「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

The second aluminum nitride layer is vapor deposited by carrying out sputtering at about 5-10 millitorr chamber pressure.例文帳に追加

第２の窒化アルミニウム層は、約５〜１０ミリトールのチャンバ圧力でスパッタリングすることにより蒸着される。 - 特許庁

SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING REFLECTION FILM IN OPTICAL RECORDING MEDIUM AND REFLECTION FILM THEREIN例文帳に追加

光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよび光記録媒体の反射膜 - 特許庁

The coercive force of the sputtering target is controlled to 6.0×10^5A/m to 8.1×10^5A/m.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの保磁力を６．０×１０^5Ａ／ｍ以上、８．１×１０^5Ａ／ｍ以下に制御する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system which can improve the using efficiency of a target and productivity.例文帳に追加

ターゲットの使用効率や生産性を向上させることができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

A titanium layer 8 is formed on the whole surface of a semiconductor substrate by sputtering titanium (Ti) to the surface as shown in Fig. (a).例文帳に追加

図３（ａ）に示すように、全面にチタン（Ｔｉ）をスパッタすることによりチタン層８を形成する。 - 特許庁

CoFeNi-BASED ALLOY FOR SOFT MAGNETIC FILM LAYER IN VERTICAL MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND SPUTTERING TARGET MATERIAL例文帳に追加

垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金およびスパッタリングターゲット材 - 特許庁

An aluminum alloy or a nickel alloy is preferably used as the material for sputtering method.例文帳に追加

前記スパッタリング法の材料として、アルミ基合金またはニッケル基合金を使用することが望ましい。 - 特許庁

FILM FORMATION METHOD BY SPUTTERING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING NEGATIVE ELECTRODE FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY AND LITHIUM SECONDARY BATTERY例文帳に追加

スパッタ方法による成膜方法、リチウム二次電池用負極の製造方法及びリチウム二次電池 - 特許庁

INDIUM OXIDE-CERIUM OXIDE BASED SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

酸化インジウム−酸化セリウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電膜の製造方法 - 特許庁

To obtain a fluoride thin film having stoichiometeric composition and free from fluorine defect by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

化学量論組成でフッ素欠損のないフッ化物薄膜をマグネトロンスパッタリング法により得ることである。 - 特許庁

Then, Ti is formed on the first Schottky barrier electrode 30a by the sputtering film-forming method.例文帳に追加

次に、第一のショットキー障壁電極３０ａ上に、スパッタ成膜法によりＴｉを形成する。 - 特許庁

To provide a barium silicide polycrystal with high density and free from cracks, and to provide a barium gallium silicide sputtering target.例文帳に追加

高密度で割れのない珪化バリウム多結晶体ならびに珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The SiO_2 film 20 is deposited on the joined surface B of the other 2 of prism glasses 1, 2, for example, by sputtering.例文帳に追加

他方のプリズムガラス２の接合面ＢにはＳｉＯ_2膜２０を例えばスパッタリングにより形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of mitigating the warp of a glass substrate attributable to the stress in a metal film.例文帳に追加

金属膜の応力に起因したガラス基板の反りを緩和できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

By this reverse-sputtering, the barrier layer on the bottom of the via hole 8 is removed to expose the pad electrode 3.例文帳に追加

この逆スパッタリングによりビアホール８底部のバリア層が除去され、パッド電極３が露出される。 - 特許庁

To provide a high-frequency sputtering apparatus in which an influence of high-frequency noise generated from a target is suppressed.例文帳に追加

ターゲットから発生する高周波ノイズの影響を抑えた高周波スパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

A space 11 forming the sputtering chamber is partitioned by valve boards 15 and 16 and is separated from the other region.例文帳に追加

スパッタチャンバを形成するスペース１１はバルブ板１５，１６で仕切られ、他の領域から分離される。 - 特許庁

To provide a sputtering target composed of a zinc oxide sintered compact in which the generation of cracking and arcing is reduced.例文帳に追加

割れ及びアーキングの発生が少ない酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a large-size target for forming a high-quality ceramic thin film on a large-size substrate by sputtering.例文帳に追加

大型基板に高品質のセラミックス薄膜をスパッタ形成するための大型のターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a FeCoB-based sputtering target material for depositing a soft magnetic thin film.例文帳に追加

軟磁性薄膜を形成するためのＦｅＣｏＢ系スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, a second wafer is inserted into the first IBS deposition chamber 302 and is subjected to the reactive sputtering deposition.例文帳に追加

そのとき、第２のウェハが第１の堆積室に挿入され、反応性スパッタ堆積が行われる。 - 特許庁

The behavior of the sputtering particles can be efficiently controlled by using the magnetic field having the non-uniform distribution.例文帳に追加

不均一な分布を有する磁場を用いて、スパッタ粒子の挙動を効率的に制御することができる。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING TRANSPORT FACTOR OF SPUTTER PARTICLE, FILM DEPOSITION METHOD, TARGET, SPUTTERING SYSTEM, AND FILM THICKNESS SIMULATION METHOD例文帳に追加

スパッタ粒子の到達率計測方法、成膜方法、ターゲット、スパッタ装置及び膜厚シミュレーション方法 - 特許庁

At a film forming step 63 of a TiN film, the TiN film is formed along an inner wall of the hole by sputtering.例文帳に追加

ＴｉＮ膜の成膜工程６３で、スパッタにより、ホールの内壁に沿ってＴｉＮ膜を成膜する。 - 特許庁

An upper target 15 in the treatment chamber 10 has two different sputtering materials arranged separately from each other.例文帳に追加

処理チャンバ１０内上部のターゲット１５は、異なる２種類のスパッタ材料が区分けされ配されている。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a material which is mainly made up of Y_2O_3 and to which a glass forming oxide is added.例文帳に追加

ガラス形成酸化物を5〜50mol％添加した材料から成ることを特徴とする同スパッタリングターゲット。 - 特許庁

The ITO sintered compact sputtering target contains 2 to 50 wt% tin oxide.例文帳に追加

２０〜５０ｗｔ％の酸化錫を含有することを特徴とするＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲット。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING Mo ALLOY POWDER TO BE PRESSURE-SINTERED, AND METHOD FOR PRODUCING TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING例文帳に追加

加圧焼結用のＭｏ合金粉末の製造方法およびスパッタリング用ターゲット材の製造方法 - 特許庁

To deposit a film having high orientation on a substrate by controlling the energy of sputtering particles.例文帳に追加

スパッタ粒子のエネルギを調節することによって基板上に配向性の高い膜を形成すること。 - 特許庁

The controller further advises a sputtering device 39 so that the substrates 53 are film-formed under the film- forming conditions of a forming machine 31.例文帳に追加

基板５３を成形機３１の成膜条件で成膜するよう、スパッタ装置３９側に通知する。 - 特許庁

The controller also advises the sputtering device 39 so that the substrates 55 are film-formed under the film-forming conditions of a forming machine 33.例文帳に追加

基板５５を成形機３３の成膜条件で成膜するよう、スパッタ装置３９側に通知する。 - 特許庁

The conveying time does not add any additional time because the untreated substrate can be conveyed into the treatment chamber during sputtering.例文帳に追加

スパッタリング中に処理室内に未処理基板が搬入されるので搬入時間が無駄にならない。 - 特許庁

To provide a method for producing a film realizing selective sputtering onto a substrate having an oxide region(s).例文帳に追加

酸化物領域を有する基板上への選択スパッタを実現する膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering target has a composition comprising, by mass, 1 to 40% Cr and 0.5 to 20% Al, and the balance Si with inevitable impurities.例文帳に追加

Cr：１〜40mass％およびAl：0.5〜20mass％を含み、残部Siおよび不可避的不純物の成分組成とする。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR THIN FILM DEPOSITION AND THIN FILM AND OPTICAL RECORDING MEDIUM USING THE MATERIAL例文帳に追加

薄膜形成用スパッタリングターゲット材、それを用いて形成されて成る薄膜及び光学記録媒体 - 特許庁

The currents of the electromagnet coils 13 and 14 are each kept at set values always while a sputtering operation is carried out.例文帳に追加

各電磁石コイル１３，１４の電流は、スパッタが行われている間、設定された値を常に保つ。 - 特許庁

To provide an Fe-Co based alloy sputtering target material which can stably sputter a soft magnetic film.例文帳に追加

軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

ALUMINUM ALLOY REFLECTION FILM, LIGHTING FIXTURE FOR AUTOMOBILE, ILLUMINATOR, ORNAMENTAL PART AND ALUMINUM ALLOY SPUTTERING TARGET例文帳に追加

Ａｌ合金反射膜、及び、自動車用灯具、照明具、装飾部品、ならびに、Ａｌ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

The sputtering target is configured to include target atoms used for thin film deposition.例文帳に追加

実施形態のスパッタリング用ターゲットは、薄膜形成に用いられるターゲット原子を含んで構成されている。 - 特許庁

Ag ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, FLAT PANEL DISPLAY DEVICE, AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR Ag ALLOY FILM FORMATION例文帳に追加

表示装置用Ａｇ合金膜、平面表示装置およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材 - 特許庁

Pre-sputtering is carried out, and unstable silicon atoms are removed by bonding them to activated oxygen (step S12).例文帳に追加

プレスパッタを行い、不安定なシリコン原子を活性化された酸素と結合させ除去する（ステップＳ１２）。 - 特許庁

SINTERED COMPACT FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME例文帳に追加

強誘電体薄膜形成用の焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット - 特許庁

On a first insulation layer, a metal film for interconnection with aluminum as a chief material is formed by sputtering.例文帳に追加

第１絶縁層上にスパッタ法によるアルミニウムを主成分とする配線用の金属膜を形成する。 - 特許庁

PHASE CHANGE RECORDING FILM WITH HIGH ELECTRIC RESISTANCE AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE PHASE CHANGE RECORDING FILM例文帳に追加

電気抵抗が高い相変化記録膜およびこの相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

PRODUCTION OF SPUTTERING TARGET FOR DIELECTRIC THIN FILM DEPOSITION SMALL IN GENERATION OF PARTICLE AND HAVING HIGH STRENGTH例文帳に追加

パーティクルの発生が少なくかつ高強度な誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁