「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

A Ti film or a Ta film is formed as the barrier metal film on a substrate by a sputtering method, a nitride film is formed on the barrier metal film by the sputtering method, and the Cu film is formed on the nitride film by a CVD method, and thereafter, annealing is performed at 100-400°C.例文帳に追加

基板上に、スパッタ法によりバリアメタル膜としてＴｉ膜又はＴａ膜を形成し、このバリアメタル膜上にスパッタ法により窒化物膜を形成し、この窒化物膜の上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を形成した後、１００〜４００℃でアニール処理を行う。 - 特許庁

The occurrence of particles caused by electric field concentration during sputtering is suppressed by raising the electric conductivity of an Si target used at the time of forming the EUV-ray reflecting multilayer film by sputtering by doping the film with doping elements by appropriately controlling the kinds and amounts of the doping elements.例文帳に追加

ＥＵＶ光反射多層膜のスパッタリングによる成膜に用いられるＳｉターゲットへ、ドープ元素の種類とドープ量を適宜に制御したドープ元素をドープし、ターゲットの導電率を上げることにより、スパッタ中の電界集中に起因するパーティクルの発生を抑制した。 - 特許庁

To produce a Co alloy sputtering target and a method for producing it in which a Co-Ta alloy magnetic material target is produced by a melting method, the producing process of the target is reduced, its uniformity is made satisfactory as well, and a magnetic sputtering thin film having higher coercive force can be obtained.例文帳に追加

Ｃｏ−Ｔａ系合金磁性材ターゲットを溶解法によって作製し、ターゲットの製造工程及を短縮化するとともに、ユニフォ−ミティ−を良好にし、さらに高い保磁力を有する磁性スパッタリング薄膜を得ることができるＣｏ系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を得る。 - 特許庁

In a fourth processing step, coatings 29, 31 covering the initial surface pattern are applied, especially by a sputtering method, preferably as an alternating layer system.例文帳に追加

第４処理ステップにて、初期表面パターンを覆うコーティング２９、３１を、好ましくは交代層システムとして、特にスパッタリング法で適用。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus which can improve film quality and film thickness controllability by stabilizing a pre-sputtering process, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

予備スパッタの安定化を図ることにより膜質や膜厚制御性を向上させた成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering film forming method capable of forming film while discharge caused by the charge-up of a conductive layer on an insulating substrate is prevented.例文帳に追加

絶縁基板上の導電層のチャージアップによる放電を防止しつつ成膜することができるスパッタリング成膜法を提供する。 - 特許庁

To provide a lithographic apparatus in which it is unlikely that the lifetime of optical elements is reduced due to etching and sputtering caused by ionization of the background gas.例文帳に追加

バックグラウンドガスのイオン化によりエッチングやスパッタリングが発生し光学エレメント寿命が低下することのないリソグラフィ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon monoxide sintered compact which combines securement of a film deposition rate and stability of film properties by an RF (radio-frequency reactive sputtering) method.例文帳に追加

ＲＦ法によって、成膜速度を確保するとともに膜特性の安定化を両立させる一酸化珪素焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for preventing generation of cracks or the like caused by the stress by improving a target working method, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ターゲットの加工方法を向上させて応力によるクラックの発生等を防止したスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sintered sputtering target material which contains little gas, has refined crystal grains and can be stably provided, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

低ガスであり、かつ、結晶粒の微細化が図られ、安定供給可能な焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

With the aid of this arrangement or of the method, light-permeable as well as also light-impermeable gas-blocking layers are produced using only one sputtering installation.例文帳に追加

装置または方法の使用により、単一のスパッタリング装置を用いて、光不透過層だけでなく、光不透過ガス遮断層をも形成できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target for EL element manufacture, which can sufficiently reduce an O content in a light-emitting film.例文帳に追加

発光膜中のＯ含有量を十分に低減することができるＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To inexpensively and effectively prevent any contamination on the atom level of a film interface in a multi-layered film deposition of a multi- chamber type piece-like sputtering apparatus.例文帳に追加

マルチチャンバ型の枚葉式スパッタリング装置の多層膜成膜における膜界面の原子レベルの汚染を安価かつ効果的に防止する。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

The recording layer 2 is formed by film-depositing and successively laminating a lower base layer 2d, a magnetic recording layer 2c, a reflection layer 2b and an upper base layer 2a by a sputtering method.例文帳に追加

記録層２は下地層２ｄ，磁気記録層２ｃ，反射層２ｂ及び上地層２ａをスパッタ法にて成膜し順次積層する。 - 特許庁

ZINC OXIDE BASED SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, ZINC OXIDE-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびに酸化亜鉛系透明導電膜およびその製造方法ならびに電子機器 - 特許庁

In addition, each device cost can be suppressed to be low because a series of manufacturing processes can be performed by sputtering devices.例文帳に追加

加えて、本実施形態の一連の製造工程はスパッタ装置によって行うことが可能であるため、装置コストを低く抑えることができる。 - 特許庁

Then the obtained film is provided with a substrate metal layer and a conductive metal layer by sputtering and further thickened by electroplating to give the copper-clad laminate film.例文帳に追加

ついで得られたフィルムに下地金属、導電化金属層をスパッタリングし、さらに電気メッキで厚付けして銅張り積層フィルムを得る。 - 特許庁

To provide a cold cathode discharge lamp which suppresses sputtering of a lead-in wire to increase the life of the cold cathode discharge lamp.例文帳に追加

導入線のスパッタリングを抑制して冷陰極放電ランプの長寿命化を図ることができる冷陰極放電ランプを提供する。 - 特許庁

To exactly and stably position and hold a disk-like base material for a disk-like optical recording medium in subjecting the disk-like base material to sputtering.例文帳に追加

ディスク状光記録媒体用のディスク状基材にスパッタリングする際に、該ディスク状基材を正確に、且つ安定して位置決め保持する。 - 特許庁

Then, an annealing treatment is carried out for recovering the first ferroelectric film 71a subjected to damaging (crystal defects) by plasma of the sputtering.例文帳に追加

次に、スパッタのプラズマによってダメージ（結晶欠陥）を受けた第１強誘電体膜７１ａを回復させるためのアニール処理を行う。 - 特許庁

REFLECTING LAYER OR TRANSLUCENT REFLECTING LAYER FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET FOR THE MEDIUM例文帳に追加

光情報記録媒体用の反射層または半透明反射層、光情報記録媒体及び光情報記録媒体用スパッタリングターゲット - 特許庁

The oxygen content of each part of a sputtering target mainly consisting of Al is set to be within ±20% to the average value of the oxygen content of the entire target.例文帳に追加

Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の酸素量をターゲット全体の酸素量の平均値に対して±２０％以内とする。 - 特許庁

A GaN layer 3 is grown by nearly 2 μm on a GaN layer 2 formed on a base substrate 1, and an Al_2O_3 film 4 of nearly 100 μm is formed by sputtering method.例文帳に追加

ベース基板１上に形成されたGaN膜２に、GaN層３を２μｍ程度成長させ、スパッタ法により100ｎｍ程度のAl_2O_3膜４を形成する。 - 特許庁

The film formation is performed on the surfaces of the plurality of substrates set substantially perpendicular to the surface of at least one of the sputtering targets.例文帳に追加

少なくとも一方のスパッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面がセットされた状態で成膜を行う。 - 特許庁

To provide a sputtering target by which the defects of a thin film caused by nodules can be reduced.例文帳に追加

本発明は、ノジュールに起因する薄膜の欠陥を減少させることができるスパッタリングターゲットを提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

To reduce the system cost of a magnetron sputtering device which comprises at least one vacuum chamber and is intended for the coating of multicomponent films on a substrate.例文帳に追加

特に少なくとも１つの真空チャンバを備え、複合膜を基板上に成膜するためのマグネトロンスパッタリング装置のシステムコストを削減する。 - 特許庁

In one embodiment, sputtering is applied by emitting the charged particle beam on a sputter material source such as a needle from a gas flowing-in system.例文帳に追加

一実施形態では、スパッタリングは、気体流入システムから針などのスパッタ材料源に荷電粒子ビームを向けることによって実施される。 - 特許庁

To produce lead-containing perovskite type compound oxide sintered compact of large size and high density which can be used as a sputtering target in a short time and with stability.例文帳に追加

スパッタターゲットに供し得る大型で高密度の鉛含有ペロブスカイト型複合酸化物焼結体を短時間で安定に作製する。 - 特許庁

The metal silicide sputtering target is characterized in that it has 3-25 at.% metal (M) content and the texture in the target comprises two phases of MSi_2 and free Si.例文帳に追加

金属（M）含有量が3〜25at%であり、かつターゲット中の組織がMSi_2と遊離Siとの２相からなることを特徴とする金属シリサイドスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering method by which the change of discharge voltage by the movement of a magnet is small and to provide a device suitable for the execution of the method.例文帳に追加

マグネットの移動による放電電圧の変化が少ないマグネトロンスパッタ方法とその方法の実施に適した装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plastic potentiometric ion-selective sensor manufacturable by sputtering and a printing method.例文帳に追加

本発明の主な目的は、スパッタリングと印刷方法により製造することができるプラスチック電位差測定イオン選択性センサーを提供することにある。 - 特許庁

The sputtering film deposition apparatus includes a vacuum container 206, and a magnetron cathode arranged in the vacuum container 206.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るスパッタ成膜装置は、真空容器２０６と、真空容器２０６内に配置されたマグネトロンカソードとを備える。 - 特許庁

To provide a technology which can suppress the occurrence of splash even though a film is formed at high speed, when having used a sputtering target of an Al-base alloy.例文帳に追加

Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いた場合に、高速成膜してもスプラッシュの発生を抑制し得る技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is free from Cr causing environmental pollution and can deposit a thin film reduced in the number of particles.例文帳に追加

環境汚染の原因となるＣｒを含んでおらず、かつ、パーティクルが少ない薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A sloped part is provided in a through hole opening part, by sputtering etching, to enlarge a cross section, and aluminum oxide on a surface of the metal wire is removed.例文帳に追加

スパッタエッチングにより、スルーホール開口部に傾斜部を設け断面を大きくするとともに金属配線の表面の酸化Ａｌを除去する。 - 特許庁

In the method of etching the Au film, an insulating film 2 is formed on a semiconductor substrate 1 and the Au film 3 is formed on the film 2 by means of a sputtering method or plating method.例文帳に追加

半導体基板１上に絶縁膜２を形成し、絶縁膜２上にスパッタリング又はメッキ法によりＡｕ膜３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing an In sputtering target, capable of reducing impurity content by suppressing diffusion of Cu from a backing plate.例文帳に追加

バッキングプレートからのＣｕの拡散を抑制して不純物の含有を低減可能なＩｎスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent the occurrence of a recessed part of erosion at an edge of a target of a linear sputtering system of a configuration that a magnet moves with respect to the target.例文帳に追加

ターゲットに対して磁石が移動する構成のリニアスパッタ装置のターゲットの縁部での侵食凹部の発生を防止することにある。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering target for use in forming a chalcopyrite type semiconductor film which is used when a light absorption layer of a solar cell is formed.例文帳に追加

太陽電池の光吸収層を形成するためのカルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD FOR SUBSTRATE WITH MULTI-LAYERED REFLECTING FILM, MANUFACTURING METHOD FOR REFLECTION TYPE MASK BLANK, AND MANUFACTURING METHOD FOR REFLECTION TYPE MASK例文帳に追加

スパッタリングターゲット、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 - 特許庁

The enclosure 11 encloses a target 4 including a fluoride and substrate 6, and a gas for sputtering is introduced into the enclosure 11.例文帳に追加

このエンクロージャー１１は、フッ化物からなるターゲット４と基板６とを囲っており、このエンクロージャー１１内にスパッタ用ガスが導入される。 - 特許庁

In a method for manufacturing the phase change recording medium, oxygen is mixed in sputter process gas for sputtering and forming the corrosion resistance protective layer 8 (3).例文帳に追加

（３）スパッタプロセスガス中に酸素を混合してスパッタリングを行い耐食性保護層８を形成する相変化記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To provide a copper alloy sputtering target whose crystal grain growth is small when it is jointed with a backing plate by hot static hydraulic pressing.例文帳に追加

ターゲットとバッキングプレートを熱間静水圧プレスにより接合する際に、結晶粒成長が小さい銅合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a thin film thermistor manufacturing method wherein cracking or delamination is restrained from occurring in the center region of a sputtering film after calcination processing.例文帳に追加

焼成処理後に、スパッタ膜の中央領域にクラックや剥離が生じることを抑制した薄膜サーミスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁