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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > sputteringの意味・解説 > sputteringに関連した英語例文

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sputteringを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 6532



例文

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for forming a barrier film having tantalum as a main component by sputtering while suppressing damages of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜の損傷を抑えながらタンタルを主成分とするバリア膜をスパッタによって成膜する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The carbon content of each part of the sputtering target consisting mainly of Al is set to be within ±70% to the average value of the carbon content of the entire target.例文帳に追加

Alを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の炭素量をターゲット全体の炭素量の平均値に対して±70%以内とする。 - 特許庁

The standard sample can be prepared by generating metal contamination having a known concentration, for example, by utilizing re-adhering phenomenon in sputtering.例文帳に追加

標準試料は、例えばスパッタリングにおける再付着現象を利用して既知の濃度の金属汚染を生じさせることにより作製することができる。 - 特許庁

To provide a backing plate capable of solving a problem of insufficient cooling without bonding whole surface of a target material with indium, a target device, and a sputtering apparatus.例文帳に追加

ターゲット材料をインジウムで全面接着することなく、冷却不足を解消できるバッキングプレート、ターゲット装置及びスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

例文

The sputtering device 100 includes: a substrate holder 400; a target holding member 220; a power supply (not shown) for generating the plasma 700; and an ion irradiation part 300.例文帳に追加

このスパッタ装置100は、基板ホルダ400、ターゲット保持部材220、プラズマ700を発生させる電源(不図示)、イオン照射部300と、を備える。 - 特許庁


例文

To provide a discharge lamp lighting device capable of shortening glow-arc transition time at the start-up and reducing blackening due to sputtering.例文帳に追加

始動時のグロー・アーク転移時間を短縮するとともに、スパッタリングによる黒化の少ない放電ランプ点灯装置及びこれを用いた照明装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device for reaction sputtering where discharge voltage for plasma is fed to a cathode, and a working gas and a reaction gas are introduced into a sputter chamber.例文帳に追加

プラズマ用の放電電圧がカソードに供給され、作用ガスおよび反応ガスがスパッタ・チャンバ内に導入される反応スパッタリング用デバイスを提供する。 - 特許庁

Further, in the sputtering target composed substantially of Si, the content of oxygen is controlled to the range of 0.01 to 1 mass%, and Vickers hardness is controlled to the range of 300 to 800 Hv as well.例文帳に追加

さらに、Siから実質的になるスパッタリングターゲットは、酸素含有量が0.01〜1質量%の範囲、またビッカース硬さがHv300〜800の範囲とされている。 - 特許庁

The molding die having the shape of the very small optical waveguide can be obtained at low cost by the method for forming a molding die by using the sputtering system.例文帳に追加

またスパッタ装置を用いた成形型の作製方法によると、微細な光導波路の形状をもつ成形型を低コストで得ることができる。 - 特許庁

例文

This mirror 10 is formed with an Ag film 2 and a Cu film 3 on the rear face 1A of a glass substrate 1 by a sputtering method and the corrosion prevention coating film 4 is formed thereon.例文帳に追加

ガラス基板1の裏面1Aにスパッタリング法によりAg膜2及びCu膜3を形成し、この上に防食塗膜4を形成した鏡10。 - 特許庁

例文

To provide a discharge lamp and a back light device having high efficiency and a long serve life, by eliminating the problem caused by sputtering of an electrode member and a lead wire.例文帳に追加

電極部材やリード線のスパッタリングに起因する問題を解消し、高効率で長寿命の放電ランプおよびバックライト装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method for improving the adhesion between a thin film and a plastic film when depositing the thin film onto the plastic film by sputtering.例文帳に追加

プラスチックフィルム上にスパッタリングで薄膜を形成する際、薄膜とフィルムとの密着性を向上させるための成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a high-strength zinc oxide sintered compact not generating a crack when manufacturing and sputtering a target, and to provide a high-resistance zinc oxide thin film.例文帳に追加

ターゲットの製造時およびスパッタリング時に割れを生じることのない高強度な酸化亜鉛焼結体および高抵抗な酸化亜鉛薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a sputtering target capable of joining a backing plate increased in size with a target member with excellent quality and high efficiency.例文帳に追加

大形化したバッキングプレートとターゲット部材との接合を、高品質で、かつ高能率に行うことが可能なスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

The granular magnetic thin film can be, for example, a sputtered film formed by sputtering or an evaporated film formed by evaporation.例文帳に追加

グラニュラー磁性薄膜は、例えば、スパッタ法により形成されたスパッタ膜であっても良いし、蒸着法により形成された蒸着膜であっても良い。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target, which consists of a Cu-Ga alloy and is suppressive in occurrence of cracking, cracking or chipping, with excellent productivity.例文帳に追加

生産性よく、ヒビが入ったり、割れたり、欠けたりすることの抑制されたCu−Ga合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, in forming a barrier metal film 4 by sputtering, the barrier metal film can be certainly formed on a side wall of the wiring groove 3a, and plating of a copper film 5 can be formed without causing a void.例文帳に追加

スパッタでバリアメタル膜4を形成する際に配線用溝3aの側壁にも確実に形成でき、銅膜5のメッキをボイドなしに形成できる。 - 特許庁

The inside of a vacuum vessel 12 of the sputtering system 10 is partitioned into a space 24 inside a differential pressure shield 26 and a space 40 other than that.例文帳に追加

本発明に係るスパッタリング装置10の真空槽12内は、差圧シールド26内の空間24と、それ以外の空間40とに、隔離されている。 - 特許庁

Furthermore, it is preferable that the solid electrolyte 26 be manufactured by a high-frequency sputtering method, by using a powder of lithium phosphate of β phase as a target.例文帳に追加

また、固体電解質26は、β相のリン酸リチウムの粉体をターゲットとして高周波スパッタリング法により作製されていることが好ましい。 - 特許庁

In an indium metal target having a tetragonal crystal structure, the sputtering surface of the target is mainly oriented in the (101) plane.例文帳に追加

結晶構造が正方晶であるインジウムメタルターゲットであって、該ターゲットのスパッタ面が101が主配向であることを特徴とするインジウムメタルターゲット。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a spark plug which prevents occurrence of sputtering, a blow hole and a crack in laser welding between an electrode chip and an electrode base material.例文帳に追加

電極チップと電極基材とのレーザ溶接において、スパッタやブローホール、クラックの発生を抑制できるスパークプラグの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an in-line sputtering apparatus capable of executing the target cleaning before starting the production (film deposition) without using any dummy substrate, and enhancing the productivity.例文帳に追加

生産(成膜)開始前のターゲットクリーニングを、ダミー基板を使用することなく実施できる、生産性を向上させたインラインスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, it is preferable that the solid electrolyte 26 be manufactured by a high-frequency sputtering method, by using a mixed powder of lithium phosphate and lithium oxide as a target.例文帳に追加

また、固体電解質26は、リン酸リチウム及び酸化リチウムの混合粉体をターゲットとして高周波スパッタリング法により作製されていることが好ましい。 - 特許庁

To form a thin film on an oxide semiconductor film by a sputtering method while suppressing plasma damage on the oxide semiconductor film with high film in-plane uniformity.例文帳に追加

スパッタ法により、酸化物半導体膜上に薄膜を成膜する際に、酸化物半導体膜のプラズマダメージを膜面内均一性良く抑制して成膜する。 - 特許庁

The Al-based alloy sputtering target contains 0.0010-0.4 mass% of Fe and 0.0010-0.50 mass% of Si.例文帳に追加

本発明のAl基合金スパッタリングターゲットは、Feを0.0010〜0.4質量%と、Siを0.0010〜0.50質量%含有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of improving uniformity of a metal catalyst deposited on a substrate at an extremely low concentration without reducing process efficiency.例文帳に追加

工程効率の低下なしに、基板に極低濃度に蒸着される金属触媒の均一度を向上することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

By this, an insulating film excellent in insulation characteristic can be formed at a high film forming rate by a sputtering method.例文帳に追加

したがって、上記成膜方法によれば、スパッタリング法によって絶縁特性に優れた絶縁膜を高い成膜レートで成膜することが可能となる。 - 特許庁

In the sputtering system, places for setting a collimator are provided to a sputter chamber and a transfer chamber, respectively, to make movement of the collimator between the chambers possible.例文帳に追加

スパッタリング装置において、スパッタチャンバーと搬送チャンバーにおのおのコリメーターを設置する場所を備えてチャンバー間でコリメーターを移動可能とする。 - 特許庁

This sputtering apparatus is equipped with a vacuum-chamber (21) and a target (31) laid out in this vacuum-chamber, wherein this target is composed of a material to be vacuum-deposited on the working piece.例文帳に追加

本装置は、真空チャンバ(21)と、真空チャンバ内に配置されたターゲット(31)とを備え、ターゲットは、加工片上に蒸着する材料からなる。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system using an inexpensive magnetic field forming part with a simple structure, and to provide a film deposition method using the same.例文帳に追加

安価でかつ簡易な構造の磁界形成部を用いたマグネトロンスパッタリング装置及びそれを用いた成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an SnO_2-based sintered target which reduces a film stress in an absolute value of a film formed by sputtering and hardly causes the exfoliation of the film from a peripheral structure of a sputter cathode.例文帳に追加

スパッタ膜の膜応力を絶対値で小さくし、スパッタカソードの周辺構造物からの膜剥離が少ないSnO_2系焼結体ターゲットの提供。 - 特許庁

The joining face of a sputtering target is thermally sprayed with one or two layers of thermal spraying material of a metal or an alloy so as to control the thickness of each layer to the range of 0.01 to 2 mm.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの接合面に金属あるいは合金の溶射材を一層あるいは二層、各層の厚さは0.01〜2mmの範囲で溶射する。 - 特許庁

To prevent a short-circuit between terminals due to sputtering produced during welding of a lead wire and the terminals, in an injector in which the lead wire is held by a holding member.例文帳に追加

保持部材によりリード線を保持するインジェクタにおいて、リード線とターミナルを溶接する際に発生するスパッタによるターミナル間の短絡を防止する。 - 特許庁

To provide a commercially applicable metal sputtering target which has a refined and homogenized secondary phase and crystal particles of a smaller size.例文帳に追加

商業上の適用が可能な、微細化され均質化された二次相と共により小さなサイズの結晶粒を有する金属スパッタリング・ターゲットを提供すること。 - 特許庁

The content of oxygen in each part of a sputtering target essentially consisting of Ta is controlled to ±20% to the average value of the oxygen content in the whole of the target.例文帳に追加

Taを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の酸素量をターゲット全体の酸素量の平均値に対して±20%以内とする。 - 特許庁

The content of carbon in each part of the sputtering target essentially consisting of Ta is controlled to ±70% to the average value of the carbon content in the whole of the target.例文帳に追加

Taを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の炭素量をターゲット全体の炭素量の平均値に対して±70%以内とする。 - 特許庁

To provide a method and a device of sputtering suitable for forming a film with small internal stress, especially suitable for forming a film on a large sized substrate.例文帳に追加

内部応力の少ない膜を成膜するのに適し、特に大型基板の成膜に適するスパッタリング方法とその装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The DLC film 1 is formed by plasma polymerization of hydrocarbon gas or a mixture gas of hydrocarbons and argon or by sputtering of carbon and graphite.例文帳に追加

DLC膜1は、炭化水素ガスあるいは炭化水素とアルゴンの混合ガスのプラズマ重合、あるいはカーボン、グラファイトのスパッタリングによって形成する。 - 特許庁

The sputtering target contains indium, tin, zinc and oxygen, and includes a hexagonal layered compound, a spinel structure compound and a bixbyite structure compound.例文帳に追加

インジウム、錫、亜鉛、酸素を含有し、六方晶層状化合物、スピネル構造化合物及びビックスバイト構造化合物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The uniform carbon protective film 4 can be formed on a magnetic layer 3 by the ECR sputtering method though the protective film 4 is extremely thin and has ≤5 nm thickness.例文帳に追加

ECRスパッタ法を用いると、5nm以下の極薄でありながら均一な炭素保護膜4を磁性層3上に形成することができる。 - 特許庁

To provide a technique for high-temperature reflow sputtering capable of thoroughly embedding metal material in a hole even when the substrate is heated at a lower temperature.例文帳に追加

より低い温度で基板を加熱した場合でも金属材料を十分にホールに埋め込むことができる高温リフロースパッタリングの技術を提供する。 - 特許庁

Further, by executing the sputtering with one target in a poison mode and the other target in a metal mode, a compound consisting of the reactive product and the metal is film-deposited.例文帳に追加

また、一方のターゲットをポイズンモードとし、他のターゲットをメタルモードとしてスパッタリングを行うことで、反応生成物と金属からなる化合物が成膜される。 - 特許庁

OPTICAL RECORDING MEDIUM WITH PHASE-CHANGE TYPE OPTICAL DISK PROTECTIVE FILM COMPOSED ESSENTIALLY OF ZINC SULFIDE FORMED BY USING SPUTTERING TARGET COMPOSED ESSENTIALLY OF ZINC SULFIDE例文帳に追加

硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体 - 特許庁

To provide a sputtering device capable of efficiently manufacturing a heat-resistant resin film with metal base layers on both surfaces thereof excelling in flatness and productivity.例文帳に追加

平面性に優れ且つ生産性にも優れる両面金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムを効率よく製造できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

This method can eliminate an oxide film 13 in an impurity metal, in the seed film 4 formed on the wiring material film 5 by the re-sputtering or the like.例文帳に追加

リスパッタリングによって配線材料膜5上に形成されたシード膜4中の不純物金属の酸化膜13を除去することができる。 - 特許庁

To provide high purity metal Mo coarse powder suitably used as raw material powder for manufacturing a high purity metal Mo sintered target for sputtering.例文帳に追加

スパッタリング用高純度金属Mo焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適した高純度金属Mo粗粒粉末を提供する。 - 特許庁

To realize excellent heat transfer between a seating face of a storage plate support and the storage plate during coating with a sputtering source in a vacuum installation.例文帳に追加

真空設備でのスパッタリングソースによる被覆中に、記憶プレート支持体の台座面と記憶プレートとの間にとりわけ良好な熱伝達を生じさせる。 - 特許庁

A square magnetron is placed at the back of a square target to intensify a plasma in a sputter reactor for sputtering the target material onto a square panel.例文帳に追加

四角形パネル上にターゲット物質をスパッタリングするためのスパッタリアクタ内で、プラズマを増強するための四角形ターゲットの背面に四角形のマグネトロンを載置する。 - 特許庁

To obtain the distribution of film thickness and the uniformity of the film thickness to be required at the time of forming a film on a substrate in a sputtering method and a device therefor.例文帳に追加

スパッタリング方法およびその装置において、基板を成膜する際、必要とする膜厚分布および膜厚均一性を得ることを目的とする。 - 特許庁

例文

First, the Al_2O_3 layer 102, AlO_xN_ylayer 103, and AlN layer 104 are formed, for example, with the sputtering method on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

まず、サファイア基板101の上に、例えばスパッタ法により、Al_2O_3層102、AlO_xN_y層103、AlN層104が形成された状態とする。 - 特許庁




  
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