「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(129ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体８の電位が実質的に負電位になるように、ＲＦ電源７を用いて集電体８に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるＡｒ元素を含む雰囲気下で、集電体８上に、Ｌｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a low-cost Ag alloy film and an Ag alloy reflecting film which have a fixed value as a reflection factor within a visible light range while keeping a high reflection factor and has heat resistance and corrosion resistance and have adhesion to a substrate and a patterning capability improved and to provide a flat panel display device having the Ag alloy film and a sputtering target material for Ag alloy film formation.例文帳に追加

高反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、耐熱性、耐食性を兼ね備え、基板への密着性とパタニング性を改善した低コストなＡｇ合金膜およびＡｇ合金系反射膜、ならびにそのＡｇ合金膜を有する平面表示装置およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a sintered compact having a composition comprising 5 to 15 mol% Si and one or two kinds selected from Cr and Pt by 5 to 40 mol% in total as well, and the balance Co with inevitable impurities, and having a structure where the Si is dispersed into the matrix as the silicide of at least one kind selected from Co, Pt and Cr.例文帳に追加

Ｓｉ：５〜１５モル％を含有し、さらにＣｒおよびＰｔの内の１種または２種を合計で５〜４０モル％含有し、残りがＣｏおよび不可避不純物からなる組成を有し、かつ前記ＳｉはＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒの内の少なくとも１種のシリサイドとして素地中に分散している組織を有する焼結体からなることを特徴とする。 - 特許庁

A measuring cell is constituted by bonding glass substrates 1, 2 and a flow channel groove 6 is formed in the bonding surface of the glass substrate 1 by photofabrication technique and wet etching technique and through- holes 9, 10 for introducing and discharging a liquid sample are formed in the glass substrate 2 and an optically opaque Si film 3 is formed in the bonding surface as a slit by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板１、２を接合して構成され、ガラス基板１の接合面にはフォトファブリケーション技術およびウェットエッチング技術により流路溝６が形成されるとともに、ガラス基板２には液体試料導入および排出のための貫通孔９、１０が形成され、接合面にスパッタ法等により光学的に不透明なＳｉ膜３をスリットとして形成する。 - 特許庁

To provide an translucent reflecting layer for an optical information recording medium, the layer having the transmittance and the reflectance required as a translucent reflecting layer of an optical information recording medium and having favorable chemical stability such as corrosion resistance, aggregation resistance or the like, and to provide an optical information recording medium and a sputtering target for the translucent reflecting layer to be used for an optical information recording medium.例文帳に追加

光情報記録媒体の半透明反射層として要求される透過率と反射率を有すると共に、耐食性及び耐凝集性等の化学的安定性も良好な光情報記録媒体用半透明反射層、光情報記録媒体、及び光情報記録媒体に用いる半透明反射層用スパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method for the particles for the display medium that constitute the display medium used for the panel for information display which displays information of an image etc., by moving the display medium by charging the display medium between two opposite substrates at least one of which is transparent and applying an electric field to the display medium, a metal compound is formed on particle surfaces by a sputtering method.例文帳に追加

少なくとも一方が透明な対向する２枚の基板間に表示媒体を封入し、表示媒体に電界を付与することによって、表示媒体を移動させて画像等の情報を表示する情報表示用パネルに用いる表示媒体を構成する表示媒体用粒子の製造方法において、粒子表面に金属化合物をスパッタリング法にて形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the substrate is such that, after the metallic films 12, 13 are formed in vacuum on the surface of the belt-like plastic film 11 by a sputtering device, the plastic film 11 is wound around in a role shape in a manner that the metallic films 12, 13 are superimposed on the carbon film 14 formed on the entire surface of the reverse corresponding to the metallic film-formed part.例文帳に追加

帯状のプラスチックフィルム１１の表面にスパッタリング装置によって金属膜１２、１３を真空成膜した後に、プラスチックフィルム１１を、裏面における上記金属膜の成膜部対応部分の全面に形成したカーボン膜１４と上記表面の金属膜１２、１３とを重ねるようにロール状に巻き取るフレキシブル基材の製造方法とした。 - 特許庁

In the electrochromic element having a layered film wherein a first conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolyte layer, a reduction coloring layer and a second conductive film are layered in this order or in the reverse order on a substrate, any one, or two or more layers of the oxidation coloring layer, the electrolyte layer and the reduction coloring layer are film-deposited by a dual magnetron sputtering method in an atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加

基板上に、第１の導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び第２の導電膜がこの順或いは逆順で積層されてなる積層膜を有するエレクトロクロミック素子において、該酸化発色層、電解層及び還元発色層のうちのいずれか１層又は２層以上が、水素を含有する雰囲気において、デュアルマグネトロンスパッタ法により成膜される。 - 特許庁

The interconnection and an electrode for flat panel display using a thin-film transistor having superior adhesiveness, formed by a copper alloy thin film having a composition containing oxygen by 0.4 to 6 atomic%, one or more of Ni, Co and Zn by 0.001 to 3 atomic% in total, and the rest consisting of Cu and unavoidable impurities, and is also relates to a sputtering target for forming interconnections and the electrode.例文帳に追加

酸素：０．４〜６原子％を含有し、さらにＮｉ、ＣｏおよびＺｎのうちの１種または２種以上を合計で０．００１〜３原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The manufacturing method of the color filter includes steps for film-forming a black matrix and colored layers of a plurality of colors on a transparent substrate to form the color filter layer; applying pressure to the surface of the color filter layer to make compressive stress generated at only a surface layer part of the color filter layer; and forming the transparent conductive film on the color filter layer by a sputtering method.例文帳に追加

透明基板上に、ブラックマトリックス及び複数色の着色層を成膜して、カラーフィルター層を形成する工程、前記カラーフィルター層の表面に圧力を印加し、前記カラーフィルター層の表層部のみに圧縮応力を生じさせる工程、及び前記カラーフィルター層上にスパッタ法により透明導電膜を形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

By forming an oxide semiconductor film using a sputtering target including a sintered body of a metal oxide whose concentration of hydrogen contained is low, for example, lower than 1×10^16 atoms/cm^3, the oxide semiconductor film contains a small amount of impurities such as a compound containing hydrogen typified by H_2O or a hydrogen atom.例文帳に追加

金属酸化物の焼結体を含み、その金属酸化物の焼結体の含有水素濃度が、たとえば、１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満と低いスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することで、Ｈ_２Ｏに代表される水素原子を含む化合物、もしくは水素原子等の不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を成膜する。 - 特許庁

The method for manufacturing the photomask blank having at least a film for forming a mask pattern on a transparent substrate comprises a film forming process for sputter-forming the film for forming the mask pattern by containing at least helium gas in sputtering atmosphere and a process for heating the transparent substrate during or after the film forming process.例文帳に追加

透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成するための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱する工程をと有することを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method, slurry is prepared by mixing water, organic binder and dispersant in raw powder of metal oxide containing indium oxide powder, and pulverizing the mixture, granulated powder is obtained by drying and spraying the slurry, the obtained granulated powder is compacted, and, by firing the obtained compact, the sputtering target is obtained.例文帳に追加

酸化インジウム粉を含む金属酸化物の原料粉に、水と有機バインダと分散剤を混合および粉砕してスラリーを調整し、該スラリーを乾燥噴霧して造粒粉を得て、得られた造粒粉を加圧成形し、得られた成形体を焼成することにより、スパッタリングターゲットを得る製造方法において、前記分散剤として、アクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物を用いる。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent lamp aimed at longer life and its manufacturing method, making up an electrode further excellent in sputtering resistance using nickel or a nickel alloy as its main components, easily manufactured at low cost, and capable of superbly carrying out heat dissipation of the electrode at use of the lamp, even in case a lead wire of a copper-Kovar double structure.例文帳に追加

電極の主成分としてニッケル又はニッケル合金を用い、耐スパッタ性に更に優れる電極とし、容易に安価に製造することができ、また、銅−コバール二重構造のリード線を用いた場合でも、ランプの使用時における電極の放熱を良好に行うことができ、長寿命化を図った冷陰極蛍光ランプや、その製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a thin film transistor having an active layer of a transparent oxide film containing In, Zn and O at an electronic carrier concentration of less than the level of 10^18 /cm^3, a source electrode, a drain electrode, a gate insulation film, and a gate electrode comprises a step of forming the active layer by the sputtering method in an atmosphere gas containing water.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｚｎ及びＯを含み、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である透明アモルファス酸化物膜からなる活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、活性層をスパッタ法により形成する工程を含み、スパッタ法により活性層を形成する際の雰囲気ガス中に水を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the transparent conductive film includes: a step in which on one side or both sides of a transparent film base material, a first layer undercoat layer is formed by an organic material; a step in which on the undercoat layer, the transparent conductor layer is formed by a sputtering method; and a step in which the transparent conductor layer is patternized by etching.例文帳に追加

透明なフィルム基材の片面または両面に、透明なフィルム基材から第一層目のアンダーコート層を有機物により形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、および前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁

The forming method of the thermoelectric material thin film formes the nanocomposite thermoelectric material thin film in which the dispersant nanoparticles are dispersed in the mother phase of the thermoelectric material on a substrate by using a material in which the dispersant nanoparticles are dispersed in the thermoelectric material as a target and by sputtering by beam irradiation which has a larger beam diameter than particle sizes of the dispersant nanoparticles.例文帳に追加

熱電材料中に分散材ナノ粒子が分散した原料をターゲットとして用いて、該分散材ナノ粒子の粒子サイズより大きいビーム径を有するビーム照射によってスパッタリングして基板上に熱電材料の母相中に分散材のナノ粒子が分散されたナノコンポジット熱電材料薄膜を形成することを特徴とする熱電材料薄膜の製造方法。 - 特許庁

A second sputter rate of a second upper electrode 82 is smaller than a first sputter rate of a first upper electrode 81, so when a part of a protective film 100 formed on the second upper electrode 82 is removed by sputtering, the second upper electrode 82 is less sputtered than the upper electrode 80 composed of only the first upper electrode 81, thereby reducing variance in film thickness of the second upper electrode 82.例文帳に追加

第２上電極８２の第２のスパッタレートが、第１上電極８１の第１のスパッタレートと比較して小さいので、第２上電極８２上に形成された保護膜１００の一部をスパッタによって取り除く際に、第１上電極８１のみからなる上電極８０と比較して、第２上電極８２がスパッタされにくく、第２上電極８２の膜厚のバラツキを少なくできる。 - 特許庁

The sputtering target has a component composition including 30-70 atom% Fe and a balance comprising Pt and inevitable impurities, wherein the structure includes a pure Pt phase and an FePt alloy phase, and the FePt alloy phase is locally dotted in the pure Pt phase, and an Fe rich area having Fe concentration of 70 atom% or more is distributed and formed with an area ratio of 5-40 area%.例文帳に追加

Ｆｅ：３０〜７０原子％を含有し、残部：Ｐｔおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、その組織が、純Ｐｔ相とＦｅＰｔ合金相とで構成され、かつＦｅＰｔ合金相が純Ｐｔ相中に局所的に点在し、Ｆｅ濃度が７０原子％以上であるＦｅリッチ領域が、５〜４０面積％の面積率で分散形成されている。 - 特許庁

The magnet unit 5 for a magnetron-sputtering electrode C has a central magnet 52 which is linearly arranged along a longitudinal direction of the target, and an endless peripheral magnet 53 which is formed of linear portions 53a that extend in parallel on both sides of the central magnet and corner portions 53b which act as a bridge between respective ends of each linear portion so that the polarities in the target side are different.例文帳に追加

本発明のマグネトロンスパッタ電極Ｃ用の磁石ユニット５は、ターゲットの長手方向に沿って線状に配置された中央磁石５２と、中央磁石両側で平行にのびる直線部５３ａ及び各直線部両端をそれぞれ橋し渡すコーナー部５３ｂからなる無端状の周辺磁石５３とをターゲット側の極性をかえて有する。 - 特許庁

By using side face protecting plates 20 arranged in sides of a glass substrate to cover the whole circumferences of the side faces of the glass substrate 10, and a shield plate 30 arranged above the glass substrate to cover an outer edge of a film formation surface 11 of the glass substrate, at least a reflective layer and an absorptive layer are formed on the glass substrate in this order by sputtering.例文帳に追加

ガラス基板１０の側面全周を覆うように前記ガラス基板の側方に配置される側面保護板２０、および、前記ガラス基板の成膜面１１の外縁部を覆うように前記ガラス基板の上方に配置される遮蔽板３０を用いて、前記ガラス基板上に前記反射層および前記吸収層を少なくともこの順にスパッタリングして形成する。 - 特許庁

The sputtering target has a composition composed of a matrix material comprising a first oxide and a metallic component, wherein the first oxide having a high refractive index is selected from a group of oxides consisting of titanium oxide, niobium oxide, vanadium oxide, yttrium oxide, molybdenum oxide, zirconium oxide, tantalum oxide, tungsten oxide and hafnium oxide which are in an arbitrary transformation, or a mixture of them.例文帳に追加

第一酸化物を含むマトリックス材料、及び金属性成分を含む組成物を有するスパッタリングターゲットであって、高屈折率を有する第一酸化物が、任意の酸化物変態にある、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化バナジウム、酸化イットリウム、酸化モリブデン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化タングステン及び酸化ハフニウムからなる酸化物の群、又はその混合物から選択される。 - 特許庁

The sputtering metal mask is a plate material made of metal which includes penetrated aperture parts having nearly rectangular and similar aperture shapes and which has an overhanging part formed by a wall of the aperture part at an end of the aperture part of a plane having the aperture shape having the smaller similitude ratio, wherein a plane having the aperture shape having the larger similitude ratio is on the side in contact with a material to be sputtered.例文帳に追加

略方形で相似形の開口形状を有する貫通した開口部を備え、相似比が小さい方の開口形状を有する平面の開口部縁に、前記開口部の壁が張り出し部を形成している金属製板材で、相似比の大きな方の開口形状を有する平面が、被スパッタ材と接する側であることを特徴とするスパッタ用メタルマスク。 - 特許庁

The present invention relates to the method of manufacturing the IGZO-based amorphous oxide thin film by forming the IGZO-based amorphous oxide thin film on a substrate by sputtering and then performing annealing processing, in which the amorphous oxide thin film having the arbitrary electric resistance value within the range from the conductor region to the insulator region is manufactured by changing a combination of an amount of water in a film forming device and temperature of the annealing processing.例文帳に追加

ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後アニール処理してＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量とアニール処理の温度の組み合わせを変化させて、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有するアモルファス酸化物薄膜を製造する。 - 特許庁

To cut even a Cu-Ga alloy ingot, which is manufactured by, for example, the dissolved casting and has relatively large composition ratio of Ga, into a desired shape without causing cracking, cracking or chipping, and to provide a sputtering target consisting of a Cu-Ga alloy and having an excellent surface smoothness Ra of ≤0.1 μm by the surface polishing in a relatively short period of time.例文帳に追加

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の形状に切断し、Ｒａが０．１μｍ以下の優れた表面平滑性を有するＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを比較的短時間の表面研磨により提供する。 - 特許庁

The catalyst structure for storing and generating hydrogen in which a carrier surface is coated with the catalyst material by a reactive sputtering method; the storage method for hydrogen using the catalyst structure and aromatic hydrocarbon; and the generation method for hydrogen using the catalyst structure and a hydrogenated derivative of the aromatic hydrocarbon are provided.例文帳に追加

担体表面に反応性スパッタリング法により触媒材料をコーティングしてなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに、該触媒構造体と、芳香族炭化水素とを用いることを特徴とする水素の貯蔵方法、及び上記触媒構造体と、芳香族炭化水素の水素化誘導体とを用いることを特徴とする水素の発生方法である。 - 特許庁

This surge absorber 1 is used by respectively connecting a metallic terminal 3 to the surge voltage generating side and another one metallic terminal 4 to the surge voltage absorbing side, and a surge absorbing element 2 between the metallic terminals 3 and 4 has cloth 21 woven with high insulating fiber and a metallic layer 22 by sticking metal to the surface of the cloth 21 by sputtering.例文帳に追加

サージアブソーバ１は、金属端子３をサージ電圧が発生する側に、もう一方の金属端子４をサージ電圧を吸収する側に、それぞれ接続して使用され、金属端子３，４の間のサージ吸収素子２は、絶縁性の高い繊維で織られた布２１と、布２１の表面にスパッタリングによって金属を付着させてなる金属層２２と、を備えている。 - 特許庁

A thin film of a constant film thickness is deposited without impairing the appearance of the thin film or even when multilayer films are mass-produced by electrically insulating a mask which surrounds the outer periphery of a substrate from a deposition-preventive plate which is disposed immediately above the mask without connecting a metal film deposited on the substrate to the grounding electric potential during the sputtering.例文帳に追加

スパッタリング中において基板上に形成される金属膜をアース電位に接続させることなく、かつ、基板の外周を取り囲むマスクと前記マスクの直上に設けられた防着板とを電気的に絶縁させることにより、外観上、薄膜に損傷を与えることなく、かつ、多層膜を量産した場合でも、安定した膜厚で薄膜を形成することができる。 - 特許庁

To provide a barrier film for a highly dense copper wiring semiconductor which can obtain a sufficient barrier effect with a film thickness enough to prevent film peeling and a fine wiring pitch in suppressing diffusion of a copper in the highly dense copper wiring semiconductor, and has no variation in barrier characteristics even if a temperature rises due to heat treatment, and to provide a sputtering target for forming the barrier film.例文帳に追加

高密度銅配線半導体の銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また細かい配線ピッチでも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

The catalyst structure for storing and generating hydrogen made by coating a carrier surface with the catalyst material by a gas flow sputtering method; a storage method for hydrogen using the catalyst structure and aromatic hydrocarbon; and a generation method for hydrogen using the catalyst structure and a hydrogenated derivative of the aromatic hydrocarbon are provided.例文帳に追加

担体表面にガスフロースパッタリング法により触媒材料をコーティングしてなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに、該触媒構造体と、芳香族炭化水素とを用いることを特徴とする水素の貯蔵方法、及び上記触媒構造体と、芳香族炭化水素の水素化誘導体とを用いることを特徴とする水素の発生方法である。 - 特許庁

The magnetron sputtering source comprises a backing plate 3 to function as a cathode electrode, a target 2, and a magnet 4 to generate the magnetron magnetic field, and further comprises a heating mechanism to heat the target 2 on the target 2 side of the backing plate 3, and a cooling mechanism to cool the magnet 4 on the side opposite to the target 2 side of the backing plate 3.例文帳に追加

カソード電極として機能するバッキングプレート３と、ターゲット２と、マグネトロン磁場を発生する磁石４とを具えるマグネトロンスパッタ源であって、前記バッキングプレート３の前記ターゲット２の側に前記ターゲット２を加熱する為の加熱機構と、前記バッキングプレート３の前記ターゲット２のある側と反対側に前記磁石４を冷却する為の冷却機構とを具える。 - 特許庁

Metallic elements composing a target material are homogeneously mixed by a mechanical alloying method, this powdery mixture is subjected to molding by controlling temperature and pressure while introducing suitable porosity to produce a formed body free from cracking, and the obtained formed body and a backing plate are joined via an insert material by an electric heating means under pressure to produce a sputtering target assembly.例文帳に追加

ターゲット材を構成する金属元素を機械的合金化法によって均質に混ざるように混合し、この混合粉末を用いて、温度、圧力を制御して適当な空孔率を導入しつつ成形することによって割れのない成形体を作製し、得られた成形体とバッキングプレートを、インサート材を介して加圧下通電加熱法を用いて接合し、スパッタリングターゲット組立体を製造する。 - 特許庁

In a thin-film bulk acoustic resonator manufacturing method having an elastic resonant film in which at least a lower part electrode, a piezoelectric film and an upper part electrode are laminated, a lower part electrode 12 is firstly formed on a substrate 10, and a piezoelectric film 13 is formed by a non-reactive sputtering which targets compound materials expressing piezoelectric property on an upper layer of the lower part electrode 12.例文帳に追加

少なくとも下部電極、圧電膜および上部電極を積層させてなる弾性共振膜を有する薄膜バルク音響共振子の製造する方法であり、まず、基板１０に下部電極１２を形成し、下部電極１２の上層に圧電性を発現する化合物材料をターゲットとする非反応性スパッタリングにより圧電膜１３を形成する。 - 特許庁

To provide an in-line sputtering apparatus which employs a method of overcoming the following problem: when a processing substrate and a target is made to counter in parallel and the processing substrate is processed while being arranged tilted from the horizontal or vertical direction so as to be above the target, warpage occurs due to the weight of the processing substrate, which causes the variation in the quality of deposited film.例文帳に追加

処理基板とターゲットとを、平行に対向させ、且つ、処理基板を、ターゲットに対して上側、水平もしくは鉛直方向から斜めに傾けた状態として処理する場合において、処理基板の自重により、ソリが発生し、これが原因で、成膜される膜品質にばらつきが発生するという問題を、解決できる方法を採り入れたインラインスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film forming system capable of stably forming a thin film of various desired characteristics uniformly in its longitudinal and transverse directions with good reproducibility in thin film formation of continuously forming the thin film (functional thin film) by sputtering treatment on the surface of a long-length film-shaped substrate continuously supplied to a substrate transport route, and to provide a thin film forming method.例文帳に追加

基板搬送経路に連続的に供給される長尺のフィルム状基板の表面に、スパッタ処理により連続的に薄膜（機能性薄膜）を形成する薄膜形成において、求められる諸特性の薄膜をその長手、幅方向において均一に、かつ再現性よく安定させて形成することができる薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The method for refining the structure of an Al series target material for sputtering in which a molten alloy containing one or more elements selected from transition metals by 10 atomic % or less, essentially containing the group 3A elements as the above transition elements and the balance substantial by Al is subjected to rapid cooling treatment to finely disperse and form compounds in the target structure is applied.例文帳に追加

遷移元素から選択される元素のいずれか１種または２種以上を１０原子％以下含み、前記遷移元素として３Ａ族元素を必須として含有し、残部実質的にＡｌからなる合金溶湯を急冷処理することにより、ターゲット組織中の化合物を微細に分散形成させるＡｌ系スパッタリング用ターゲット材の組織微細化方法を適用する。 - 特許庁

The method for manufacturing a photomask blank having at least a film for forming a mask pattern on a transparent substrate includes a film forming process for sputter-forming the film for forming the mask pattern by causing a sputtering atmosphere to contain at least helium gas and a process for heating the transparent substrate during or after the film forming process.例文帳に追加

透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成するための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱する工程をと有することを特徴とする。 - 特許庁

A method of manufacturing a solar cell for forming an antireflection film 8 on a surface of a semiconductor 9 comprises: a surface treatment step of exposing the surface of the semiconductor 9 to a plasma generated using gas containing hydrogen; and an antireflection film formation step of forming the antireflection film 8 on the treated surface of the semiconductor 9 by a sputtering method.例文帳に追加

半導体９の表面に反射防止膜８を形成する太陽電池の製造方法であって、前記半導体９の表面を、水素を含むガスを用いて発生させるプラズマに曝して処理する表面処理工程と、前記半導体９の処理された表面に前記反射防止膜８をスパッタリング法により形成する反射防止膜形成工程とを含む。 - 特許庁

In the sputtering target which is used when a magnetic recording layer of the perpendicular magnetic recording medium provided with at least the magnetic recording layer 6 on a substrate 1 is film-deposited and comprises a ferromagnetic material and a metal oxide, the metal oxide is so formed that the number of oxygen atoms contained in the metal oxide is made smaller than that of a stoichiometric ratio.例文帳に追加

基板１上に少なくとも磁気記録層６を備えた垂直磁気記録媒体の前記磁気記録層を成膜する際に使用するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは強磁性材料と金属酸化物とからなり、その金属酸化物はその金属酸化物中に含まれる酸素の原子数が化学量論比よりも小さくなるようにした。 - 特許庁

The transparent conductive film having the electric resistivity lower than that by the conventional manufacturing method and manufacturing apparatus can be obtained by maintaining the horizontal magnetic field intensity on a target surface at ≥1,000 Gauss and supplying microwaves superposed to the interior of the plasma generated by impression a DC electric field to the above target, thereby sputtering the target.例文帳に追加

ターゲット表面の水平磁界強度を１０００Ｇａｕｓｓ以上に保持するとともに、上記ターゲットに直流電界を印加することにより生じるプラズマ中にマイクロ波を重畳して供給し、上記ターゲットをスパッタリングすることにより、従来の製造方法および製造装置よりも低電気抵抗率の透明導電膜を得ることができるようになった。 - 特許庁

According to one embodiment, the sputtering apparatus is provided with grounding counter electrodes disposed around a substrate holding section in a vacuum chamber, and the grounding counter electrodes has, in the surfaces of the counter electrodes facing the targets, a plurality of openings which extend toward the deep parts of the counter electrodes while inclining at an angle 10 to 70° with respect to the direction perpendicular to the target surface.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、スパッタリング装置の真空チャンバー内に、基板保持部の周囲に設けられた接地対向電極が、対向電極のターゲットに対向する表面に、ターゲット表面に垂直な方向に対し、１０°乃至７０°の角度で傾斜して対向電極の深部に向かって延在する複数の開口部を有することを特徴とするスパッタリング装置である。 - 特許庁

This Mg-containing ITO sputtering target has a composition consisting essentially of In, Sn, Mg and O and can be manufactured by using a method wherein indium oxide powder, tin oxide powder and basic magnesium carbonate powder are mixed or indium oxide - tin oxide powder and basic magnesium carbonate powder are mixed, formed and sintered and the resultant sintered body is subjected to working.例文帳に追加

実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからなるＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットであって、酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、又は酸化インジウム−酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、成形した後、焼結してなる焼結体を加工するＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法を用いる。 - 特許庁

To provide a manufacturing machine of a multiplayer optical recording disk medium consisting of several signal recording/reproducing layers stacked by using light or heat, which can manufacture a disk having light transmissive layers of even thickness with less bubbles and wrinkles and form the reflector layers and recording layers using a general use sputtering machine and also with tilting stabilized after manufacturing.例文帳に追加

光又は熱を用いて信号を記録・再生する層を複数有する貼り合わせ多層構造型ディスク状光記録媒体の製造装置において、光透過層の厚さが均一であり、また気泡やしわの発生が極めて少なく、反射膜や記録膜を汎用のスパッタ装置で形成することができ、製造後のチルトの安定性が極めて高い製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for inexpensively and stably manufacturing a target with high density of 97% or more, and further a method for efficiently manufacturing a sputtering target especially consisting of a material mainly including oxide, nitride, carbide, boride, and chalcogen, or a material mainly including single phases or plural phases of them, in order to enhance uniformity of film formation and productivity.例文帳に追加

９７％以上の高密度ターゲットを低コストでかつ安定して製造出来るようにし、さらに成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、特に酸化物、窒化物、炭化物、硼化物及びカルコゲン化物を主成分する材料又はこれらの単相又は複相を主成分とする材料からなるスパッタリングターゲットを効率良く製造できる方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a metal fluoride optical element, at the time when reactive sputtering is performed with a metal target and reactive gas, free from variation in optical properties caused by the phenomenon that the content of fluorine in a metal fluoride thin film deviates from a stoichiometric composition in accordance with the using time of the target, to provide its production method, and to provide a production device therefor.例文帳に追加

本発明は、金属ターゲットと反応性ガスとによるリアクティブスパッタリングを行うに際し、ターゲットの使用時間と共に金属フッ化物薄膜のフッ素含有量が化学量論組成から乖離することに起因して光学特性がばらつくことがない金属フッ化物光学素子及びその製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁