「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR PRODUCING CoCrPt-SiO2 SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING MAGNETIC RECORDING FILM例文帳に追加

磁気記録膜形成用ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

The capacitive insulating film 55 is formed on the Pt film 91 by the sputtering method.例文帳に追加

次に、Ｐｔ膜９１上に、スパッタ法により容量絶縁膜５５を形成する。 - 特許庁

The Ti film and the Pd film are formed by a sputtering method which is one of deposition methods.例文帳に追加

Ｔｉ膜及びＰｄ膜は、堆積法の１つであるスパッタ法で成膜する。 - 特許庁

A seed Cu film is formed in a recess to be filled by sputtering, or the like.例文帳に追加

埋め込み対象となる凹部に、スパッタ法等によりシードＣｕ膜を形成する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING FILM OF HIGH-DENSITY MAGNETIC RECORDING MEDIUM WHILE CAUSING FEW PARTICLES例文帳に追加

パーティクル発生の少ない高密度磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a sputtering device which shortens the downtime of the device and improves productivity.例文帳に追加

装置のダウンタイムを低減し生産性を向上するスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

The frequency of abnormal electric discharge in a sputtering method using a direct current power source 8 and in a sputtering method using only a pulse power source 7 is measured in advance.例文帳に追加

予め、直流電源８のみを使用したスパッタ方法と、パルス電源７のみを使用したスパッタ方法の、異常放電発生回数をそれぞれ測定する。 - 特許庁

METHOD AND EQUIPMENT FOR FORMING WIRING BY SPUTTERING, AND TARGET MATERIAL USED THEREFOR例文帳に追加

スパッタリングによる配線形成方法、配線形成装置及びそのターゲット材料 - 特許庁

To provide a sputtering target with which the adhesion of particles to a substrate can be suppressed in the case where a sputtering target made of easily oxidizable copper is used, and also to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

容易に酸化される銅製のスパッタリングターゲットを用いる場合に、基板へのパーティクルの付着を抑制しうるスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET USED FOR PRODUCING REFLECTION TYPE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを製造する際に使用されるスパッタリングターゲット - 特許庁

TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM例文帳に追加

透明導電膜およびこの透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

To prevent the peel-off and flying of a deposit occurring from the sides of a sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの側面から発生する堆積物の剥離・飛散を防止する。 - 特許庁

To provide a cylindrical sputtering target using a ceramic sintered compact as a target material, which does not cause cracking in the target material while the sputtering target is sputtered.例文帳に追加

セラミックス焼結体をターゲット材とする円筒形スパッタリングターゲットであって、スパッタ中にターゲット材に割れが発生することのない円筒形スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Sputtering power of nickel sputtering is specified to ≥1.2 KW, the flow rate of argon to <0.5 Pa and the film thickness of a conductive film 6 to be formed to a range from 50 to 150 nm.例文帳に追加

ニッケルスパッタのスパッタパワーを１.２ＫＷ以上、アルゴン流量を０．５Ｐａ未満とし、形成される導電皮膜６の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲とする。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND THIN FILM PRODUCED WITH THE USE OF THE METHOD例文帳に追加

スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにそれを用いて作製した薄膜 - 特許庁

The target 2 for sputtering has a diameter equal to or below the diameter of a wafer.例文帳に追加

スパッタリング用ターゲット２として、ウエハの直径以下の直径を有するものである。 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND PLATING DEVICE AND SPUTTERING DEVICE THEREFOR例文帳に追加

半導体装置の製造方法およびそれに用いるめっき処理装置、スパッタ装置 - 特許庁

The sputtering method and the PLD method are used to deposit the fluorescent film fabricating a target of such as a sputtering process using a substance in which a fluorescent material is mixed with SiO2 or SiO.例文帳に追加

スパッタリング法やPLD法はSiO2またはSiOに蛍光体が混ざり合った物質を使用してスパッタリング工程などのターゲットを作って蛍光膜を蒸着するのに使用する。 - 特許庁

To provide an Al-based alloy sputtering target capable of increasing a deposition rate (sputter rate) when a sputtering target is used, and preferably capable of preventing the occurrence of splashes.例文帳に追加

スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度（スパッタレート）が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method which forms a high-quality film in a low-temperature process and which can freely control a nature of the film in a sputtering method and a sputtering apparatus.例文帳に追加

スパッタリング方法および装置において、低温プロセスで高品質な膜を形成するとともに、膜の性質を自由に制御可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of depositing high-quality thin films containing no impurities, and a method of forming the high-quality thin films using the sputtering apparatus.例文帳に追加

不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a magnetic recording medium film which can obtain high leakage flux density and can achieve the improvement of sputtering efficiency, and a method for producing the same.例文帳に追加

高い漏洩磁束密度が得られてスパッタ効率の向上を図ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an indium-oxide-based sputtering target with which a transparent electroconductive oxide film having low resistance and a high refractive index can be industrially produced by a direct-current sputtering technique.例文帳に追加

低抵抗かつ高屈折率の透明導電酸化物膜を直流スパッタリング法により工業的に生産可能な酸化インジウムスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING MEDIUM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SPUTTERING TARGET AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲットおよび磁気記録再生装置 - 特許庁

To enhance the electric characteristics of an amorphous silicon film deposited by sputtering.例文帳に追加

スパッタリングによって堆積されたアモルファスシリコン膜の電気的特性を改善すること。 - 特許庁

A liner material such as tantalum or tantalum nitride is sputtering-deposited in the inside of the hole in this method.例文帳に追加

タンタルまたはタンタルナイトライド等のライナー材料をホール内にスパッタ堆積する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can easily control the composition ratio of an alloy and has stable quality, to provide a manufacturing method therefor, to provide a sputtering apparatus using it, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

合金としての組成比が容易にコントロールでき、安定した品質のスパッタリングターゲット及びその製造方法これを用いたスパッタ装置、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which can perform removal of an impurity layer generated at a target entire surface adequately and efficiently, and to provide a sputtering method thereof.例文帳に追加

ターゲット全表面に生成される不純物層の除去を的確かつ効率よく行なうことを可能とするスパッタリング装置及びそのスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system and a method of thin film deposition by magnetron sputtering by which film deposition rate can be increased and a thin film having excellent characteristics can be deposited.例文帳に追加

成膜速度が大きく、また、特性に優れた薄膜を形成することのできるマグネトロンスパッタリング装置およびマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering device improved in the film forming rate and the uniformity of the film forming rate and excellent in mass-producibility in a sputtering device provided with plural cylindrical targets.例文帳に追加

複数の円筒形ターゲットを備えたスパッタリング装置において、成膜速度および成膜速度均一性を向上させ、量産性に優れたスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target material which can securely reduces the occurrence of arcing, and which can be restrained from being broken and cracked, and to provide a sputtering target obtained therefrom.例文帳に追加

アーキングの発生を確実に低減し、かつ割れおよびクラックの発生を抑制できるスパッタリングターゲット材、およびこれから得られるスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING MEDIUM, ITS MANUFACTURE METHOD, SPUTTERING TARGET AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲット、および磁気記録再生装置 - 特許庁

To provide a Zr-Cr-Ti-O-based sputtering target for forming an oxide film of an optical recording medium which can perform DC sputtering more efficiently than the conventional case.例文帳に追加

従来よりも効率よくＤＣスパッタすることができる光記録媒体の酸化物膜成膜用Ｚｒ−Ｃｒ−Ｔｉ−Ｏ系スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In this sputtering target with less particle generation, a side surface of the sputtering target has the center line average height (Ra) of 0.05 μm-0.5 μm.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの側面が中心線平均粗さ（Ｒａ）０．０５μｍ〜０．５μｍの表面粗さを備えていることを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus having a plurality of cathodes disposed therein, in which abnormal discharge due to a partial sneak path of sputtering particles, formation of an insulator film etc., is prevented.例文帳に追加

複数のカソードを配置したスパッタリング装置において、部分的な回りこみ、絶縁体膜の形成等による異常放電を防止したスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target while surely improving quality from the viewpoint of the stable formation or the like of a transparent electrode film by sputtering.例文帳に追加

スパッタリングによる透明電極膜の安定な形成等の観点から品質の確実な向上を図りながらスパッタリングターゲットを製造する方法等を提供する。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium is obtained by film-depositing the magnetic recording layer by a sputtering method using the sputtering target for manufacturing the magnetic recording medium.例文帳に追加

また、このような磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により上記磁気記録層を成膜することにより垂直磁気記録媒体を得る。 - 特許庁

To provide a film forming method by sputtering, which can stably form a uniform and homogeneous film on a substrate even in a long sputtering time.例文帳に追加

長時間に渡ってスパッタリングを実施しても、基板上に均一で均質な成膜を安定的に行うことができるスパッタリングによる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ZnS-SiO2 target material capable of applying DC sputtering and provided with high-speed and stable sputtering properties thereby and to provide its production method.例文帳に追加

ＤＣスパッタの適用が可能であり、これにより高速で安定したスパッタ性を備えたＺｎＳ−ＳｉＯ_2 系ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A second disk substrate L1 is manufactured by sequentially performing first sputtering (2-3), dye coating (2-5) and second sputtering (2-8) after the injection molding of a substrate (2-1).例文帳に追加

また、第２のディスク基板Ｌ１を、基板の射出成形後（２−１）、第１のスパッタ（２−３）、色素塗布（２−５）、第２のスパッタ（２−８）の処理を順次行って製作する。 - 特許庁

The sputtering power source 3 supplies electric power of ≥5 W/cm^2 to the target 2, and the sputtering particles are ionized in a plasma P formed only by the electric power.例文帳に追加

スパッタ電源３は５Ｗ／ｃｍ^２ 以上の電力をターゲット２に投入し、この電力のみで形成されたプラズマＰ中でスパッタ粒子がイオン化する。 - 特許庁

To provide a surface treatment device where the application of bias voltage upon sputtering treatment to the substrate to be treated and power supply upon etching treatment by a sputtering process can be satisfactorily performed.例文帳に追加

被処理基板へのスパッタ処理の際のバイアス電圧の印加や、スパッタ法によるエッチング処理の際の給電を良好に行える表面処理装置を提供する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET IN WHICH OCCUPANCY RATIO OF PINHOLE IS ADJUSTED, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ピンホールの占有割合を調整したスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁

When forming the protective film which protects the main magnetic pole, the film is deposited by a sputtering system with a bias or by a carousel type sputtering system or a chemical vapor deposition (CVD) method.例文帳に追加

主磁極を保護する保護膜の形成時に、スパッタ装置でバイアスをかけて成膜するか、あるいは、カルーセル型スパッタ装置やケミカルベーパーデポジション（CVD）法で成膜する。 - 特許庁

To provide a sputtering system in which sputtering is carried out not only on 3 targets or more simultaneously but on an optional one target to form a prescribed thin film.例文帳に追加

３つ以上のターゲットを同時にスパッタ可能とするのみならず、任意の１つのターゲットのみをスパッタして所望の薄膜を形成することが可能なスパッタ装置を提供する。 - 特許庁