「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(111ページ目) - Weblio英語例文検索

The method achieves re-sputtering of the metal at the base of the recess with a sputter gas by utilizing a mixture of Ar and He and/or Ne as the sputter gas with a ratio of He and/or Ne:Ar of at least about 10:1.例文帳に追加

この方法は、ＡｒとＨｅおよび／またはＮｅの混合物をスパッタガスとして用い、Ｈｅおよび／またはＮｅ：Ａｒの比率を少なくとも約１０：１とすることによって、凹部中の底面における金属の再スパッタを達成する。 - 特許庁

The NMOS work function control metal layer 7 is formed by the sputtering method, and the film thickness in the region b which is a region in the vicinity of the edge in which a divot part 2d is provided is formed more thinly than the film thickness in the region a which is another region.例文帳に追加

ＮＭＯＳ仕事関数制御メタル層７をスパッタ法により形成され、ディボット部２ｄが設けられるエッジ近傍領域である領域ｂにおける膜厚は、他の領域である領域ａにおける膜厚より薄く形成される。 - 特許庁

The method for forming the thin film comprises a step of subjecting the film-shaped substrate to degassing treatment by heating the film-shaped substrate prior to the formation of the thin film thereon by the sputtering treatment.例文帳に追加

スパッタ処理により、フィルム状基板の表面に連続的に薄膜を形成する薄膜形成において、上記スパッタ処理による上記薄膜の形成の前に、上記フィルム状基板の加熱による上記フィルム状基板の脱ガス処理を行う。 - 特許庁

In this intermittent feed mode, feed frequency and a feed occupying ratio can be appropriately regulated and the average feed quantity of power is lowered as compared with the continuous feed mode to reduce the load to the sample due to feed and the effect of sputtering.例文帳に追加

この断続モードでは、給電周波数及び給電占有率を適宜調節可能であり、平均的な電力供給量を連続給電モードに比べて低くして、試料に対する給電による負荷及びスパッタリングの影響を低減する。 - 特許庁

To provide a sputtering technique which can greatly reduce the period of time for switching the type of the film, and effectively and stably secure the film of high quality, when forming films including a plurality of types only by switching ON/OFF of a reactive gas with a small number of targets.例文帳に追加

少数のターゲットにて反応性ガスをＯＮ／ＯＦＦするだけで複数の膜種を成膜する際に、膜の種類の切替え時間を大幅に短縮し、高品質の膜を効率的に安定して確保できるスパッタリング技術を提供する。 - 特許庁

A thin film conductor is formed on at least one out of a surface and a back of the core substrate 9a by using any one out of a vapor deposition method, an ion plating method, an ion beam method, a vapor growth method and a sputtering method and patterned, and conductor patterns 19-22 are formed by patterning.例文帳に追加

コア基板９ａの表裏面の少なくともいずれかに蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、気相成長法、スパッタリング法のいずれかによって薄膜導体を形成した後にパターニングして導体パターン１９〜２２を形成する。 - 特許庁

The objective sputtering apparatus 101 has a mask 103 which is held by a shaft 102 so as to be rotatable through a rotational drive system (not shown), in a space between a target 3 and a substrate 5 to be treated, and which is used for forming a film on a dummy substrate 5b.例文帳に追加

本発明のスパッタ装置１０１は、ターゲット３と処理基板５との間の空間に、回転駆動系（図示せず）によって回転可能に軸１０２に保持されたマスク１０３を配設しており、ダミー基板５ｂに成膜するときに用いる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magnetic recording medium wherein the magnetic layer having at least a granular structure is deposited on at least one surface of a support, the magnetic layer is deposited by a DC pulse sputtering method.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に、少なくともグラニュラ構造を有する磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、上記磁性層は、ＤＣパルススパッタ法により形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

While film formation is developed by sputtering, a grounding surface is covered with an insulation film adhered to the first adhesion preventive plate 13a and a wafer 11a, and a plasma tends to spread outwardly from a clearance between a table 12 and the double-structured adhesion preventive plates 13a and 13b.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜が進行すると、第１の防着板１３ａとウエハ１１ａとに絶縁膜が付着して接地面が見えなくなり、プラズマはテーブル１２と二重構造の防着板１３ａ，１３ｂ間の隙間から外に広がろうとする。 - 特許庁

In addition, the sputtering apparatus 10 includes a substrate stage 13 which has a heating surface for heating a substrate S and heats the substrate S while sucking it to the heating surface, and a rotary section 18 for turning the substrate stage 13 in the circumferential direction of the substrate S.例文帳に追加

また、スパッタ装置１０は、基板Ｓを加熱する加熱面を有して、基板Ｓを該加熱面に吸着しながら加熱する基板ステージ１３と、基板ステージ１３を基板Ｓの周方向に回転させる回転部１８とを備えている。 - 特許庁

To provide a sputtering target for vertical magnetic recording medium film formation having high leakage magnetic flux density for forming a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium of a hard disk, particularly for forming a magnetic recording film applied to a vertical magnetic recording medium.例文帳に追加

ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The sputtering rates of the targets 21a, 21b are calculated and the pulse electric power, pulse amount and pulse width applied to the respective targets 21a, 21b and the amount of oxygen flowing into a cover 26 and the pressure in the cover are controlled based on the results of the calculation.例文帳に追加

各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に導入する酸素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 - 特許庁

This sintered body MgO sputtering target is the one in which the average crystal grain size is ≤10 μm, sintered body density is ≥3.0 g/cm3, deflective strength is ≥100 kgf/mm3 and the center line average roughness Ra in the target surface is ≤1 μm.例文帳に追加

平均結晶粒径１０μｍ以下、焼結体密度３．０ｇ／ｃｍ^3以上、抗折力１００ｋｇｆ／ｍｍ^2以上、ターゲット表面の中心線平均粗さＲａ：１μｍ以下であることを特徴とする焼結体ＭｇＯスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The protective film for the optical disk containing In, Ce and O by elemental analysis and having an atomic ratio of In to Ce of 1:0.08 to 0.35 is obtained by using a sputtering target for forming the protective film containing 10 to 40 mass% CeO_2 and the balance In_2O_3.例文帳に追加

ＣｅＯ_2 を１０〜４０質量％含み、残部がＩｎ_2Ｏ_3からなる保護膜形成用スパッタリングターゲットを用いて、元素分析でＩｎと、Ｃｅと、Ｏとを含み、ＩｎとＣｅとの原子比が、１：０．０８〜０．３５である光ディスク用保護膜を得る。 - 特許庁

In the thin film solid secondary battery, a negative electrode active material is set up to be niobium oxide, a negative electrode collector is set up to be niobium, and a negative electrode active material layer 5 and a negative electrode collector layer 6 are continuously deposited with DC sputtering by using the same niobium metal target.例文帳に追加

薄膜固体二次電池において、負極活性物質をニオブ酸化物、負極集電体をニオブとし、同一のニオブ金属ターゲットを用い、ＤＣスパッタリングにより負極活物質層５と負極集電体層６を連続成膜する。 - 特許庁

When a metallic film layer and a dielectric film layer are formed in a laminate shape on a plate-shaped substrate raw material to constitute an optical film layer, a target material is sputtered with an inert gas onto a surface and a rear surface of the substrate to form a coating film of sputtering particles.例文帳に追加

平板形状の基板素材上に金属膜層と誘電体膜層を積層状に形成する際に、この光学膜層を基板表面と裏面にターゲット物質を不活性ガスでスパッタリングしてスパッタ粒子で被膜を形成する。 - 特許庁

When niobium metal is used as a target and a niobium oxide thin film is deposited on the surface of a base material by a sputtering method, the amount of a reactive gas to be introduced is controlled by a plasma emission monitoring (PEM) method, and the strength of plasma generated from the niobium metal is controlled.例文帳に追加

ニオブメタルをターゲットとして、スパッタリング法により基材表面に酸化ニオブ薄膜を成膜する際に、プラズマエミッションモニタリング（ＰＥＭ）法により反応性ガスの導入量を調整し、前記ニオブメタルから発生するプラズマの強度を制御する。 - 特許庁

In the method for producing a color filter, a metallic mask is laid on a transparent substrate on which a metallic black matrix and color pixels have been formed and sputtering is carried out while electrically connecting the metallic black matrix and the metallic mask to form a transparent electrically conductive film.例文帳に追加

メタルブラックマトリクスおよびカラー画素が形成された透明支持体に、メタルマスクを重ねて、該メタルブラックマトリクスと該メタルマスクとが電気的に接続された状態でスパッタリングを行うことにより透明導電膜を形成するカラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

To provide a sputtering system by which uniform film thickness distribution from the innermost peripheral part toward the outermost peripheral part of a film-deposition object can be attained, to provide a manufacturing method of an optical recording medium using the same and to provide the optical recording medium.例文帳に追加

成膜対象物の最内周から最外周に向かって均一な膜厚分布を実現することができるスパッタリング装置、及び、それを用いた光記録媒体の製造方法、並びに、光記録媒体を提供すること目的とする。 - 特許庁

To enhance the commodity value of a cold cathode discharge tube by deterring occurrence of sputtering in the processing stage for stabilizing the cold cathode discharge tube to the utmost and, as a result, by avoiding the black spot and a blackening phenomenon on the inner surface of a discharge tube before the shipping of commodity as much as possible and by lengthening the life of the discharge tube.例文帳に追加

安定化処理段階でのスパッタリングの発生を極力抑止し、もって商品出荷前の放電管内面の黒点・黒化現象を可能な限り避け、放電管寿命を延ばし、商品価値を高めることにある。 - 特許庁

To enhance wear resistance, a Si film 9 deposited by a sputtering method, a DLC film deposited by a CVD method and a ta-C film 11 deposited by a cathodic arc method are successively formed on the ta-C film 8 to form a pad C having a three-layered structure.例文帳に追加

さらに、耐摩耗性を向上させるために、ｔａ−Ｃ膜８から順にスパッタ法によるＳｉ膜９、ＣＶＤ法によるＤＬＣ膜、カソーディックアーク法によるｔａ−Ｃ膜１１を成膜して、３層構造のパッドＣを形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for optical media which includes relatively inexpensive aluminum as a principle component, in which no rare earth metal is used, and which is excellent in surface smoothness, a method of manufacturing the same, and an optical medium and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディア及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of forming a magnetic layer having stable magnetic characteristics and recording and playback characteristics by improving uniformity of oxygen radical concentration distribution to make uniform the concentration of oxygen taken in the magnetic layer in an in-plane direction, in reactive sputtering.例文帳に追加

反応性スパッタリングを行う際に、酸素ラジカル濃度分布の均一性を高め、磁性層中に取り込まれる酸素濃度を面方向において一様とし、磁気特性、記録再生特性が安定した磁性層の形成方法を提供する。 - 特許庁

On the surface of a resin film 1, a silicon nitride layer 2, where nitrogen is contained in terms of 0.5-1.33 equivalent to silicon, is formed by a sputtering method, the cupreous metal layer 3 is formed, and the adhesiveness becomes satisfactory in the cupreous metal layer 3.例文帳に追加

樹脂フィルム１の表面に、シリコンに対して窒素が当量で０．５〜１．３３含まれるスパッタ法による窒化シリコン層２を形成し、さらに銅系金属層３を形成したことにより、銅系金属層３の密着性が良好となる。 - 特許庁

A patterning is made on a transparent conductive film laminate, which is made by laminating a transparent film layer of high refraction factor (a) 20 and a transparent metal film layer (b) 30 on a transparent substrate (A) 10, by a dry etching method by sputtering with an inert gas.例文帳に追加

透明基体（Ａ）１０上に、透明高屈折率薄膜層（ａ）２０及び透明金属薄膜層（ｂ）３０を積層してなる透明導電性膜膜積層体を不活性ガスによるスパッタリングによりドライエッチング法でパターニングを行なう。 - 特許庁

The conductive circuit formation method is a sputtering method where metal atoms sputtered from a target 2 provided in a cathode electrode 1 are deposited on the surface of a substrate 3, relating to the conductive circuit formation method having a process for forming a conductive film 4 to form a circuit on the substrate 3.例文帳に追加

カソード電極１に設けたターゲット２からスパッタさせた金属原子を基板３の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板３に回路形成用の導体膜４を形成する工程を有する導電性回路形成方法に関する。 - 特許庁

In the process of forming the contact plug, the substrate is held via a chuck on a stage in a chamber of a sputtering apparatus and en ESC voltage applied to the chuck is increased in three steps: a first voltage, a second voltage and a three voltage, in this order.例文帳に追加

コンタクトプラグを形成する工程では、スパッタ装置のチャンバー内のステージ上に、チャックを介して基板を保持し、チャックに印加するＥＳＣ電圧を第一の電圧、第二の電圧、第三の電圧と、この順に３段階のステップ状に増加させる。 - 特許庁

This sputtering target includes a composition that includes 1-40 atom% of Ga and 0.05-2 atom% of Na as metal components other than Se, with the rest being Cu and unavoidable impurities, wherein Na is contained in the form of sodium selenide.例文帳に追加

スパッタリングターゲットのＳｅを除く金属成分として、Ｇａ：１〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｎａがセレン化ナトリウムの状態で含有されている。 - 特許庁

The electron emission surface can be activated by removing an adsorptive substance of the electron emission surface, and the formation of a Ba-O dipole layer by means of sputtering or the like and annealing to the negative electrode base material 4 on which the alloy layer 8 is formed.例文帳に追加

また、上記合金層８を形成した陰極基材４に対し、スパッタ等とアニール処理により電子放出面の吸着物質の除去とＢａ−Ｏ双極子層の形成を行い、電子放出面を活性化することができる。 - 特許庁

To provide a sputtering target having a flat and smooth surface having a uniform composition, which is obtained by using, as a raw material, a conductive inorganic oxide powder having finer particle size and more excellent powder resistance as compared with the conventional conductive inorganic oxide powder.例文帳に追加

従来の導電性無機酸化物粉と比べ、より微粒で且つ良好な粉体抵抗を備える導電性無機酸化物粉を原料として用い、組成が均一で平滑な表面を備えるスパッタリングターゲットの提供を目的とする。 - 特許庁

To provide an electrode for a cold-cathode discharge tube and an electrode assembly for a cold-cathode discharge tube each having high resistance to sputtering, capable of extending the electrode service life, using an inexpensive material and is thereby capable of reducing the electrode cost, and having proper workability.例文帳に追加

耐スパッタ性が高くて電極寿命を長寿命化することができ、尚且つ素材が安価で電極コストを低く抑え得、加工性も良好な冷陰極放電管用電極及び冷陰極放電管用電極組立体を提供する。 - 特許庁

When the Ag alloy thin film used for an electrode wire 3 of a plasma information display element and a plasma address information display element and a lead wire of a TFT liquid crystal information display element is deposited, it is subjected to sputtering with a substrate at ≥150°C temperature.例文帳に追加

プラズマ情報表示素子、プラズマアドレス情報表示素子の電極線３やＴＦＴ液晶情報表示素子のリード線に用いられるＡｇ合金薄膜を成膜する際に、基板温度を１５０℃以上にしてスパッタリングを行う。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus capable of producing an electrolyte thin film free from damage to the surface due to energy in plasma, to provide a method for producing a solid electrolyte thin film using the apparatus, and to provide a method for producing a thin film solid lithium ion secondary battery.例文帳に追加

プラズマ中のエネルギによる表面のダメージがない薄膜電解質を製造できるマグネトロンスパッタ装置、この装置を用いて固体電解質薄膜を製造する方法、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To reduce with superior reproducibility in-plane uniformity of a TaN film to be used as a barrier layer of a semiconductor element by a method wherein the peak intensity in a specified direction measured by an X rays diffraction method is specified on the surface of a sputtering target composed of high pure TaN.例文帳に追加

Ｃｕ配線のバリア層などとして用いられるＴａＮ膜において、膜厚の面内均一性を例えば5%以下とすることが望まれており、そのようなＴａＮ膜を再現性よく得ることを可能にしたスパッタターゲットが求められている。 - 特許庁

To provide a pulsed direct-current sputtering film deposition method which can perform film deposition securing high film performance in terms of film thickness, film quality or the like on the inner wall faces of a contact hole, a through-hole, a wiring groove or the like, and to provide a film deposition apparatus for the method.例文帳に追加

コンタクトホールやスルーホール、配線溝等の内壁面に対して、膜厚や膜質などの点で高い膜性能を確保した成膜を行い得るパルス状直流スパッタ成膜方法及びこの方法のための成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a material for a protective film which does not contain S, has the refractive index and transmittance of light equal to those of a material of ZnS-20 mol% SiO_2 and is suitably used for an optical disk dealing with high recording density by allowing to have a comparatively high sputtering rate.例文帳に追加

Ｓを含まず、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ_2 並みの光の屈折率と透過率を有し、比較的高いスパッタレートを有することにより、高記録密度対応の光ディスクに用いるのに好適な保護膜用材料を提供する。 - 特許庁

In this sputtering method, when a film deposition on a first treatment substrate S is completed and then a next treatment substrate is conveyed to a position facing a target, the magnetic flux formed in front of the target is moved in parallel to the target and held, thereby performing the film deposition in this state.例文帳に追加

最初の処理基板Ｓへの成膜が終了し、ターゲットに対向した位置に次の処理基板を搬送する際に、ターゲットに前方に形成した磁束をターゲットに対して平行移動させて保持し、この状態で成膜する。 - 特許庁

To provide a recording layer (recording film) for an optical information recording medium having a high reflectivity (initial reflectivity), a high C/N ratio and a low jitter value, to provide the optical recording medium provided with the recording layer and to provide a sputtering target for use in the formation of the recording layer.例文帳に追加

反射率（初期反射率）が高く、高Ｃ／Ｎ比を有し、さらには低ジッター値を有する光情報記録媒体用記録層（記録膜）、該記録層を備えた光記録媒体及び該記録層形成用スパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus and a method therefor which enable a film having smoothed fine boundaries to be deposited, and, when a multilayer film is deposited, an EUV (extreme ultraviolet) multilayer mirror with a high reflectivity in which scattering at the boundaries of the multilayer film is suppressed to be obtained.例文帳に追加

平滑化したきれいな界面を有する膜が形成でき、多層膜を形成した場合には、多層膜界面での散乱が抑えられ高反射率のＥＵＶ多層膜ミラーを得る事ができるスパッタリング装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

To improve the lamp starting characteristic of a high pressure discharge lamp which uses a large amount of mercury and in which the amounts of mercury adhering to both electrodes are not equal to each other, to reduce the glow discharge generation time period of the lamp, and to keep electrode sputtering of the lamp to the minimum.例文帳に追加

水銀量が多く、両電極に付着する水銀量が等しくならない高圧放電ランプのランプの始動性能を改善し、グロー放電の発生時間を短縮することができ、電極のスパッタを最小限に抑制すること。 - 特許庁

A metallic target is used, and gaseous H2O or gaseous H2 is introduced into the vicinity of a substrate in addition to fluorine-contg. gas to form HF on the surface of the substrate, and a metal to be incident on the substrate by sputtering is fluorided to form a metallic fluoride thin film of high quality.例文帳に追加

金属ターゲットを用いフッ素を含むガスに加えて基板近傍にＨ_2ＯガスまたはＨ_2ガスを導入し、基板表面でＨＦを形成し、スパッタされて基板に入射する金属をフッ化し、良質な金属フッ化物薄膜を形成する。 - 特許庁

To reduce the magnetic permeability of an Fe-Co-B alloy target material for depositing a soft magnetic film used for a perpendicular magnetic recording medium, a TMR element, etc., and to provide the Fe-Co-B alloy target material having excellent sputtering characteristics.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体やＴＭＲ素子等に用いられる軟磁性膜を成膜するためにＦｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金ターゲット材の低透磁率を実現し、良好なスパッタリング特性を有するＦｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金ターゲット材を提供する。 - 特許庁

In this case, an electro-conductive metal plate larger than the molded resin article 1 is used as the holder 2, the particles generated from the target by sputtering and flying toward the article 1 are ionized by an ionizing means 5 and the holder 2 is sputtered with the generated ion.例文帳に追加

この際、ホルダー２として樹脂成形品１よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲット３からのスパッタで発生して樹脂成形品１に向かう粒子をイオン化手段５でイオン化し、該イオンで上記ホルダー２をスパッタする。 - 特許庁

In a sputtering target 14 made of a magnetic material with the magnetic field applied via a backing plate 12, as to the face to be sputtered, the vicinity of a magnetic flux concentration region 14a where the formation of erosion grooves is forecast is provided with grooves 18, 22, 26 and 30 for magnetic flux leakage.例文帳に追加

バッキングプレート１２を介して磁界が印加される磁性材製のスパッタリングターゲット１４において、スパッタ面には、エロージョン溝の形成が予想される磁束集中領域１４ａの近傍に磁束漏洩用の溝１８，２２，２６，３０を設ける。 - 特許庁

To prepare an amorphous Si thin film produced on a substrate by atmospheric plasma CVD capable of film deposition at a high speed ≥10 times that in the conventional film deposition methods such as an RF sputtering method and a plasma CVD method under the reduced pressure.例文帳に追加

ＲＦスパッタリング法、減圧下でのプラズマＣＶＤ法等の従来の成膜方法による成膜速度より１０倍以上の高速成膜が可能な大気圧プラズマＣＶＤによって基板上に作製したアモルファスＳｉＣ薄膜を提供する。 - 特許庁