「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

The Mg sputtering target for forming the thin film of MgO with little generation of particle has inclusions with a maximum diameter of 5 mm or less (preferably 1 mm or less) in the Mg matrix.例文帳に追加

Ｍｇ素地中に存在する介在物が最大径：５ｍｍ以下(好ましくは１ｍｍ以下)であるパーティクル発生の少ないＭｇＯ薄膜形成用Ｍｇスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which is formed by suppressing as much as possible, the usage of etching method using physical sputtering such as ion milling method or the like, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スバッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えて形成された磁気抵抗効果素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a zinc oxide sintered compact which is dense to such an extent that the sintered compact, when used as a sputtering target, generates no abnormal discharge and can give a transparent electrode having a low resistivity.例文帳に追加

スパッタリングターゲットに用いた場合に異常放電を発生せず、比抵抗の小さな透明電極を得ることができる程度に緻密な酸化亜鉛焼結体を得る。 - 特許庁

(2) The sputtering target contains Bi, B and at least one element X selected from Ge, Li, Sn, Cu, Fe, Pd, Zn, Mg, Nd, Mn and Ni.例文帳に追加

（２）Ｂｉ、Ｂを含有し、更にＧｅ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｄ、Ｍｎ、Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素Ｘを含有するスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ge-Sb-Te sputtering target material for a thin film medium which records information by using the phase transformation of a recording layer material.例文帳に追加

本発明は、記録層材料の相変態を利用して情報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

The high-strength sputtering target has a composition containing, by atomic %, 10 to 30% Ge, 10 to 25% Sb, and 0.5 to 5% Ti, and consists of the balance Te and inevitable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１０〜３０％、Ｓｂ：１０〜２５％、Ｔｉ：０．５〜５を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する高強度スパッタリングターゲット。 - 特許庁

To appropriately determine the timing to replace an extreme ultraviolet (EUV) collector mirror by accurately considering influence of a sputtering amount of the mirror in a laser-produced plasma (LPP) EUV light source device.例文帳に追加

ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶコレクタミラーのスパッタ量を正確に反映させることにより、ミラー交換の時期を適切に判断できるようにする。 - 特許庁

To provide a light emitting element which can suppress damage occurring in a layer containing an organic substance at a film deposition time by a sputtering method and which can suppress a short circuit between electrodes (short circuit), etc.例文帳に追加

本発明では、スパッタリング法による成膜時に有機物を含む層へ生じる損傷を抑制できる発光素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

The surface of a glass substrate 10 on the side of forming an element is provided with a resistance control film 11 which is formed by sputtering to cause no electrostatic charge on the surface thereof.例文帳に追加

ガラス基板１０の素子形成側表面には、該表面の帯電を防止すべく、スパッタ法等により形成された抵抗制御膜１１が成膜されている。 - 特許庁

In the sintered Ru target material, the number of the inclusion with the maximum length of ≥30 μm observed in the cross-sectional microstructure of the sputtering face in the target material is 1 piece/cm^2 or less.例文帳に追加

ターゲット材のスパッタ面の断面ミクロ組織に観察される最大長さ３０μｍ以上の介在物が１個／ｃｍ^２以下である焼結Ｒｕターゲット材である。 - 特許庁

The contactor 3 is formed by plating with a spring metal, a seed film having a spherical shell shape formed by making into a sputtering shape, a resist ball formed on the wiring board 2.例文帳に追加

接触子３は、配線板２に形成したレジスト球をスパッタ型にして形成した球殻形状のシード膜にばね金属をめっきすることにより形成される。 - 特許庁

To provide a hard film having more excellent abrasion resistance than a conventional TiN or TiAlN hard film, and to provide a sputtering target material for forming the objective hard film.例文帳に追加

従来の硬質皮膜であるＴｉＮ皮膜やＴｉＡｌＮ皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜およびその形成用スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

The sputtering target can be used for manufacturing a reflector for a reflection LCD or a reflection wiring electrode, which controls the yellowing of reflected light.例文帳に追加

前記スパッタリングターゲットは、反射光の黄色化を抑制した反射型ＬＣＤ用反射板又は反射配線電極を製造するものであることも可能である。 - 特許庁

The target 10 for magnetron sputtering is composed of: a target 11; a backing plate 12; and a magnetic substances 13 arranged on the backing plate 12 one by one right and left.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング用ターゲット１０は、ターゲット１１、バッキングプレート１２、及びバッキングプレート１２の上に左右１箇所ずつ配置された磁性体１３によって構成される。 - 特許庁

Next, a state where a platinum thin film 103 with a film thickness of about 200 nm is deposited on the silicon oxide layer 102 by an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering process using a platinum target is made.例文帳に追加

次に、白金ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、膜厚２００ｎｍ程度の白金薄膜１０３が形成された状態とする。 - 特許庁

To provide a method for producing an Al-based alloy sputtering target material comprising a rare earth element and a high melting point element having a melting point higher than that of Al at a high yield.例文帳に追加

希土類元素、およびＡｌよりも高融点の高融点元素を含有するＡｌ基合金スパッタリングターゲット材を歩留良く製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high pressure discharge lamp lighting device in which problems of blackening, going-out, sputtering or the like due to controlling at starting up are solved without changing a conventional circuit configuration.例文帳に追加

高圧放電灯点灯装置において、始動時の制御に起因する黒化、立ち消え、スパッタリング等の問題を、従来の回路構成を変更せずに解決する。 - 特許庁

A fine-particle layer is formed to add it to the device by laminating a plurality of planar structures with fine particles 2 dispersed planarly, using a sputtering process and the like.例文帳に追加

スパッタ等の手法を用い、平面的に微粒子２を分散させた平面構造で、これを複数層積層することで、微粒子層を形成し、これをデバイスに付加する。 - 特許庁

To provide a processing object transfer method realizing a high cycle time in vacuum processing devices such as a sputtering device, a dry etching device, a CVD device and a vapor deposition device.例文帳に追加

スパッタリング装置、ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置、蒸着装置等の真空処理装置の高速タクトの実現を可能とする処理対象物搬送方法を提供する。 - 特許庁

Namely, the thinning of the dielectric laminate which has been difficult in a production method using a green sheet can be achieved, e.g., by utilizing a film deposition technique such as sputtering.例文帳に追加

つまり、グリーンシートを用いた製法では困難であった誘電積層体の薄型化は、例えば、スパッタリング等の成膜技術を利用することによって実現される。 - 特許庁

To provide a method for producing a fluorescent substance by which the deterioration caused by ion sputtering is prevented while improving emission luminance; to provide the fluorescent substance; and to provide a plasma display panel.例文帳に追加

発光輝度を向上させつつイオンスパッタによる劣化を防ぐことができる蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにプラズマディスプレイパネルを提供すること。 - 特許庁

Additionally, an SiOx layer is formed on the laminated substrate 4 as the second undercoat layer for a transparent conductive film and the transparent conductive film 5 composed of ITO is formed by sputtering.例文帳に追加

さらに、この積層基板４に、透明導電膜の第２のアンダーコート層としてＳｉＯ_Xを形成し、ＩＴＯからなる透明導電膜５をスパッタにて形成する。 - 特許庁

To provide an Ag-alloy reflective film having high reflectance, and superior adhesiveness to a substrate and corrosion resistance as well, and to provide a sputtering target and a method for manufacturing an Ag-alloy thin film.例文帳に追加

高反射率を有し、基板との密着性、耐蝕性にも優れたＡｇ合金反射膜、スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金薄膜製造方法の提供。 - 特許庁

To suppress the intrusion of sputtering gas cracked and excited by plasma and high in reactivity into the back face side of a substrate and to prevent the formation of discharge at the back face side of the substrate as well.例文帳に追加

プラズマで分解、励起された反応性の高いスパッタガスが基板裏面側へ侵入するのを抑制し、また基板裏面側での放電形成を防止すること。 - 特許庁

To provide an electrode consisting of an Ag alloy thin film having excellent adhesion, a target for sputtering for depositing the thin film, and an organic EL(electro luminescence) element using the thin film.例文帳に追加

密着性に優れたＡｇ合金薄膜からなる電極、この薄膜を形成するためのスパッタリング用ターゲット、及びこの薄膜を用いた有機ＥＬ素子の提供。 - 特許庁

The target for sputtering is composed of an oxide sintered compact comprising NbOx and TiOx, and Ti is incorporated therein in such a manner that the atom presence ratio thereof lies in the range of 70 to 90%.例文帳に追加

本発明のスパッタリング用ターゲットは、ＮｂＯxとＴｉＯxとを含む酸化物焼結体とし、Ｔｉをその原子存在比率が７０〜９０％の範囲で含有させる。 - 特許庁

To provide an ionization sputtering method for forming a deposited film on a soft substrate such as a resin substrate, with a small film stress, high bottom coverage, and at high deposition speed.例文帳に追加

樹脂基板などやわらかい基板に膜応力が小さくボトムカバレッジ率が高く、また高い成膜速度で堆積膜を形成するイオン化スパッタ法を提供する。 - 特許庁

Compared to the case of the bonding type of a backing plate, the cooling performance of the target 5 is improved, high speed sputtering is made possible, and the remarkably improvement of the productivity can be realized.例文帳に追加

バッキングプレートのボンディングタイプに比べてターゲット５の冷却性能が向上し、高速のスパッタリングが可能になり、大幅な生産性向上を実現可能とした。 - 特許庁

Surfaces of the resin-formed ink guides 14 and the head substrate 12 are coated with a protecting layer 38 of diamond-like carbon by a thin film formation method such as the sputtering method or CVD method.例文帳に追加

スパッタ法又はＣＶＤ法などの薄膜形成方法により、樹脂製のインクガイド１４及びヘッド基板１２の表面を、ダイアモンドライクカーボンの保護層３８で被覆する。 - 特許庁

To provide an opening/closing device of a vertical sputtering cathode whose maintenance operation is efficiently performed by easily securing a space for maintenance in accordance with increase in the size of a substrate.例文帳に追加

基板の大型化に対応してメンテナンス時のスペースを容易に確保して効率的にメンテナンス作業を行うことが可能な縦型スパッタリングカソード開閉装置を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-chamber type sputtering apparatus capable of improving its productivity by shortening the carrying time when a base board is carried in and carried out of a vacuum chamber.例文帳に追加

真空チャンバに対し基板を搬入し搬出する際の搬送時間を短縮して生産性を向上させることのできるマルチチャンバ型のスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

By the additon of water, the oxidation of sputtering particles is promoted, so that the metallic oxide thin film formed on the substrate W is made into the one small in absorption and having high quality.例文帳に追加

水分の添加によってスパッタリング粒子の酸化が促進されるため、基板Ｗに成膜される金属酸化物薄膜は吸収の少ない高品質なものとなる。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin film transistor TFT1 comprises continuously forming a first protective film 16 (an Al_2O_3 layer) and an Al layer on a source-drain electrode 15 in this order by using a sputtering method.例文帳に追加

ＴＦＴ１の製造プロセスにおいて、ソース・ドレイン電極１５上に、第１保護膜１６（Ａｌ_2Ｏ_3層）とＡｌ層とをこの順に、スパッタリングにより連続的に成膜する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the titanium oxide nanotube, a titanium thin film or a titanium oxide thin film having ≤1μm thickness is deposited on the substrate composed of alumina, metal titanium, stainless steel, polytetrafluoroethylene or the like by a sputtering method or the like.例文帳に追加

アルミナ、金属チタン、ステンレス鋼、ポリテトラフルオロエチレンなどからなる基板上にスパッタ法などで厚さ１μｍ以下のチタン薄膜または酸化チタン薄膜を形成する。 - 特許庁

The substrate layer is a MgO-SiO2 film formed by a ECR sputtering method and has honey-comb structure in which crystalline particles 12 of a regular hexagon of MgO are partitioned by crystalline grain boundary parts 14 of uniform width.例文帳に追加

下地層はECRスパッタ法により形成したMgO-SiO_2膜で、MgOである正六角形の結晶粒子12が、均等な幅の結晶粒界部14で隔てられたハニカム構造を有する。 - 特許庁

To reduce the surface roughness of a TiN film as a lower electrode without steps such as chemical mechanical polishing, sputtering by Ar, deposition of Ta film, etc.例文帳に追加

下部電極となるＴｉＮ膜の表面のラフネスを低減させるために、化学機械研磨、Ａｒによるスパッタリング、Ｔａ膜の堆積等の工程が必要になる。 - 特許庁

To provide a high purity titanium billet capable of obtaining a sputtering target having fine and uniform crystal grains, and to provide a method for manufacturing the high purity titanium billet, and a method for manufacturing the high purity titanium target.例文帳に追加

微細で、均一な結晶粒を有するスパッタリング用ターゲットが得られる高純度チタンビレットとその製造方法ならびにチタンターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of the occurrence of exhibit defective level formation damage in organic material film when forming an electrode material on the organic material film by a reactive sputtering method.例文帳に追加

有機物材料膜上に電極材料を反応性スパッタリング法で形成する際に、有機物材料膜に生じる欠陥準位形成ダメージが発生する。 - 特許庁

In this state, titanium oxide is vapor-deposited on the surface of the substrate 3 by sputtering, by which a thin film structural body essentially consisting of titania contg. a hydroxyl group is obtd. on the substrate 3.例文帳に追加

この状態で、チタン酸化物を基材３の表面にスパッタ蒸着することで、基材３の上に水酸基を含むチタニアを主成分とする薄膜構造体を得る。 - 特許庁

The sputtering apparatus 10 is provided with: a substrate 1 and a target 5 to be opposed to each other; and a ground shield 15 in which the area of an aperture 13 is smaller than the target area.例文帳に追加

スパッタ装置１０は、基板１とターゲット５を対向して設置し、その開口部１３の面積をターゲット面積より小さく形成したアースシールド１５を備えた。 - 特許庁

A substrate stage 12 is arranged inside a vacuum chamber 11, and a sputtering film deposition means 4 having a target is provided in such a manner that the target 41a and a treatment substrate are confronted each other.例文帳に追加

真空チャンバ１１内に基板ステージ１２を配置し、ターゲットを有するスパッタリング成膜手段４を、ターゲット４１ａと処理基板とを相互に対向させて設ける。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of efficiently performing adjusting work of dispersion in the film thickness, and preventing any deposition of particles on a substrate 5.例文帳に追加

膜厚ばらつきの調整作業を効率的に行うことが可能であり、また基板５へのパーティクルの付着を防止することが可能な、スパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring material which is extremely little in diffusion of Cu and/or Ag to adjacent Si films and low gesistance and a sputtering target for forming the same.例文帳に追加

隣接するＳｉ膜へのＣｕ及び／又はＡｇの拡散が非常に少なく、かつ、低抵抗の配線材料及びそれを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, three layers of a gate insulating film, an oxide semiconductor layer, and a channel protection film are continuously film-deposited by a sputtering method out of contact with the atmosphere.例文帳に追加

課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。 - 特許庁

To provide a sputtering technique carrying out film deposition having excellent uniformity of in-plane distribution and easily manufacturing an electronic device with excellent performances.例文帳に追加

面内分布の均一性に優れた膜を成膜することができるようにし、優れた性能の電子デバイスを容易に製造することができるようにするスパッタリング技術の実現。 - 特許庁