「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

The colored layer composed of a colored ceramic compound, such as SiC, TaN, etc., is formed on the surface of the sintered AlN compact by a sputtering method.例文帳に追加

ＳｉＣやＴａＮ等の有色のセラミック化合物からなる着色層をＡｌＮ焼結体の表面にスパッタリング法によって形成する。 - 特許庁

REFLECTION FILM AND TRANSLUCENT REFLECTION FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND SPUTTERING TARGET FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加

光情報記録媒体用反射膜と半透過反射膜、および光情報記録媒体ならびに光情報記録媒体用スパッタリングターゲット - 特許庁

The sputtering apparatus 1 is provided with a sputtered particle control board 16 for controlling sputtered particles arranged between a target 3 and a shutter 15.例文帳に追加

本発明のスパッタ装置１は、ターゲット３とシャッタ１５の間に、スパッタ粒子を制御するためのスパッタ粒子制御板１６が配置されている。 - 特許庁

To provide a DC or DC-pulse sputtering system capable of increasing the film deposition rate and enhancing the uniformity of the film thickness distribution.例文帳に追加

成膜速度を上げ、かつ、膜厚分布の均一性を向上させることができるＤＣ又はＤＣパルススパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

Further, since this titanium material is used for sputtering target, it is desirable that the purity of the material to be forged is ≥99.98% excluding gas impurities.例文帳に追加

また、スパッタリングターゲットに用いられるため、被鍛造材の純度はガス不純物を除いて９９．９８％以上とするのが望ましい。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium having a stable amorphous base film while controlling generation of particles during sputtering on a non magnetic substrate.例文帳に追加

非磁性基板に対して、スパッタ中にパーティクルの発生を抑制しつつ、安定したアモルファス下地膜を有する磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

After the mask is removed, an NdBa2Cu3O7-y film is formed on the insulating protection film 12 by a sputtering method as a second superconductor.例文帳に追加

次に、マスクを除去した後、スパッタ法により、絶縁保護膜１２上に第２の超電導体膜として、ＮｄＢａ_2 Ｃｕ_3 Ｏ_7-y 膜を形成する。 - 特許庁

This glass is formed by coating the surface of a glass substrate with an Si film consisting of 100 wt.% Si component deposited by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板表面に、スパッタリング法により成膜されたＳｉ成分が１００重量％よりなるＳｉ膜が被覆されてなること。 - 特許庁

ZnS-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM, ZnS-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE PHOSPHOR THIN FILM, AND sputtering TARGET MATERIAL FOR FORMING THEM例文帳に追加

ＺｎＳ系透明導電性薄膜、ＺｎＳ系透明導電性蛍光体薄膜、および、この薄膜の成膜用のスパッタリングターゲット材料 - 特許庁

The sputtering target has a composition containing 1 to 20 mass% Ti and 1 to 40 mass% Cu, and the balance substantially Ni.例文帳に追加

Ｔｉを１〜２０質量％、Ｃｕを１〜４０質量％含み、残部が実質的にＮｉである組成を有するスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

To deposit a film having a desired composition ratio by suppressing the composition reduction of an element being apt to be reversely sputtered by a sputtering method using plasma.例文帳に追加

プラズマを用いるスパッタリング法により、逆スパッタされやすい元素の組成減少を抑制して所望の組成比を有する膜を成膜する。 - 特許庁

A coating layer 21 formed of an element identical to a material becoming an electron emission source is previously arranged on a negative electrode 11 of a sputtering device.例文帳に追加

スパッタリング装置の陰極１１上に、電子放出源となる材料と同じ元素によって構成された被覆層２１が配置しておく。 - 特許庁

The second dielectric layer 13 is formed by reactive sputtering in a gaseous mixture atmosphere composed of Ar gas, O_2 gas and N_2 gas.例文帳に追加

第２誘電体層１３は、Ａｒガス、Ｏ_2ガス及びＮ_2ガスからなる混合ガス雰囲気中において、反応性スパッタリングにより成膜する。 - 特許庁

The oxide semiconductor film 15 is deposited using a DC sputtering method and DC power for deposition is set according to a carrier density D.例文帳に追加

酸化物半導体膜１５を、ＤＣスパッタ法を用いて成膜すると共に、その際のＤＣパワーをキャリア密度Ｄに応じて設定する。 - 特許庁

ZnS-SiO2 SPUTTERING TARGET AND OPTICAL RECORDING MEDIUM FORMED WITH ZnS-SiO2 PHASE TRANSITION TYPE OPTICAL DISK PROTECTIVE FILM USING THIS TARGET例文帳に追加

ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用してＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体 - 特許庁

A fluorescent material film PH in the vicinity of external electrodes ED1, ED2, where sputtering of sealed in mercury HG most easily takes place, is removed.例文帳に追加

封入された水銀ＨＧのスパッタが最も起こり易い外部電極ＥＤ１，ＥＤ２近傍における蛍光体膜ＰＨを除去した。 - 特許庁

In a coating B(b) process, a metal coat 12 of Au is formed on the resin thin film 11 with sputtering or deposition.例文帳に追加

次に、コーティングＢ（ｂ）工程において、樹脂薄膜１１上に、スパッタリングまたは蒸着によりＡｕなどの金属被膜１２を形成する。 - 特許庁

Continuously, tungsten in which a content of fluorine is 10 ppm or less is used as a target by use of a sputtering method to form a tungsten film 14.例文帳に追加

続いて、スパッタリング法を用いて、ターゲットとして弗素の含有量が１０ｐｐｍ以下のタングステンを使用し、タングステン膜１４を形成する。 - 特許庁

The wiring layer 34 is formed by a coherent sputtering method, and processing processes performed after forming the wiring layer 34 are performed at temperatures not higher than 350°C.例文帳に追加

上記導電層３４をコヒーレントスパッタリング法により形成し、導電層３４形成後の処理工程を３５０℃以下の温度で行う。 - 特許庁

To develop a small high magnetic field magnetron giving a coverage sufficient for promoting deep positive hole filling and the continuous self- sputtering of copper.例文帳に追加

深い正孔充填及び銅の持続自己スパッタリングを促進させるのに十分なカバレージを与える小さな高磁場マグネトロンを開発する。 - 特許庁

A shading layer 12 made of a shading film 12a and an oxidation preventing film 12b formed by sputtering is formed on the second surface 11b of the substrate 11.例文帳に追加

基板１１の第２面１１ｂには、スパッタ法で遮光膜１２ａ及び酸化防止膜１２ｂからなる遮光層１２が形成されている。 - 特許庁

The damaged layer such as a layer having a lattice defect is formed in the cut end face of the thin sample piece 30 by the sputtering- etching with a gallium ion beam.例文帳に追加

薄片試料（３０）の切削端面にはガリウムイオンビームによるスパッタエッチングによって格子欠陥等のダメージ層が形成されている。 - 特許庁

A thin film of ITO is formed on the surface of a transparent substrate 1 by deposition or sputtering to form a transparent electrode (anode) 2.例文帳に追加

透明基板１の表面に、ＩＴＯ薄膜を蒸着やスパッタリングなどの方法により製膜し、透明電極（陽極）２を形成する。 - 特許庁

One embodiment includes a sputtering system with a power coupler configured to deliver power to a rotatable target.例文帳に追加

一実施形態は、回転可能なターゲットに電力を伝送するように構成された電力結合器を有する高電力スパッタリングシステムを含む。 - 特許庁

On the base board the metal electrode is formed directly by vacuum evaporation process, PVD, CVD, MOCVD method such as sputtering, or by plating.例文帳に追加

金属電極は、真空蒸着法、スパッタリング等のＰＶＤ、ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、メッキなどの方法で、絶縁基板上に直接形成される。 - 特許庁

The Cu alloy sputtering target includes: 25-53 mass% of Ce oxide; and a remainder including Cu and an inevitable impurities.例文帳に追加

本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットである。 - 特許庁

To inhibit the remarkable lowering of the yield factor of a Bi amount in a thin film formed with the use of an Ag-Bi alloy sputtering target.例文帳に追加

Ａｇ−Ｂｉ系合金スパッタリングターゲットを使用して形成される薄膜中のＢｉ量の歩留まりの著しい低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus which inhibits a substrate from receiving a damage due to γ electrons, recoil Ar ions and the like, while improving the efficiency of use of a target.例文帳に追加

ターゲットの使用効率を高めながら、γ電子、反跳Ａｒイオンなどによる基板へのダメージを抑えたマグネトロンスパッタリング装置の提供。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE SINTERED COMPACT, METHODS FOR MANUFACTURING OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, OXIDE THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

酸化物焼結体の製造方法、酸化物焼結体、スパッタリングタ−ゲット、酸化物薄膜、薄膜トランジスタの製造方法及び半導体装置 - 特許庁

WIRING AND ELECTRODE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY FREE FROM OCCURRENCE OF THERMAL DEFECT AND HAVING EXCELLENT ADHESIVENESS, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THOSE例文帳に追加

熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

The obtained die stock for forming is formed into a required shape by a working method such as ion milling and ion sputtering to obtain a die for forming.例文帳に追加

得られた成形用金型素材をイオンミリング、イオンスパッタリングなどの加工方法にて所要形状に成形して成形用金型を得る。 - 特許庁

This sputtering target comprises 10-30 mol% silicon dioxide, 0.5-30 mol% indium oxide and the balance zinc chalcogenide.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０モル％、酸化インジウム：０．５〜３０モル％を含有し、残部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする。 - 特許庁

The (a) layer is made of an oxide of indium and tin, and these thin film layers are formed by a technique of vacuum deposition, ion plating, sputtering or the like.例文帳に追加

前記（ａ）層はインジウムとスズとの酸化物からなり、これらの薄膜層は真空蒸着、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の手法による。 - 特許庁

To provide a silver alloy having characteristics of superior corrosion resistance, high reflectance, low electric resistance and superior heat resistance, and to provide a sputtering target.例文帳に追加

優れた耐食性、高い反射率、電気的に低抵抗及び優れた耐熱性の特性を有する銀合金、スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The semi-transmissive film 2 is formed by sputtering a chromium target in a gaseous mixture atmosphere of 50% argon and 50% carbon dioxide gas.例文帳に追加

半透過膜２は、アルゴン５０％、炭酸ガス５０％の混合ガス雰囲気中でクロム製のターゲットをスパッタすることにより作成されている。 - 特許庁

It is preferable to form the photocatalyst film by a transparent film and a photocatalyst layer formed on the surface of the transparent film by sputtering.例文帳に追加

上記光触媒フィルムは、透明基板と該透明基板の表面にスパッタリングにより形成した光触媒層とよりなることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for production of an indium target capable of favorably inhibiting the occurrence of abnormal discharge when sputtering, and to provide the indium target.例文帳に追加

スパッタ時の異常放電の発生を良好に抑制することが可能なインジウムターゲットの製造方法及びインジウムターゲットを提供する。 - 特許庁

W-Ti DIFFUSION-PREVENTING FILM HAVING HIGH ETCHING RATE, AND W-Ti TARGET FOR SPUTTERING FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

エッチングレートの高いＷ−Ｔｉ拡散防止膜およびそのＷ−Ｔｉ拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用Ｗ−Ｔｉターゲット - 特許庁

To provide an ion generation thick-film substrate which can improve efficiency of resistance to sputtering against ion collisions, and an electronic printing device using the same.例文帳に追加

イオン衝突に対する耐スパッタ性能を改善できるイオン発生厚膜基板とこれを用いた電子式印刷装置を提供すること。 - 特許庁

A fluorescent material film PH in the vicinity of external electrodes ED1, ED2, where sputtering of sealed in mercury HG most easily takes place, is removed.例文帳に追加

封入された水銀ＡＧのスパッタが最も起こり易い外部電極ＥＤ１，ＥＤ２近傍における蛍光体膜ＰＨを除去した。 - 特許庁

Sputtering is simultaneously performed from three or more targets 1 to 3 arranged in a concentrically circular way to deposit a film- deposited body having an objective composition.例文帳に追加

同心円的に配置された３つ以上のターゲット１〜３から同時にスパッタリングして、目的とする組成を有する成膜体を形成する。 - 特許庁

An alumina coating having a crystalline structure is beforehand formed by a sol-gel method and thereon formed is an alumina crystalline film using a sputtering method.例文帳に追加

あらかじめゾル−ゲル法により結晶構造のアルミナコーティングを形成し、その上にスパッタリング法を用いてアルミナ結晶膜を形成する。 - 特許庁

(3) The sputtering target, as described in either (1) or (2), contains Bi, Fe and O and contains a compound with oxygen less than in a stoichiometric composition.例文帳に追加

（３）Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含み、化学量論組成よりも酸素が少ない化合物を含む（１）から（２）のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The metal part is formed by sputtering or depositing metal materials from outside the package or heat melting the metal materials.例文帳に追加

金属部は、パッケージの外側から金属材料をスパッタ又は蒸着させ、又は金属材料を加熱溶融させることにより形成される。 - 特許庁

This undercut works as a pixel separation structure and carries out the pixel separation in the self-aligning way in sputtering the upper part electrode 13 of the electron source.例文帳に追加

このアンダーカットは、電子源の上部電極１３をスパッタする際に、画素分離構造として働き、自己整合的に画素分離を行う。 - 特許庁