「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(66ページ目) - Weblio英語例文検索

The sputtering target consists of a compound expressed by InGaZnO_4 as a principal component and contains positive quadrivalent or higher valency metal elements.例文帳に追加

ＩｎＧａＺｎＯ_４で表される化合物を主成分とし、正四価以上の金属元素を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system free from the leakage of cooling water for cooling a cathode even if being provided with a mechanism for rotating a permanent magnet.例文帳に追加

永久磁石を回転させる機構を備えても、カソードを冷却する冷却水漏れのないマグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

Further, an AlRu sputtering target as a sintered compact comprising 95 vol.% or more of an AlRu intermetallic compound is prepared.例文帳に追加

また、９５ｖｏｌ．％以上のＡｌＲｕ金属間化合物からなる焼結体であるＡｌＲｕスパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

A sputtering target is formed of high-purity Ta which contains 0.1 to 2 at.% nitrogen and high-purity TaN or high-purity TaN.例文帳に追加

0.1〜2at%の範囲の窒素を含有する高純度Ｔａおよび高純度ＴａＮ、あるいは高純度ＴａＮからなるスパッタターゲットである。 - 特許庁

Preferably, the anode catalyst layer 28 is manufactured by sputtering so that using amount of platinum may become 0.02 mg/cm^2 or less.例文帳に追加

好ましくは、アノード触媒層２８は、白金使用量が０．０２ｍｇ／ｃｍ^２以下となるようにスパッタリングにより作製される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROLYTE LAYER OF HIGH PERFORMANCE SOLID OXIDE FUEL CELL MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY (SOFC-MEA) BY SPUTTERING METHOD例文帳に追加

スパッタリング法による高性能固体酸化物形燃料電池膜電極接合体（ＳＯＦＣ−ＭＥＡ）の電解質層の製造方法。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID ELECTROLYTE THIN FILM, PARALLEL FLAT-PLATE TYPE MAGNETRON SPUTTERING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR THIN-FILM SOLID LITHIUM ION SECONDARY BATTERY例文帳に追加

固体電解質薄膜の製造方法、平行平板型マグネトロンスパッタ装置、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法 - 特許庁

To provide a sputtering target which has a coercivity value between 1,000 Oersted and 4,000 Oersted, and is suitable for obtaining a magnetic recording medium of low noise.例文帳に追加

１０００〜４０００エルステッドの間の保磁力値を持ち、低ノイズの磁気記録媒体を得るためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the case of depositing the SiO_2 film by the sputtering method, SiO_2 can reach the substrate in the state of molecules at a nearly ordinary temperature.例文帳に追加

スパッタ法によってＳｉＯ_2膜を堆積する場合、ほぼ常温でＳｉＯ_2分子の状態で基板上に到達させることができる。 - 特許庁

A metal target composing the metal composition and an oxide target composing the oxide are formed at the same time by sputtering.例文帳に追加

前記金属組成物を構成する金属ターゲットと、前記酸化物を構成する酸化物ターゲットとを同時にスパッタリングして形成した。 - 特許庁

TFT SUBSTRATE, SPUTTERING TARGET, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, PIXEL ELECTRODE, TRANSPARENT ELECTRODE, AND MANUFACTURING METHOD FOR TFT SUBSTRATE例文帳に追加

ＴＦＴ基板及びスパッタリングターゲット及び液晶表示装置及び画素電極及び透明電極及びＴＦＴ基板の製造方法 - 特許庁

To efficiently deposit good-quality barrier membranes by inhibiting an abnormal discharge in a method for depositing the membranes by sputtering.例文帳に追加

スパッタリングによりバリヤー膜を成膜する方法において、異常放電を防止し、良質な膜を効率良く成膜できるようにする。 - 特許庁

A substrate for forming a thin film such as metal on the surface can be obtained by using such means as high-vacuum metal deposition, sputtering, and ion plating.例文帳に追加

真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の手段を用いて、表面に金属等の薄膜を形成した基板を得ることができる。 - 特許庁

Then, the flow rate ratio of nitrogen gas to argon gas is raised, and the same sputtering process is carried out, by which a titanium nitride film 4 is formed.例文帳に追加

次に、アルゴンガスに対する窒素ガスの流量比を上げて同様のスパッタリングを行うことにより、窒化チタン膜４を形成する。 - 特許庁

To provide a deposition method and a re-sputtering method capable of suppressing overhang of a frontage of a trench and/or a hole.例文帳に追加

トレンチおよび／またはホールの間口のオーバーハングを抑制することができる成膜方法およびリスパッタリング方法を提供すること。 - 特許庁

The amorphous carbon film 42 is formed by an ECR sputtering method so as to cover the indented face 411 of the stainless steel 41.例文帳に追加

そして、非晶質炭素膜４２は、ステンレス鋼４１の凹凸面４１１を覆うようにＥＣＲスパッタリング法により形成される。 - 特許庁

The p-type ZnO semiconductor film can be easily manufactured by sputtering in ultra-high vacuum of about 1×10^-7 Torr.例文帳に追加

１×１０^−７Ｔｏｒｒ程度の超高真空でスパッタリングすることにより、ｐ型のＺｎＯ半導体膜を容易に製造できる。 - 特許庁

Thereafter, aluminium atoms are deposited on the substantially entire surface of the silicon substrate 1 by sputtering to form an aluminium thin film 16 (Fig.(c)).例文帳に追加

その後、シリコン基板１のほぼ全面に、スパッタ法により、アルミニウム原子が堆積されてアルミニウム薄膜１６が形成される（図２（ｃ））。 - 特許庁

BACK-SURFACE ELECTRODE FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN-FILM SOLAR BATTERY, SOLAR BATTERY, AND SPUTTERING TARGET FOR MANUFACTURING THE BACK-SURFACE ELECTRODE例文帳に追加

化合物半導体薄膜太陽電池用裏面電極および太陽電池、並びに上記裏面電極を製造するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

PARALLEL FLAT PLATE TYPE MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS, METHOD FOR PRODUCING SOLID ELECTROLYTE THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM SOLID LITHIUM ION SECONDARY BATTERY例文帳に追加

平行平板型マグネトロンスパッタ装置、固体電解質薄膜の製造方法、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法 - 特許庁

HIGH PURITY VANADIUM, TARGET COMPOSED OF VANADIUM, THIN FILM OF VANADIUM, METHOD OF PRODUCING VANADIUM, AND METHOD OF PRODUCING SPUTTERING TARGET OF VANADIUM例文帳に追加

高純度バナジウム、同バナジウムからなるターゲット、同バナジウム薄膜、同バナジウムの製造方法及び同バナジウムスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

To provide a corona discharge device which enables to suppress sputtering and deterioration of a performance while simplifying a structure of the device.例文帳に追加

装置の構造を簡単化させながら、スパッタリングの発生や性能の劣化を抑制することが可能なコロナ放電装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming method by gas-flow sputtering, which can form a metallic compound film having an adequate crystallinity, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

、結晶性の良好な金属化合物薄膜を成膜することができるガスフロースパッタリング成膜方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Regarding the sputtering system, the inside of a vacuum tank 1 is provided with a target 2, and a substrate holder 10 is fitted so as to be confronted with the target 2.例文帳に追加

スパッタリング装置は、真空槽１内にターゲット２を有し、ターゲット２に対向するように基板ホルダ１０が取り付けられている。 - 特許庁

To provide a sputtering device of a rotary arm system in which the exhaustion, cleaning or maintenance in a vacuum vessel are easy, and carrying troubles are seldom.例文帳に追加

真空容器内の排気、掃除あるいはメンテナンスが容易であり、搬送トラブルが少ない回転アーム方式のスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

For the thin film formation method, a sputtering method, a vacuum evaporation method, a CVD method, a laser ablation method, or the like may be used.例文帳に追加

薄膜形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、レーザアブレーション法などの方法を用いることができる。 - 特許庁

The negative and positive voltage are switched alternately, and the sputtering step is repeated between in a center and in an edge.例文帳に追加

マイナス電圧部とプラス電圧部とは、交互に起こり、中心部集中スパッタリングステップと端部集中スパッタリングステップのサイクルを繰り返す。 - 特許庁

REDDISH ORANGE FLUORESCENT MATERIAL AND VAPOR DEPOSITION PELLET, TARGET FOR SPUTTERING, DISPLAY AND LED CHIP PRODUCED BY USING THE SAME例文帳に追加

赤橙色蛍光体及びその赤橙色蛍光体を用いて得られる蒸着用ペレット、スパッタリング用ターゲット、ディスプレイ、ＬＥＤチップ - 特許庁

To improve the single crystallinity in a wide area domain direction of an LaB_6 thin film obtained in the case of depositing the LaB_6 thin film by sputtering.例文帳に追加

ＬａＢ_6薄膜をスパッタリングで成膜するに際し、得られるＬａＢ_6薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。 - 特許庁

To provide a sintered Ru target material which is suppressive in the occurrence of nodules (projections) at the time of sputtering and can be stably supplied.例文帳に追加

スパッタリングの際にノジュール（突起物）が発生するのを抑制した安定供給可能な焼結Ｒｕターゲット材を提供する。 - 特許庁

At the start of 2011, however, the world economy began to slow again due to the deepening sovereign debt crisis in Europe and a sputtering recovery of the U.S. economy.例文帳に追加

しかし2011年に入り、欧州債務問題の深刻化、米国の景気回復の陰り等により、世界経済は再び減速した。 - 経済産業省

The sputtering apparatus for depositing the film on a substrate by arranging a cathode 21 provided with at least one target 22 so as to face the substrate 12, and sputtering the target on the basis of reactive sputtering, has a central gas-introduction mechanism for making the reactive gas supplied from a reactive gas feeding device 23 flow outward from the central part of a cathode unit 14 along the surface of the target 22.例文帳に追加

少なくとも１つのターゲット２２を備えたカソード２１を基板１２に対向させ、反応性スパッタリングに基づいてターゲットをスパッタして基板に膜を堆積させるスパッタリング装置であり、反応性ガス供給装置２３から供給される反応性ガスをカソードユニット１４の中央部からターゲット２２の表面に沿って外方へ流す中央ガス導入機構を設けるように構成される。 - 特許庁

To prevent the cooling capability of a target 1 from being more lowered due to that a backing plate 2 to support/cool the target is expanded and warped to form a gap at its center part caused by the temperature rising together with the target 1 by temporarily exceeding its cooling capability by the sputtering of large electric power supply in a sputtering source of a magnetron type sputtering system.例文帳に追加

本発明は、マグネトロン型スパッタリング装置のスパッタ源において、ターゲット１及びこれを支えかつ冷却する目的のバッキングプレート２が、大電力供給によるスパッタリングで一時的にバッキングプレートの冷却能力を超えて、ターゲットと共に温度上昇して膨張し、中央部分が反りかえって間隙６を作り、ターゲットの冷却能力が更に低下するのを防ぐことを目的とする。 - 特許庁

The method of the present invention comprises a target production step S21 for producing a target for sputtering, which contains photocatalytic apatite, a sputtering step S22 for forming a photocatalytic apatite film on a substrate by a sputtering method using the target, and a burning step S23 for burning the photocatalytic apatite so as to improve the photocatalytic activity of the photocatalytic apatite film formed on the substrate.例文帳に追加

本発明の方法は、光触媒アパタイトを含む、スパッタリング用のターゲットを作製するためのターゲット作製工程Ｓ２１と、ターゲットを用いたスパッタリング法により、基材に対して光触媒アパタイトを成膜するためのスパッタリング工程Ｓ２２と、基材に成膜された光触媒アパタイトの光触媒活性が向上するように当該光触媒アパタイトを焼成するための焼成工程Ｓ２３とを含む。 - 特許庁

The sputtering mechanism 88 has an outer mask 508 masking the peripheral outer part of the substrate 202 to a sputtering treatment to the substrate 202 and the diameter of a lower part opening 524 of the outer mask 508 is slightly smaller than the outside diameter of the substrate 202.例文帳に追加

即ち、スパッタ機構８８は、前記基板２０２に対するスパッタ処理に対して前記基板２０２の外周部分をマスクするアウターマスク５０８を有し、前記アウターマスク５０８の下部開口５２４の径が、前記基板２０２の外径よりも僅かに小に設定されて構成されている。 - 特許庁

The film forming method by sputtering which forms a film on a substrate by introducing a sputtering gas in a film forming room, includes forming a reflection layer having a predetermined reflectivity on the above substrate, by adjusting a H2O partial pressure in the atmosphere in the above film forming room to a predetermined condition.例文帳に追加

成膜室内にスパッタリングガスを導入して基板上に膜を成膜するスパッタリングによる成膜方法において、前記成膜室内における雰囲気中のＨ_2Ｏ分圧を所定の条件に調整することによって、所定の反射率を有する反射層を前記基板上に成膜する。 - 特許庁

In a method for producing an ITO thin film by a sputtering method using an ITO target obtained by joining an ITO sintered body substantially consisting of indium, tin and oxygen and a backing plate by solder, the side part of the solder layer is separated from a region in which plasma is present at the time of sputtering.例文帳に追加

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるＩＴＯ焼結体とバッキングプレートとを半田により接合してなるＩＴＯターゲットを用いてスパッタリング法によりＩＴＯ薄膜を製造する方法において、半田層の側面部が、スパッタリング時にプラズマが存在する領域と隔てられている。 - 特許庁

A titanium layer 4 is formed on the surface of an alumina board 2 through sputtering method, a platinum thin film 6 is formed on the titanium layer 4 through sputtering method, and then the platinum thin film 6 is regulated or increased in its temperature coefficient of resistance by annealing for the formation of a platinum thin-film resistor.例文帳に追加

アルミナ基板２の表面上にスパッタリングによるチタン層４の形成を行い、チタン層４上にスパッタリングによる白金薄膜６の形成を行った後に、白金薄膜６の抵抗温度係数を調整あるいは増大させるアニールを行って白金薄膜抵抗体を製造する。 - 特許庁

In the target used for a magnetron sputtering apparatus, a backing plate 12 made of a CoCr alloy that is a material having a flux permeability higher than that of the target plate 11 is joined to a side opposite to the sputtering surface of the target plate 11 composed of Co base sintering alloy containing Cr and Pt.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置に用いられるターゲットであって、Ｃｒ及びＰｔを含むＣｏ基焼結合金により構成されたターゲット板１１のスパッタ面とは反対側に、該ターゲット板１１よりも磁束透過率の高い材料である、ＣｏＣｒ合金からなる裏当て板１２を接合した。 - 特許庁

The method of fabricating a sputtering target comprises the steps of preparing a rapidly solidified masteralloy comprising Co-Cr-B, ball milling the masteralloy with Pt powder to mechanically alloy Pt to the master alloy and performing HIP'ing to densify the resultant alloy to form the sputtering target.例文帳に追加

本製造方法は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂからなる急冷凝固母合金を生成し、この母合金とＰｔ粉末をボールミルにより機械的に合金化し、ＨＩＰ処理を行って機械的に合金化されたスパッタリングターゲットを緻密にすることにより、スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

The apparatus for manufacturing the optical disk includes: a sputtering device 1 for forming a recording film M through sputtering a substrate P having a center hole; a spin-coating device 3 for spreading a resin R on the recording film M through spin-coating the recording film M; and a sticking device 4 for sticking a film F having a center hole, onto the resin R.例文帳に追加

中心穴を有する基板Ｐにスパッタリングにより記録膜Ｍを形成するスパッタリング装置１と、記録膜Ｍ上に樹脂Ｒをスピンコートにより展延させるスピンコート装置３と、中心穴を有するフィルムＦを樹脂Ｒに貼付する貼付装置４とを有する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which changes little with time and is suitable for arbitrarily forming a protective layer having a stable film quality, and to provide a high-density optical recording medium superior in reliability, reflectivity, recording sensitivity and recording characteristics (such as SDR, jitter, PRSNR, and error rate) with the use of the sputtering target.例文帳に追加

経時変化が少なく、安定した膜質を有する保護層を任意に形成するのに適したスパッタリングターゲット、及び、そのスパッタリングターゲットを用いた信頼性、反射率、記録感度、記録特性（ＳＤＲ、ジッタ、ＰＲＳＮＲ、エラー率等）に優れた高密度光記録媒体の提供。 - 特許庁

The conductor layer 3 is composed of a first sputtered layer 31 formed by sputtering copper on the upper surface of the film 2 at a temperature of 150-280°C and a second sputtered layer 32 formed by sputtering copper on the upper surface of the first sputtered layer 31 at a temperature of -20°C to 150°C.例文帳に追加

導体層３は，ポリイミドフィルム２の上面に，１５０〜２８０℃の温度下で銅をスパッタリングすることにより形成した第１スパッタ層３１と，第１スパッタ層３１の上面に，−２０〜１５０℃の温度下で銅をスパッタリングすることにより形成した第２スパッタ層３２とからなる。 - 特許庁

In the reactive sputtering method that uses the metal target, a magnet 205 is arranged on a non-film-forming surface side of a substrate 203 to be processed, and film-forming particles are guided by capturing target particles scattered due to sputtering action with magnetic fields, thereby uniformizing the film thickness distribution of the substrate 203.例文帳に追加

金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法において、被処理基板２０３の非成膜面側に磁石２０５を配置し、スパッタ作用により飛散されたターゲット粒子を磁界によって捕らえることで成膜粒子を導くことにより、被処理基板２０３の膜厚分布を均一化する。 - 特許庁

The carrying mechanism 20 comprises at least three loaders 21-23 capable of holding the base board in an attachable/ detachable manner and a rotating unit 24 for rotating the loaders, and the sputtering film-deposited base board can be taken out of another loader substantially simultaneously with the fitting of the base board before the sputtering film is deposition to the loader.例文帳に追加

搬送機構２０は、基体を着脱可能に保持する３以上のローダ２１〜２３と、ローダを回転させる回転部２４とを有し、ローダへのスパッタリング成膜前の基体の装着とほぼ同時に別のローダからのスパッタリング成膜後の基体の取り出しができる。 - 特許庁