「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目)

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sputteringを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 6532件

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例文

To provide a magnetic recording medium having a higher coercive force by enabling reactive sputtering having stable reproducibility even if oxygen addition is performed in formation of a magnetic film using oxygen added reactive sputtering and to provide a method of manufacturing the magnetic recording medium.例文帳に追加

酸素添加系反応性スパッタリングを用いた磁性膜の形成において、酸素添加を行なっても安定した再現性のある反応性スパッタリングを可能とし,より、高保磁力な磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The dielectric film for the amorphous phase change optical film is film-deposited on a substrate by a sputtering method using a film-deposition device provided with a sputtering power source so constituted that 50 to 400 kHz frequency overlapping with a DC can be applied to the target.例文帳に追加

該ターゲットに５０〜４００ｋＨｚの周波数をＤＣに重畳させて印加できるように構成されたスパッタ電源を備えた成膜装置を用いて、スパッタ法により、基板上に、非結晶の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises sputtering a Ti metal target with a pretreatment gas containing an inert gas and nitrogen gas in order to previously nitride the surface of a substrate, and then sputtering the Ti metal target with a reactant gas containing the inert gas and nitrogen gas to form the TiN film on the substrate.例文帳に追加

希ガスと窒素ガスとを含む反応ガスでＴｉメタルターゲットをスパッタして基板上にＴｉＮ膜を成膜する際、希ガスと窒素ガスとを含む前処理ガスで前記Ｔｉメタルターゲットをスパッタしてその表面を予め窒化させておく。 - 特許庁

The apparatus for forming a film through sputtering has the rotatably installed rotation drum and a substrate holder in a chamber, so as to form the film onto a substrate mounted on the substrate holder through sputtering a target in the chamber, while rotating the rotation drum.例文帳に追加

本発明にかかるスパッタ成膜装置は、チャンバー内に、回転可能に設けられた回転ドラムと基板ホルダを備え、回転ドラムを回転させながらチャンバー内でターゲットを用いて基板ホルダに取り付けられる基板にスパッタ成膜するものである。 - 特許庁

例文

To consistently provide a Cr-Mn alloy sputtering target manufactured by a powder sintering method for suppressing generation of micro-cracks present in a structure of the target to possibly cause abnormal discharge and dust generation during the sputtering.例文帳に追加

スパッタリング中に、異常放電や発塵の発生原因となり得るターゲット材の組織内に存在するマイクロクラックの発生を抑制した粉末焼結法によって作製されたＣｒ−Ｍｎ合金スパッタリング用ターゲット材を安定的に提供する。 - 特許庁

例文

To provide a sputtering target material for thin film deposition composed of an Ag alloy in which corrosion resistances, particularly halogen resistance, oxidation resistance and sulfidization resistance are improved while keeping high reflectance and also to provide a thin film deposited using the sputtering target material.例文帳に追加

高い反射率を維持しながら、耐食性、特に、耐ハロゲン性、耐酸化性、耐硫化性が改善されたＡｇ合金からなる薄膜形成用のスパッタリングターゲット材および該スパッタリングターゲット材を用いて形成された薄膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering target consisting of copper with purity ≥99.9999 wt% and a semiconductor element having a copper wire wired by using the sputtering target consisting of copper and having excellent oxidation resistance, electromigration resistance and stress-migration resistance.例文帳に追加

純度９９．９９９９重量％以上の銅からなるスパッタリングターゲット、及び銅を用いたスパッタリングターゲットを用いて配線された、耐酸化性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れた銅配線を持つ半導体素子を提供する。 - 特許庁

The method is provided with an ionizing means for ionizing the sputter particles evaporated from a target in an ionization space and controls the pressure in a sputtering chamber and the stagnation time of gas for sputtering electric discharge within the ionization space in depositing the ionized sputter particles.例文帳に追加

ターゲットから蒸発したスパッタ粒子をイオン化空間においてイオン化するイオン化手段を備え、イオン化したスパッタ粒子を堆積させるに際し、スパッタチャンバー内の圧力及びイオン化空間内でのスパッタ放電用ガスの滞留時間を制御する。 - 特許庁

To provide a sputtering cathode in which the region of a magnetic flux parallel to the face of a target is widen without increasing its scale, the utilizing effeiciency of the target is improved, and film formation can be executed at a high speed with high efficiency and high uniformity and to provide a sputtering system.例文帳に追加

カソードの大型化をせずに、ターゲット面に平行になる磁力線の領域を広くし、ターゲットの利用効率の向上、高効率に高い均一性をもって高速に成膜できるスパッタリングカソード及びスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

例文

The visible ray reflection film is constituted by successively laminating and forming the base coat 12, the silver sputtering layer 13, and a top coat l4 on a substrate film 11, wherein a base metal sputter layer 2 is disposed between the base coat 12 and the silver sputtering layer 13.例文帳に追加

基盤フィルム１１上にベースコート１２と銀スパッタ層１３とトップコート１４とを順次積層形成してなる可視光線反射フィルムであって、上記ベースコート１２と銀スパッタ層１３との間にはベース金属スパッタ層２を設けてなる。 - 特許庁

例文

To provide a high-strength barium-aluminum-based sputtering target of which the strength does not decrease even when having been left in the atmosphere for a long period of time, and which is used for a reactive sputtering method for forming an EL light-emitting layer of an inorganic EL device.例文帳に追加

無機ＥＬ素子のＥＬ発光層の形成において、反応性スパッタリング法に用いるバリウムアルミニウム系スパッタリングターゲットについて、大気中に長期間放置しても強度が低下することのない、高強度のスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus, with which the incidence of high energy particles such as negative ions on a film, a substrate or the like can be suppressed and the light loss can be suppressed when a film is deposited, and a good thin film can be deposited, and to provide a sputtering film deposition method.例文帳に追加

負イオン等の高エネルギー粒子が、成膜に際し膜あるいは基板等へ入射することを抑制し、光損失を抑えて良質な薄膜を形成することを可能とするスパッタ装置およびスパッタによる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus that increases a confinement effect for plasma and charged particles such as secondary electrons, which are formed between targets, into a space between the targets, without shortening distance between centers of a pair of the targets, and to provide a sputtering method.例文帳に追加

一対のターゲットの中心間距離を短くすることなく、ターゲット間に形成されるプラズマ及び二次電子等の荷電粒子のターゲット間への閉じ込め効果を大きくするスパッタ装置及びスパッタ方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a highly resistant transparent conductive film which can be basically used by a DC magnetron sputtering apparatus, and deposit a transparent and highly resistant film, a highly resistant transparent conductive film using the same; and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

基本的にはＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及びそれを用いた高抵抗透明導電膜並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an alloy material which maintains high reflectance, has enhanced weather resistance, is easily produced as the alloy and has stability and simplicity in a sputtering stage when used as a sputtering target and to provide a thin film and an optical recording medium.例文帳に追加

高反射率の維持、耐候性の改善、合金作製にあたっての製造容易さ、スパッタリングターゲットとして使用する場合のスパッタリング工程における安定性、簡易性を図った合金材及び薄膜、光学記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a reactive sputtering device which can maintain the uniformity of a film-forming speed and film quality by suppressing the contamination of a target, in the reactive sputtering device which forms a thin film on the surface of a long-length base material during transportation, and a method.例文帳に追加

搬送中の長尺基材表面に薄膜を生成する反応性スパッタリング装置において、ターゲット汚れを抑制し、成膜速度や膜質の均一性を長時間保てる反応性スパッタリング装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change type optical recording medium in which a maximum recording speed is high, play back error is reduced even recording within a wide recording line speed range, particularly the play back error in an inner peripheral portion is improved, a sputtering target and sputtering device for producing the same.例文帳に追加

最高記録線速が速く、広い記録線速範囲で記録する場合でも再生エラーが少なく、特に内周部での再生エラーが改善された相変化型光記録媒体とその製造用スパッタリングターゲット及びスパッタリング装置の提供。 - 特許庁

To provide an ITO(indium tin oxide) sputtering target capable of improving product yield by inhibiting the occurrence of nodules in an erosion region and simultaneously preventing the peeling of sticking matter adhering to a non-erosion region on an ITO target during sputtering.例文帳に追加

エロージョン部のノジュール発生を抑制すると同時に、スパッタリング中にＩＴＯターゲット上の非エロージョン部に付着した付着物質の剥離を防止することによって、製品の歩留まりを向上させるＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The windshield for the timepiece is formed with an oxide film by a sputtering process on a glass base material, in which the sputtering gas is a gaseous mixture composed of Ar and an element having an atomic radius smaller than atoms exclusive of oxygen constituting the oxide film.例文帳に追加

ガラス基材に酸化物膜がスパッタリング法で形成された時計用風防ガラスであり、そのスパッタリングガスが、前記酸化物膜を構成する酸素以外の原子よりも小さな原子半径の元素とＡｒの混合ガスであることを特徴とする。 - 特許庁

The parallel flat plate type magnetron sputtering device having a specific sticking prevention plate is provided to perform the manufacturing method for a solid electrolyte thin film, and the thin film solid lithium ion secondary battery having the solid electrolyte thin film obtained by the magnetron sputtering device is manufactured.例文帳に追加

この固体電解質薄膜の製造方法を実施するための、特定の防着板を備えた平行平板型マグネトロンスパッタ装置、及びこの装置を用いて得られた固体電解質薄膜を備えた薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 - 特許庁

To provide a method of producing a high purity ruthenium sputtering target which can be made large without generating cracks, and in which the generation of particles can be suppressed on film deposition where, e.g., an electrode for the capacitor of a semiconductor memory is formed, and to provide a sputtering target.例文帳に追加

クラックを発生させずに大型化でき、しかも半導体メモリーのキャパシタ用電極等を形成する製膜時にパーティクルの発生を抑えることができる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

To provide a sputtering system capable of suppressing degradation of the luminescent potential by capturing plasma charged particles made incident on a surface to be deposited of a substrate from the surface of a sputtering target when forming an upper transparent electrode, and a transparent conductive film deposition method.例文帳に追加

上部透明電極形成時、スパッタリングターゲット表面から基板被成膜面へ入射するプラズマ荷電粒子を捕捉して、発光ポテンシャル低下を抑制することが可能なスパッタリング装置及び透明電極形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a sputtering target for EL element manufacture and a sputtering target for EL element manufacture, capable of sufficiently reducing an O content in a light-emitting film, and yet capable of maintaining color purity of light of the EL element high.例文帳に追加

発光膜中のＯ含有量を十分に低減することができ、しかも、ＥＬ素子の発光の色純度を高く維持できるＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法及びＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A thin film 33 deposited by sputtering particles from the main target 21 is thick at the center of the film deposition face 12 and is thin at the edge parts, and sputtering particles from the auxiliary target 22 reach the thin parts in the thin film 33 with a large quantity.例文帳に追加

主ターゲット２１からのスパッタ粒子で成膜される薄膜３３は成膜面１２の中央で厚く、縁部分で薄くなるようになっており、該薄膜３３の薄い部分には補助ターゲット２２からのスパッタ粒子が多く到達する。 - 特許庁

This sputtering apparatus includes: a pair of sputtering evaporation sources 2 which have the rotatable cylindrical targets 13, and magnetic-field-generating members 14 that are installed inside the cylindrical targets 13 and are placed along a longitudinal direction thereof; and a sputtering power source 3 which supplies an electric power for discharge to both of the respective cylindrical targets 13 of the pair of the sputter evaporation sources 2 as cathodes.例文帳に追加

回転自在とされた円筒状ターゲット１３を有し、前記円筒状ターゲット１３の内側に設けられ、その長さ方向に沿って配置された磁場発生部材１４を有するスパッタ蒸発源２の一対と、前記一対のスパッタ蒸発源２のそれぞれの円筒状ターゲット１３を共にカソードとしてこれらに放電電力を供給するスパッタ電源３を備える。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor element having an oxide semiconductor thin film layer formed on a substrate by sputtering and containing zinc oxide as its main component, a sputtering gas containing oxygen is used and a biasing power is applied to the substrate upon formation of the oxide semiconductor thin film layer by sputtering.例文帳に追加

基板上に、スパッタリング法により成膜された酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を有する半導体素子の製法であって、前記スパッタリング法による前記酸化物半導体薄膜層の成膜において、酸素を含有したスパッタリングガスを用い、且つ、成膜時に前記基板にバイアス電力を印加することを特徴とする半導体素子の製法である。 - 特許庁

This layer is formed by sputtering at a substrate temperature of 200 °C higher or depositing through sputtering at a substrate temperature lower than 200 °C and heat treating at temperatures of 200 °C higher, or depositing through sputtering at a substrate temperature of 200 °C or higher and exposing the Ta film to a nitrogen plasma for nitrifying it.例文帳に追加

このバリア層は、基板温度２００℃以上の条件でスパッタリングにより形成されるか、または基板温度２００℃未満の条件でスパッタリングにより堆積した後に２００℃以上の温度で熱処理して形成されるか、または基板温度２００℃以上の条件でＴａ膜をスパッタリングにより堆積した後に該Ｔａ膜を窒素プラズマに晒して窒化して形成される。 - 特許庁

The sputtering apparatus is the one equipped with an electric source 2 that supplies an electric power to the plurality of sputtering vaporization sources 4, wherein the electric source 2 has direct current voltage generating mechanisms 6 of the number smaller than that of the sputtering vaporization sources 4 and is equipped with a pulse distribution means 7 that distributes pulses of the electric power from the direct-current voltage generating mechanisms 6.例文帳に追加