「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering apparatus with a multiangular barrel, which does not cause a need for waste-water treatment like in an electroplating process and gives little load on the environment; to provide a sputtering method with a multiangular barrel therefor; to provide fine particles and microcapsules coated thereby; and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

めっき法のように廃液の処理が必要なく、環境に対する負荷が小さい多角バレルスパッタ装置、多角バレルスパッタ方法及びそれにより形成された被覆微粒子、マイクロカプセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since inclined surfaces of the sides of a projection 5 and a depression 6 are sputtered by priority and the speed of sputtering of the flat surface is low; sputtering proceeds from the sides of the projection and depression 5 and 6 toward the in-plane part, and the surface of the Cu layer 4 is planarized.例文帳に追加

凹凸部５、６の側面の傾斜した面が優先的にスパッタされ、平坦面のスパッタ速度は遅いので、凹凸ぶ５、６の側面から面内方向にスパッタが進行してＣｕ層４表面は平坦になる。 - 特許庁

By sputtering the sputtering target in the argon atmosphere, a protective film for an optical disk in which the atomic ratio of O and C is in a range of 1.0 : 0.5 to 1.7 : 0.17 when the atomic ratio of Si is set to be 1.0.例文帳に追加

このスパッタリングターゲットをアルゴン雰囲気中でスパッタリングすることにより、Ｓｉの原子数比を１．０としたとき、Ｏ及びＣの原子数比が１．０：０．５〜１．７：０．１７の範囲にある光ディスク用保護膜を得ることができる。 - 特許庁

The process of forming the lower electrode 4 includes a process of forming a first metal layer by an ion beam sputtering method or a DC sputtering method, and a process of depositing a second metal layer on the first metal layer by an electrolytic plating method.例文帳に追加

下部電極４を形成する工程は、イオンビームスパッタ法またはＤＣスパッタ法によって第１金属層を形成する工程と、第１金属層の上に電解めっき法によって第２金属層を析出させる工程と、を含む。 - 特許庁

Oxide films of Ti and Al formed by sputtering a TiAl intermetallic compd. as a target while introducing an inert gas and oxygen, and MgF2 films formed by sputtering using MgF2 as a target are alternately laminated.例文帳に追加

ＴｉＡｌ金属間化合物をターゲットとし、不活性ガス及び酸素を導入しながらスパッタリングにより形成するＴｉ及びＡｌの酸化物膜と、ＭｇＦ__2 をターゲットとしスパッタリングにより形成するＭｇＦ_2 膜と、を交互に積層する。 - 特許庁

After the inner pressure of a chamber 31 is controlled to ≤1×10-6 Torr, sputtering discharge is started by using an aluminum target 34, supplying nitrogen gas to a sputtering gun 35 and injecting ions of the nitrogen gas to the target 34.例文帳に追加

チャンバ３１内の圧力を１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下とした後にターゲット３４をアルミニウムとし、窒素ガスをスパッタ用ガン３５に供給して窒素ガスのイオンをターゲット３４に向けて射出するスパッタ放電を開始する。 - 特許庁

In the vacuum sputtering mode type manufacturing method of a laminated ceramic capacitor (MLCC) comprising dielectric ceramic layers and inner-electrode layers, its dielectric ceramic layers and its inner-electrode layers are manufactured by a vacuum sputtering mode.例文帳に追加

本発明に係わる真空スパッタリング方式による誘電セラミック層及び内部電極層の積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）の製造法は、その誘電セラミック層及び内部電極層が真空スパッタリング方式で製造される。 - 特許庁

To provide a sputtering method, which reduces the number of samples made for confirming the relationship among film forming hours, film thickness and film resistance, and can reduce dummy substrates and man-hours for sample making, and provide a sputtering apparatus therefor.例文帳に追加

本発明の目的は、成膜時間と膜厚及び膜抵抗の関係を確認する際に作製するサンプル数を削減し、ダミー基板及び、サンプル作製工数を低減できるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can increase light transmittance to the near-infrared wavelength region of a transparent conductive film deposited on a light absorption film by a sputtering process for increasing the power generation efficiency of a solar cell.例文帳に追加

太陽電池の発電効率を高めるために光吸収膜の上にスパッタリング法で製膜される透明導電膜の近赤外波長域に至るまでの光透過率を高めることが可能なスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

Then, Ar gas is flown into the sputtering chamber and a first heat-resistant metal-silicon-nitrogen layer is adhered in a sputtering manner onto the substrate from the target of heat-resistant metal silicide or two targets of heat-resistant metal and silicon.例文帳に追加

次に、Ａｒガスがスパッタリング・チャンバ内に流し込まれ、耐熱金属ケイ化物のターゲットから、または耐熱金属及びケイ素の２つのターゲットから、第１の耐熱金属−ケイ素−窒素の層が基板上にスパッタ付着される。 - 特許庁

The layer of a first superconducting material is formed on the upper surface of the first dielectric layer of a substrate by dc reactive sputtering, and a second dielectric layer is formed on the upper surface of the first superconducting material by ion beam sputtering.例文帳に追加

基板となる第一誘電体層の上面に、直流反応性スパッタリングによって第一超伝導体層を形成し、その第一超伝導体層の上面に、イオンビームスパッタリングによって第二誘電体層を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor-film forming method, the semiconductor film is formed on the substrate by using catalyst CVD, high-density catalyst CVD, high-density plasma CVD, plasma CVD, reduced pressure CVD, atmospheric pressure CVD, sputtering or catalyst sputtering processes.例文帳に追加

本発明は、触媒ＣＶＤ，高密度触媒ＣＶＤ，高密度プラズマＣＶＤ，プラズマＣＶＤ，減圧ＣＶＤ，常圧ＣＶＤ，スパッタリング，触媒スパッタリングを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。 - 特許庁

Ar gas is then flown into the sputtering chamber to deposit by sputtering a first refractory metal-silicon-nitrogen layer 14 on the substrate from a refractory metal silicide target, or from two targets of a refractory metal and a silicon.例文帳に追加

次に、Ａｒガスがスパッタリング・チャンバ内に流し込まれ、耐熱金属ケイ化物のターゲットから、または耐熱金属及びケイ素の２つのターゲットから、第１の耐熱金属−ケイ素−窒素の層１４が基板上にスパッタ付着される。 - 特許庁

A monocrystalline silicon substrate is thermally oxidized to form a silicon oxide layer, a Ti close adhesion layer is formed on the silicon oxide layer by sputtering, and a Pt lower electrode layer is successively formed on the Ti close adhesion layer by sputtering.例文帳に追加

単結晶シリコン基板を熱酸化して酸化シリコン層を形成し、酸化シリコン層上にスパッタリング法によってTi密着層を形成し、引き続いて、Ti密着層上にスパッタリング法によってPt下部電極層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a Cu-Ga alloy sputtering target containing an alkali metal without using an elemental alkali metal which is difficult to handle, and a Cu-Ga alloy sputtering target obtained by the production method.例文帳に追加

取り扱いが困難なアルカリ金属単体を使用することなく、アルカリ金属を含有したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びこの製造方法により得られたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide an indium oxide-tin oxide powder capable of extending the service life of a target and obtaining a high-density sputtering target, a sputtering target using it, and a method of manufacturing the indium oxide-tin oxide powder.例文帳に追加

ターゲットのライフを伸ばすことができ、また、高密度なスパッタリングターゲットを得ることができる酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide sputter targets for sputtering silicon-containing films which can be used for solar cell production or other semiconductor devices, in particular semiconductor optical devices such as solar cells, displays and the like, to provide a method for manufacturing the same, and to provide a sputtering apparatus.例文帳に追加

太陽電池製造又は半導体装置、特に、太陽電池、ディスプレイ等のような半導体光装置のために使用できるシリコン含有膜をスパッタリングするためのスパッタターゲット、その製造方法及びスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering device which can form a high quality silicon based thin film inexpensively in safety at high speed, and to provide a sputtering method, and an electronic device such as a solar cell or a liquid crystal display (LCD) which is manufactured using the silicon thin film.例文帳に追加

高品質なシリコン系薄膜を高速かつ安全・安価に形成できるスパッタリング装置、スパッタリング方法および該シリコン薄膜を用いて作成した太陽電池や液晶表示装置（ＬＣＤ）等の電子デバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of raising an operation rate of the apparatus, by arranging a means for removing a film forming material deposited on a deposition shield and a substrate mask, and by extending a repairing cycle for the sputtering apparatus, and to provide a method.例文帳に追加

防着板や基板マスクへ付着する成膜材料を除去する手段を設け、スパッタリング装置の補修周期を高めることで、前記装置の稼働率を上げることが可能なスパッタリング装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

In a rectangular target having a side (a) and a side (b) with the aspect ratio (a):(b), where (a) is smaller than (b), grinding damages arranged in the direction substantially orthogonal to the side (b) are present in a sputtering surface and at least a sputtering surface of a cooling surface.例文帳に追加

ａ辺及びｂ辺を有してアスペクト比ａ：ｂである矩形ターゲットにおいて、ａ＜ｂであり、スパッタ面及び冷却面の少なくともスパッタ面に前記ｂ辺に略直交する方向に並んだ研磨傷を有する。 - 特許庁

The step for forming the interconnect 20 includes the formation of a first film 24 by sputtering at a temperature of 100°C or below, and formation of a second film 26 by sputtering at a temperature of 200°C or above following to formation of the first film 24.例文帳に追加

配線２０の形成工程は、１００℃以下の温度で行うスパッタリングによる第１の膜２４の形成と、第１の膜２４形成の後に２００℃以上の温度で行うスパッタリングによる第２の膜２６の形成と、を含む。 - 特許庁

To provide a sputtering system which can sufficiently suppress sputtering heat, suppresses a change in the quality of a film formed on a workpiece and surface roughness of a target in continuous film formation, and can form a stable film.例文帳に追加

スパッタ熱を充分に抑制することができ、連続膜形成における被処理体に形成される膜質の変化およびターゲットの表面荒れを抑制し、安定した膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the magneto-optical recording medium comprises grounding a substrate 260 to make a sputtering atom 250 fly so as to have the directivity vertical to the substrate, without applying an RF bias, accumulating the sputtering atoms on the substrate to form the prescribed underlaid or recording layer.例文帳に追加

基板２６０を接地し、スパッタ原子２５０を基板に対して垂直な指向性を有するように、ＲＦバイアスを印加することなく飛行させ、基板上にスパッタ原子を堆積して、所定の下地層や記録層を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of manufacturing an oxide semi-conductor film having excellent surface smoothness free from any abnormal film quality while suppressing abnormal discharge generated when depositing the oxide semi-conductor film by using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、膜質異常がなく、表面平滑性に優れた酸化物半導体膜を製造できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a packed high purity target in which neither stability nor long service life when starting the use in sputtering is degraded even when the target is stored and carried in a packed condition and taken out of the pack and used in sputtering.例文帳に追加

梱包した状態で保管・運搬し、その後梱包から取り出してスパッタリングに用いても、スパッタリングでの使用開始時の安定性も長寿命特性も劣化していない梱包された高純度ターゲットを提供すること。 - 特許庁

A sputtering operation is executed using a target with a predetermined amount of an Si embedded in a Ta substrate or with an SiO2 sintered.例文帳に追加

Ｔａ板に所定の量のＳｉを埋め込んだ又はＳｉＯ_2 を焼結したターゲットを用いてスパッタリングを行う。 - 特許庁

To provide a vacuum treatment apparatus which can continuously perform vacuum treatment such as CVD and sputtering on an article to be treated.例文帳に追加

本発明は、処理物にスパッタリング、ＣＶＤ等の真空処理が連続してできる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SPUTTERING TARGET AND CONDUCTIVE FILM USING IT, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM FORMED BY THE METHOD例文帳に追加

スパッタリングターゲット及びそれを利用した導電膜の製造方法及びその製造方法で成膜した透明導電膜 - 特許庁

TRANSLUCENT REFLECTIVE FILM AND REFLECTIVE FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET例文帳に追加

光情報記録媒体用半透過反射膜と反射膜、および光情報記録媒体ならびにスパッタリングターゲット - 特許庁

The device also has a Cu sputtering layer 8a and Cu plating layers 8b electrically connected to the input/output terminal 5.例文帳に追加

そして入出力端子５と電気的に接続されたＣｕスパッタ層８ａ及びＣｕめっき層８ｂを備えている。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system by which the thickness distribution of a thin film to be deposited on the substrate to be treated can be uniformized.例文帳に追加

被処理基板に形成される薄膜の膜厚分布を均一化することができるマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM, METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM BY USING THE SAME, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲット、それを用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体 - 特許庁

By the correction magnetic field MF, larger ions in the plasma flow P are made incident on the target 21, so as to increase a sputtering rate.例文帳に追加

補正磁場ＭＦにより、プラズマ流Ｐ中のより多くのイオンがターゲット２１に入射しスパッタ率を高める。 - 特許庁

The conductive layer 102 is constituted of a shapeless carbon layer which is formed by a sputtering method and whose thickness is 5 nm to 10 nm.例文帳に追加

導電層１０２は，スパッタ法により形成された５ｎｍ〜１０ｎｍの厚みの不定形炭素層から成る。 - 特許庁

The magnetic films 3 and nonmagnetic films 4 are formed in order on the nitride film 5 that has undergone the reverse sputtering treatment.例文帳に追加

そして、上記各磁性膜３及び非磁性膜４は、この逆スパッタリング処理後の窒化膜５上に順次形成される。 - 特許庁

A barrier metal 38 is formed by sputtering, by which Ti concentration in a TiW target reaches 10.5 wt.% or less.例文帳に追加

ＴｉＷターゲット中のＴｉ濃度が１０．５Ｗｔ％以下となるスパッタリングによってバリアメタル３８を形成する。 - 特許庁

Next, the tray 200 for carrying is again held to the substrate 100, and the 2nd metallic film 140 is formed by sputtering.例文帳に追加

次に、再度搬送用トレイ２００を基板１００に保持して第２金属膜１４０をスパッタリングにより成膜する。 - 特許庁

A positive electrode 9 of an ITO film is formed through sputtering method on the surface of the hole injection transport layer 8 in the atmosphere of Ar:O2 mixture gas.例文帳に追加

Ar:O_2 混合ガス雰囲気で正孔注入輸送層８の表面にITO 膜の陽極９をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

By the main rotation mechanism, a magnet mechanism 5 for forming sputtering electric discharge into magnetron discharge can be rotated integrally with the targets 30.例文帳に追加

主回転機構は、スパッタ放電をマグネトロン放電にする磁石機構５をターゲット３０とともに一体に回転させる。 - 特許庁

OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ITS MANUFACTURING METHOD, SPUTTERING TARGET, USAGE FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM, AND OPTICAL RECORDING APPARATUS例文帳に追加

光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置 - 特許庁

To provide a sputtering method forming a metallic thin film having a wide process window and also having resistance value lower than that of the conventional one.例文帳に追加

広いプロセスウインドウを有し、かつ従来より低い抵抗値を持つ金属薄膜を形成するスパッタリング法の提供。 - 特許庁

CrTi-BASED ALLOY AND SPUTTERING TARGET MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM USING THE SAME例文帳に追加

ＣｒＴｉ系合金およびスパッタリング用ターゲット材並びにそれらを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁

A thin film conducting layer 4 is formed on the whole of an insulative film 1 formed with holes 3 for contact holes by a sputtering method.例文帳に追加

導通孔用穴３が形成された絶縁性フィルム１にスパッタリングにて薄膜導体層４を形成する。 - 特許庁

A HfSiO film 104 is formed by sputtering a Hf metal film 103 on a SiO_2 film (or a SiON film) 102 on a Si wafer 101.例文帳に追加

Si基板101上のSiO_2膜（又はSiON膜）102上にHf金属膜103をスパッタし、それを熱酸化処理してHfSiO膜104を形成する。 - 特許庁

After pre-sputtering, a substrate is transported to a position facing to the target, and the film formation treatment on the substrate is started.例文帳に追加

そして、プレスパッタ後に、前記ターゲットに対向する位置に基板を搬送し、前記基板への成膜処理を開始する。 - 特許庁