「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(115ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an Ag-alloy film for electronic parts which combines low electric resistance, heat resistance, corrosion resistance, adhesion to substrates, and pattering characteristics, a sputtering target material for depositing the Ag-alloy film, and a flat panel display device having low power consumption.例文帳に追加

低い電気抵抗と耐熱性、耐食性、そして基板への密着性およびパタニング性を兼ね備えた電子部品用Ａｇ合金膜とそのＡｇ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材および低消費電力な平面表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for predicting film thicknesses capable of predicting the film thicknesses with good accuracy when a collimator is disposed between a target and a substrate and thin films are formed by sputtering and a deposition method which can form the thin films having a uniform film thickness distribution.例文帳に追加

ターゲットと基板の間にコリメータを配設してスパッタを行うことにより薄膜を形成する場合に、精度よく膜厚を予測することが可能な膜厚予測方法及び膜厚分布が均一な薄膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a slide shutter apparatus for vacuum film deposition in which a shutter is placed in a vacuum chamber, the position of the shutter is finely adjusted, and the operational range is reduced in addition to the consistent and smooth operation when depositing crystal by using a vacuum device such as a sputtering apparatus and a vacuum vapor deposition apparatus.例文帳に追加

本発明は、スパッタ装置及び真空蒸着装置などの真空装置を使い、結晶を堆積させる際、シャッタを真空のチャンバー内部に入れ、安定かつスムーズな動作に加え、シャッタの位置の微調整、動作範囲の縮小するようにすること。 - 特許庁

A cathode is formed first, and a luminous layer is formed by deposition, followed by forming by sputtering of an anode, forming by deposition of multi-layer interference layers, and coating of a protective layer, and finally, a package is completed as well as a device test is carried out to complete the organic EL full color panel.例文帳に追加

先にカソードを形成し、更に発光層を蒸着形成し、さらにアノードをスパッタ形成し、さらに複数層の干渉層を蒸着形成し、さらに保護層を塗布し、最後にパッケージ完成し並びにデバイス試験を行い有機ＥＬフルカラーパネルを完成する。 - 特許庁

To provide a target for sputtering capable of depositing a Bi_2O_3 based glass thin film in a stable composition for a long time, and also, with high reproducibility even regarding its physical properties such as the index of refraction, to provide its production method, and to provide a method for depositing a thin film for an optical waveguide.例文帳に追加

Ｂｉ_２Ｏ_３系ガラス薄膜を長時間にわたって、安定した組成で製膜でき、屈折率等の物性についても再現性よく製膜できるスパッタリング用ターゲット、その製造方法及び光導波路用薄膜の形成方法の提供。 - 特許庁

To provide an Al alloy film for a wiring film, which is applicable to a high-definition large-sized TV and such various flat display devices as to be processed in a low temperature, and has low resistance and high reliability, and to provide a sputtering target for forming the Al alloy film.例文帳に追加

高精細な大型ＴＶや低いプロセス温度の種々の平面表示装置に適応可能なより低抵抗で高い信頼性を有する優れた配線膜用Ａｌ合金膜とそのＡｌ合金膜を形成するためのスパッタリング用ターゲットを提供する。 - 特許庁

Owing to the configuration, the sputtering apparatus can deposit a film without excessively increasing potential difference for plasma, while keeping discharge by controlling a current passing from the inside of the plasma into the shield 11A, and can effectively erode the target 2 up to the peripheral part.例文帳に追加

この構成により、プラズマ中よりシールド１１Ａに流れる電流を制御して、放電を維持しつつ、プラズマの電位差を過剰に大きくすることなく成膜することが可能になり、ターゲット２の外周端部まで効果的に侵食させることができる。 - 特許庁

On the faces of the transparent substrates 2 and 3, which are in contact with the liquid crystal layer 4, transparent electrodes for driving the liquid crystal are formed by, for example, a sputtering method such that an orientation process is performed in the direction of the arrow A so that the liquid crystal includes a pre-tilt angle.例文帳に追加

透明基板２及び３の液晶層４に接する面には、液晶を駆動するための透明電極がスパッタ等の方法で形成され、液晶が所定のプレチルト角をもつように矢印Ａで示す方向に配向処理が施されている。 - 特許庁

An ideal RU target material is obtained as a magnetic recording medium through decreasing significantly the generation of foreign matters and the deterioration with time at sputtering time that depends on the crystal grain diameter of the target material and in addition, maintaining the strength by making the average crystal grain diameter 100 μm or smaller.例文帳に追加

平均結晶粒径を１００μｍ以下とすることで、ターゲット材の結晶粒径に依存するスパッタ時の異物の発生や経時変化を著しく低減し、さらに強度も保持された磁気記録媒体用として好適なＲｕターゲット材を得た。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a transparent electroconductive film that has five or more protrusions with a height of 20 nm or higher per unit square micrometer on the surface, and satisfies resistivity, heat resistance and moisture resistance, which are required to the transparent electroconductive film used for a touch panel.例文帳に追加

表面に２０ｎｍ以上の突起を１μｍ^２あたり５個以上有し、かつ、タッチパネル用の透明導電膜に要求される抵抗率、耐熱性、耐湿性を満足する透明導電膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide an optical recording layer for an optical information recording medium and the optical information recording medium, which are excellent in recording sensitivity characteristics, reflectivity characteristics and environment-resisting characteristics and can be applied to a next-generation type optical disk, and a sputtering target useful for forming the recording layer.例文帳に追加

記録感度特性、反射率特性、耐環境特性に優れており、次世代型の光ディスクに適用可能な光情報記録媒体用光記録層と光情報記録媒体、並びに該記録層の形成に有用なスパッタリング・ターゲットを提供すること。 - 特許庁

After a thin-film semiconductor layer 3 is formed, a flat transparent conductive film 4a is formed on the thin-film semiconductor film 3 by the sputtering method, the surface of the formed rear surface transparent conductive film is dipped into a dilute hydrochloric acid or a dilute acetic acid, and at the same time ultraviolet rays are selectively applied to the surface.例文帳に追加

薄膜半導体層３形成後その上にフラットな透明導電膜４ａをスパッタ法で形成し、形成した裏面透明導電膜表面を希塩酸または希酢酸に浸すとともに、その表面に紫外線を選択的に照射する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical information recording medium capable of controlling variation in recording sensitivity and stabilizing the quality by managing the time after a substrate is molded until sputtering is started and minimizing influence of gas and moisture adsorbed to the substrate as much as possible.例文帳に追加

基板成形後からスパッタ開始までの時間を管理し、基板に吸着したガスや水分の影響を極力小さくすることにより、記録感度のばらつきを制御し、品質を安定化させることが可能な光情報記録媒体の製造方法の提供。 - 特許庁

The cathode unit 15 includes: a target material 17 arranged in a sputtering chamber 13; a backing plate 19 to which the target material is attached; and a magnet 29 arranged on the back side of the backing plate at predetermined intervals, wherein the cathode unit has a magnetic field strength-adjusting mechanism 100.例文帳に追加

スパッタ室１３内に配置されたターゲット材１７と、ターゲット材が取り付けられる裏板１９と、裏板の裏面側に所定距離離間して配置された磁石２９と、を備えたカソードユニット１５において、磁場強度調整機構１００を有している。 - 特許庁

The exposure mask blank 10b for the manufacture of a liquid crystal display device is produced by depositing a translucent film 21B containing a Ti and W film by reactive sputtering on a transparent substrate 11 and further depositing a light shielding film 31 consisting of a Cr and Cr oxide film.例文帳に追加

透明基板１１上に、反応性スパッタにてＴｉ及びＷ膜を含む半透過膜２１Ｂを成膜し、さらにＣｒ及び酸化Ｃｒ膜からなる遮光膜３１を形成した液晶表示素子製造用の露光マスク用ブランク１０ｂを作製する。 - 特許庁

In the step, the metal substrate is set in a position between two targets placed in parallel with each other so that the metal substrate is rotated by 90 degrees with respect to faces of the targets, and the intermediate layer is formed on both the faces of the metal substrate by off-axis sputtering.例文帳に追加

金属基板を、互いに平行に配置された２つのターゲットの間に、ターゲットと９０度回転した位置に配置して、オフアクシススパッタ法を用いて、金属基板の両面に中間層を成膜する薄膜超電導線材用金属基材の製造方法。 - 特許庁

A passivation film 11 (film for preventing diffusion of movable ions) is formed on the surface of the device side of a glass substrate 10 by a sputtering method, a CVD method, a dipping method or the like in order to intercept the thermal diffusion of Na ions in the substrate 10 to the surface of the device side of the substrate 10.例文帳に追加

ガラス基板１０のデバイス側表面には、基板１０中のＮａイオンの該デバイス側基板表面への熱拡散を遮断すべく、スパッタ法、ＣＶＤ法、ディップ法等により形成されたパッシベーション膜１１（可動イオン拡散防止膜）が成膜されている。 - 特許庁

In the metal masks 52 for sputtering used at the time of depositing a transparent conductive film on a color filter substrate, and in which each part as the object for film deposition is opened, each side in contact with the color filter substrate is provided with projecting parts 75 formed so as to be a pattern shape using a resin.例文帳に追加

カラーフィルタ基板上に透明導電膜を形成する際に使用する、成膜対象となる部分が開口されたスパッタリング用メタルマスク５２で、カラーフィルタ基板と接触する側に、樹脂を用いてパターン状に形成された凸部７５を設けたこと。 - 特許庁

A conductor layer 13 is formed on the insulating layer 15 through a metallizing method such as plating, sputtering or the like, and a wiring pattern 14 electrically connected to the connection terminal 4 of the electronic part 3 at openings 12 provided to the insulating layer 15 is formed by etching.例文帳に追加

絶縁層１５上にメッキおよびスパッタリング等のメタライズ法により導電体層１３を形成してエッチングすることによって、絶縁層１５の開口部１２において電子部品３の接続端子４と電気的に接続された配線パターン１４を形成する。 - 特許庁

A c-axis oriented crystal niobium oxide is used as a capacity insulating film, and the oxygen content especially during deposition is controlled by, for example, adjusting the oxygen gas ratio in the sputtering gas, thus forming a film where the a-axis orientation peak is not shown but the c-axis orientation peak is preferred.例文帳に追加

容量絶縁膜として、ｃ軸配向した結晶酸化ニオブを用い、特に成膜時の酸素含有量を、例えば、スパッタガスにおける酸素ガス比を調整することで制御して、a軸配向ピークを示さず、ｃ軸配向ピークが優先した膜を形成する。 - 特許庁

This film-forming method includes the steps of: introducing an inert gas such as argon gas from an inlet 11 for a sputtering gas into a chamber 20; producing sputtered particles by electric discharge generated between an anode 13 and a cathode 15; transporting the sputtered particles to a substrate 16 by a forced flow of the inert gas such as argon; and depositing them on the substrate 16.例文帳に追加

スパッタガス導入口１１からチャンバー２０内にアルゴン等の希ガス等を導入し、アノード１３とカソード１５との間の放電で発生したスパッタ粒子をアルゴン等の希ガス等の強制流により基材１６まで輸送し堆積させる。 - 特許庁

As the scatter of the electron emission material 5 due to a sputtering is reduced, and a necessary quantity of electron emission material is held on the electrode 3, a dark place break-down voltage characteristics and a discharge delay time characteristics are improved.例文帳に追加

電子放射性物質５のスパッタリングによる飛散が減少して、寿命保証期間を通じて必要量の電子放射性物質５が電極３上に支持されているので、暗所放電開始電圧特性および暗所放電遅れ時間特性が良好になる。 - 特許庁

A first dielectric layer 2 as a lower protective layer, a recording layer 3, a second dielectric layer 4 as an upper protective layer, a third dielectric layer 5 and a reflecting and heat releasing layer 6 are formed in this order by sputtering on a polycarbonate substrate 1 with a guide groove.例文帳に追加

案内溝を有するポリカーボネート基板１上に、スパッタリング法により下部保護層として第１の誘電体層２、記録層３、上部保護層としての第２の誘電体層４、第３の誘電体層５および反射放熱層６をこの順に製膜する。 - 特許庁

In this method for manufacturing the tungsten sputtering target, tungsten powder of 2 to 10 μm particle size is filled into a metallic capsule and pressed by means of a cold press and then encapsulation is performed in vacuum and successively the resultant capsule is subjected to hot isostatic pressing (HIP) treatment.例文帳に追加

金属製のカプセルに粒径が２〜１０μｍのタングステン粉末を充填後、常温プレスにて該粉末を加圧し、その後、真空中にてカプセリングし、続いて、該カプセルを熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ）処理し、スパッタリング用タングステンターゲットを製造する方法。 - 特許庁

To provide a target of high-purity nickel or a nickel alloy for magnetron sputtering, which gives excellent uniformity (uniformity of film thickness) to a film and facilitates the ignition (ignition) of plasma even in a manufacturing process with the use of a wafer of 300 mm, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the deposit-up type sputtering vapor deposition apparatus, a fixing tool comprising a substrate fixing part to prevent a substrate from being dropped even when the substrate is mounted upside down, and a magnet part to fix the substrate to any point of a substrate stage is used.例文帳に追加

デポアップ型スパッタ蒸着装置において、基板を逆さにとりつけても、基板が落下しないようにする基板固定部分と、基板が基板ステージのどこにでも固定できるようにするためのマグネット部分からなる固定器具を用いたことを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a resistance thin film having high high temperature stability and satisfactory resistance temperature properties which have not been realized by the conventional Ni-Cr-Al-Si alloy, to provide a metal resistor material for obtaining the resistance thin film, and to provide a sputtering target.例文帳に追加

従来のＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金では実現することができなかった高い高温安定性と良好な抵抗温度特性を有する抵抗薄膜、該抵抗薄膜を得るため金属抵抗体材料及びスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The magnetic thin film and a sputtering target or a deposition material is constituted by Pt of 40 to 60 at%, Fe of 40 to 60 at%, and P of 0.05 to 1.0 at%, and further in some cases Cu and/or Ni of 0.4 to 19.5 at%.例文帳に追加

Ｐｔ ４０〜６０ａｔ％、Ｆｅ ４０〜６０ａｔ％およびＰ ０．０５〜１．０ａｔ％ならびにさらに場合によりＣｕおよび／またはＮｉ ０．４〜１９．５ａｔ％より構成される磁性薄膜およびスパッタリングターゲットまたは蒸着材料。 - 特許庁

In a sputtering system having a driving part rotating a magnetron unit 31 around a rotary axis 38 passing through the point on an erosion face 16a as the center, the unit 31 has a magnet part 43 provided on one of regions separated by the face including the rotary axis 38.例文帳に追加

エロージョン面(16a)上の点を通過する回転軸(38)を中心にしてマグネトロンユニット(31)を回転する駆動部を有するスパッタリング装置において、ユニット(31)は、回転軸(38)を含む面によって分離される領域(32a)のいずれか一方に設けられたマグネット部(41,43,47a,49a)を有する。 - 特許庁

To provide a reflective film composed of an Ag-based alloy, which never causes a whitened portion or roughing of the whitened portion while having high reflectivity even when a defect is present in the film, and to provide a sputtering target material or a vapor deposition material for forming the same.例文帳に追加

高い反射率を有しながら、膜に欠陥が存在していても、白濁部が発生したり白濁部が粗大化しないＡｇ基合金からなる反射膜およびそれらを形成するためのスパッタリングターゲット材または蒸着材料を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a patterned medium which can efficiently fill magnetic substance deep into fine pores, even if a sputtering method is employed for filling the magnetic substance into the fine pores of a porous layer, has very few impurities and has a magnetic substance layer of a high coercive force.例文帳に追加

多孔質層の細孔への磁性体の充填にスパッタ法を用いても細孔の奥まで効率よく磁性体を充填することができ、不純物が極めて少なく、保磁力の高い磁性体層を有するパターンドメディアの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this vanadium sputtering target, the ratio of the crystal orientation of the (110) face in the target surface is ≥70%, the ratio of the crystal orientation of the (200) face is ≤20%, and also, the ratio of the crystal orientation of the (211) face is ≤20%.例文帳に追加

バナジウムスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット表面の（１１０）面の結晶方位比率が７０％以上であり、（２００）面の結晶方位比率が２０％以下であり、かつ（２１１）面の結晶方位比率が２０％以下であることを特徴とする、スパッタリングターゲット。 - 特許庁

Additionally, each quartz chip is etched for rough adjustment of the frequency, an electrode film is formed by sputtering or the like, packaging of a package is carried out for adjusting the frequency, and the package is sealed, thus completing a quartz oscillator that can realize high frequency.例文帳に追加

更に、各水晶チップをエッチングして周波数の粗調整を行い、スパッタリング等により電極膜を形成し、パッケージに実装して周波数調整を行い、パッケージを封止することにより、高周波化を実現可能な水晶振動子が完成する。 - 特許庁

A magnet 1a at the rear of a target and a magnet 1b confronted therewith are set so as to repel each other by allowing the same pole to be confronted in such a manner that the magnetic field in the film depositing face is made zero with the film depositing face 12 in a base material 11 between, then the sputtering is performed.例文帳に追加

基材１１の成膜面１２を挟んで、当該成膜面における磁界がゼロとなるように、ターゲット背後の磁石１ａと、これに対向する磁石１ｂとを、その同極同士を対向させて互いに反発するように設置して、スパッタリングを行う。 - 特許庁

At least a heater layer 2 and the protective coating layer 4 formed so as to protect and cover a part of the electrode layer 3 in the periphery of the heater layer 2 to form a laminated structure and one layer among those layers is formed on the support substrate 1 by a bias sputtering method (or a CVD method).例文帳に追加

支持基板１上において、少なくともヒータ層２とその周辺の電極層３の一部を保護被覆するように形成される保護被覆層４を積層構造とし、かつ、そのうちの一層をバイアススパッタ法（又はＣＶＤ法）で形成する。 - 特許庁

By using a sputtering target composed of an ITO sintered compact composed substantially of indium, tin, gallium and oxygen and contg. gallium of 0.1 to 5.0 atomic % by the ratio of Ga/(In+Sn+Ga), an ITO thin film contg. gallium of 0.1 to 5.0 atomic % by the ratio of Ga/(In+Sn+Ga) is formed.例文帳に追加

実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、ガリウムをＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の比で０．１〜５．０原子％含有するＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて、ガリウムをＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の比で０．１〜５．０原子％含有するＩＴＯ薄膜を形成する。 - 特許庁

The stud used for resistance stud-welding is constituted in such a manner that a concave part is formed parallel to the axis direction of a stud at the projection tip of the stud constituting a welding part to be used as a sputtering preventing part, and the axial center of the stud tip contacted with the stud is a cavity.例文帳に追加

抵抗スタッド溶接に用いられるスタッドが、溶接部を構成するスタッドの突起先端にスタッドの軸方向に平行に凹部を設けてスパッタ防止部とし、ワークと接触するスタッド先端の軸心部分が空洞となっていることからなる。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method comprises at least a process (1) for forming a resin film containing a polyimide on a wafer, a process (2) for inversely sputtering the resin film by argon gas and a process (3) for sealing at least a part of the resin film by seal resin in this order.例文帳に追加

少なくとも（１）ウエハ上にポリイミドを含有する樹脂膜を形成する工程、（２）前記樹脂膜をアルゴンガスで逆スパッタする工程、（３）前記樹脂膜の少なくとも一部を封止樹脂で封止する工程をこの順に有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A multilayer film filter 3 consisting of dielectric multilayer films 3a-3d is formed on the joined surface A of one 1 of a pair of prism glasses 1, 2 each having a triangularly prismatic shape and a SiO_2 film 10 is deposited on the uppermost layer of the multilayer film filter, for example, by sputtering.例文帳に追加

略三角柱形状の一対のプリズムガラス１，２のうち、一方のプリズムガラス１の接合面Ａには、誘電体多層膜３ａ〜３ｄから成る多層膜フィルタ３を形成した後、その最上層にＳｉＯ_2膜１０を例えばスパッタリングにより形成する。 - 特許庁

The multi-segmental target is used for a rocking magnet type sputtering apparatus and formed by arranging a plurality of target members on a backing plate and the grinding direction of the surface of each target member is in ≤±10° of the normal line to the rocking direction of the magnet.例文帳に追加

揺動磁石型スパッタリング装置用に用いられる、バッキングプレート上に複数のターゲット部材を配設してなる多分割ターゲットであって、各ターゲット部材表面の研削方向が、磁石の揺動方向に対する法線方向の±１０度以内にある多分割ターゲット。 - 特許庁

The above problem is cleared by forming a Cr base layer 42 with about 0.1 μm thickness of chromium on the surface 41 of the movable mold member 34 by a sputtering method, and forming a silicon-containing DLC (diamond-like carbon) film 44 with about 0.5 μm thickness on the base layer 42.例文帳に追加

上記課題は、可動側金型部材３４の表面４１に、約０．１μｍ厚のＣｒの下地層４１をスパッタ法で形成し、この下地層４１の上にシリコン含有ＤＬＣ被膜４４が約０．５μｍ厚で形成することによって達成される。 - 特許庁

This substrate for a multilayer printed board includes a first insulating layer 10 made of completely set resin having a secured thickness accuracy, an insulating layer 20 of a B stage made of semi-set resin, and a conductive layer 30 formed through sputtering on the first insulating layer 10.例文帳に追加

多層プリント基板用基材は、厚さ精度を確保した完全硬化樹脂よりなる第１の絶縁層１０と、半硬化状態の樹脂よりなるＢステ−ジの絶縁層２０と、第１の絶縁層１０にスパッタリングで形成した導電層３０を備えている。 - 特許庁

In the internal space of this inorganic insulation film 109, the second Cu film 111 is formed with the sputtering.例文帳に追加

この無機絶縁膜は、個々の配線構造内で生ずるリーク電流を遮断し、配線構造内の複数の膜102 〜106 を側面から保持するためクラック等の発生が防止され、更に有機樹脂膜103 、105 からのガスを遮断して隣接配線構造間の空間でのボイドの形成を阻害する。 - 特許庁

The coater for coating the large-area substrate by means of cathode sputtering has a coating chamber and, on the inner part, a cathode assembly 2 where material to be sputtered is rotated during a coating process and is arranged above a target 4 having a curved surface is disposed.例文帳に追加

大面積の基板を陰極スパッタによってコーティングするためのコーターであって、コーティングチャンバを有し、その内部に、スパッタされる材料がコーティングプロセス中に回転するとともに湾曲面を有するターゲット４上に配置されている陰極アセンブリ２を備える。 - 特許庁

Condensation efficiency of a lens 8 can be enhanced by eliminating overlap of gate electrode parts contiguous to the opening 6a of a light shielding film 6 thereby suppressing the height of the light shielding film 6 at that part and suppressing sputtering of light condensed through the lens 8.例文帳に追加

遮光膜６の開口部６ａに隣接するゲート電極部の重なりをなくして、その部分での遮光膜６の高さを抑制し、レンズ８で集光された光に対して、そのけられを低減することにより、レンズ８の集光効率の向上を可能とする。 - 特許庁