「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(128ページ目) - Weblio英語例文検索

When the second metal thin film 32 is formed, oxygen gas or nitrogen gas is introduced into a sputtering atmosphere, and a metal target 61 is sputtered while increasing the introduction amount, whereby the content of oxygen or nitrogen of the second metal thin film 32 is increased toward the front surface, and wear resistance of the surface of the lower electrode layer 30 is improved.例文帳に追加

第二の金属薄膜３２を成膜する際には、スパッタリング雰囲気中に酸素ガス又は窒素ガスを導入し、導入量を増大しながら金属ターゲット６１をスパッタリングするので、第二の金属薄膜３２は表面側程酸素又は窒素の含有量が多くなり、下部電極層３０の表面の耐摩耗性が高くなる。 - 特許庁

When the gas barrier laminated material is manufactured by forming a silicon oxynitride gas barrier layer on one side or both sides of the base material only under an argon atmosphere by a sputtering method, the oxygen permeability and steam permeability of the gas barrier layer are more reduced than before, that is, the gas barrier properties of the gas barrier laminated material can be enhanced.例文帳に追加

アルゴンガス雰囲気下のみで酸化窒化珪素膜ガスバリア層を、基材の片面又は両面にスパッタリング法により形成することによって、ガスバリア性積層材を製造した場合、ガスバリア層の酸素透過率、及び水蒸気透過率を従来のそれよりも小さくすること、つまり、ガスバリア性積層材のガスバリア性を向上することができる。 - 特許庁

A manufacturing method of a magnetic recording medium at least includes a step of forming an intermediate layer composed of MgO on a non-magnetic substrate by a reactive DC sputtering method using targets including Mg and MgO in an oxygen-containing gas and a step of forming a magnetic recording layer including a L1_0 regular alloy on the intermediate layer.例文帳に追加

酸素含有ガス中でＭｇおよびＭｇＯを含むターゲットを用いる反応性ＤＣスパッタ法によって、非磁性基体にＭｇＯからなる中間層を形成する工程と、中間層の上に、Ｌ１_0系規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The electroconductive laminated film is formed by forming the electroconductive film by applying an organometal complex of ruthenium onto a substrate and subsequently heat-treating it, and forming the metallic aluminum film through applying the complex of an amine compound and an alane onto the electroconductive film and subsequently heating and/or optically treating it, or by sputtering or vapor-depositing aluminum.例文帳に追加

この導電性積層膜は、ルテニウムの有機金属錯体を基体上に塗布し次いで熱処理することにより導電性膜を形成し、そして該導電性膜上にアミン化合物とアランとの錯体を塗布し次いで熱および／または光処理するかあるいはスパッタリングや蒸着により金属アルミニウム膜を形成することにより形成される。 - 特許庁

Moreover, in the manufacturing method, magnetron plasmas having ≥400 G magnetic field intensity and each having a closed loop are generated on the surface of the target located on the surface of the cathode by using the two magnetron magnetic circuits arranged on the back side of the cathode of equipotential, and sputtering voltage at the magnetron-plasma generation is made to ≤350 V.例文帳に追加

また、本発明の製造方法においては、同電位のカソード背面に配置した２つのマグネトロン磁気回路を用いて、カソード表面に設置されたターゲット表面に４００Ｇ以上の磁場強度をもつそれぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを発生させ、マグネトロンプラズマを発生させた時のスパッタ電圧が３５０Ｖ以下となるように構成される。 - 特許庁

To provide a method of recovering valuable metals such as platinum and palladium at a low cost by removing efficiently nonmagnetic powder or the like generated in processes of producing, e.g., platinum and a platinum-containing target for sputtering and contaminating scrap, such as abrasive grains, waste materials and cut and planed chips, so as to make the scrap recyclable as a target containing, e.g., platinum or palladium.例文帳に追加

スパッタリング用白金及び白金含有ターゲット等の製造工程等に発生する砥粒、端材、切削屑、平研屑等のスクラップに混入する非磁性粉等を効率良く除去し、白金、パラジウム等を含有するターゲットに再使用できる白金、パラジウム等の有価金属を低コストで回収する方法を提供する。 - 特許庁

The thin film 11 is formed on the surface of the substrate 10, while the mixing ratio between inert gas and nitrogen in an atmosphere of gas composed of a mixture of inert gas and nitrogen is controlled in such a manner that the thin film shows the surface resistance of 1.0×108 to 1.0×1012 Ω/square, by executing sputtering using a metallic oxide target in the atmosphere of the gas.例文帳に追加

薄膜１１は、薄膜が１．０×１０^8〜１．０×１０^12Ω／□の表面抵抗を呈するように、不活性ガスと窒素の混合物から成るガスの雰囲気の不活性ガスと窒素の混合比を調整しつつ、該ガスの雰囲気中で金属酸化物ターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより基板１０の表面に形成される。 - 特許庁

The method for forming a polysilicon (p-Si) film in a process for manufacturing an integrated circuit(IC) comprises a step for sputtering an amorphous silicon (a-Si) material on a substrate, a step for supplying mixture gas containing hydrogen by about 4 vol.% during gas supply, and a step for forming an amorphous silicon film containing hydrogen.例文帳に追加

集積回路（ＩＣ）製造プロセスにおける多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜を形成する方法は、基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）材料をスパッタリングする工程と、ガス供給中に水素含有量が４体積％程度のガス混合気を供給する工程と、水素を含有するアモルファスシリコン膜を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

In the antifog and antistain article for manufacturing the article a film 11 comprising a metal oxide semiconductor having photocatalytic activity and a film 12 essentially comprising silica formed by reactive sputtering under the condition of ≥0.8 Pa pressure during depositing the film are formed on a transparent substrate 10.例文帳に追加

透明基板１０上に、光触媒活性を有する金属酸化物半導体を主成分とする膜１１と、その上に、成膜時の圧力が０．８Ｐａ以上の条件で反応性スパッタ法により形成された二酸化シリコンを主成分とする膜１２とが形成されたことを特徴とする防曇防汚物品とその製造方法。 - 特許庁

To obtain a high quality film and to prevent particles from diffusing in a chamber 3 in a sputtering apparatus of a continuous system that a first target 17a and a second target 17b are arranged to obliquely face a substrate 6 and other targets to form a film while conveying the substrate 6 along a conveying part 15.例文帳に追加

第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂが、それぞれ基板６及び他のターゲットに対して斜めに対向して配置され、基板６を搬送経路１５に沿って搬送しながら成膜する連続方式のスパッタリング装置において、高品質の膜が得られるようにすると共に、粒子のチャンバー３内拡散を防止できるようにする。 - 特許庁

In the optical recording medium 101 having at least dielectric layers 13 and 15 and a recording layer 14 on a base material 11, the dielectric layers 13 and 15 and the recording layer 14 are composed of materials which can be formed by a DC sputtering method using a DC power source or a pulse DC power source.例文帳に追加

基材１１上に少なくとも誘電体層１３、１５と記録層１４とを有する光記録媒体１０１であって、誘電体層１３、１５および記録層１４は、ＤＣ電源もしくはパルスＤＣ電源を用いたＤＣスパッタリング法により形成できる材料からなる光記録媒体１０１により、上記課題を解決する。 - 特許庁

Since the main component of a protection film 14 formed on a PDP 100 contains SrO and MgO and the concentration of MgO in the protection film is made 30 mol% or more and 70 mol% or less, a PDP 100 having a low discharge voltage and a high sputtering resistance and capable of shortening an aging time can be obtained.例文帳に追加

ＰＤＰ１００に形成される保護膜１４が主成分にＳｒＯ及びＭｇＯを含有し、前記保護膜中の前記ＭｇＯの濃度が３０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下であることとしたので、放電電圧を低電圧とし、高い耐スパッタ性を有し、かつ、エージング時間も短縮することが可能なＰＤＰ１００を得ることができる。 - 特許庁

To provide inkjet ink for forming a transparent conductive tin oxide film suitable for inkjet process in which it is possible to form a pattern of a transparent conductive tin oxide film by a method that is less costly and timesaving without using expensive vacuum devices such as sputtering and requiring neither complicated process such as photolithography nor plates for screen printing.例文帳に追加

スパッタ等の高価な真空装置を用いることなく、さらにフォトリソグラフィー法のような煩雑な工程や、スクリーン印刷用の版を要せずに、より安価で手間のかからない方法で透明導電性酸化すず膜のパターンを形成できる、インクジェット法に適した、透明導電性酸化すず膜形成用インクジェットインクを提供する。 - 特許庁

The silver coated Bi2223 superconductive particle powder is obtained by coating silver powder of nano order on the particle surface of Bi2223 superconductive particle powder or by coating a silver thin film on the Bi2223 superconductive particle powder by a sputtering or CVD method; and the superconductive cable can be manufactured by using the silver coated Bi2223 superconductive particle powder.例文帳に追加

銀被覆Ｂｉ２２２３超伝導粒子粉末は、ナノオーダーの銀粒子をＢｉ２２２３超伝導粒子粉末の粒子表面に被覆、あるいは、スパッタやＣＶＤ法によってＢｉ２２２３超伝導粒子粉末に銀薄膜を被覆することによって得られ、前記銀被覆Ｂｉ２２２３超伝導粒子粉末を用いて超伝導ケーブルを作製することができる。 - 特許庁

Deposition-preventive shields 261-264 for preventing deposition of a material emitted from a substrate 9 are disposed in an exchangeable manner in the pre-etching chamber 2 which is connected to a sputter chamber 4 for performing the deposition by the sputtering so as to ensure the continuous vacuum and performs the pre-etching of the surface of the substrate 9 therein.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜処理が行われるスパッタチャンバー４に真空が連続するよう接続され、スパッタリングに先立ち基板９の表面をエッチングする前処理が内部で行われる前処理エッチングチャンバー２内には、基板９から放出された材料の付着を防止する防着シールド２６１〜２６４が交換可能に設けられている。 - 特許庁

In covering the surface of a unidirectional silicon steel sheet after the completion of finish annealing with a plurality of ceramic film layers, a very thin TiNO film, as the first layer, is formed by a hollow cathode method (HCD method) using an arc cut bias voltage as the bias voltage and then forming thereon a ceramic film by a magnetron-sputtering method.例文帳に追加

仕上げ焼鈍済みの一方向性珪素鋼板の表面に、複数層のセラミック被膜を被覆するに際し、少なくとも第１層については、バイアス電圧としてアークカットバイアス電圧を使用する中空陰極法（ＨＣＤ法）を用いてTiNOの極薄被膜を被成し、ついでその上にマグネトロン・スパッタ法を用いてセラミック被膜を被成する。 - 特許庁

To provide an Ag alloy film in which a reflectance in a visible light range takes a fixed value while keeping a high reflectance and which has low electric resistance and combines heat resistance, corrosion resistance, adhesion to a substrate and patterning characteristics, and also to provide a sputtering target material for depositing the Ag alloy film and a planar display device having low power consumption.例文帳に追加

高い反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、かつ低い電気抵抗を有し、さらに耐熱性、耐食性、そして基板への密着性およびパタニング性を兼ね備えたＡｇ合金膜とそのＡｇ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材および低消費電力な平面表示装置を提供する。 - 特許庁

The sputtering apparatus includes a rotatable substrate holder 103, target holders 107a-107d obliquely arranged with respect to the substrate holder 103, and a first shutter 115 and a second shutter 116 that each are provided between the target holders and the substrate holder and have two holes arranged two-fold symmetrical with respect to a rotational axis X.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置は、回転可能な基板ホルダー１０３と、基板ホルダー１３０に対して斜めに配置されたターゲットホルダー１０７ａ〜１０７ｄと、ターゲットホルダーと基板ホルダーの間に設けられ、回転軸Ｘに対して２回対称に配置された２個の孔を有する第１シャッター１１５および第２シャッター１１６とを備える。 - 特許庁

To provide a sputtering target which does not generate a camber caused by solidification shrinkage of a bonding material, has a superior relaxing and absorbing property for thermal stress during being sputtered, can be applied to a large-scale divided target material, and can uniformly join the approximately whole surface of a target material with a back plate, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ボンディング材の凝固収縮に起因するターゲット材の反りが発生せず、スパッタリング中における熱応力の緩和吸収性も良好で、しかも、大型分割ターゲット材にも適用可能な、ターゲット材の略全面にわたって均一にターゲット材とバッキングプレートとを接合することが可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the organic light-emitting device has two or more of light-emitting organic material layers arranged between the first electrode and the second electrode, the most upper layer of an organic material has resistance to sputtering adhesion rather than a lower layer of the organic material, and the electrode formed on the most upper layer of the organic material is a sputtered layer.例文帳に追加

さらに、第１の電極と第２の電極との間に配置された２つ以上の発光性有機材料層を有し、有機材料の最上層が有機材料の下側層よりもスパッタ付着に対し耐性を有し、さらに前記有機材料の最上層の上に形成された電極がスパッタ層である有機発光デバイスについても開示する。 - 特許庁

The sputtering target system is provided with: a backing plate 110 including a central surface and at least one step surface formed, so as to be low by a prescribed step on both the sides of the central surface; a standard target material 120 mounted on the central surface in the backing plate 110; and a reinforcing target 130 mounted on the step surface in the backing plate 110.例文帳に追加

中央表面及び中央表面の両側に所定の段差だけ低く形成される少なくとも１つの段差表面を含むバッキングプレート１１０と、バッキングプレート１１０の中央表面に装着される基準ターゲット材１２０と、バッキングプレート１１０の段差表面に装着される補強ターゲット材１３０とを備える。 - 特許庁

To provide a heat-resistant and light-shielding film capable of suppressing abrupt deposition of an oxide layer on the surface of a metal target by a reactive gas, depositing the metal oxide film of the metal oxide composition with excellent reproducibility by reactive sputtering, and achieving high light-shielding property, low reflectance and low glossiness in a visible ray region of the wavelength of 380-780 nm.例文帳に追加

反応性ガスによって金属ターゲット表面に急激な酸化物層が形成されることを抑え、反応性スパッタリングで金属酸化物組成の金属酸化物膜を再現性よく形成し、３８０〜７８０ｎｍの可視光域において高遮光性、低反射率化、低光沢化が達成された耐熱遮光フィルムを提供すること。 - 特許庁

This Mn-contained copper alloy sputtering target consists of a copper alloy containing 0.6-30 mass% Mn, and the balance Cu with impurities, wherein the contents of the impurities are regulated to be ≤40 ppm metallic impurities, ≤10 ppm oxygen, ≤5 ppm nitrogen, ≤5 ppm, and ≤10 ppm carbon.例文帳に追加

Ｍｎ：０．６〜３０質量％を含み、残部がＣｕおよび不純物からなる組成を有し、かつ前記不純物が金属系不純物：４０ｐｐｍ以下であり、かつ酸素が：１０ｐｐｍ以下、窒素：５ｐｐｍ以下、水素：５ｐｐｍ以下、炭素：１０ｐｐｍ以下に規制された銅合金からなるパーティクル発生の少ないＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁

This organic LED display device having a plurality of organic LED elements each consisting of a thin film transistor, a pixel electrode, at least an organic LED layer and the counter electrode laminated on a substrate comprises a polymer protecting layer formed between the counter electrode and the organic LED layer, the counter electrode being deposited by DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基板上に、薄膜トランジスタと、画素電極と、少なくとも有機ＬＥＤ層と、対向電極とを積層した複数の有機ＬＥＤ素子を有する有機ＬＥＤ表示装置において、対向電極と有機ＬＥＤ層との間に形成された高分子保護層を備え、対向電極がＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜されていること。 - 特許庁

A thin membrane electrolyte layer is formed by a magnetron sputtering method on an anode electrode support substrate wherein a designated thickness is formed by laminating a green tape formed by a tape casting method, the thin membrane electrolyte layer becomes a half cell by sintering, and a cathode electrode layer is formed by a silk screen printing method on this membrane electrolyte layer and it is sintered in order to form a battery cell.例文帳に追加

テープキャスティング法によって形成したグリーンテープをラミネートして所定厚さとした陽極支持基板上にマグネトロンスパッタリング法によって薄膜電解質層を形成し、焼結してハーフセルとし、次いで該薄膜電解質層上にシルクスクリーン印刷法などにより、陰極層を形成して焼結し、電池セルとする。 - 特許庁

Gas for sputtering is introduced into a furnace to remove any residual gas and impurities on a surface of a test piece, nitrogen and hydrogen is introduced into the furnace, the power of the low current is applied to a multiple hollow cathode to generate plasma of high density, and the state of nitrogen plasma in the plasma is changed to form a nitride layer to the nano-size.例文帳に追加

炉の内部にスパッタリングのための気体を注入して試片表面の残留ガス及び不純物を除去し、炉の内部に窒素と水素を注入するとともに多重中空陰極体に低電流の電力を印加して高密度のプラズマを生成し、プラズマ内の窒素プラズマの状態を変えて窒化物層をナノサイズに形成する。 - 特許庁

In a magnetron discharge type sputtering apparatus, a cylindrical carbon target having a hollow portion with one end opened and the other end closed is disposed, the plasma is generated in the hollow portion, and an aperture of the target is separated from a substrate so as to deposit the amorphous carbon having the film hardness Hv≥1,500 kgf/mm2.例文帳に追加

一端が開口し他端が閉じた中空部を有する円筒状炭素ターゲットが配置され、該中空部にプラズマが発生するように構成され、該ターゲットの開口部と基板との間の距離が、Ｈｖ＝１５００ｋｇｆ／ｍｍ^2以上の膜硬度を有するアモルファス炭素が形成されるように離してあるマグネトロン放電型スパッタ装置。 - 特許庁

A manufacturing method of a sputtering target comprises a pressure bonding process of pressure bonding powder 2 consisting of a forming material of a transparent oxide conductor to at least one side of a plate body 21 formed of a conductor by performing the rolling between rolling rollers 4A, 4B, and a sintering process of sintering the powder 2 pressure bonded to the plate body.例文帳に追加

圧延ローラ４Ａ，４Ｂ間において圧延処理することによって導電体からなる板状体２１の少なくとも一方の面に透明酸化物導電体の形成材料からなる粉末２を圧着させる圧着工程と、上記板状体に圧着された上記粉末２を焼結させる焼結工程とを有する。 - 特許庁

The sputtering target for forming the thin film of a Mo alloy on the substrate has a composition comprising 2-50 atom.% of one or two selected from V and Nb, and the balance Mo with unavoidable impurities, has relative density of 95% or higher, and preferably has deflection strength of 300 MPa or higher.例文帳に追加

基板上にＭｏ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、その組成が、ＶとＮｂから選ばれる１種以上を合計で２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなり、相対密度が９５％以上、好ましくは、抗折力が３００ＭＰａ以上である薄膜形成用スパッタリングターゲットである。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent discharge lamp of high quality and high reliability, by shortening discharge starting time of the lamp through reduction of a volume of a sputtering phenomenon, and by improving on high luminance, long life as well as darkness starting characteristic through maintenance of stable discharge over a long period of time, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

スパッタ現象の発生量を低減させて冷陰極蛍光放電ランプにおける放電開始時間を短縮させ、且つ安定した放電が長時間に亘って維持させることによって高輝度、長寿命と共に暗黒始動特性を向上させ、品質及び信頼性の高い冷陰極蛍光放電ランプ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Voltage is applied to a pair of targets 41a, 41b provided in a vacuum chamber 11 via an AC power source E at prescribed frequency in such a manner that polarity is alternately changed, each target is alternately changed to an anode electrode and a cathode electrode, glow discharge is generated between the anode electrode and the cathode electrode to form a plasma atmosphere, and each target is subjected to sputtering.例文帳に追加

真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。 - 特許庁

In the method for producing a cut filter for near IR rays in which low reflective index films and high reflective index films are alternately stacked on a substrate, the respective films are formed by magnetron sputtering, and oxygen is fed to an electron cyclotron resonance type ion source and an assist ion source, while plasma is excited so as to oxidize the films.例文帳に追加

基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる近赤外線カットフィルターの製造方法であって、それぞれの前記膜をマグネトロンスパッタリングにより成膜し、電子サイクロトロン共鳴型イオン源及びアシストイオン源に酸素を供給するとともに、プラズマを励起させて前記膜を酸化することを特徴とする。 - 特許庁

To prevent a sheet from being shifted downward by a simple structure even when the sheet can travel in the forward and reverse directions in a surface treatment apparatus for performing surface reforming treatment by plasma or the like and surface treatment including film deposition by a sputtering method, a plasma CVD method, etc., while continuously transporting the strip- like sheet so that the width direction thereof is perpendicular.例文帳に追加

帯状シート材をその幅方向が鉛直方向となるように連続走行させつつ、プラズマ等による表面改質処理やスパッタ法、プラズマＣＶＤ法等による成膜処理などの表面処理を行なう表面処理装置において、シート材を正逆走行可能に構成した場合でも、簡易な構造でシート材の下方へのズレを防止する。 - 特許庁

A sewing machine 1 includes nitriding compound layer made of a porous layer and a dense layer formed on the surface of a base material composed of low-carbon steel and low-carbon alloy steel not applied with hardening treatment, on which an intermediate layer made of a metal layer such as Cr or W is interposed by a sputtering coating method and formed with a DLC layer over the intermediate layer.例文帳に追加

ミシン１において、硬化処理を行っていない低炭素鋼及び低炭素合金鋼からなる母材の表面にポーラス層と緻密層からなる窒化化合物層を生成し、その上にスパッタリングコーティング方式によりＣｒ又はＷ等の金属層からなる中間層を介在させ、さらにその上にＤＬＣ層を形成した。 - 特許庁

The method for forming electric wiring or the electrode for the liquid crystal display, which does not have the thermal defect and is superior in adhesiveness, includes: using a copper target having a composition comprising 0.04 to 1 mass% oxygen and the balance Cu with unavoidable impurities; and sputtering the target in an inert gas atmosphere or in an inert gas atmosphere containing 3 vol% or less oxygen.例文帳に追加

酸素：０．０４〜１質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅ターゲットを用い、不活性ガス雰囲気中または酸素：３体積％以下含んだ不活性ガス雰囲気中でスパッタリングする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線または電極の形成方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the thermoelectric transducer 1 has the super-lattice structure 20 includes a step of alternately laminating the first layers 11 and the second layers 12 at -100°C to 400°C, by the ion beam sputtering method after adjusting two or more ion beams for irradiating two or more kinds of targets.例文帳に追加

超格子構造２０を有する熱電変換素子１の製造方法であって、イオンビームスパッタ法により、２種類以上のターゲットに照射する２以上のイオンビームを調整して、−１００℃以上４００℃以下において、Ｓｉを含む第１の層１１と、ＧｅおよびＡｕを含む第２の層１２とを交互に積層する工程を含む熱電変換素子の製造方法。 - 特許庁

Deviation of composition from the sputtering target has a film composition of 10 atom.% or less.例文帳に追加

10〜98原子％のＭｎを含み、残部が実質的にＮｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷおよびＲｅから選ばれる少なくとも1種のＲ元素からなるスパッタリングターゲットを用いて、スパッタ成膜してなる反強磁性体膜であって、スパッタリングターゲットからの組成のずれが10原子％以下の膜組成を有している。 - 特許庁

To provide a sintered compact used for a target on which a PZT thin film is deposited by suppressing the local variation of Pb concentration to eliminate the variation of the characteristics of the thin film itself and which is prevented from the breaking even under high voltage and is suitable for high speed film deposition, and a manufacturing method of the sintered compact and the sputtering target using the sintered compact.例文帳に追加

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a gas seal between a pre-treatment chamber and a surface treatment chamber with a simple structure which can ensure the sufficient performance even when a sheet-like material is wide in a surface treatment device for performing the surface treatment by plasma, sputtering, CVD, vapor deposition, or the like, while allowing the sheet-like material to continuously travel in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空室内においてシート状材料を連続走行させつつ、プラズマやスパッタ、ＣＶＤ、蒸着等によって表面処理を行なう表面処理装置において、前処理室と表面処理室との間のガスシールとして、簡易な構造でありながら、シート状材料が広幅になった場合でも十分な性能が得られるものを提供する。 - 特許庁

While the substrate stage 13 sucks and heats the substrate S and the rotary section 18 turns the substrate stage 13, the sputtering apparatus 10 sputters the GeTe target 22a and Sb_2Te_3 target 22b at different timings from each other to stack two metallic chalcogenide films having mutually different compositions on the substrate S.例文帳に追加

こうしたスパッタ装置１０は、基板ステージ１３が基板Ｓを吸着且つ加熱した状態で、回転部１８が基板ステージ１３を回転させつつ、ＧｅＴｅターゲット２２ａ及びＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂの各々を互いに異なるタイミングでスパッタすることにより、互いに異なる組成を有した二つの金属カルコゲナイド膜を基板Ｓ上に積層する。 - 特許庁

The sputtering system which includes the magnetic circuit fastened with the permanent magnet at a yoke and is arranged to be supplied with a refrigerant 21 to the magnetic circuit is furnished with at least, film consisting of a first layer of an epoxy resin and a second layer of a fluororesin in the segment of the magnetic circuit, which segment comes into contact with the refrigerant 21.例文帳に追加

ヨークに永久磁石が固着された磁気回路を具備し、前記磁気回路に冷媒２１が供給されるようにしたスパッタリング装置において、前記磁気回路の少なくとも前記冷媒２１と接触する部分に、少なくともエポキシ樹脂の第1層と、フッ素樹脂の第2層から成る膜が具備されているスパッタリング装置。 - 特許庁

The method of manufacturing a metal-clad plastic substrate, having a metal layer formed by sputtering on a polyimide film surface comprises treating the surface of the polyimide film surface with an alkali water solution of 0.001-10 mol/L concentration, prior to forming the metal layer, and then treating it with a polar organic solvent held at 20-40°C.例文帳に追加

ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法によって金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、前記金属層を形成するに先だって、ポリイミドフィルム表面を濃度０．００１〜１０ｍｏｌ／Ｌのアルカリ水溶液で処理した後、その後２０〜４０℃の温度に保持した極性有機溶媒で処理することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target for manufacturing a half-tone type phase-shift masking and a blank, being provided with a region transparent to an exposure light and a region of a translucent film having a controlled phase and transmittance on a glass substrate, which can cope with a shortening of exposure wavelength and the formation of a highly transmittant film.例文帳に追加

ガラス基板上に露光光に対して透明な領域と、位相および透過率が制御された半透明膜領域を設けたハーフトーン型位相シフトマスク及びブランクを製造するためのスパッタリングターゲットに於いて、ハーフトーンマスク及びブランクが露光波長の短波長化や高透過率化に対応できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The glow discharge analysis apparatus 1 analyzes components in a depth direction of the sample S by sputtering to a surface of the sample S using a glow discharge, and has a display 35 for displaying a depth component ratio graph 36 for indicating so as to correspond an average of the component ratio of each layer classified by the component ratio of each region of the sample to a location in the depth direction.例文帳に追加

グロー放電による試料Ｓ表面へのスパッタリングを用いて試料Ｓの深さ方向の成分分析を行なうグロー放電分析装置１であって、試料の各部の成分比によって層に分類した各層の成分比の平均を、深さ方向の位置に対応させて表わす深さ成分比グラフ３６の表示部３５を有する。 - 特許庁

In the sputtering target composed of chromium for chromium alloy, the total number of insulating oxides of ≥30 μm maximum length existing in the target, particularly particles of Al_2O_3, ZrO_2, TiO_2, SiO_2, CaO, and MgO, is ≤20 pieces/g and the average particle size of the chromium or chromium matrix phases constituting the target is ≤50 μm.例文帳に追加

ターゲット中に存在する最大長さが３０μｍ以上の絶縁性の酸化物、特に、Ａｌ_2Ｏ_3、ＺｒＯ_2、ＴｉＯ_2、ＳｉＯ_2、ＣａＯおよびＭｇＯの粒子の総数が２０個／ｇ以下であると共に、前記ターゲットを構成するクロムまたはクロムマトリクス相の平均粒径が５０μｍ以下であるクロムまたはクロム合金からなるスパッタリングターゲットとする。 - 特許庁