「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for analyzing the depth direction profile of the ion implantation element measured by a secondary ion mass analyzing method, the change of the sputtering yield changed by the degree of damage formed at the time of ion implantation is calculated from the attenuation depth and the depth axis of a measuring profile is corrected on the basis of the change of the sputtering yield.例文帳に追加

二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。 - 特許庁

In a sputtering film deposition apparatus which deposits a film while swinging a magnet 24 nearly parallel to the surface of the target 18, the film is deposited under such a condition that the ratio P/V of sputtering power density P (W/cm^2) to the average swing speed V (cm/s) of the magnet 24 is ≥0.2 (W×s/cm^3).例文帳に追加

ターゲット１８表面に略平行にマグネット２４を揺動させつつ成膜を行うスパッタリング成膜装置において、スパッタリング電力密度Ｐ（ワット／平方センチメートル）と、マグネット２４の平均揺動速度Ｖ（センチメートル／秒）の比Ｐ／Ｖが０．２（ワット・秒／立方センチメートル）以上となる条件で成膜する。 - 特許庁

The sputtering system comprises: a substrate installation region 5a in which a substrate is installed; a particle release region 8a in which a target 8 is disposed and sputtering particles from the target are released; and a sensor installation region 11a in which a sensor 11 for measuring the film thickness formed on the substrate is installed.例文帳に追加

スパッタ装置は、基板５が設置される基板設置領域５ａと、ターゲット８が設置される領域であって、該ターゲットからのスパッタ粒子が放出される粒子放出領域８ａと、基板上に形成された膜厚を測定するためのセンサ１１が設置されるセンサ設置領域１１ａとを有する。 - 特許庁

The thin film deposition apparatus 10 has a plurality of sputtering sources having targets comprising at least either selected from two or more same materials and two or more different materials and disposed inside a chamber 12, and is provided with a film deposition condition set part capable of setting different film deposition conditions to the respective sputtering sources.例文帳に追加

薄膜形成装置１０が、チャンバ１２内に配設された２つ以上の同一材料と２つ以上の異なる材料とのうち少なくとも一方を含むターゲットを有する複数のスパッタリング源を有し、それぞれのスパッタリング源に異なる成膜条件を設定可能な成膜条件設定部を備える構成とした。 - 特許庁

In the reactive sputtering deposition device, the partition plate is provided between the target and the substrate, a vapor deposition chamber is divided into a substrate-side reaction chamber and a target-side sputtering chamber and a hole enabling a metallic substance separated from the target to reach the substrate is formed at the central part of the partition plate.例文帳に追加

本発明による反応性スパッタリング蒸着装置は、ターゲットと基板の間に仕切り板を設け、蒸着チャンバーを基板側の反応チャンバーとターゲット側のスパッタリングチャンバーとに区分し、仕切り板の中央部にはターゲットから分離された金属物質が基板に到達できるようにする穴を形成してなる。 - 特許庁

Then, the bar-shaped semiconductor laser device is arranged inside an ECR sputtering apparatus with a silicon target formed therein; and after the sputtering apparatus is evacuated, a cleaning gas which is a mixture of argon gas and nitrogen gas is introduced into the plasma chamber to have ECR plasma generated.例文帳に追加

次に、シリコンターゲットが設けられたＥＣＲスパッタ装置内にバー状半導体レーザを設置し、装置内を真空引きした後、プラズマ室にアルゴンガスと窒素ガスとを混合したクリーニングガスを導入してＥＣＲプラズマを生成させ、所定の時間だけ前記劈開面の一方をプラズマに曝してクリーニングを行う。 - 特許庁

This production method for the sputtering target is characterized in that a raw material of the sputtering target is melted and cast to form a cast ingot, the hot-top part of this ingot is removed, and thereafter, the cast ingot thus obtained is subjected to hot press to be compress-worked to a required shape.例文帳に追加

本発明によるスパッタリングターゲットの製造方法は、スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成し、該インゴット形成物の押し湯部分を除去したのち、得られた鋳造インゴットに対してホットプレスを行うことによって所定形状に圧縮加工することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a double shutter control method for a multitarget sputtering deposition system capable of preventing the occurrence of crosscontamination between targets due to target substances etc., sticking to shutter plates with a multitarget sputtering deposition system which is equipped with a plurality of the targets within a chamber and is constituted to perform the selection of the target with double rotary shutter mechanisms.例文帳に追加

チャンバ内に複数のターゲットを備えかつ二重回転シャッタ機構でターゲットの選択を行うようにした多元スパッタ成膜装置で、シャッタ板に付着するターゲット物質等に起因してターゲット間にクロスコンタミネーションが生じることを防止できる多元スパッタ成膜装置の二重シャッタ制御方法を提供する。 - 特許庁

In the method, after the gas in the chamber of the sputtering film-forming device where the light-transmitting substrate 1 is to be conveyed is replaced by a gas containing neither water nor carbon dioxide, dry air or a mixture gas thereof, the pressure in the chamber is reduced and subsequently formation of the thin film 2 for patterning by the sputtering method is started.例文帳に追加

ここで、透光性基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いでパターン形成用薄膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 - 特許庁

Regarding a film deposition process by dc-magnetron sputtering of a zinc oxide based transparent conductive film, in the starting (initial) stage of the film deposition, by starting the film deposition under the conditions different from those in film deposition process by an ordinary dc-magnetron sputtering which continues after that, the fact that the lowest resistivity characteristics of the film are remarkably improved has been found.例文帳に追加

酸化亜鉛系透明導電膜の直流マグネトロンスパッタ成膜プロセスにおいて、成膜の開始（初期）段階は、その後に続く通常の直流マグネトロンスパッタ成膜プロセスとは異なる条件下で成膜を開始することにより、膜の最低抵抗率特性が大幅に改善できることを見出した。 - 特許庁

The LaB_6 film having superior crystallinity can be obtained by an operation of sputtering an LaB_6 target in such an atmosphere that 0.01-5 vol.% of nitrogen gas is added to argon, when the LaB_6 film is formed on a substrate formed from tungsten or molybdenum and a material containing an oxide of a rare-earth element, with the sputtering process.例文帳に追加

タングステン又はモリブデンと、希土類元素の酸化物を含む材料からなる基体にスパッタリングによってＬａＢ_６膜を成膜する際、アルゴンに窒素ガスを０．０１〜５体積％添加した雰囲気でＬａＢ_６ターゲットのスパッタリングを行うことにより、結晶性の優れたＬａＢ_６膜が得られる。 - 特許庁

Using a high frequency reaction sputtering process in which an Al_2O_3 target is used and discharge is performed in a gaseous mixture of Ar and N_2 by a high frequency power source, and by adjusting relationship between the bias voltage to be applied at the sputtering and the temperature of a metal base material, the hard protective film is formed so as to have a plastic deformation hardness of ≥30 GPa.例文帳に追加

Al_2O_3ターゲットを用いて高周波電源によってAr及びN_2の混合ガス中で放電させる高周波反応スパッタ法を用い、その際に印加するバイアス電圧と金属母材の温度との関係を調整することによって、硬質保護膜を30GPa以上の塑性変形硬さに形成する。 - 特許庁

In this zinc oxide laminated thin film body 4001 obtaining by laminating a zinc oxide thin film 4004 on a substrate 4002 by a sputtering method and further laminating a zinc oxide thin film 4005 thereon by an electrodeposition method, a dopant reducing resistance value is contained in the zinc oxide thin film 4004 by a sputtering method.例文帳に追加

基体４００２上にスパッタ法による酸化亜鉛薄膜４００４を積層するとともに、その上に電析法による酸化亜鉛薄膜４００５を積層してなる酸化亜鉛積層薄膜体４００１であって、スパッタ法による酸化亜鉛薄膜４００４に、抵抗値を低減するドーパントが含有されている。 - 特許庁

The magnetic recording medium has a nonmagnetic base layer 3, consisting of an Ru film deposited by a sputtering method on a nonmagnetic support body 1, consisting of a long-sized polymeric film and has the magnetic layer 4 consisting of of a CoNiPtO-based metallic film deposited by the sputtering method on the nonmagnetic base layer 3.例文帳に追加

長尺状の高分子フィルムよりなる非磁性支持体１上に、スパッタ法により成膜されたＲｕ膜からなる非磁性下地層３を有し、非磁性下地層３上に、スパッタ法により成膜されたＣｏＮｉＰｔＯ系金属膜よりなる磁性層４を有する磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a thermal head by forming a resistor layer 3 and a pair of conductive layers 4, 4 sequentially on an insulating substrate 1 and coating them with a protective layer 5, the protective layer 5 has at least three layer structure including upper and lower layers 5c, 5a formed by non-bias sputtering and an intermediate layer 5b formed by bias sputtering.例文帳に追加

絶縁基板1 上に発熱抵抗体層3 及び一対の導電層4,4 を順次被着させるとともに、これらを保護層5 にて被覆して成るサーマルヘッドの製造方法であって、前記保護層5 は少なくとも３層構造を有し、上層5c及び下層5aをノンバイアススパッタリング法で、中層5bをバイアススパッタリングで形成する。 - 特許庁

Further, the sputtering adhesion preventing nozzle is disposed between the working nozzle and the work to inject the fluid from the lateral direction to a line for connecting the working nozzle to the work to prevent the sputtering generated by the laser processing from being adhered to the constituent element of the processing head and the work.例文帳に追加

更に前記スパッタ付着防止ノズルは、前記レーザ加工ノズルと前記ワークとの間に配置されており、前記レーザ加工ノズルと前記ワークを結ぶ線に対して横の方向から流体を噴射して、レーザ加工により生じるスパッタの前記レーザ加工ヘッドの構成要素及び前記ワーク等への付着を防止することを特徴とする。 - 特許庁

To compose a cathodic sputtering apparatus in such a manner that the magnetic field intensity within the active zone of a target to which the target is sputtered is increased, further, the active zone is enlarged to increase the sputtering rate of a target material, and simultaneously, the density of the heat power to be introduced into the target material is reduced.例文帳に追加

冒頭に記載した装置を、ターゲットが浸食されるターゲットの活性ゾーンの領域内の磁界強度を増強し、更に、活性ゾーンの幅を大きくして、ターゲット材料のスパッタリング速度を高め、それと同時に、ターゲット材料内に導入される熱パワー密度を低減するように構成すること。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering cathode, a magnetron sputtering apparatus, and a method of manufacturing a magnetic device, for generating a leakage magnetic field sufficiently large to form a magnetic tunnel necessary for discharge on the surface of a target even when the target is a magnetic body and thick and a ferromagnetic body is used as the target.例文帳に追加

ターゲットが磁性体で厚かったり、ターゲットとして強磁性体を用いる場合であっても、ターゲットの表面に放電に必要な磁気トンネルを形成させるために十分な大きさの漏洩磁場を発生させることが可能なマグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III nitride semiconductor is provided with a sputtering step of forming a single crystalline group III nitride semiconductor layer doped with a donor impurity by a sputtering method in an atmosphere containing 20-80% a nitride atom-containing gas and an inert gas.例文帳に追加

２０〜８０％の窒素原子含有ガスと不活性ガスとを含む雰囲気中で、スパッタ法によって、ドナー不純物の添加された単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層を形成するスパッタ工程を備えることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法の製造方法とする。 - 特許庁

The manufacturing method for the magnetic recording medium is characterized in that after a base film formed on a substrate and consisting of a Cr metallic thin film or a Cr alloy thin film is subjected to sputtering treatment under an oxygen-excess atmosphere, the spinel type iron oxide thin film consisting essentially of maghemite is deposited on the base film by a reaction sputtering method.例文帳に追加

基体上に形成されたＣｒ金属薄膜又はＣｒ合金薄膜からなる下地膜に対して酸素過剰雰囲気下でスパッタ処理した後、反応スパッタによって前記下地膜上にマグヘマイトを主成分とするスピネル型酸化鉄薄膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造法である。 - 特許庁

The method comprising the steps for providing a substrate 11 having a surface and a backside; depositing a film 15 composed of tantalum nitride (TaN) on the surface of the substrate by means of ion beam sputtering, in order to absorb EUV light used in a photolithography process; and depositing an electrically conductive film 16 on the backside of the substrate by means of ion beam sputtering.例文帳に追加

表面と裏面を有する基板１１を設ける工程と、フォトリソグラフィープロセスに使用されるＥＵＶ光を吸収するために、基板の表面にイオンビームスパッタリングにより窒化タンタル（ＴａＮ）からなる膜１５を沈積する工程と、基板の裏面にイオンビームスパッタリングにより導電膜１６を沈積する工程とを有する。 - 特許庁

After a titanium layer 8 serving as a barrier layer and a nickel layer 9 serving as a closely adhered layer are formed on an electrode pad 2 by sputtering, a low melting point alloy 10 to be melted at an inspection temperature or below is formed by sputtering, and the surface of the low melting point alloy 10 is lower than the surface of a protection film 11.例文帳に追加

電極パッド２上にバリア層としてのチタン層８と、密着層としてのニッケル層９をスパッタリングにより形成した後、検査温度以下で溶融する低融点合金１０をスパッタリングにより形成し、前記低融点合金１０の表面を保護膜１１の表面より低くする。 - 特許庁

The method of manufacturing the target substance-containing liquid comprises sputtering the target substance toward a liquid material arranged in the same treatment chamber as a treatment chamber in which the target is arranged by using a plasma sputtering method using a target, to disperse the target substance in the liquid material.例文帳に追加

ターゲットを用いたプラズマスパッタリング法を用い、前記ターゲットが配置された処理室と同一の処理室内に配置された液体材料に向けてターゲット物質をスパッタリングすることにより、前記ターゲット物質を前記液体材料中に分散させることを特徴とするターゲット物質含有液体の製造方法である。 - 特許庁

One or more grooves 7 are formed in the neighborhood of an outer peripheral part of the backing plate 2 which supports/cools the target in the sputtering source of a sputtering system, thus the elongation due to thermal expansion is absorbed by the grooves 7 to reduce the warpage (deformation) at a target contact point 5 of the backing plate 2.例文帳に追加

スパッタリング装置のスパッタ源において、ターゲットを支え、かつこれを冷却させる目的のバッキングプレート２の外周部近傍に少なくとも１以上の溝７を設けることで、熱膨張による伸びをこの溝７で吸収し、バッキングプレート２のターゲット接触部５における反り（変形）を少なくする。 - 特許庁

In this method for forming the zinc oxide thin film, the zinc oxide thin film is formed on a substrate by carrying out sputtering by using a zinc oxide target in an atmosphere containing the sputtering gas comprising oxygen and an inactive gas, and the thin film is formed while applying a pulse bias to the substrate.例文帳に追加

酸素と不活性ガスからなるスパッタリングガスを含む雰囲気下で酸化亜鉛ターゲットを用いてスパッタリングすることにより、酸化亜鉛薄膜を基板上に成膜する成膜方法であって、前記基板にパルスバイアスを印加しつつ成膜することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の成膜方法である。 - 特許庁

When forming a resistive thin film by a sputtering method, a sputtering target comprising, by mass, 20-60% Ta, >8% but ≤15% Al and the balance being Cr and Ni and having a mass ratio (Cr/Ni) of Cr to Ni of 0.5-1.2 is used.例文帳に追加

スパッタリング法により抵抗薄膜を成膜するに際して、２０質量％以上、６０質量％以下のＴａと、８質量％を超え、１５質量％以下のＡｌを含み、残部はＣｒおよびＮｉからなり、Ｎｉに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｎｉが０．５〜１．２であるスパッタリングターゲットを用いる。 - 特許庁

The film-forming method includes: supplying a sputtering gas and a reaction gas into a chamber to keep a predetermined degree of the vacuum; and forming a predetermined film on a substrate by sputtering a metal target which is installed in the chamber and is held by a target-holding part so as to oppose to the substrate, through applying a voltage to the target.例文帳に追加

本発明の成膜方法は、チャンバ内にスパッタリングガスおよび反応ガスを供給して所定の真空度に保ち、チャンバ内に設けられ、ターゲット保持部により基板に対向して保持された金属ターゲットに電圧を印加してスパッタリングを行い基板に所定の膜を形成するものである。 - 特許庁

In the method for producing an optical product where an optical thin film is formed on a substrate using two targets by sputtering, the two targets for the sputtering are each composed of Si, and a mixed solid solution composed of at least one transition metal selected from Ti, Nb, Ta, Zr, Hf and Mo, and Si.例文帳に追加

スパッタリングにより２つのターゲットを用いて基板上に光学薄膜を形成する光学製品の製造方法であって、前記スパッタリング用の２つのターゲットが、Ｓｉおよび、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、ＨｆおよびＭｏから選ばれた少なくとも一種の遷移金属とＳｉからなる混合固溶体である。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of preventing any degradation of the film deposition characteristics caused by the deposition of a film in a stationary facing type sputtering apparatus, and making the characteristics in a substrate to be film-deposited uniform, and to provide a deposition preventive plate capable of improving the productivity by prolonging the changing period.例文帳に追加

静止対向型スパッタリング装置における付着膜の堆積による、成膜特性の劣化を防止し、成膜が行われる基板内の特性の均一化を図ることが可能なスパッタリング装置と、交換周期を長周期化可能で生産性の向上を図ることができる防着板とを提供する - 特許庁

The method of manufacturing a solar cell includes: a sputtering process for sputtering a target including a group Ib element and a target including a group IIIb element in an atmosphere including Se, and forming a layer including the group Ib element, group IIIb element, and Se on a substrate; and a heat-treatment process for heating the layer.例文帳に追加

本発明の太陽電池の製造方法は、Ｉｂ族元素を含むターゲット及びＩＩＩｂ族元素を含むターゲットを、Ｓｅを含む雰囲気中でスパッタして、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素及びＳｅを含む層を基板上に形成するスパッタリング工程と、層を加熱する熱処理工程と、を備える。 - 特許庁

The device has a plasma CVD chamber 1 for applying a scratch preventing layer and a gas flow sputtering chamber 2 for applying a reflection preventing layer separately from each other for coating a substrates, and moreover, has a carrying apparatus 3 for carrying plastic substrates 7 and 8 from the plasma CVD chamber 1 to the gas flow sputtering chamber 2.例文帳に追加

当該装置が、引っ掻き防止層を被着させるためのプラズマＣＶＤチャンバ１と、反射防止層を被着させるためのガス流スパッタリングチャンバ２とを互いに別個に有していて、さらにプラズマＣＶＤチャンバ１からガス流スパッタリングチャンバ２へプラスチック基板７，８を搬送するための搬送装置３を有している。 - 特許庁

In performing sputtering deposition under an oxidizing atmosphere of the barrier layer which constructs the thin-film transistor, a Cu alloy sputtering target is used, which is constructed of a Cu alloy which has a component composition consisting of Al of 1 to 10 atom%, Ca of 0.1 to 2 atom%, and the balance comprising Cu and inevitable impurities (1% or less).例文帳に追加

薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 - 特許庁

To provide a composite type sputtering system and a composite type sputtering method where, without shortening the pitch of a pair of targets, the confining effect to the space between the targets of the charged particles of plasma, secondary electron or the like formed between the targets is increased, and also, the electric power supplied to cathodes can be increased.例文帳に追加

一対のターゲットの中心間距離を短くすることなく、ターゲット間に形成されるプラズマ及び二次電子等の荷電粒子のターゲット間への閉じ込め効果を大きくし、且つカソードへの投入電力を大きくすることができる複合型スパッタ装置及び複合型スパッタ方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target of Al-(Ni, Co)-(Cu, Ge)-(La, Gd, Nd)-based alloy, which reduces the occurrence of splash at the initial stage of the use of the sputtering target, thereby prevents a defect from occurring in a wiring film or the like, and can improve the yield or performance of FPD, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの使用初期段階でのスプラッシュの発生を軽減し、これにより配線膜等に生じる欠陥を防止し、ＦＰＤの歩留りや動作性能を向上させることが可能なＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）−（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A film 4 of ≤1 μm thickness which absorbs almost all of light in the ultraviolet, visible and near infrared wavelength regions is deposited by using a parallel flat plate type sputtering apparatus with Al as a target material, using a gaseous Ar-N_2 mixture as a sputtering gas 3 and controlling the mixing ratio and deposition time (film thickness).例文帳に追加

Ａｌをターゲット材とする平行平板型スパッタリング装置を用いて、Ａｒ，Ｎ_2 の混合ガスをスパッタガス３とし、その混合比及び堆積時間（膜厚）を制御することにより、紫外・可視・近赤外波長領域の光の殆どを吸収する１μｍ以下の膜厚の膜４を形成する。 - 特許庁

By the method of forming a transparent electrode film on an organic thin film without causing charge-up and with sputtering damage restrained, an improvement in characteristics (driving, life or the like) is expected for the transparent organic electroluminescent element and a top-emission organic electroluminescent element with a final film-forming process applied in the sputtering method.例文帳に追加

有機薄膜上への透明電極成膜をチャージアップを起こさず、かつスパッタリングダメージを抑制させながら行う方法であって、最終成膜プロセスがスパッタリング法である透明有機電界発光素子やトップエミッション型有機電界発光素子においては特性（駆動、寿命等）向上が期待できる。 - 特許庁

This RF sputtering device is provided with a stage 22, which is located inside an RF chamber, for placing the wafer 21 and a material film 24, with which the outer periphery of the upper surface of this stage is coated, having resistance to RF sputtering and to be positioned on the outer periphery of the wafer, when the wafer is placed on the upper surface of the stage.例文帳に追加

このＲＦスパッタ装置は、ＲＦチャンバー内に配置された、ウエハ２１を載置するステージ２２と、このステージの上面の外周にコーティングされ、ステージの上面上にウエハを載置した際に該ウエハの外周に位置するＲＦスパッタに対する耐性を有する材料膜２４と、を具備するものである。 - 特許庁

In the thin film formation method for forming a thin film in a surface of a processing object S by sputtering, a prevention film formation process for forming a charging damage prevention film 80 for preventing charging damage in the surface of the processing object by sputtering is carried out as a preceding process of a thin film formation process for forming a thin film 82.例文帳に追加

被処理体Ｓの表面にスパッタリングにより薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記薄膜８２を形成する薄膜形成工程の前工程として、前記被処理体の表面にチャージングダメージを防止するためのチャージングダメージ防止膜８０をスパッタリングにより形成する防止膜形成工程を行う。 - 特許庁

This method for forming the optical thin film having many optical layers with a magnetron sputtering method on the surface of a substrate 8 comprises, introducing inert gas and reactive gas into a sputter chamber 1, and sequentially forming the optical layer on the substrate 8, under a condition of a discharge pressure of 1.3×10-1 Pa or less, with a reactive magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法により基板８面上に多層の光学層を有する光学薄膜を形成する際、スパッタ槽１内に不活性ガスおよび反応性ガスを導入し、１．３×１０^-1Ｐａ以下の放電圧力の条件下において反応性マグネトロンスパッタ法により基板８面上に順次光学層を形成させる。 - 特許庁

In forming the GaN thin film for thin films of the fluorophor and communication element by the sputtering method, the sputtering target is composed of a white GaN sintered body which is obtained by sintering a white GaN raw material powder, and has oxygen concentration of 1.5% or less and Zn content of 0.1% or less.例文帳に追加

蛍光体用薄膜や通信素子用薄膜のＧａＮ薄膜のスパッタ法による形成において、スパッタリングターゲットを、白色ＧａＮ原料粉末の焼結により得られ、酸素濃度が１．５％以下であり、Ｚｎ含有量が０．１％以下である白色ＧａＮ焼結体により構成する。 - 特許庁

To provide a SnO_2-base sputtering target capable of obtaining a sputter film having low film specific resistance without any heating treatment while reducing abnormal discharge during the sputtering; small change in specific resistance caused by the subsequent heating treatment; and excellent heat resistance, and is excellent in deflection strength and substantially free from any condensed phase.例文帳に追加

スパッタリング中の異常放電を低減しながら、加熱処理無しでも低い膜比抵抗を有し、なおかつその後の加熱処理による比抵抗変化が小さい、耐熱性に優れたスパッタ膜を得ることができる、抗折強度に優れ、なおかつ凝集相が実質的に無いＳｎＯ_２系スパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

The method for producing the silicon oxide film is performed, with which the silicon oxide film is formed on a substrate by using a sputtering target comprising silicon carbide and silicon with a ratio in number of atoms of C to Si being from 0.5 to 0.95 and carrying out AC sputtering having from 1 to 1000 kHz frequency in an atmosphere containing oxidizing gas.例文帳に追加

炭化ケイ素とケイ素とを含有し、Ｓｉに対するＣの原子数比が０．５〜０．９５であるスパッタターゲットを用い、酸化性ガスを含有する雰囲気中で、周波数１〜１０００ｋＨｚの交流で交流スパッタリングを行うことにより、基体上に酸化ケイ素膜を成膜する、酸化ケイ素膜の製造方法。 - 特許庁

To remove impurities, particularly zinc in the scrap of an IXO (multiple oxide of indium oxide and zinc oxide) sputtering target used for depositing a transparent electroconductive film or the like or an IXO scrap such as abrasive powder generated at the time of producing an IXO sputtering target with high efficiency, and to recover indium having high purity.例文帳に追加

透明導電膜等を形成するために使用されるＩＸＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛の複合酸化物）スパッタリングターゲットスクラップ又はＩＸＯスパッタリングターゲットの製造時に発生する研磨粉等のＩＸＯスクラップ中の不純物、特に亜鉛を効率良く除去し、高純度のインジウムを回収する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a phosphor film in an electroluminescence element, which can maintain high strength even when it is allowed to stand in the atmosphere for a long time.例文帳に追加

大気中に長時間放置しても高強度を維持することができるエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Further, variability in the crystal orientation ratio of the (110) face as the overall sputtering surface is ≤30% and variability in the crystal orientation ratio of the (200) face is made to ≤50%.例文帳に追加

さらに、スパッタ面全体としての(110)面の結晶方位比率のばらつきが30％以下であると共に、(200)面の結晶方位比率のばらつきが50％以下とされている。 - 特許庁