「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

A first chamber FL and a second chamber FH mount targets 18 made of dielectric materials having the respective refractive indices or essentially comprising conductive elements included in the dielectric materials, and low refractive index layers and high refractive index layers are formed by sputtering the targets 18.例文帳に追加

第一チャンバＦＬと第二チャンバＦＨは、それぞれ対応する屈折率を有する誘電体、あるいは、その誘電体に含まれる導体元素を主成分とするターゲット１８を搭載し、該ターゲット１８をスパッタして低屈折率層と高屈折率層を形成する。 - 特許庁

The ferromagnetic layer of which at least the surface is in an amorphous state is formed, and then the barrier layer of a magnesium oxide having a single crystalline structure wherein (001) planes are aligned in parallel with the interface throughout layers is formed by sputtering, and furthermore annealing processing is performed.例文帳に追加

少なくとも表面がアモルファス状態である強磁性層を成膜した後、スパッタリング法を用いて、全層にわたって（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムのバリア層を成膜し、更にアニーリング処理を行う。 - 特許庁

A reflective mirror 3 of the rear projection television (RPTV) includes a float glass plate (glass substrate) 1 formed to have a plate thickness of 3 mm by a float process, and a reflection enhancing film 2 constituted of aluminum (Al) formed on one surface 1a of the glass substrate 1 by a sputtering method.例文帳に追加

リアプロジェクションテレビ（ＲＰＴＶ）の反射ミラー３は、フロート製法により板厚が３ｍｍに形成されたフロートガラス板（ガラス基板）１と、ガラス基板１の一方の表面１ａに、スパッタ法により形成されたアルミニウム（Ａｌ）から成る増反射膜２とを備える。 - 特許庁

In this method for manufacturing the tungsten sputtering target, tungsten powder of 2 to 10 μm particle size is used and hot press sintering is performed in vacuum or in a reducing atmosphere to form a sintered compact, and then the sintered compact is encapsulated and successively subjected to hot isostatic pressing (HIP) treatment.例文帳に追加

粒径が２〜１０μｍのタングステン粉末を用い、真空または還元雰囲気中でホットプレス焼結にて焼結体を形成し、その後、該焼結体をカプセリング後、続いて熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ）処理し、スパッタリング用タングステンターゲットを製造する方法。 - 特許庁

An object exhibiting ferromagnetism at room temperature is installed in the vicinity of a raw material target holding face in a sputtering cathode having balance type magnetic flux arrangement, thus the magnetic flux arrangement is changed into an unbalance type, and is returned into the balance type by its removal, so that its switching is made possible.例文帳に追加

バランス型磁束配置を有するスパッタリング陰極の原料ターゲット保持面近傍に室温で強磁性を示す物体を設置することにより磁束配置をアンバランス型に変更、取り外すことでバランス型に戻すことによって、切替可能とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target assembly the crystal structure and crystal orientation properties of a target material are maintained, also, the strength of a backing plate is secured, even after diffusion joining, and the deformation of the target material and the backing plate material is not generated, and to provided its producing method.例文帳に追加

拡散接合後でも、ターゲット材の結晶組織、結晶配向性が維持され且つバッキングプレート材の強度が確保されており、そしてターゲット材及びバッキングプレート材の変形が生じていないスパッタリングターゲット組立て体、及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The sputtering target material for forming the wiring film comprises 0.2-1.5 atom% Ge and further 0.2-2.5 atom% Ni as additive elements, while controlling the total of the additive elements to 3.0 atom% or less, and the balance substantially Al.例文帳に追加

また、上記組成の配線膜用Ａｌ合金膜を得るための、Ｇｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜形成用スパッタリングタ−ゲット材である。 - 特許庁

In a target and a backing plate charged in each film deposition chamber of the sputtering apparatus having a plurality of film deposition chambers, the contours of the targets in a placed condition are common to each other, and the joining position with the backing plate is arbitrarily changed according to the thickness of the target.例文帳に追加

複数の成膜室を備えたスパッタリング装置の各成膜室に装填するターゲット及びバッキングプレートにおいて、ターゲットを載置した状態での外形をすべて共通として、ターゲットの厚みに応じてバッキングプレートとの接合位置を任意に変える - 特許庁

Next, after the large size substrate 11A where both front and rear surfaces are coated with protection layers 23, 24 is fixed on a supporting board 25 and a primary slit 26 is formed to the large size substrate 11A with the dicing process, an end surface electrode 19 is formed within the primary slit 26 with the sputtering method.例文帳に追加

次に、表裏両面に保護層２３，２４を塗布した大判基板１１Ａを支持台２５上に固定し、ダイシングにより大判基板１１Ａに一次スリット２６を形成した後、スパッタにより一次スリット２６内に端面電極１９を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayered metal laminated sheet having predetermined thickness and using no adhesive by bonding a metal sheet having a metal membrane formed thereon and a metal foil without using an adhesive by a membrane forming method such as vacuum vapor deposition, sputtering or the like, and a method for continuously manufacturing the multilayered metal laminated sheet by forming the membrane to the metal sheet and bonding the metal foil thereto.例文帳に追加

真空蒸着、スパッタリング等の薄膜形成方法により、表面に金属薄膜を形成した金属板と金属箔とを、接着剤を用いずに接合し、所定の厚みを有する接着剤レスの多層金属積層板を提供する。 - 特許庁

A Co2Si film 11 is formed on the surfaces of an N (P)-type gate silicon layer 5 (6) and an N (P)-type diffusion layer 8 (9) through high-temperature sputtering the Co2Si film 11 is turned into a CoSi film 12, and furthermore the CoSi film 12 is turned into a CoSi2 film 13 by a thermal treatment.例文帳に追加

そして、高温スパッタリングでＮ（Ｐ）型ゲートシリコン層５（６）、Ｎ（Ｐ）型拡散層８（９）表面にＣｏ_2 Ｓｉ膜を成膜し、熱処理でＣｏ_2 Ｓｉ膜１１をＣｏＳｉ膜１２に更にＣｏＳｉ膜１２をＣｏＳｉ_2 膜１３に変換する。 - 特許庁

To provide an ITO (Indium Tin Oxide) target which can avoid the generation of nodules during sputtering, has little distribution of a film-forming rate within the surface, has little change in the film-forming rate from an early stage to the final stage in service, and can provide the high film-forming rate, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

スパッタリング中のノジュールの生成が避けられ、成膜速度の面内ばらつきが小さく、使用初期から使用末期まで成膜速度の変化が小さく、高い成膜速度が得られるＩＴＯターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of forming silicon(Si) target tiles in the fabrication of a silicon film for an integrated circuit(IC) deposited by sputtering comprises a process of forming silicon tiles, and a process of beveling the edges of the silicon tiles to minimize the generation of impurity particles.例文帳に追加

集積回路（ＩＣ）用のスパッタリング堆積されたシリコン膜の製造におけるシリコン（Ｓｉ）ターゲットタイルを形成する方法は、シリコンタイルを成形する工程と、不純物粒子の生成を最小にするためにシリコンタイルの辺を処理する工程とを包含する。 - 特許庁

To manufacture a photocatalyst by modifying nitrogen doped titanium oxide with a platinum compound or carrying the platinum compound on the nitrogen doped titanium oxide at a relatively low temperature without using a large-scaled expensive apparatus such as a sputtering apparatus or the like and a complicated process such as hydrogen reduction, ultraviolet irradiation or the like.例文帳に追加

スパッタリング装置など大規模で高価な装置を用いず、また、水素還元や紫外線照射など煩雑な工程を経ずに、比較的低温で窒素ドープ型酸化チタンに白金化合物を修飾もしくは担持した光触媒体を製造する。 - 特許庁

Then the sacrifice film is removed via the through hole to secure a space between the movable structure 3 and the silicon dioxide film 5, and the through hole is sealed by forming by sputtering a film of aluminum or aluminum alloy, having high fluidity on the silicon dioxide film 5.例文帳に追加

そして、その貫通孔を介して犠牲膜を除去して可動の構造体３とシリコン酸化膜５との間に空間を形成し、シリコン酸化膜５に流動性の高いアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタ法により成膜して貫通孔を封止するようにした。 - 特許庁

In this manufacturing method for the organic electroluminescent element, a sputter protection layer is laminated on the organic substance layer provided on a first electrode on a substrate and having a light emitting layer, and the second transparent electrode is formed on the sputter protection layer using the sputtering method.例文帳に追加

有機エレクトをルミネッセンス素子の製造方法は、基板上の第１電極の上に設けられ発光層を有する有機物層の上にスパッタ保護層を積層し、そのスパッタ保護層上にスパッタリング法を利用して透明な第２電極を形成する。 - 特許庁

To provide magnetron sputtering equipment which makes use of a superior characteristic of a substrate rotation and revolution type, and effectively prevents flow of electrons into a substrate, while maintaining uniformity of thin film and high productivity, to form a film at low temperature.例文帳に追加

本発明は、基板自公転方式の優れた特徴を生かし、薄膜均一性及び高い生産性を維持しつつ、効果的に電子の基板への流入を防止して低温成膜を可能とするマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a perpendicular magnetic recording medium capable of dealing with high density recording by reducing oxidation of ferromagnetic fine particles in a granular magnetic layer to suppress deterioration of magnetic characteristics and to provide a sputtering target suitable for manufacturing the perpendicular magnetic recording medium.例文帳に追加

グラニュラー磁性層内の強磁性微粒子の酸化を低減し、磁気特性の劣化を抑制することで、高密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体、このような垂直磁気記録媒体を製造するのに好適なスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the aluminum stabilized laminate, a stabilizing layer composed of metal and having 0.001 to 1μm thickness is laminated by sputtering, vapor deposition or ion plating on the whole surface of a thin film whose surface is composed of at least aluminum.例文帳に追加

表面が少なくともアルミニウムで構成される薄膜の全面に、金属で構成される厚み０．００１〜１μｍの安定化層をスパッタリング法、蒸着法またはイオンプレーティング法のいずれかの方法により積層してなるアルミニウム安定化積層体に関する。 - 特許庁

To provide a highly pure copper alloy sputtering target capable of forming a wiring film which has small wiring resistance, resistances to electro- migration and oxidation and excellent film compositional uniformity and film thickness uniformity, and to provide parts used in an apparatus for forming the thin film.例文帳に追加

配線抵抗が小さく、エレクトロマイグレーション耐性や耐酸化性に優れ、さらには膜組成均質性と膜厚均質性に優れた配線膜を形成することが可能であるような高純度銅合金スパッタリングターゲットと薄膜形成装置部品を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for the substrate for the magnetic recording material is characterized in that a barrier layer is deposited on the surface of a glass substrate by a sputtering method using plasma generated by applying alternating voltage having a pulse waveform between a pair of electrodes which are mutually oppositely disposed.例文帳に追加

相互に対向状に配設された一対の電極にパルス波形を有する交番電圧を印加して発生させたプラスマを用いたスパッタリング法によってガラス基板表面にバリアー層を形成することを特徴とする磁気記録材料用基板の製造方法。 - 特許庁

In a method for manufacturing a magnetic recording medium which has a magnetic layer and a protection layer made of a silicon nitride on at least one surface of a support, the protection layer is manufactured by reactive pulse sputtering method employing silicon as a target.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に磁性層と、窒化珪素からなる保護層を有する磁気記録媒体の製造方法において、該保護層を、珪素をターゲットとした反応性パルススパッタ法で作製することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

By making electrically float at least a part of a cylindrical body structuring a cluster generation chamber of a cluster generation device by a magnetron sputtering method, a whole or a part of its inner wall surface is made to be charged as the same polarity with the cluster having the desired polarity.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法によるクラスター生成装置のクラスター生成室を構成する筒状体の少なくとも一部を電気的に浮かせることにより、その内壁面の全部または一部を、得ようとする極性を有するクラスターと同じ極性に帯電させる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the transparent conductive film, the transparent conductive film is formed on the substrate by sputtering using the target containing zinc oxide, aluminum oxide and fluorine, wherein the content of fluorine is ≥0.1 and <0.5 atom% based on the number of all atoms.例文帳に追加

また、酸化亜鉛、酸化アルミニウム及びフッ化アルミニウムを含有し、フッ素の量が全原子数に対して０．１原子以上０．５原子％未満であるターゲットを使用し、スパッタリングにより基板上に透明導電膜を形成する透明導電膜の製造方法。 - 特許庁

An additional sputtering target comprises: (a) an integrated target surface component and core backing component, wherein the target surface component and the core backing component comprise the same target material or a material gradient; and (b) at least one surface area feature.例文帳に追加

付加的なスパッタリングターゲットは、ａ）ターゲット表面要素および芯裏打要素が同じターゲット材料を備えるかあるいは材料勾配を備える、一体型のターゲット表面要素および芯裏打要素と、ｂ）少なくとも１つの表面積形状を備える。 - 特許庁

To provide an electrode member which can increase a light output by increasing a discharge current of a discharge lamp and can suppress the consumption of mercury caused by sputtering, and to provide a cold cathode discharge lamp and a light emitting device using the electrode member.例文帳に追加

放電ランプの放電電流を増加して光出力を大きくすることができるとともにスパッタリングによる水銀の消耗を抑制し得る電極部材、この電極部材を用いた冷陰極放電ランプ及び発光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a cylindrical sputtering target by which a uniform joining layer can be formed without incorporating air when joining of a cylindrical base material and a cylindrical target material by using a joining material to remarkably reduce cracking and peeling.例文帳に追加

円筒形基材と円筒形ターゲット材とを接合材を用いて接合する際に、空気を取り込むことなく均一な接合層を形成することができ、割れ、剥離を著しく低減することができる円筒形スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

A resin layer composed of a fluorine-based resin is formed at least on one face of a polyester base cloth, and a metal layer made of stainless steel, chromium or titanium is formed on the surface of the resin layer by the sputtering method, so as to obtain the targeted polyester fiber-based textile product.例文帳に追加

ポリエステル基布の少なくとも一方の面にフッ素系樹脂からなる樹脂層を設け、かかる樹脂層の表面に、スパッタリング法に従ってステンレス、クロム又はチタンからなる金属層を設けることによって、目的とするポリエステル繊維製品を得た。 - 特許庁

To provide a copper gallium alloy suitable for a hardly cracked sputtering target material, by reducing a dispersion of a gallium concentration in an inside of an alloy ingot, even in the copper-gallium alloy ingot having a relatively high composition ratio of Ga manufactured, for example, by melting and casting.例文帳に追加

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きい銅ガリウム合金塊であっても、合金塊内部でのＧａ濃度のばらつきを少なくして、ひび割れしにくいスパッタリングターゲット材に適した銅ガリウム合金を提供する。 - 特許庁

To improve the etching rate of an oxide semiconductor film deposited by sputtering by improving the heat conductivity of a conductive oxide of a target to enable the target to increase the thickness and to prolong the life, and using the target.例文帳に追加

ターゲットの導電性酸化物の熱伝導率を向上させることによって、そのターゲットの厚さの増大を可能にして寿命を増大させ、またそのターゲットを用いることによって、スパッタリング堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にする。 - 特許庁

To provide a polyimide film having good surface properties, hardly causing winding slip, and capable of securing the surface properties of the film of preventing the winding slip in a state of a roll of a long continuous length, and hardly causing problems in sputtering and plating.例文帳に追加

本願の課題は、表面性が良好でかつ巻きズレの起こりにくいポリイミドフィルムを提供することにあり、長尺ロール状態での巻きズレを防ぎ、スパッタリングやメッキで問題が生じないフィルム表面性を確保できるポリイミドフィルムを提供することにある。 - 特許庁

To provide an electrode for a cold-cathode tube which is superior in sputtering resistance characteristics, in which life prolongation can be achieved, which can be manufactured by a simple device, greatly with ease and in a short time without requiring a large-scale installation and in which cost down of products can be achieved.例文帳に追加

耐スパッタリング性に優れ長寿命化を図れるとともに、大掛かりな設備を必要とすることなく、簡単な装置で、極めて容易に、かつ短時間で製作することができ、製品の低コスト化を図れる冷陰極管用電極を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a target material for sputtering by which the early solidification in the region of a casting port during slip casting and the occurrence of a casting blowhole in the region of the casting port of a billet obtained by slip casting are suppressed to the utmost.例文帳に追加

その鋳込み成形時の鋳込み口あたりの早期凝固、及び、それによりその鋳込み成形されたビレットの鋳込み口あたりに生じる鋳込み巣をなるべく存在させないスパッタリングターゲット材の製造方法を提供することをその目的とする。 - 特許庁

A Zn particle in the targets A, B being subjected to sputtering is allowed to react with oxygen gas, and is arranged while being shifted from the axial direction of the opposing target, and is deposited on a substrate in which a gate electrode is formed for forming a ZnO film corresponding to the gate electrode.例文帳に追加

スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置され、ゲート電極が形成された基板上に堆積し、該ゲート電極に対応するようにＺｎＯ膜を形成する。 - 特許庁

This magnetic recording medium having a magnetic layer on a nonmagnetic substrate is provided with at least two substrate layer disposed between the nonmagnetic substrate and the magnetic layer, and at least one of the substrate layers is formed by an electronic cyclotron resonance(ECR) sputtering method.例文帳に追加

非磁性基体上に磁性層を有する磁気記録媒体において、前記非磁性基体と前記磁性層との間に、少なくとも２層の下地層を配設し、前記下地層のうちの少なくとも１層は電子サイクロトン共鳴（ＥＣＲ）スパッタ法により成膜する。 - 特許庁

An intermediate layer 2 with a metal layer 4 as a lower layer and a mixed layer 5 of metal and carbon as an upper layer is laminated on a surface of a substrate 1, and a diamond-like carbon film (a DLC film) 3 is deposited on the intermediate layer 2 by the unbalanced magnetron sputtering method.例文帳に追加

アンバランスドマグネトロンスパッタリング法により、基材１の表面に、金属層４を下層とし、金属と炭素との混合層５を上層とする中間層２を積層し、中間層２の上にダイヤモンドライクカーボンの皮膜（ＤＬＣ皮膜）３を形成する。 - 特許庁

In a process of forming the conductive paths by forming the first conductive film by a simple process of hardening the paste without using sputtering, chemical vapor deposition, and vacuum evaporation methods, the substrate is not exposed to vacuum and high temperature.例文帳に追加

第１導電膜を、スパッタリング法、化学気相成長法および真空蒸着法を用いないで、ペーストを塗布して硬化させるという簡単な工程によって、形成することによって導電路を形成する工程で、基板を真空および高温に曝すことがない。 - 特許庁

The electrode-protecting layer is adhesion formed by plasma sputtering from a heat resistive powder-supplying apparatus 2 a heat resistive powder which has an average particle size regulated to 20-50 μm to the measurement electrode 14 in a state yet to be heat treated while a plasma power is kept to be 20-35 kW.例文帳に追加

電極保護層は、未熱処理状態にある測定電極１４に、プラズマ電力を20〜35kWに保持させながら、平均粒径が20〜50μmに調整された耐熱性粉末供給装置２から耐熱性粉末をプラズマ溶射することで付着形成される。 - 特許庁

Furthermore, as the piezoelectric body formed so as to have the orientation by the sputtering method has high dielectric strength, a voltage applied to the piezoelectric actuator 134 is made high (one example, ≥3 kV/mm and ≤25 kV/mm), and the amount of the displacement of the vibrating plate 130 can be made large.例文帳に追加

更に、スパッタ法により配向を有するように形成された圧電体は、耐電圧が高いので、圧電アクチュエータ１３４印加する電圧を高くして（一例で３ｋＶ／ｍｍ以上、２５ｋＶ／ｍｍ以下）、振動板１３０の変位量を大きくすることできる。 - 特許庁

The magnetron sputtering device comprises a cathode 4 which is located in a vacuum chamber 2 to hold a target 3, an anode 6 for holding a substrate 5 facing the target 3 side of the cathode 4, and a magnet unit 7 located below the cathode 4 for generating the magnetic field.例文帳に追加

真空チャンバ２内にあって、ターゲット３を保持するカソード４と、このカソード４の上方にあって、カソード４のターゲット３側と対向するようにした基板５を保持するアノード６と、カソード４の下方にあって磁界を発生させるための磁石ユニット７と、からなる。 - 特許庁

The titanium target for sputtering of high purity contains 3-10 mass ppm S and 0.5-3 mass ppm Si as additive components while the purity of the target is ≥99.995 mass% except the additive components and gas components.例文帳に追加

高純度チタンターゲットであって、添加成分として、Ｓ：３〜１０質量ｐｐｍ及びＳｉ：０．５〜３質量ｐｐｍを含有し、添加成分とガス成分を除き、ターゲットの純度が９９．９９５質量％以上であることを特徴とするスパッタリング用チタンターゲット。 - 特許庁

This meshed textile product 10 is such one as to bear metallic deposit layers 3 on both sides thereof which are afforded by sputtering treatment, and be characterized by that there are formed holes 4 and the maximum shortest distance therebetween is 0.3-10 mm and the number of the holes 4 are 5-100/cm2.例文帳に追加

スパッタリング処理により金属付着層３が付着された繊維物であって、該繊維物には最大直線距離が０．３〜１０ｍｍの孔４が形成される共に、該孔４の数が５〜１００個／ｃｍ^2であることを特徴とするメッシュ繊維物１０。 - 特許庁

A first electrode and a second electrode separated from each other are formed on a substrate and after stacking a silicon layer in which amorphous silicon and polycrystalline silicon exist mixedly by the sputtering method or the chemical vapor deposition method, a semiconductor is formed by patterning the silicon film.例文帳に追加

基板上に互いに分離されている第１及び第２電極を形成し、非晶質と多結晶シリコンとが混在するシリコン膜をスパッタリング法または化学気相蒸着法で積層した後、前記シリコン膜をパターニングして半導体を形成する。 - 特許庁

When forming the nonlinear element (for example TFD 13) on the flexible plastic substrate 10, first a wiring film 141 for energization for anode oxidization is formed in a line on the plastic substrate 10 by using a mask sputtering method and a droplet discharge method.例文帳に追加

可撓性を有するプラスチック基板１０上に非線形素子（例えばＴＦＤ１３）を形成する場合に、まず、係るプラスチック基板１０の上に、マスクスパッタ法や液滴吐出法を用いて、陽極酸化のための通電用の配線膜１４１をライン状に形成する。 - 特許庁

The method includes steps of forming an Ni film 2 on a backing plate 1 made of Cu or Cu alloy; and dissolving an In raw material 3 on the Ni film 2 on the heated backing plate 1 and further solidifying it by cooling, thereby forming the In sputtering target.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕ合金製のバッキングプレート１上にＮｉ膜２を成膜する工程と、加熱されたバッキングプレート１のＮｉ膜２上でＩｎ原料３を溶解し、さらに冷却して固化させることでＩｎスパッタリングターゲットを作製する工程とを有している。 - 特許庁