「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(120ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic control sputtering target structure comprises a drive device, at least two rotation shafts and a plurality of magnetic bars, wherein the drive device is twisted on the rotation shaft to form a drive device type drive structure, and the magnetic bars are arrayed on the drive device in parallel.例文帳に追加

本発明にかかる磁気制御スパッタリング・ターゲット構造は、伝動装置と、少なくとも２つの回転軸と、複数の磁気バーとを備え、前記伝動装置は前記回転軸に巻き付かれて伝動装置式の伝動構造を形成し、前記磁気バーは前記伝動装置に並列に設けられている。 - 特許庁

Pressure before the start of sputtering is changed to low vacuum of a level of 10^-1 Pa for changing the film stress into tensile stress when a high refractive index film 15, a low refractive index film 16, a high refractive index film 17 and a low refractive index film 18 are sputtered on a resin substrate 9.例文帳に追加

樹脂基板９などに高屈折率膜１５，低屈折率膜１６，高屈折率膜１７，低屈折率膜１８をスパッタする場合に、スパッタの開始前の圧力を１０^−１Ｐａ台の低真空として、膜応力を引張応力とすることを特徴とする。 - 特許庁

A process waste 5, produced in mechanical processing with an atomic force microscope probe 3, is irradiated with a gas cluster ion beam 1, having energy that will not damage a normal pattern 6 or a glass substrate 7, but which can remove the process waste 5 which is weakly depositing thereon, so as to remove the waste by sputtering effects.例文帳に追加

原子間力顕微鏡探針３による機械加工で発生した加工屑５を正常パターン６やガラス基板７にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑５は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビーム１を照射してスパッタ効果で除去する。 - 特許庁

This is a terminal having a barrier portion against solder rising, in which the percentages of detection intensities of Ni, Au and O on the surface of the barrier portion by the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) satisfies the relationship of 30%≤Ni/Au≤60% and 50%≤O/Au at a sputtering time =0.例文帳に追加

半田吸い上がりバリア部を有する端子であって、Ｘ線電子分光法（ＸＰＳ）による該バリア部表面のＮｉ、Ａｕ及びＯの検出強度百分率がスパッタリング時間＝０のところで３０％≦Ｎｉ／Ａｕ≦６０％、及び５０％≦Ｏ／Ａｕを満足する端子。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a two-layer copper clad laminated sheet which can further inhibit oxidation discoloration after a heat treatment which raises folding resistance in the two-layer copper clad laminated sheet (two-layer CCL material) wherein a copper layer is formed on a polyimide film by sputtering and plating, and to provide the two-layer copper clad laminated sheet.例文帳に追加

ポリイミドフィルム上にスパッタリング及びメッキ処理により銅層を形成した２層銅張積層板（２層ＣＣＬ材料）において、耐折性を向上させる熱処理後に、さらに酸化変色を防止できる２層銅張積層板の製造方法及び２層銅張積層板を得る。 - 特許庁

The reactive sputtering device is provided with a wafer holder 11 on which a wafer 22 is arranged, a target 12 obliquely arranged above the wafer holder 11 deviating from its rotary shaft, and a gas introducing part 17 and exhausting port 16 respectively provided interposing the wafer holder 11 between them below the wafer holder 11.例文帳に追加

反応性スパッタリング装置であって、ウエハー２２が配置されるウエハーホルダ１１と、ウエハーホルダ１１の回転軸から外れた上方に傾斜して設けられたターゲット１２と、ウエハーホルダ１１の下方に該ウエハーホルダ１１を挟んでそれぞれ設けられたガス導入部１７と排気ポート１６とを設ける。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

The large-sized sputtering target is produced by joining together a plurality of the targets by using metallic foil containing part or whole of component elements of the targets or cooling plates, or metallic foil of the material of which the dielectric constant, magnetic permeability, and thermal conductivity are the same as or similar to those of the targets or the cooling plates.例文帳に追加

ターゲットもしくは冷却板の成分元素の一部または全部を含む金属箔、もしくは、ターゲットもしくは冷却板と誘電率、透磁率、熱伝導率の同一または近似の材質の金属箔を使用して複数のターゲットを繋ぎ合わせて大型のスパッタリングターゲットを作製する。 - 特許庁

The magnetic random access memory comprises a lower electrode 20; the magnetoresistance effect element 23 which is formed above the lower electrode 20 and has side faces; and a protective film 24 which covers the side faces of the magnetoresistance effect element 23, and has the same flat shape as that of the lower electrode 20, and is formed by a sputtering method.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極２０と、この下部電極２０の上方に設けられ、側面を有する磁気抵抗効果素子２３と、この磁気抵抗効果素子の側面を覆い、下部電極２０と同一の平面形状であり、スパッタ法で形成された保護膜２４とを具備する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for oxide film formation which can increase production efficiency of a metal oxide film, e.g. an optical thin film etc. by inhibiting a decrease in film-forming rate of the metal oxide film at sputter-deposition of the oxide film which is suitably used as an optical thin film.例文帳に追加

光学薄膜に好適な金属酸化膜をスパッタ成膜するにあたって、金属酸化膜の成膜速度の低下を抑制することによって、金属酸化膜ひいては光学薄膜等の生産効率を高めることを可能にした酸化膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a solar cell having a constituent layer of a (Zn, Al)O-based transparent electrode layer, having a high volume resistivity and thus contributing to the improvement of the efficiency of photoelectric conversion: and to provide a ZnO-Al_2O_3-based sputtering target for use in forming the (Zn, Al)O-based transparent electrode layer.例文帳に追加

低い体積抵抗率を有し、もって光電変換効率の向上に寄与する（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３系スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A thin film prepared by dispersing metal and hetero-phase component incompatible with the metal is formed on the substrate composed of a material incompatible with the metal by a sputtering method or vacuum vapor deposition method in such a manner that the volume fraction of the hetero-phase component attains 20 to 65% and the thickness attains ≥1 μm.例文帳に追加

スパッタリング法または真空蒸着法により、金属と、該金属と相溶しない異相成分とが分散してなる薄膜を、前記異相成分の体積分率が２０〜６５体積％、厚さが１μｍ以上となるように、前記金属と相溶しない材質からなる基板上に形成する。 - 特許庁

In particular, the barrier container according to Claim 1, which has the ceramic thin film formed by a CVD method or a PVD method such as sputtering method or vapor deposition method, or the barrier container with a composition of the ceramic thin film mainly containing silicon oxide, diamond-like carbon or alumina is preferable.例文帳に追加

特に、セラミック薄膜がＣＶＤ法またはスパッタ、蒸着等のＰＶＤ法で形成されていることを特徴とする請求項１記載のバリア性容器や、セラミック薄膜の組成が酸化珪素、ダイヤモンドライクカーボンまたはアルミナを主成分とすることを特徴とするバリア性容器が好ましい。 - 特許庁

The method of forming the Ru film includes a step of giving a predetermined bias potential to a substrate 20 when a non-magnetic Ru film interposed between a pair of ferromagnetic films is formed by a sputtering method, in the case that the tunnel magnetoresistance effect layer is formed on the substrate 20.例文帳に追加

本発明は、基板２０上にトンネル磁気抵抗効果多層膜を形成する場合において、一対の強磁性膜に挟まれる非磁性Ｒｕ膜をスパッタリング法によって形成する際、前記基板２０に所定のバイアス電位を与える工程を有するものである。 - 特許庁

To provide a metal particulate-dispersed composite of nanosize capable of producing a thin film in which particulates are dispersed in such a manner that the particle sizes are uniform and fine using a vacuum film deposition process such as an electron beam vapor deposition process and a sputtering process where uniform film deposition is possible, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

均一な成膜が可能である電子ビーム蒸着法やスパッタリング法等の真空成膜法を用い、かつ微粒子サイズが均一かつ微細に分散した薄膜を作製することができる、ナノサイズの金属微粒子分散複合体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the barrier layer, a target formed of Ti and a rare gas are introduced, then a plasma atmosphere is formed and a first metal layer is formed by sputtering the target, and a gas containing an oxygen gas and a nitrogen gas is introduced into a treating chamber to subject the surface of the first metal layer and the surface of the target to oxynitriding treatment.例文帳に追加

バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。 - 特許庁

A thin film layer 16 is made up by depositing an inorganic material such as Ni or the like on the probes 13 on the substrate 11 in a sputtering process or a vacuum evaporation process, and a support layer 17 is made up on the upper surface of the evenly formed thin film layer 16 by depositing the same inorganic material in an electroforming process.例文帳に追加

プローブ１３の上から基板１１状にＮｉ等の無機物質をスパッタリングや真空蒸着によって堆積させて薄膜層１６を形成し、平坦に形成された薄膜層１６の上面に同じ無機物質を電鋳法により析出させて支持層１７を形成する。 - 特許庁

The method of mounting the large-size substrate on a carrier and manufacturing the transparent conductive thin film of ITO on the large-size substrate by sputtering is provided, wherein an O_2 gas flow rate is divided and adjusted independently in a direction perpendicular to a substrate conveying direction to manufacture the transparent conductive thin film.例文帳に追加

大型基板をキャリア上に載置して、ＩＴＯの透明導電性薄膜をこの大型基板上にスパッタリングにより形成する方法であって、Ｏ_２ガス流量を基板搬送方向に垂直な方向に独立に分割調整して透明導電性薄膜を製造する。 - 特許庁

The surface of a wood-based filler such as wood flour, etc., is previously provided with a thin film composed of a metal or an inorganic compound, especially a metal or an inorganic compound having electroconductivity and about 2-50 nm, preferably about 5-50 nm thickness by a vacuum deposition method, a sputtering method, etc.例文帳に追加

木粉等の木質系充填剤の表面に、予め真空蒸着法又はスパッタリング法等により、金属又は無機化合物、特に金属又は導電性の無機化合物からなる、厚さが２〜５００ｎｍ程度、好ましくは５〜５０ｎｍ程度の薄膜を形成しておく。 - 特許庁

To provide an Sn alloy reflection film for an optical information recording medium for only reproduction having excellent marking properties even in the case of low laser power, to provide the optical information recording medium for only reproduction and to provide a sputtering target for forming the Sn alloy reflection film for the optical information recording medium for only reproduction.例文帳に追加

低レーザパワーでもマーキング性が優れた、再生専用光情報記録媒体用Ｓｎ合金反射膜、再生専用光情報記録媒体および再生専用光情報記録媒体用Ｓｎ合金反射膜形成用のスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。 - 特許庁

The liquid crystal panel of a rear projection television (RPTV) includes a float glass plate (a glass substrate) 1 formed by a float method into the thickness of 0.2 to 1.1 mm (±0.1 mm), and a reflection enhancing film 2 comprising aluminum (Al) formed by sputtering method, on one surface 1a of the glass substrate 1.例文帳に追加

リアプロジェクションテレビ（ＲＰＴＶ）の液晶パネルは、フロート製法により板厚が０．２〜１．１ｍｍ（±０．１ｍｍ）に形成されたフロートガラス板（ガラス基板）１と、ガラス基板１の一方の表面１ａに、スパッタ法により形成されたアルミニウム（Ａｌ）から成る増反射膜２とを備える。 - 特許庁

In another way, the NiAl orientation controlled film is formed on the glass substrate by the DC magnetron sputtering method, a first intermediate film of CoCr, a second intermediate film of CoCrMn and the CoCrPt magnetic film being formed thereon sequentially and a CN protective film being formed lastly.例文帳に追加

基板上に形成されたB2（CsCl）構造、L10(AuCu I)構造、あるいはL21(Cu2AlMn)構造を有する配向制御膜、該配向制御膜上に形成されたCo基合金を含む非磁性中間膜、該非磁性中間膜上に形成されたCo基合金を含む磁性膜を有することを特徴とする磁気記録媒体とする。 - 特許庁

An SiO_2 film 48A is formed by a sputtering process on the surface of a first plate 34 before forming a nozzle for discharging a liquid droplet, then a fluorine-based water repellent film 48B is formed on the SiO_2 film 48A by a vapor deposition method and polymerized by heat to form the water repellent layer 48.例文帳に追加

液滴を吐出するためのノズルを形成する前の第１のプレート３４表面に、スパッタ法でＳｉＯ_２膜４８Ａを形成し、このＳｉＯ_２膜４８Ａの上にフッ素系撥水膜４８Ｂを蒸着法で形成した後、加熱により重合処理して撥水層４８を形成する。 - 特許庁

In this forming method of an Al wiring, a TiN film 4 which is nitrified by including N2 gas into process gas during the formation of the Ti film 2 on the semiconductor substrate 1 is formed on the Ti film 2, and thereafter the Al wiring film 3 is formed and made to reflow through the use of high- temperature sputtering.例文帳に追加

また、半導体基板１上へのＴｉ膜２の形成時にプロセスガスの中にＮ_2 ガスを混入して窒化させたＴｉＮ膜４をＴｉ膜２上に成膜させ、その後、Ａｌ配線膜３を高温スパッタリングを用いて成膜・リフローさせて成膜するＡｌ配線の形成方法である。 - 特許庁

On a transparent substrate 1, a 1st dielectric layer 2, a phase change recording layer 3, a 2nd dielectric layer 4, and a metal reflecting layer 6 are deposited by sputtering in this order and a 3rd dielectric layer 5 is deposited of a material other than sulfide between the 2nd dielectric layer and the metal reflecting layer.例文帳に追加

透明基板１上に、第１誘電体層２、相変化記録層３、第２誘電体層４及び金属反射層６をその順にスパッタ製膜してなり、第２誘電体層と金属反射層との間に硫化物以外の材料からなる第３誘電体層５を設けてなる。 - 特許庁

To provide an IZO sintered body which is high in relative density as 95% or higher by making crystal grain sizes homogeneous and fine, can be reduced in the thickness of a yellow layer generated on the surface, can be stabilized in discharge for sputtering, can obtain a stable and well reproducible transparent conductive film.例文帳に追加

結晶粒径を均一微細化し、焼結体の相対密度が９５％以上と高く、表面に出来る黄色層の厚みを低下でき、スパッタリングの放電を安定化させるとともに、安定かつ再現性よい透明導電膜を得ることのできるＩＺＯ焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide a Co-Fe-Zr-based alloy target material which is used for forming a soft magnetic film of the Co-Fe-Zr-based alloy used in a perpendicular magnetic recording medium, and has adequate sputtering characteristics and a low magnetic permeability, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The filter is manufactured, such that a high-purity ZnO target is epitaxially grown on a sapphire substrate, using the sputtering method to obtain a high-resistance ZnO film, which is further grown by doping As using the ion implantation technique or using a dopant-mixed target to obtain a low-resistance P-type 2-6 group compound semiconductor film.例文帳に追加

高純度ＺｎＯターゲットをスパッタリング法によりサファイア基板上にエピタキシャル成長させ高抵抗のＺｎＯ膜を得、さらにＡｓをイオン注入法でドーピング、または、ドーパントを混ぜたターゲットを用いて成長させる低抵抗のＰ型２−６族化合物半導体膜を得る。 - 特許庁

To provide an original plate of a metal printed circuit board which has superior heat dissipation characteristics and electric characteristics by forming an insulating layer and a thick electric conductive layer of high density on a metal board by a sputtering method for physical vapor deposition, and to provide a method of manufacturing the original plate.例文帳に追加

金属基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により絶縁層及び厚膜の高密度の電気伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電気的な特性を有する金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Ag alloy film for shielding an electromagnetic wave, which shows superior abrasion resistance and weathering resistance, and has superior visible light transparency and shielding properties for the electromagnetic wave, by suppressing coagulation of Ag, to provide a body coated with the Ag alloy film, and to provide a sputtering target for manufacturing the Ag alloy film.例文帳に追加

本発明の目的はＡｇの凝集を抑止することにより、優れた耐摩耗性，耐候性を発揮し、しかも優れた可視光透過性，電磁波シールド特性を有する電磁波シールド用のＡｇ合金膜，及び該Ａｇ合金膜を被覆したＡｇ合金膜形成体を提供することである。 - 特許庁

The plasma treatment of the surface of an insulating resin board prepared by molding a resin composition is carried out so that the surface of the insulating resin board can be activated, and the metallic coating treatment of the surface of the resin board is carried out by a method selected from sputtering, vacuum vaporization, and ion plating so that a circuit board can be manufactured.例文帳に追加

樹脂組成物を成形して作製された絶縁性の樹脂基板の表面をプラズマ処理して表面の活性化を行なった後、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる方法で樹脂基板の表面に金属被覆処理をすることによって回路基板を製造する。 - 特許庁

The first insulating layer 10 is made of the complete set resin having a high accuracy for its thickness D, the conductive layer 30 is formed through sputtering in a condition that the layer 10 is in its semi-set state prior to the complete setting of the layer 10, and a thickness E of the layer 30 is set to 0.5 μm-1 μm.例文帳に追加

第１の絶縁層１０は厚さＤを高精度とした完全硬化樹脂よりなり、導電層３０は第１の絶縁層１０が完全硬化される前の半硬化状態でスパッタリングにより形成され、層厚Ｅを０．５μｍ〜１μｍとしてなる。 - 特許庁

SILVER ALLOY, SPUTTERING TARGET, REFLECTOR FOR REFLECTION LCD, REFLECTION WIRING ELECTRODE, THIN FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, OPTICAL RECORDING MEDIUM, ELECTRO MAGNETIC WAVE SHIELD, METAL MATERIAL FOR ELECTRONIC PART, WIRING MATERIAL, ELECTRONIC PART, ELECTRONIC APPLIANCE, PROCESSING METHOD OF METAL FILM, ELECTRON OPTICAL PART, LAMINATE, AND GLASS OF BUILDING MATERIAL例文帳に追加

銀合金、スパッタリングターゲット、反射型ＬＣＤ用反射板、反射配線電極、薄膜、その製造方法、光学記録媒体、電磁波遮蔽体、電子部品用金属材料、配線材料、電子部品、電子機器、金属膜の加工方法、電子光学部品、積層体及び建材ガラス - 特許庁

To provide a target assembly capable of inhibiting generation of warpage at the time of making a target material and a backing plate into the target assembly through a bonding material, furthermore, effectively inhibiting peeling or breaking of the target material and the backing plate caused by temperature rise during sputtering, and having a high conductivity.例文帳に追加

ターゲット材とバッキングプレートをボンディング材を介してターゲット接合体とする際の反りの発生を抑制し、さらにはスパッタリング中の温度上昇に起因するターゲット材とバッキングプレートとの剥離や破壊を効果的に防止し、且つ導電性に優れたターゲット接合体を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel feed pipe having enhanced rust preventative performance structured so that even a part exposed to the outside is unlikely to be exfoliated caused by the sputtering of sand and grit etc. and that a gap in the joining part of members is applied with a coating exerting high rust preventative performance.例文帳に追加

防錆性能の向上を主眼として、第１に外部に対して露出した部分でも砂礫等の飛散による剥離を招きにくく、第２に部材相互の接合部の隙間でも高い防錆性能を発揮できる塗装を施した燃料給油管を提供する。 - 特許庁

The production method for the film comprises plasma-treating the surface of the film, sticking nickel-chrome alloy thereon by sputtering to obtain a thickness of 20-2,000 Å, sticking a thickened metal, electroplating the thickened metal, and then performing heat treatment at 200-350°C.例文帳に追加

また、前記ポリイミドフィルムの表面をプラズマ処理した後、ニッケル−クロム合金をスパッタリングにより厚さ２０〜２０００Åとなるように付着させ、次いで厚付け金属を付着させ、さらに厚付け金属を電解メッキし、さらに２００〜３５０℃の熱処理を行う金属化ポリイミドフィルムの製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the ceramic electronic component, electrode films 2 are formed by sputtering on both the surfaces of a plate type ceramic element 1 made of barium-titanate based dielectric ceramic and heat-treated at a temperature of 250 to 400°C, and then lead terminals 4 are joined with the electrode films 2.例文帳に追加

チタン酸バリウム系強誘電体セラミックスからなる板状のセラミック素子１の両面にスパッタリングにより電極膜２を形成し、電極膜２を２５０〜４００℃の温度で熱処理した後、電極膜２にリード端子４を接合する、セラミック電子部品の製造方法。 - 特許庁

A thin film of the tetragonal MgSiO_3 crystal is formed on a crystalline substrate (a silicon single crystal substrate or a substrate obtained by forming a buffer layer on the substrate) by the epitaxial growth of Mg and Si in an oxygen atmosphere using a PVD method (helicon wave reactive sputtering method or the like).例文帳に追加

結晶質下地（シリコン単結晶基板又はその上にバッファー層を形成したもの）上に、Ｍｇ及びＳｉを酸素の雰囲気中でＰＶＤ法（ヘリコン波反応性スパッタリング法など）を用いてエピタキシャル成長させることにより、正方晶ＭｇＳｉＯ_３結晶の薄膜を形成する。 - 特許庁

In a longitudinal section at the center of a base film 15 of a circular porous PTFE, a working electrode 12 is formed on a 100 nm thick Pt layer as a 1500 nm Au layer, and a counter electrode 14 and a reference electrode 13 are formed on both sides as a 100 nm Pt layer by sputtering.例文帳に追加

円形の多孔質ＰＴＦＥの基膜１５上の中央縦に、作用極１２がＰｔ層１００ｎｍ厚さ上にＡｕ層１５００ｎｍ厚さで、その両側に対極１４と参照極１３がＰｔ層１００ｎｍ厚さでスパッタリングして形成される。 - 特許庁

In sputtering, a combination of currents which flow each through the electromagnet coils 13 and 14 of the double-pole electromagnet 11 is so set as to make the diameter RB of a magnetic field discharge shape 1 to 1.5 times as large as the radius of a silicon wafer as a work 8 on which a film is formed.例文帳に追加

スパッタ時に、磁場の放電形状径ＲＢが、被成膜物８であるシリコンウエハの半径の等倍以上でかつ該半径の１．５倍以下の範囲内の値になるように、２重磁極型電磁石１１内の２つの各電磁石コイル１３，１４に流れる電流の組合わせは設定される。 - 特許庁

To provide a simple matching circuit for generating plasma, which can generate uniform plasma by high-frequency discharge by the high-frequency discharging current, can plasma process a dry etching as plasma etching or plasma CVD without sputtering.例文帳に追加

高周波電流による高周波放電によってプラズマを均一に発生させるとことができ、プラズマエッチングなどのドライエッチングやプラズマＣＶＤにおいて、スパッタを起こさずに、所定のプラズマ処理を行うことができ、しかも簡単な回路構成のプラズマ発生のためのマッチング回路を提供する。 - 特許庁

The elastic electroconductive fiber material is a knit fabric obtained by using a conjugate yarn as a part or a whole and knitting the yarn, which yarn is obtained by covering an elastic yarn with a synthetic fiber imparted with electroconductivity by a method of plating, metal deposition, sputtering or a conductive coating material.例文帳に追加

伸縮性を持つ糸を、めっき、金属蒸着、スパッタリング、導電塗料のいずれか一つの方法で導電性を持たせた合成繊維でカバーリングした複合糸を、全部、または一部に用いて製編された編物であることを特徴とする、伸縮性導電繊維材料である。 - 特許庁

A first underlayer 12a, a Cr-Mn layer 15, a second underlayer 12b, a magnetic recording layer 13 of a Co alloy and a carbon protective layer 14 are successively deposited by DC magnetron sputtering on a nonmagnetic substrate 11 of an aluminum alloy having an Ni-P plating layer in a circumferential direction.例文帳に追加

円周方向にＮｉ−Ｐメッキ層を有するアルミ合金の非磁性基体１１上に、第１下地層１２ａと、Ｃｒ−Ｍｎ層１５と、第２下地層１２ｂと、Ｃｏ合金の磁性記録層１３と、カーボン保護層１４とが順次ＤＣマグネトロンスパッタ成膜されている。 - 特許庁

A magnetron sputtering source has a means for generating a coating plasma, and at least one magnet arrangement 7 for generating a magnetic field for the purpose of influencing the coating plasma such that at least one plasma channel 8 is generated above one section of the surface 4' of the target 4.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング源はコーティング用プラズマを発生させるための手段と、磁場を発生させることでコーティング用プラズマに影響を与え、少なくとも１つのプラズマチャネル８をターゲット４の一部４´上方で発生させるための少なくとも１つの磁石配列７を備える。 - 特許庁

A collimator 6 is disposed between the target 2 and a substrate 4, and sputtering is performed by shielding the prescribed one or more apertures 7a among a plurality of the apertures 7, thereby regulating the amount of sputter particles SP arriving at the prescribed region of the substrate 4 and controlling the film thickness distribution.例文帳に追加

ターゲット２と基板４の間に、コリメータ６を配設し、その複数の開口部７のうち、所定の１以上の開口部７ａを遮蔽してスパッタを行うことにより、基板４の所定の領域に到達するスパッタ粒子ＳＰの量を調整して、膜厚分布を制御する。 - 特許庁