「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering apparatus that prevents a substrate from being improperly conveyed due to the adhesion of a clamp and the substrate caused by a sputtered film.例文帳に追加

スパッタ膜によるクランプと基板との癒着に起因する基板の搬送不良を防止することができるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a material which is suitable for use in a semiconductor such as a transistor and a diode etc. by using a sputtering method.例文帳に追加

本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供することを課題の一とする。 - 特許庁

To provide a high purity tantalum sputtering target which has a uniform fine structure, and provides stable plasma and a film having excellent uniformity.例文帳に追加

均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To securely and stably solve a trouble of remaining of a burr after lift-off, in a sputtering system on the premise of lift-off processing.例文帳に追加

リフトオフ加工を前提とするスパッタリング装置において、リフトオフ後にバリが残るという不具合を確実かつ安定的に解消する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus and method, capable of preventing the adhesion of sputter particles scattered from a target to other targets.例文帳に追加

ある１つのターゲットから飛散したスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを防止できるスパッタ装置及びスパッタ法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target that has high electric power resistance and enables deposition at a high deposition rate, and provide a method for manufacturing optical media.例文帳に追加

耐電力特性が高く、高い成膜速度での成膜が可能なスパッタリングターゲット及び光メディアの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, all the rear of the semiconductor board 1 is subjected to sputtering, patterned by the use of resist, and plated for formation of a wiring, and an insulating film 10 is formed.例文帳に追加

その後、裏面全面にをスパッタし、レジストを用いてパターニングしてメッキを施して配線を形成し、絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁

RECORDING FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND SPUTTERING TARGET USED TO FORM THE RECORDING FILM例文帳に追加

光情報記録媒体用記録膜および光情報記録媒体、並びに上記記録膜の形成に用いられるスパッタリングターゲット - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCTION OF DECORATIVELY PLATED ARTICLE BY UTILIZING THE IMPARTATION OF ELECTROCONDUCTIVITY TO RESIN BY SPUTTERING, AND HANGING JIG FOR FIXING OF RESIN MOLDING例文帳に追加

スパッタリングによる樹脂導電化を利用した装飾めっき品の製造方法及び樹脂成形品を固定する吊り掛け治具 - 特許庁

A metal thin film layer 16 is formed by sputtering on an outside surface of an outer cover 9 which contains the antenna of the device with a built-in-antenna.例文帳に追加

アンテナ内蔵装置のアンテナを収納するアウタカバー９の外側表面にスパッタリングによる金属薄膜層１６を形成する。 - 特許庁

In the high purity nickel or nickel alloy sputtering target, each content of oxygen and carbon is ≤20 wtppm.例文帳に追加

酸素、炭素の含有量がそれぞれ２０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁

The orientation layer 7 is formed by sputtering using a target which includes a lanthanum oxide, a nickel oxide and a silicon compound.例文帳に追加

前記配向層７は、ランタン酸化物とニッケル酸化物とシリコン化合物とを含むターゲットを用いてスパッタ法によって形成される。 - 特許庁

To provide an indium target capable of achieving a high sputtering rate while suppressing the occurrence of abnormal discharge, and to provide a method for production thereof.例文帳に追加

異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを維持することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, on the first platinum layer 81, a second platinum layer 82 is deposited, for example, by sputtering method at 250-500°C to 250-500 Å.例文帳に追加

更に第１白金層８１上に第２白金層８２を例えばスパッタリング法で２５０〜５００℃にて２５０〜５００オングストローム堆積する。 - 特許庁

In a magnetron SPUTTERING device 1, a double-pole electromagnet 11 functions as both the cathode of a power supply 5 and a magnetic source 6 at the same time.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ装置１において、２重磁極型電磁石１１は、電力源５の陰極と磁力源６とを兼ねている。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR PHASE CHANGE MEMORY, FILM FOR PHASE CHANGE MEMORY FORMED BY USING THE TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE TARGET例文帳に追加

相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜並びに同ターゲットの製造方法 - 特許庁

The sapphire substrate 10 is introduced into a reactive magnetron sputtering device to form an AlN film 12 into 75 to 125 Å thickness (Fig.1(b)).例文帳に追加

次に、サファイア基板１０を、反応性マグネトロンスパッタに導入し、厚さ７５〜１２５ÅのＡｌＮ膜１２を形成する（図１（ｂ））。 - 特許庁

The metal film is formed on the carrier surface by a sputtering method through magnetron discharge using an assist by a rotating magnetic field.例文帳に追加

また、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を、回転磁界によるアシストを用いたマグネトロン放電によるスパッタ法で行う。 - 特許庁

To inexpensively manufacture a metal powder of high quality suitable for such uses as a sputtering target material, a sintered capacitor, and a catalyst for a chemical industry.例文帳に追加

スパッタリングターゲット材、焼結コンデンサ、化学工業用触媒等に好適な金属粉末を、高品質かつ低コストにて製造する。 - 特許庁

SHEET HOLDING METHOD, DISK MANUFACTURING METHOD, SHEET HOLDING DEVICE, TRANSFER DEVICE, SPUTTERING DEVICE, SPIN COAT DEVICE, 2P TRANSFER DEVICE, AND DISK MANUFACTURING DEVICE例文帳に追加

シート保持方法、ディスク製造方法、シート保持装置、転写装置、スパッタ装置、スピンコート装置、２Ｐ転写装置及びディスク製造装置 - 特許庁

Harmonic ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma is generated by introducing plasma source gas and microwave and applying the mirror magnetic field to perform the sputtering.例文帳に追加

プラズマソースガスを導入するとともに、マイクロ波導入とミラー磁場印加により、ハーモニックＥＣＲプラズマを発生させてスパッタリングを行なう。 - 特許庁

In particular, on the surface of the DLC film, a composite film composed of a titanium oxide film formed by coating by a sputtering method is formed.例文帳に追加

特に、ＤＬＣ膜の表面にスパッタリング法によってコーティングにより成膜された酸化チタン膜からなる複合薄膜を形成する。 - 特許庁

To improve the single crystallinity in the wide-area domain direction of an obtained LaB_6 thin film when the LaB_6 thin film is deposited by magnetron sputtering.例文帳に追加

ＬａＢ_6薄膜をマグネトロンスパッタリングで成膜するに際し、得られるＬａＢ_6薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。 - 特許庁

To provide a sputtering system with a function, capable of reducing maintenance time accompanying collimator exchange, and capable of improving the efficiency of production.例文帳に追加

コリメーター交換に伴うメンテナンス時間減少や生産効率の向上が可能な機能を備えたスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

A sputtering device can be obtained with one chamber only by changing the film forming conditions, so that it is possible to obtain improvement of manufacturing efficiency and cost reduction.例文帳に追加

スパッタ装置は、１チャンバーで成膜条件を変えるのみで実現できるため、製造効率の向上やコストダウンを実現できる。 - 特許庁

A back pressure of the sputtering film formation is lower than 1×10^-5 Pa, and an annealing temperature of the annealing processing is 100 to 300°C.例文帳に追加

スパッタ成膜における背圧は１×１０^−５Ｐａ未満とし、アニール処理におけるアニール温度を１００℃以上、３００℃以下とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a titanium-containing sputtering target capable of reducing the occurrence number of abnormal discharge caused by lattice defects.例文帳に追加

格子欠陥に起因する異常放電の発生回数を低減できるチタン含有スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

A substrate 100 is held by a tray 200 for carrying, and an insulating film 110 and a 1st metallic film 120 are formed by sputtering.例文帳に追加

基板１００を搬送用トレイ２００で保持して絶縁膜１１０および第１金属膜１２０をスパッタリングにて成膜する。 - 特許庁

To provide a sputtering system where the necessity of fasteners such as bolts for fixing a target can be obviated and also the possibility of falling of the target can be removed.例文帳に追加

ターゲットの固定に、ボルト等の締結具が不要で、かつ、このターゲットの脱落の可能性がないスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

Before sputtering a first target T1, a surface of a substrate S is irradiated with a plasma using Ar to wash the surface of the substrate S.例文帳に追加

第１ターゲットＴ１をスパッタする前に、Ａｒを用いたプラズマを基板Ｓの表面に照射し、基板Ｓの表面を洗浄した。 - 特許庁

The sputtering target comprises titanium and zirconium substantially and has a Zr/(Zr+Ti) ratio of 5-50 atom%.例文帳に追加

実質的にチタンおよびジルコニウムからなり、Ｚｒ/（Ｚｒ＋Ｔｉ）の比率が５〜５０原子％であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

Even if a second electrode layer 26 is formed on the surface of the second charge injection layer 25 by sputtering method, light-emitting efficiency is not reduced.例文帳に追加

この第二の電荷注入層２５の表面にスパッタリング法で第二の電極層２６を形成しても、発光効率は低下しない。 - 特許庁

Thus, the thin film can be deposited without using a sputtering system even in the case of the gaseous starting material having weak surface adsorption power.例文帳に追加

これにより、表面吸着力の弱い原料ガスであっても、スパッタ装置を用いることなく薄膜を堆積させることができる。 - 特許庁

As a result, a disk-like plasma is formed in the SE plasma space 7, and the entire surface of the substrate 2 is uniformly etched by sputtering.例文帳に追加

その結果、ＳＥプラズマ空間７には円盤状のプラズマが形成され、基板２の表面全体が均一にスパッタエッチングされる。 - 特許庁

Then, an Sr_XRu_YO_3 film 27 having a thickness of about 20 nm and an amorphous state is formed on the IrO_Y film 26 by a sputtering method.例文帳に追加

次に、ＩｒＯ_Y膜２６上にスパッタ法により厚さが２０ｎｍ程度でアモルファス状態のＳｒ_XＲｕ_YＯ_3膜２７を形成する。 - 特許庁

To stably deposit a thin film on a substrate by a sputtering process without damaging a target material.例文帳に追加

スパッタリング方法を用いて基板に薄膜を形成するにあたり、ターゲット材料を損なうことなく、基板上に安定して被膜を形成する。 - 特許庁

To provide an ITO transparent electroconductive thin film which can be crystallized by annealing at a low temperature in a short time after film deposition by sputtering.例文帳に追加

スパッタリング成膜後、低温短時間のアニールにより結晶化させることができるＩＴＯ透明導電薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a material suitable for the use in semiconductor such as a transistor or a diode by a sputtering method.例文帳に追加

本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供することを課題の一とする。 - 特許庁

Sputtering particles to be sputtered from the front side of the target 32 are deposited on the substrate 34 to deposit the metal layer on the substrate 34.例文帳に追加

基板３４上にターゲット３２の前面からスパッタリングされるスパッタ粒子を積層し、基板３４上に金属層を形成する。 - 特許庁

SUPERCONDUCTIVITY MAGNETIC FIELD GENERATOR, ITS EXCITATION METHOD, SPUTTERING DEPOSITING EQUIPMENT USING THE SUPERCONDUCTIVITY MAGNETIC FIELD GENERATOR, AND FERROMAGNETIC MEMBER ATTACHMENT AND DETACHMENT HOLDER例文帳に追加

超電導磁場発生装置、その励磁方法、超電導磁場発生装置を用いたスパッタリング成膜装置、強磁性体着脱治具 - 特許庁

To provide a sputtering target of cobalt having uniform orientation and uniform magnetic properties over the center and a periphery, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

配向性及び中心部と周辺部とで均一な磁気特性を持ったスパッタリング用コバルトターゲット及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The sputtering target has a composition consisting essentially of titanium containing nitrogen in amounts of 30 ppm to 1 wt.% and/or titanium nitride and inevitable impurities.例文帳に追加

実質的に窒素を 30ppm〜 1重量% の範囲で含むチタンおよび／または窒化チタンおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

Co atoms 31, Pt atoms 32 and SiO_2 molecules 33 are poured onto the surface of a substrate 21 mounted on a sputtering device.例文帳に追加

スパッタリング装置に装着された基板２１の表面には、Ｃｏ原子３１、Ｐｔ原子３２およびＳｉＯ_2 分子３３が降り注がれる。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering reactor capable of ionizing 15% or more of the metal atoms sputtered from a target.例文帳に追加

本発明は、ターゲットからスパッタされる金属原子の１５％またはそれ以上をイオン化することができるマグネトロンスパッタリアクターを提供する。 - 特許庁

Then, a collector electrode 9 is formed on the reverse surface of the semiconductor substrate 1 by sequentially laminating aluminum silicon and nickel by vapor deposition or sputtering.例文帳に追加

次いで、半導体基板１の裏面に、アルミニウムシリコン、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、コレクタ電極９を形成する。 - 特許庁