件
The sputtering gas is compressed to the range of 0.66-0.67 Pa and the amount of flow is increased.例文帳に追加
スパッタガスは、0.66〜0.67Paの範囲に高圧化し、流量を増加させる。 - 特許庁
To provide a sputtering apparatus which improves the productivity of a metallic compound thin film.例文帳に追加
金属化合物薄膜の生産性を向上するスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁
FERROELECTRIC THIN FILM, AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM例文帳に追加
強誘電体薄膜、及び強誘電体薄膜作成用スパッタリングターゲット材料 - 特許庁
SUBSTRATE TREATER AND CLEANING OF ELECTROSTATIC ATTRACTION STAGE OF SPUTTERING DEVICE例文帳に追加
基板処理装置及びスパッタリング装置における静電吸着ステージのクリーニング方法 - 特許庁
TARGET FOR SPUTTERING, ITS PRODUCTION AND HIGH MELTING POINT METAL POWDER MATERIAL例文帳に追加
スパッタリング用ターゲット及びその製造方法ならびに高融点金属粉末材料 - 特許庁
In the method of straightening for a sputtering target/backing plate assembly, the assembly formed by joining the sputtering target and the backing plate is straightened by means of vacuum suction.例文帳に追加
スパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合した組立体を真空吸引して矯正することを特徴とするスパッタリングターゲット/バッキングプレート組立体の矯正方法。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR VERTICAL MAGNETIC RECORDING MEDIUM FILM FORMATION HAVING HIGH LEAKAGE MAGNETIC FLUX DENSITY例文帳に追加
漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁
MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM, FILM DEPOSITION METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT例文帳に追加
マグネトロンスパッタリング装置、成膜方法及び有機電界発光素子の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR SYNTHESIZING THIN LiMn2O4 FILM, PRODUCTION OF LITHIUM CELL AND SPUTTERING APPARATUS例文帳に追加
LiMn2O4薄膜の合成方法、リチウム電池の製造方法及びスパッタ装置 - 特許庁
Ag ALLOY FILM FOR ELECTRONIC PARTS AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING Ag ALLOY FILM例文帳に追加
電子部品用Ag合金膜およびAg合金膜形成用スパッタリングターゲット材 - 特許庁
To provide a sputtering target material, wherein the generation of arcing and splashes upon sputtering is effectively prevented, and, particularly, arcing is not generated actually.例文帳に追加
スパッタリング時のアーキングやスプラッシュの発生を効果的に防止することができ、とくにアーキングについては事実上皆無とすることができるスパッタリングターゲット材を提供すること。 - 特許庁
On this titanium film 41, a titanium nitride film 42 is formed by ordinary sputtering.例文帳に追加
このチタン膜41上に通常のスパッタによって窒化チタン膜42が形成される。 - 特許庁
To provide an integrated anode and activated reactive gas source for use in a magnetron sputtering device and a magnetron sputtering device incorporating the same.例文帳に追加
本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源、ならびにそれを組み込んだマグネトロン・スパッタリング・デバイスに関する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND Ti-W MATERIAL FOR MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM例文帳に追加
半導体素子の製造方法およびマグネトロンスパッタリング装置用Ti−W材 - 特許庁
HIGH-PURITY Ru POWDER, SPUTTERING TARGET OBTAINED BY SINTERING THE HIGH-PURITY Ru POWDER, THIN FILM OBTAINED BY SPUTTERING THE TARGET, AND METHOD FOR PREPARING HIGH-PURITY Ru POWDER例文帳に追加
高純度Ru粉末、該高純度Ru粉末を焼結して得るスパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得た薄膜並びに高純度Ru粉末の製造方法 - 特許庁
FILM DEPOSITION METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING RESIN FILM WITH METAL BASE LAYER AND SPUTTERING APPARATUS例文帳に追加
成膜方法、金属ベース層付樹脂フィルムの製造方法及びスパッタリング装置 - 特許庁
An ITO thin film 2 is formed on a quartz substrate 1 having six inch diameter, by sputtering.例文帳に追加
6インチ径の石英基板1の上にスパッタリングでITO薄膜2を形成する。 - 特許庁
Incident ions 20 which are incident positive ions on the sputtering target 2 are made incident at an incident angle θ_1 diagonally with the slopes 2a which are the sputtering surfaces.例文帳に追加
このため、スパッタリングターゲット2に入射する正イオンである入射イオン20は、スパッタ面である傾斜面2aに対して斜めに入射角θ_1で入射する。 - 特許庁
To provide a target for sputtering capable of improving performance while reducing the cost, to provide a sputtering device using the same and to provide a method for producing a semiconductor device.例文帳に追加
高性能化できしかもコストが低減化できるスパッタリング用ターゲットおよびそれを用いたスパッタリング装置ならびに半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
SPUTTERING DEVICE FOR MANUFACTURING THIN FILM SOLID BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM SOLID BATTERY例文帳に追加
薄膜固体電池製造用スパッタ装置及び薄膜固体電池の製造方法 - 特許庁
To suppress abnormal electric discharge and nodules when sputtering is performed.例文帳に追加
スパッタを行う際の、異常放電の発生とノジュールの発生とをともに抑制する。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET, PROTECTIVE FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体用保護膜及びその製造方法 - 特許庁
Thereby, a thin film is formed on the surface of the substrate by the gas-flow sputtering technique.例文帳に追加
これにより、基材の表面にガスフロースパッタリング法により薄膜が形成される。 - 特許庁
To reduce accumulation of electric charges on a semiconductor device caused upon sputtering.例文帳に追加
スパッタリングをおこなう際に生じる半導体装置への電荷の蓄積を軽減する。 - 特許庁
To provide a sputtering target making it possible to suppress the generation of nodules when a transparent conductive film is formed by sputtering, and to provide their manufacturing method.例文帳に追加
スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。 - 特許庁
A thin film for wiring is composed of a double layer structure composing of a Cr film contg. nitrogen element at a lower layer film 2, which is formed by sputtering with using CrN target and pure Ar gas as a sputtering gas, and a Cr film contg. no nitrogen element as an upper layer film 1, which is formed by sputtering with using Cr target and pure Ar gas as a sputtering gas.例文帳に追加
配線用薄膜を、CrNターゲットを用い、スパッタガスとして純Arガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有するCr膜を下層膜2とし、Crターゲットを用い、スパッタガスとして純Arガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有しないCr膜を上層膜1とした二層構造とする。 - 特許庁
To provide a sputtering target capable of depositing a transparent conductive film by the magnetron sputtering without any wasteful consumption of a sputtering target material, and easily controlling the resistivity and the transmittance of the transparent conductive film in a target for the magnetron sputter which has a mask on a substrate to perform the pattern-forming of the transparent conductive film on the substrate by the magnetron sputtering method.例文帳に追加
基板上にマスクを設け、マグネトロンスパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成するためのマグネトロンスパッタ用ターゲットにおいて、マグネトロンスパッタリングにより、スパッタリングターゲット材の消費に無駄が無く透明導電膜を形成でき、また透明導電膜の抵抗率や透過率の制御が容易にできるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
In the sputtering system, during sputtering, the rotation of at least one selected from the cathode 802, the stage 801 and the blocking plate 805 is controlled in such a manner that, among sputtering particles generated from a target 803a, the sputtering particles made incident at an angle of 0 to 50°C as an angle formed with the normal of a substrate 804 are made incident on the substrate 804.例文帳に追加
上記スパッタリング装置は、スパッタリング中において、ターゲット803aから発生したスパッタ粒子のうち、基板804の法線との成す角度が0°以上50°以下の角度で入射するスパッタ粒子を基板804に入射させるように、カソード802、ステージ801、および遮蔽板805の少なくとも1つの回転を制御する。 - 特許庁
LIGHT-REFLECTING FILM, REFLECTION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND SPUTTERING TARGET FOR LIGHT- REFLECTING FILM例文帳に追加
光反射膜、反射型液晶表示素子および光反射膜用スパッタリングターゲット - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR OPTICAL DISK PROTECTING FILM, AND THE OPTICAL DISK PROTECTING FILM FORMED BY USING THE SAME例文帳に追加
光ディスク保護膜用スパッタリング・ターゲット及びそれを用いて形成した光ディスク保護膜 - 特許庁
Also disclosed is a Cr-Mn-B-based thin film produced using the above sputtering target material.例文帳に追加
また、上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したCr−Mn−B系薄膜。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SHAPE MEMORY ALLOY MICROACTUATOR, AND SPUTTERING SYSTEM USED FOR THE METHOD例文帳に追加
形状記憶合金製マイクロアクチュエータの製造方法とそれに用いるスパッタリング装置 - 特許庁
To provide a thin film deposition apparatus capable of stabilizing plasma during sputtering and maintaining the thickness of a sputtered film on a substrate constant.例文帳に追加
スパッタリングにおけるプラズマを安定させ、基板のスパッタ膜の膜圧を一定とする。 - 特許庁
ZnO-Al2O3-BASED SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET AND METHOD OF FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM例文帳に追加
ZnO−Al2O3系焼結体、スパッタリングターゲット及び透明導電膜の製造方法 - 特許庁
The target for a sputtering source can be subdivided into a plurality of exchageable target segments (9).例文帳に追加
スパッター源用ターゲットは、交換可能な複数のターゲット・セグメント(9)に細分化できる。 - 特許庁
A vacuum chamber 12 and a metal plate storage chamber 13 are provided in a sputtering apparatus 11.例文帳に追加
スパッタリング装置11に真空チャンバー12及び金属板収納室13を設ける。 - 特許庁
An oxygen concentration in the sputtering atmosphere is controlled by plasma emission control to perform film-deposition.例文帳に追加
プラズマエミッションコントロールによりスパッタ雰囲気の酸素濃度が制御されて成膜される。 - 特許庁
PHASE TRANSITION TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET FOR PHASE TRANSITION TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加
相変化型光記録媒体並びに相変化型光記録媒体用スパッタリングターゲット - 特許庁
ITO SINTERED COMPACT, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND ITO SPUTTERING TARGET USING THE SINTERED COMPACT例文帳に追加
ITO焼結体とその製造方法、及びそれを用いたITOスパッタリングターゲット - 特許庁
SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ELECTRONIC INFORMATION EQUIPMENT AND IONIZATION SPUTTERING DEVICE例文帳に追加
固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器、イオン化スパッタリング装置 - 特許庁
The outside periphery of piston ring 1 is coated with a hard anodic oxide coating 3, using a sputtering method.例文帳に追加
ピストンリング1の外周面に硬質皮膜3をスパッタリング法によって被覆する。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR THIN FILM FORMATION, DIELECTRIC THIN FILM, OPTICAL DISK, AND METHOD FOR PRODUCING THE DIELECTRIC THIN FILM例文帳に追加
薄膜形成用スパッタリングターゲット、誘電体薄膜、光ディスク及びその製造方法 - 特許庁
To provide a sputtering device in which anionic particles of high energy are not made incident on a substrate.例文帳に追加
高エネルギーの陰イオン粒子を基板に入射させないスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND OPTICAL RECORDING MEDIUM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに光記録媒体及びその製造方法 - 特許庁
The MgO protection film can improve discharge delay characteristics and the sputtering-proofing characteristics.例文帳に追加
MgO保護膜は放電遅延特性と耐スパッタリング(sputtering)特性を向上させることができる。 - 特許庁
To provide a sputtering target which allows to stably form a film and hardly causes cracks or arcing.例文帳に追加
安定して成膜でき、割れやアーキングが生じ難いスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
To provide a sputtering apparatus capable of uniformly depositing an ultra-low concentration metal catalyst.例文帳に追加
極低濃度の金属触媒を均一に蒸着するスパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁
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