「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(126ページ目) - Weblio英語例文検索

The composite target for sputtering 1 includes an oxide component 2 containing zinc oxide and carbon components 3a-3d, provided that, when the oxide component 2 and the carbon components 3a-3d exist separately from each other, the carbon components 3a-3d are layered on at least a portion of surface of the oxide component 2.例文帳に追加

スパッタリング複合ターゲット１は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分２と、炭素系成分３ａ〜３ｄとを有し、酸化物系成分２と炭素系成分３ａ〜３ｄが各々別体の場合は、酸化物系成分２の表面の少なくとも一部に炭素系成分３ａ〜３ｄを積層して用いる。 - 特許庁

This magnetic recording medium is a magnetic recording medium having at least one layer of base layers adhered between a substrate and a cobalt-based magnetic layer, at least one layer of the base layers comprising an amorphous sputtering film consisting essentially of one or more kind of group Va elements, group VIa elements and group VIII elements and of silicon.例文帳に追加

基板とＣｏ系磁性層との間に少なくとも１層以上の下地層が被着されている磁気記録媒体であって、前記下地層のうち少なくとも１層は、Ｖａ族元素、VIa族元素、VIII族元素のいずれか１種または２種以上とシリコンとを主体としたアモルファスのスパッタリング膜である磁気記録媒体である。 - 特許庁

As a means for periodically repeating the film deposition process and the sputtering process, firstly, the voltage applied to the substrate WA with respect to a vacuum container 10, secondly, the current supplied between a plasma gun 30 and the hearth liner 53, and thirdly, the atmospheric pressure in a vacuum container 10 are periodically changed.例文帳に追加

成膜工程とスパッタリング工程とを周期的に繰り返すための手段として、第１に真空容器１０に対する基板ＷＡの電圧と、第２にプラズマガン３０とハースライナー５３との間に供給する電流と、第３に真空容器１０中の雰囲気圧とをそれぞれ周期的に変化させる。 - 特許庁

The method is provided for manufacturing the thin film transistor, and includes the steps of forming the metal oxide film 2 by performing the sputtering without heating a substrate 1, and forming constituents such as a channel layer 3, a source electrode 4, a drain electrode 5 and a gate electrode 1 on the substrate followed by applying heat treatment.例文帳に追加

基板１の加熱を行わずに上記スパッタを行って上記金属酸化膜３を形成し、上記チャネル層３、ソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極２の各要素を基板上に形成した後、熱処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical information recording medium comprises a process for forming an intermediate layer 6d thicker than the depth of the track guide grooves 3 of a track guide layer 4 on the substrate 2 on which the track guide layer 4 is formed and further alternately and continuously depositing the recording layers and the intermediate layers thereon by a vacuum deposition process or a sputtering process.例文帳に追加

トラックガイド層４を形成した基板２上に、前記トラックガイド層４のトラックガイド溝３の深さより厚い中間層６ｄを形成し、さらに記録層と中間層を真空蒸着プロセス、またはスパッタリングプロセスにより交互に連続形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In this discharge type surge absorption element 1, recessed parts 13 are formed in end faces of electrodes 3 arranged facing each other with a discharge gap, the recessed parts are coated with an electrode coating material having a sputtering prevention effect and ribs 14 for a partition in a "+" shape are projected from upper surfaces of the recessed parts to control the movement of the electrode coating material.例文帳に追加

放電型サージ吸収素子１は、放電間隙を設けて相対向して配置してなる電極３の端面に凹部１３を形成し、該凹部にスパッタリング防止効果を有する電極塗布材を塗布するとともに、この凹部上面には「＋」形状の仕切り用リブ１４を突設させ、上記電極塗布材の移動を規制する。 - 特許庁

This is the method of manufacturing the transparent conductive film in which in a state that the base material film having a cyclic olefin based polymer of a glass transition temperature of 130°C or more is heated to 100°C or more and the temperature obtained by subtracting 20°C from the glass transition temperature or less, the transparent conductive layer is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス転移温度が１３０℃以上の環状オレフィン系重合体を有する基材フィルムを、１００℃以上、上記ガラス転移温度−２０℃以下の温度に加熱した状態で、スパッタリングにより透明導電層を形成することを特徴とする、透明導電性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering apparatus comprises manifolds 9 and 10, which have symmetrical configurations with respect to each orthogonal center axis inside the face of the target 8, and are arranged to surround the circumference of the target 8, and comprises openings 9a and 10a for feeding process gas, which are dispersively arranged in the whole manifolds 9 and 10 in order to feed process gas to the target 8.例文帳に追加

マニホールド９，１０がターゲット８の面内において互いに直交する中心軸のそれぞれに対称な形状を有してターゲット８の全周を囲むように配置され、プロセスガス放出口９ａ，１０ａがターゲット８にプロセスガスを放出するためにマニホールド９，１０全体に分散して設けられている。 - 特許庁

As the zinc alloy used as the emissive material 4 has relatively high fusing point compared to that of zinc, vanish by sputtering is restrained and discharge starting time is reduced through a life warrant period and also the voltage rise of discharge start is significantly small as gas discharge is reduced.例文帳に追加

電子放射性物質４として用いる亜鉛合金は、亜鉛に比べると、融点が高くなるので、スパッタによる消失が抑制されるので、寿命保証期間中にわたって放電開始時間が短縮されるとともに、またガス放出が少なくなるので、放電開始電圧の上昇がすこぶる少ない。 - 特許庁

The Pd alloy sputtering target contains Pd as the principal component, and 1-60 at%, in total, of at least one selected from among V, Nb, and Ta, with the balance comprising Pd and unavoidable impurities, and has an oxygen content of 2,000 mass ppm or less based on the entire target.例文帳に追加

Ｐｄを主要成分として含有するＰｄ合金系スパッタリングターゲットであって、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなり、ターゲット全体に対する酸素含有量を２０００質量ｐｐｍ以下にする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the impurity contained in a lower wiring layer is not diffused to a metal silicide gate electrode side even when an insulating layer is heat-treated, and to provide a sputtering target for metal silicide wiring which can suppress the particles generated by charge-up, and its manufacturing method.例文帳に追加

絶縁層の熱処理によっても下層の配線層に含まれる不純物が金属シリサイドのゲート電極側に拡散することがない半導体装置の製造方法、チャージアップによるパーティクルの発生を抑えることができる金属シリサイド配線用スパッタターゲット、及びその製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

(1) With the both-side breaking electromagnetic relay 10 equipped with two contact point pairs of a fixed contact point 11 and a movable contact point 12 arrayed in series, the both contact point pairs are to have a contact point opposing the side of the contact point emitting electrons at arc generation out of the fixed and the movable contact points of a material A strong at sputtering.例文帳に追加

（１）固定接点１１と可動接点１２とからなる接点対を２対直列に有する両切りの電磁継電器１０において、２対の接点対とも、固定接点と可動接点のうちアーク発生時に電子を放出する側の接点の相手側の接点の材料をスパッタリングに強い材料Ａとした。 - 特許庁

To provide a glass substrate for a magnetic disk wherein the increase of frictional force and adhesion force between a magnetic recording medium and a head in a dynamic pressure floating head type is prevented without reducing an S/N ratio and a magnetic film can be easily formed by a sputtering method, to provide a manufacturing method therefor and to provide a magnetic recording medium using the substrate.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比を低下させることなく、動圧浮動ヘッド方式における磁気記録媒体とヘッドとの間の摩擦力の増加や吸着力の増大を防ぎ、さらに、スパッタ法により磁性膜の形成が容易な磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法、ならびに該基板を用いた磁気記録媒体の提供。 - 特許庁

To prevent a rotatably driven side part including a cutting blade from sputtering small stones, cans, etc., presenting in a working place during bush-cutting works by a worker and also performing the bush-cutting work by smoothly swinging the cutting blade installed at the tip end part of a handle shaft in left and right directions by bringing a guide part in contact with the ground.例文帳に追加

作業者は、草刈作業中に刈払刃を含む被回動駆動側部が作業場所にある小石や缶等を跳ね飛ばすことを防止すると共に、ガイド部を地面に接触させて、ハンドルシャフトの先端部に設けられている刈払刃を左右に滑らかに揺動させて草刈作業ができるようにすること。 - 特許庁

The surfaces of the smooth electrodes (412, 422) manufactured by the DC magnetron reactive sputtering process enables relatively strong polarization and less fatigue and less imprint with aging, in ferroelectric thin-film capacitors (400, 500) used for electronic memories (600, 700, 800).例文帳に追加

本発明のＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスによって製造された平滑電極（４１２、４２２）の表面は、電子メモリ（６００、７００、８００）に使用される強誘電体薄膜キャパシタ（４００、５００）において、エージングするにつれ、比較的強力な分極、より小さい疲労およびより小さいインプリントを、可能にする。 - 特許庁

A thin film of a metal selected from titanium oxide, aluminum oxide and copper oxide is formed with a thickness of ≤2 nm on the surface of an oriented polypropylene (OPP) film by a film forming method achieving high adhesion, e.g. the sputtering method, and a gas-barrier thin film, e.g. a film of aluminum oxide or silicon oxide, is then formed.例文帳に追加

延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）フィルムの表面に酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化銅のうち何れかの金属の薄膜をスパッタ法などの密着力が強い成膜方法にて２ｎｍ以下形成した後、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、その他のガスバリア性薄膜を形成することによって密着強度が弱いという問題を解決した。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact containing zinc oxide as a main component, aluminum, and gallium and its manufacturing method, a target capable of forming a film continuously for a long time without causing an abnormal discharge in a sputtering method or the like, a transparent electroconductive film of high quality with a low resistance and a high transparency obtained by using it, and a solar cell having a high conversion efficiency.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とし、さらにアルミニウムとガリウムを含有する酸化物焼結体とその製法、スパッタリング法などで異常放電が全く発生せず、連続で長時間成膜できるターゲット、それを用いた低抵抗で高透過性の高品質な透明導電膜、高変換効率の太陽電池を提供。 - 特許庁

The first and second piezoelectric films 103, 104 are formed continuously by sputtering at mutually different substrate temps., such that, e.g. their polarization directions are mutually reverse, as shown by arrow marks A, B on the drawing, thus forming a piezoelectric element having a thin-film bimorph structure.例文帳に追加

上記第１圧電体薄膜１０３、および第２圧電体薄膜１０４は、それぞれ互いに異なる基板温度でスパッタリングされることによって連続的に形成され、例えば同図に矢印Ａ，Ｂで示すように分極方向が互いに逆方向になり、薄膜バイモルフ構造の圧電素子が構成されている。 - 特許庁

To provide a gas barrier plastic film having improved gas barrier properties and good adhesion between a base and a gas barrier layer without generating unevenness of the gas barrier properties in the case that the gas barrier layer is formed on the base composed of an organic material by plasma CVD or sputtering.例文帳に追加

本発明は、有機素材からなる基材に、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法によりガスバリア層を形成した場合においても、ガスバリア性にムラを生じることなく、基材とガスバリア層の密着性が良好であり、ガスバリア性の向上したガスバリア性プラスチックフィルムを提供することを主目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method comprises the steps of: providing a porous stainless steel tube for a support; filling the support with a metal; forming the palladium film thereon by electroless plating the support in a palladium salt solution; and subsequently forming the palladium film on the above support by using a DC sputtering technique.例文帳に追加

多孔性ステンレス鋼管を提供して支持体とする工程と、前記支持体に対して金属充填を行う工程と、パラジウム塩溶液で前記支持体に対して無電界めっきを行うことによりパラジウム膜を堆積する工程と、ＤＣスパッタリング法を利用してパラジウム膜を前記支持体上に継続的に堆積する工程とを備えてなる。 - 特許庁

In the ion beam sputtering apparatus for depositing an insulating thin film on a substrate by irradiating a target with ion beams from an ion gun, a conductive target 31 is arranged at the position where a part of the ion beams are emitted, and a conductive film is deposited on a grid 22 of the ion gun 13 by particles sputtered out from the conductive target 31.例文帳に追加

イオンガンよりイオンビームをターゲットに照射して絶縁性の薄膜を基板上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、イオンビームの一部が照射される位置に導電材ターゲット３１を配置し、その導電材ターゲット３１よりスパッタアウトされた粒子によってイオンガン１３のグリッド２２に導電膜が堆積される構成とする。 - 特許庁

After having formed a metal mode film 102 with an Al-O molecule on the silicon substrate 101, a sputtering state in a target 203 is stopped by stopping the supply of a high-frequency power with respect to the target 203 or the like, and a state that the surface of the metal mode film 102 on the silicon substrate 101 is irradiated with plasma 110 of Ar and oxygen is brought about.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に、Ａｌ−Ｏ分子によるメタルモード膜１０２を形成した後、ターゲット２０３に対する高周波電力の供給を停止するなどにより、ターゲット２０３におけるスパッタ状態を停止し、シリコン基板１０１上のメタルモード膜１０２表面に、Ａｒと酸素のプラズマ１１０が照射される状態とする。 - 特許庁

In a manufacturing method of a magnetic disk comprising at least a first base layer of an amorphous material, a second base layer of a crystalline material, and a magnetic layer on a disk shape glass substrate, after depositing the above first base layer by reactive sputtering in atmosphere containing an oxidizing gas, the above second base layer is deposited at the substrate temperature in the range from 100 to 240°C.例文帳に追加

ディスク状ガラス基板上に、少なくとも、非晶質の第１下地層と、結晶質の第２下地層と、磁性層とを有する磁気ディスクの製造方法であって、酸化性ガスを含む雰囲気において反応性スパッタリングにより前記第１下地層を成膜した後、１００℃から２４０℃の範囲の基板温度で前記第２下地層を成膜する。 - 特許庁

An Ni or Ti barrier metal layer 2 in the range of 50-150 nm thickness which is not directly reactive with Cu is formed by vapor deposition or sputtering film forming method on regions 4 times as wide as the area of a surface for laminating a semiconductor light emitting element 5 at the surface for laminating the light emitting element 5 and a light emitting surface.例文帳に追加

その後、半導体発光素子５を接着する面および光出射される側の面に、半導体発光素子５の接着面の面積の４倍に値する領域に、蒸着およびスパッタ成膜法により、銅と直接反応しないNiまたはTiからなるバリア金属層２を50ｎｍ以上150ｎｍ以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

The process further contains the process forming a high-density plasma from the process gas 28 in the process chamber 10 during the initial period by applying a power to an inductive coupling coil 26 and the process applying a bias towards a substrate 45 in the plasma, promoting the sputtering effect of the plasma and depositing a PSG film over the substrate during the initial period.例文帳に追加

さらに、プロセスは、誘導結合コイル２６にパワーを印加して上記初期期間中、プロセスチャンバ１０内のプロセスガス２８から高密度プラズマを形成する工程、上記プラズマを基板４５に向かってバイアスをかけ、プラズマのスパッタリング効果を促進させ、上記初期期間中、基板にわたりＰＳＧ膜を堆積させる工程を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of a substrate with a transparent conductive film includes: a step of depositing an Sn-containing indium oxide film on a transparent substrate by a sputtering method; and a step of exposing the substrate having the Sn-containing indium oxide film in plasma generated from gaseous oxygen while the gas pressure of gaseous oxygen in a chamber is ≥300 Pa.例文帳に追加

透明基板上に、Ｓｎ含有酸化インジウム膜をスパッタリング法により形成する工程と、チャンバー中の酸素ガスのガス圧を３００Ｐａ以上とし、酸素ガスより生成したプラズマ中に、前記Ｓｎ含有酸化インジウム膜付き基板を曝露する工程とを、含むことを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法である。 - 特許庁

The high density target material for producing a Co based magnetic thin film comprising a low melting point metal oxide and the production method are characterized in that, in a sputtering target material composed of a Co based metal magnetic phase and a metal oxide nonmagnetic phase, the nonmagnetic phase is composed of a metal oxide having a melting point of ≤1,400°C, and also, relative density is ≥97%.例文帳に追加

Ｃｏ系金属磁性相と金属酸化物非磁性相よりなるスパッタリングターゲット材において、該非磁性相が融点１４００℃以下の金属酸化物からなり、かつ、相対密度が９７％以上であることを特徴とする低融点金属酸化物を含むＣｏ系磁性薄膜作製用高密度ターゲット材またはその製造方法。 - 特許庁

On the fuel cell of a structure pinching a gas diffusion layer 30 made of a fibrous material between an electrode and a metallic separator 2, a plated layer made of a corrosion-resistant conductive material is not formed on the metallic separator 2 side, but a layer 31 made of the corrosion-resistant conductive material is formed on the gas diffusion layer 30 side by evaporation, sputtering, plating or the like.例文帳に追加

電極と金属セパレータ２との間に繊維質材料からなるガス拡散層３０を挟持した構成の燃料電池において、金属セパレータ２側には耐食導電材料からなるメッキ層を形成せずに、ガス拡散層３０側に耐食導電材料からなる層３１を蒸着、スパッタリング、めっき処理などにより形成する。 - 特許庁

In the method of producing a titanium oxide film, an inert gas is introduced into a vacuum vessel, high voltage is applied to the space between a base material and a titanium target, and sputtering is performed to produce a titanium film on the base material, and next, gas comprising oxygen atoms is introduced, the polarity of the high voltage is changed, and high voltage is again applied to oxidize the titanium film.例文帳に追加

本発明の酸化チタン膜の作製方法は、真空容器内に不活性ガスを導入し、基材とチタンターゲットとの間に高電圧を印加してスパッタリングを行い、前記基材上にチタン膜を作製し、つぎに酸素原子を有するガスを導入し、前記高電圧の極性を変えて再び高電圧を印加し、前記チタン膜を酸化するものである。 - 特許庁

The system has: a base 24 having a vacuum chamber 17 inside; a target 28 attached detachably to the base 24 in such a way to constitute one side of the vacuum chamber 17; and a sputtering-driving section 25 which is provided detachably to the base 24 and presses the target 18 against the base 24 by interposing the target 18 between the base 24 and itself.例文帳に追加

内部に真空漕１７を有する基部２４と、前記真空漕１７の一面を構成するように、前記基部２４に着脱自在に取りつけられたターゲット２８と、前記基部２４に対して着脱自在に設けられ、前記基部２４との間に前記ターゲット１８を挟むことで、前記ターゲット１８を基部２４に対して押し付けるスパッタリング駆動部２５とを有する。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing a resilient roller capable of finishing the surface into a smooth and flat cylindrical shape with a high accuracy, eliminating dispersion of the electric resistance value by making uniform the thickness of a coating film layer, preventing the coating material from sputtering to outside, decreasing the loss of material, and reducing the cost required to maintain the environment.例文帳に追加

弾性ローラを製造するにあたって、表面を緻密かつ平滑な円筒形に高精度で仕上げることができるとともに、塗膜層の厚さを均一にして、電気抵抗値のばらつきをなくし、さらに、塗料の外部への飛散を防止し、材料ロスを減少し、併せて環境維持に要する費用を低減できるようにする。 - 特許庁

The higher performance of the logic circuits and their higher integration are achieved by forming cobalt-siliciding films 11 on the source/drain regions 7a and 7b for the transistors in logic-circuit regions in regions not coated with the USGs and the upper sections of the gate electrodes 4 by depositing cobalt on the whole surface of a wafer by a sputtering method and conducting a thermal treatment such as a lump annealing.例文帳に追加

コバルトをスパッタ法によりウエハ全面に成膜してランプアニール等の熱処理を行うことにより、ＵＳＧに覆われていない領域のロジック回路領域のトランジスタのソース／ドレイン領域７ａ、７ｂとゲート電極４上にコバルトシリサイド膜１１を形成することにより、ロジック回路の高性能化及び高集積化が可能となる。 - 特許庁

In a reactive sputtering device where the inside of a movable target unit whose one end is opened and in which conductance is controlled is provided with an inert gas feed hole for Ar, Xe, Kr or the like, and the reactive gas including at least fluorine or oxygen can be fed to the space between the target and a substrate, the reactive gas is jetted to the direction of the substrate.例文帳に追加

一端が開口した、コンダクタンスが制御された可動ターゲットユニット内部にＡｒ，Ｘｅ，Ｋｒ等の不活性ガス供給孔を設け、該ターゲットと基板間に少なくともフッ素もしくは酸素を含む反応性ガスを供給可能な反応性スパッタリング装置において、該反応性ガスが基板方向に噴出する構成とする。 - 特許庁

The neutral density film is obtained by sputtering a plurality of targets at least composed of first and second substances with different optical properties with a working gas so as to perform film deposition in a layered shape in order of the first substance and the second substance, and the neutral density film comprises: an equal density region wherein film thickness is almost equal; and a gradation region wherein film thickness is linearly gradually decreased.例文帳に追加

減光膜は、光学特性の異なる少なくとも第１第２の物質から成る複数のターゲットを動作ガスでスパッタリングして第１物質、第２物質の順に積層状に成膜し、この減光膜は膜厚さが略々等しい等濃度領域と、膜厚さが直線的に漸減するグラデーション領域とを有する。 - 特許庁

The forming method of the multi-layered mirror for the manufacture of a micro-cavity of a light emitting device comprises a process of forming the buffer layer on a transparent base plate of the light emitting device, and a process of forming the multi-layered mirror by sputtering a plurality of thin films having different refractive index from each other on the buffer layer.例文帳に追加

発光装置のマイクロキャビティ構造用の多層ミラーの形成方法であって、発光装置の透明基板上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に異なる屈折率の複数の薄膜をスパッタリングし、多層ミラーとする工程とからなることを特徴とする上記方法、及びマイクロキャビティ構造用の多層ミラー。 - 特許庁

In the semiconductor multilayer film comprising an Si single crystal substrate, and an Si_1-XGe_X (0<X≤1) film formed thereon, the Si_1-XGe_X film is preferably formed by magnetron sputtering method such that the surface defect density on the Si_1-XGe_X film becomes 10^4/cm^2 or less.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板と、このＳｉ単結晶基板上に形成されたＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ（０＜Ｘ≦１）膜とを具えた半導体積層膜において、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜は好ましくはマグネトロンスパッタリング法で形成し、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜の表面欠陥密度が１０^４／ｃｍ^２以下となるようにする。 - 特許庁

The magnetron sputtering apparatus having a target to be sputtered, a substrate arranged so as to face the target, on which the sputtered material from the target is deposited, and a magnetic field generating means for generating the magnetic field on the surface of the target, comprises the target composed of magnetic materials, arranging the magnetic field generating means so as to surround the target, and forming an unbalanced magnetic field.例文帳に追加

スパッタリングされるためのターゲットと、ターゲットからスパッタリングされた物質を付着すべく対向配置された基板と、ターゲットの表面に磁場を発生するための磁界発生手段とを有するマグネトロンスパッタ装置において、ターゲットを磁性体で構成し、且つ磁界発生手段をターゲットを取り囲むように設け、アンバランス磁場を形成することである。 - 特許庁

A substrate retaining member 13 for retaining the semiconductor substrate 2 is arranged in a sputtering chamber 11 over a target 12 and a tapered hole 132, whose opening area is reduced gradually from an upper end surface side opening 131, bigger than the size of the semiconductor substrate 2, toward a lower end surface side opening 134, smaller than the size of the semiconductor substrate 2, is formed on the substrate retaining member 13.例文帳に追加

半導体基板２を保持する基板保持部材１３は、スパッタリング室１１内においてターゲット１２の上方に配置され、半導体基板２の大きさよりも大きな上端面側開口１３１から半導体基板２の大きさよりも小さな下端面側開口１３４にかけて開口面積が漸減するテーパー穴１３２が形成されている。 - 特許庁

In the connection method, the objects to be connected are connected each other by forming a connecting surface of the object to be connected which is surface-activated with a metal film by sputtering a metal onto at least one of the objects to be connected in the vacuum chamber to form the metal film, when the objects to be connected having the surface-activated connecting surfaces are to be connected each other.例文帳に追加

表面活性化された接合表面を有する被接合物どうしを接合するときに、真空チャンバー内において、少なくとも一方の被接合物に金属をスパッタして金属膜を形成することにより、金属膜により当該被接合物の表面活性化された接合表面を形成して、被接合物どうしを接合する。 - 特許庁

The reflection film for constituting an anode layer of the upper-emission-type organic EL element and the sputtering target used for forming the reflection film are each formed from an Al-alloy having a component composition comprising, by mass, 0.05-0.5% of Ca and 2-6% of Ni as alloy components and the balance being Al with inevitable impurities (but, ≤0.01%).例文帳に追加

上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜、および前記反射膜の形成に用いられるスパッタリングターゲットを、合金成分として、質量％で、Ｃａ：０．０５〜０．５％、Ｎｉ：２〜６％、を含有し、残りがＡｌと不可避不純物（ただし、０．０１％以下）からなる成分組成を有するＡｌ合金で構成する。 - 特許庁

The (Zn, Al)O-based transparent electrode layer constituting the solar cell is formed by sputter deposition using a ZnO-Al_2O_3-based sputtering target consisting of a pressurized and molded sintered compact having a blended composition of 0.1-5 mass% aluminum oxide, 0.1-5 mass% metal Al, the residual of zinc oxide (wherein ≤0.1% inevitable impurity content).例文帳に追加

太陽電池を構成する（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を、質量％で、 酸化アルミニウム：０．１〜５％、金属Ａｌ：０．１〜５％、酸化亜鉛：残り、からなる配合組成（ただし、不可避不純物含有量：０．１％以下）を有する加圧成形体の焼結体で構成されたＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３系スパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜する。 - 特許庁

The combined lubricative thin film or the low friction characteristic intercalation compound is formed on the uppermost surface layer by carrying out sealing by sputter etching of reverse sputtering after an anodically oxydized film is formed on the core bar surface using aluminum or the aluminum alloy material.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金材料を用いた芯金表面に陽極酸化皮膜を形成した後に、逆スパッタリングのスパッタリングのスパッタエッチングにより封孔処理を施して、最表層に複合化潤滑性薄膜又は低摩擦性層間化合物をスパッタリングにより形成することを特徴とする上記加熱定着ローラの製造方法。 - 特許庁

The sputtering target of tantalum further includes 0-100 mass ppm (though excluding 0 mass ppm) molybdenum and/or niobium so that the total amount of tungsten, molybdenum and niobium is 1-150 mass ppm, and has a purity of 99.998% or more when tungsten, molybdenum, niobium and the gas component are excluded.例文帳に追加

０〜１００ｍａｓｓｐｐｍ（但し０ｍａｓｓｐｐｍを除く）のモリブデン及び／又はニオブをさらに含有し、タングステン、モリブデン、ニオブの合計含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１５０ｍａｓｓｐｐｍ以下であり、タングステン、モリブデン、ニオブ及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とする上記のタンタルスパッタリングターゲット。 - 特許庁

In this method for manufacturing a tungsten-containing diamond-like carbon coating on the base material of the contact probe pin for the semiconductor inspection device, the tungsten-containing diamond-like carbon coating is formed on the base material by performing sputtering in mixed gas of hydrocarbon gas and argon gas by using a tungsten carbide target.例文帳に追加

半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を製造する方法であって、前記タングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜は、タングステン炭化物ターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中でスパッタリングを行うことにより基材上に形成されることを特徴とする製造方法を用いる。 - 特許庁

This apparatus has a direction regulating tool 391 installed between a target 30 and a substrate 9, for giving the magnetic anisotropy to the magnetic film, by selectively passing particles emitted from the target 30 by sputtering, in a chamber 1 for forming a base film as a magnetic recording layer to be precedently formed beneath the magnetic film.例文帳に追加

磁気記録層用の磁性膜の下に予め作成される下地膜を作成する下地膜作成チャンバー１内には、ターゲット３０からスパッタリングにより放出されるスパッタ粒子を選択的に通過させることにより磁性膜に磁気異方性を与える方向規制具３９１がターゲット３０と基板９との間に設けられている。 - 特許庁