「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering device capable of reducing the deviation of the position of a substrate before and after film formation and also capable of eliminating the use of a numerical control robot.例文帳に追加

成膜前後の基板位置ずれを低減することができ、数値制御ロボットの使用も排除可能なスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To form an adequate film without formation of non-eroded part and generation of particles therefrom, even with the use of a thick target, in magnetron sputtering equipment.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ装置において、厚いターゲットを用いても非エロージョン部の発生とそれに伴うパーティクルの生成がない、良好な成膜を行う。 - 特許庁

To provide an alloy containing a multi-component oxide which is used for a sputter target, and capable of depositing a thin film by the sputtering.例文帳に追加

スパッタターゲットに使用することができ、スパッタして薄膜を形成することができる、多重成分の酸化物を含有する合金を提供する。 - 特許庁

The magnetic recording medium is obtained by forming a magnetite thin film on the base body by the sputtering method and subjecting the magnetite thin film to sputtering treatment successively in a sputtering chamber in an excess oxygen atmosphere to form the maghemite thin film.例文帳に追加

基体と該基体上に形成されたマグヘマイト薄膜とからなる磁気記録媒体において、前記マグヘマイト薄膜の膜厚が７〜５０ｎｍであり、その表面の中心線平均粗さＲａが０．１〜１．０ｎｍであって、保磁力角型比Ｓ^＊値が０．５０以上である磁気記録媒体は、スパッタ法によって基体上にマグネタイト薄膜を形成した後、引き続きスパッタ室内において該マグネタイト薄膜を酸素過剰雰囲気下でスパッタ処理してマグヘマイト薄膜にして得ることができる。 - 特許庁

A plating resist is exposed to vacuum to be reduced, to form a circuit by sputtering with a kind of metal resistive to an etching liquid as a metal protecting film 5.例文帳に追加

めっきレジストを真空下に曝し収縮させ、エッチング液に耐性のある金属種を金属保護膜５としてスパッタリングによって形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering device which can shorten the maintenance time, realize high productivity, reduce production of particles by suppress film peeling, and improve the yield.例文帳に追加

メンテナンス時間を短くし、高い生産性を実現し、膜剥がれを抑制してパーティクルの発生を低減し、歩留まりを向上したスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

Difference in magnetic permeability in the ferromagnetic sputter target guides the passage of the magnetic flux flow from the target, and increases the leakage flux on the target sputtering surface.例文帳に追加

強磁性スパッターターゲットにおける透磁率の差は、ターゲットより磁束流れの通路を案内してターゲットスパッターリング表面で漏れ磁束を増大させる。 - 特許庁

After formation of the gate insulating film, the substrate is subjected to a sputtering process to form a barrier metal film of TiN and then to the CVD process to form a tungsten film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を形成した後、スパッタ法によってＴｉＮからなるバリアメタル膜を形成し、ＣＶＤ法によってタングステン膜を形成する。 - 特許庁

The sputtering target for oxide film formation comprises at least one element selected from the group consisting of Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, Al, Y, Si, Mg and Ca.例文帳に追加

Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｙ、Ｓｉ、ＭｇおよびＣａから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化膜形成用スパッタリングターゲットである。 - 特許庁

To provide a method for forming an optical thin film in which a film low in a refractive index and free from absorption in ultraviolet and visible regions is formed by a sputtering method.例文帳に追加

低い屈折率で紫外および可視域で吸収のない膜をスパッタリング法によって形成する光学薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering target has a component composition that contains 20-40 at% of Ga and 0.1-3 at% of Sb, with the balance comprising Cu and unavoidable impurities.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、Ｇａ：２０〜４０ａｔ％、Ｓｂ：０．１〜３ａｔ％、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。 - 特許庁

In the method, the Si substrate is etched by using at least one of a metal oxide film and a metal nitride film formed by an ECR sputtering method as a mask.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法により成膜した金属酸化膜および金属窒化膜の少なくとも一方をマスクに用いてＳｉ基板をエッチングする方法。 - 特許庁

And since the lower core layer 8 is formed by sputtering, the material excellent in soft magnetic characteristics can be used and the recording in high frequency is possible.例文帳に追加

またスパッタにより下部コア層８を形成しているため、軟磁性特性の優れた材料を使用でき、高い周波数での記録が可能となる。 - 特許庁

To provide a sputtering target which has excellent machinability and is capable of forming a compound film that mainly contains Cu and Ga, and a method for producing same.例文帳に追加

機械加工性に優れ、主としてＣｕ，Ｇａを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The content of oxygen in each part of a sputtering target essentially consisting of Mn is controlled to ±20% to the average value of the content of oxygen in the whole of the target.例文帳に追加

Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の酸素量をターゲット全体の酸素量の平均値に対して±２０％以内とする。 - 特許庁

The content of carbon in each part of a sputtering target essentially consisting of Mn is controlled to ±70% to the average value of the content of carbon in the whole of the target.例文帳に追加

Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の炭素量をターゲット全体の炭素量の平均値に対して±７０％以内とする。 - 特許庁

To provide a positioning device for positioning a substrate so as to be properly mounted on a substrate holder by using a vacuum robot in a sputtering apparatus.例文帳に追加

本発明は、スパッタ装置の真空ロボットにより基板を基板ホルダに取付ける際の位置調整を行う位置調整装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

By manufacturing the magnetic disk in the steps of sputtering, tape burnishing, lubricant applying, and tape burnishing, highly reliable magnetic transfer is achieved.例文帳に追加

スパッタ、テープバーニッシュ、潤滑剤、テープバーニッシュの工程によって磁気ディスクを製造することにより、信頼性の高い磁気転写を実現することができる。 - 特許庁

To provide a technique for high temperature reflow sputtering technique capable of sufficiently filling a metallic material into a hole even in the case a substrate is heated at a lower temperature.例文帳に追加

より低い温度で基板を加熱した場合でも金属材料を十分にホールに埋め込むことができる高温リフロースパッタリングの技術を提供する。 - 特許庁

To protect an operator in a high voltage electrical installation industry, etc., who works in the neighborhood of an arc source, from an arc and the sputtering and ultraviolet radiation caused by the arc, etc.例文帳に追加

アーク源の近くで作業を行う高圧電気工事業者等の作業者を、アークやそれに伴うスパッタ或いは紫外線等から保護する。 - 特許庁

To provide an intermediate of an electronic element material enabling productivity to be increased while reducing damage to a substrate during formation of a functional layer through sputtering.例文帳に追加

スパッタリングによる機能層の形成時における損傷を軽減しつつ生産性を向上し得る電子素子材料の中間体を提供する。 - 特許庁

The protected substrate is formed by carrying out a substrate cleaning step, a carbon particle sputtering step, a diamond-like carbon layer depositing step and a surface layer removing step.例文帳に追加

かかる保護基板は、基板洗浄工程、炭素粒子スパッタ工程、ダイヤモンドライクカーボン層形成工程及び表面層除去工程を経て形成される。 - 特許庁

A conductive coating film is formed on the surface of a substrate 2 consisting of insulating material by such vapor deposition as CVD, PVD and a sputtering method.例文帳に追加

絶縁性材料からなる基材２の表面にＣＶＤ法や、ＰＶＤ法、スパッタリングなどの蒸着法によって導電性被膜を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering film deposition system where the generation of cross contamination between targets caused by target materials or the like stuck to a shutter plate can be prevented.例文帳に追加

シャッタ板に付着するターゲット物質等に起因してターゲット間にクロスコンタミネーションが生じることを防止できるスパッタリング成膜装置を提供する。 - 特許庁

To increase the ratio of the sputtering ionization of a non-SSS material and thereby to promote the filling of a deep hole by a pedestal of an external bias or a self-bias.例文帳に追加

非ＳＳＳ材料のスパッタリングイオン化の割合を増大させ、これにより外部バイアスあるいはセルフバイアスのぺデスタルによって深いホール充填を促進する。 - 特許庁

To improve the uniformity in the film thickness of a film deposited on a substrate by reducing variation in the film thickness caused by the rotation of the substrate and the rotation of a magnet as for a sputtering method.例文帳に追加

基板回転と磁石回転による膜厚バラツキを減少し、基板に堆積する膜の膜厚均一性を向上することを目的としている。 - 特許庁

To provide a superconducting magnetic field generator advantageous to adjusting the distribution of a strong magnetic field from a superconductor, and to provide a sputtering film forming apparatus.例文帳に追加

超電導体から出る強い磁場の分布を調整するのに有利な超電導磁場発生装置及びスパッタリング成膜装置を提供する。 - 特許庁

One of a plurality of treatment chambers airtightly connected to the circumference of a separation chamber 1 is a sputtering chamber 4, and two stage film deposition is performed.例文帳に追加

セパレーションチャンバー１の周囲に気密に接続された複数の処理チャンバーのうちの一つはスパッタチャンバー４であり、二段階成膜が行われる。 - 特許庁

To form a film composed of compounds of a material which is different from a substrate by a reactive sputtering method on the surface of the substrate in a state of a better film quality.例文帳に追加

基体（基板）とは異なる材料の化合物からなる膜を、より膜質の良い状態で、基体表面に反応性スパッタ法で形成する - 特許庁

Foreign matters stuck at the time of forming the laminated constitution by a sputtering method are removed to reduce the number of foreign matters stuck to the surface to 20 or smaller per cm^2.例文帳に追加

スパッタリング法により積層構成を形成した際に付着した異物を除去して、該面の異物付着数を２０個／ｃｍ^2以下とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electroluminescent device in which an electrode layer is formed without applying a vapor deposition method or a sputtering method to an organic layer.例文帳に追加

有機層に対して蒸着法やスパッタ法を施すことなく電極層を形成するようにしたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR MANUFACTURING Ni-W-P,Zr-BASED INTERMEDIATE LAYER FILM IN PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND THIN FILM MANUFACTURED BY USING THE TARGET MATERIAL例文帳に追加

垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 - 特許庁

A surface protection layer 18 made of an inorganic compound is laminated on the anode 16 by a sputtering process with a plasma-supporting magnetron sputter of an inductive coupling type.例文帳に追加

陽極１６の上に無機化合物からなる表面保護層１８を誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタでスパッタ処理により積層する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can keep a stable sputtering rate, without having to reduce productivity in the deep digging processes of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の深掘り加工プロセスにおいて、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering target T has a predetermined outer shape which has a slope T2 formed on the whole periphery at which a sputtered surface intersects with a peripheral wall surface.例文帳に追加

所定の外形を有するスパッタリング用のターゲットＴであって、スパッタ面と周壁面とが交わる部分に、その全周に亘って斜面Ｔ２を付けた - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Mg-containing ITO sputtering target which consists of substantially In, Sn, Mg and O, and can restrain arcing.例文帳に追加

実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからなり、アーキングの発生を抑制できるＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

The hard film is formed by repeating a stage where a film is formed by a cathode discharge type arc ion plating process and a stage where a film is formed by a sputtering process.例文帳に追加

カソード放電型アークイオンプレーティング法で皮膜を形成する工程とスパッタリング法で皮膜を形成する工程を繰り返して形成する。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a sputtering system capable of improving the film quality and uniformity in film thickness of a film deposited on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成される膜の膜質及び膜厚の均一性を向上できるようにした成膜方法及びスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To improve tact time and to stably obtain a deposited film of high quality by reducing the influence of the instability in discharge at the initial stage in a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法における初期の放電不安定性の影響を低減し、タクトタイムを向上させるとともに、良質な堆積膜を安定して得る。 - 特許庁

To provide a plasma display panel having an excellent sputtering resistance of a protection film and a long life by reducing porosity between pillar-shaped crystals and improving the film density.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの保護膜は、柱状結晶間の空隙が多いほど膜としての密度が低下し、イオン衝撃に弱く、スパッタリングが速く進行してしまう。 - 特許庁

To provide a method for sputtering having improved productivity and to provide a method for manufacturing an optical disk having excellent electric characteristics with good productivity.例文帳に追加

生産性を向上させることのできるスパッタリング方法及び電気特性に優れた光ディスクを生産性よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

Or, only the ion beam sputtering method is adopted just after starting deposition and just before completing the deposition so as to form layers of high denseness on the interfaces of the film.例文帳に追加

また成膜開始直後と成膜終了直前でイオンビームスパッタ法のみを適用して緻密度の高い層を膜の境界に形成する。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a sintered compact having a composition consisting of silicon dioxide, of 10-30 mol% In of 0.5-30 mol% and the balance chalcogenide zinc.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｉｎ：０．５〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りがカルコゲン化亜鉛からなる組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁

PRETREATMENT METHOD OF FILM FORMING BASE MATERIAL, METHOD OF FORMING THIN FILM TO FILM FORMING BASE MATERIAL, PLASMA CVD DEVICE, VAPOR DEPOSITION DEVICE, SPUTTERING DEVICE, AND PLASTIC BASE MATERIAL例文帳に追加

被成膜基材の前処理方法、被成膜基材への薄膜の成膜方法、プラズマＣＶＤ装置、蒸着装置、スパッタ装置及びプラスチック基材 - 特許庁

Transition metal-nitride and silicon are deposited at the same time by reactive sputtering in an atmosphere containing silicon to form the barrier (106).例文帳に追加

上記障壁（１０６）を形成するためＳｉ含有雰囲気内で反応性スパッタリングを行うことにより遷移金属−窒化物をＳｉと同時に堆積させる。 - 特許庁