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「static column」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > static columnに関連した英語例文

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static columnの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 20



例文

MULTI-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY FOR COLUMN INTERLEAVED ARRAY例文帳に追加

列インタリ—ブド・アレイのためのマルチポ—ト・スタティック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁

A static random access memory has a plurality of memory cells arranged in the row and column directions.例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリは,ロウ及びコラム方向に配置された複数のメモリセルを有する。 - 特許庁

Set the header, footer, and component type (such as Static Text, Text Field, or Button) for each column 例文帳に追加

ヘッダー、フッター、および各列のコンポーネントの種類 (静的テキスト、テキストフィールド、ボタンなど) の設定 - NetBeans

A filling material having crossing path structure is provided for a packing column or a static mixing apparatus.例文帳に追加

交差経路構造を有する充填体(1)がパッキングカラムまたは静的混合装置用に提供される。 - 特許庁

例文

To control a source voltage level of a driver transistor for the unit of a memory cell column in a static semiconductor memory device.例文帳に追加

スタティック型半導体記憶装置においてメモリセル列単位で、ドライバトランジスタのソース電圧レベルを制御する。 - 特許庁


例文

To provide a semiconductor memory device having a static type memory cell such as a single end type and capable of performing writing by a column unit.例文帳に追加

シングルエンド方式などのスタティック型メモリセルを有する半導体記憶装置でカラム単位での書き込み等を可能にする。 - 特許庁

In the Column Details area at the bottom of the dialog box, change the Component Type from Static Text to Text Field, as shown in the following figure. 例文帳に追加

次の図に示すように、ダイアログ下部の「列の詳細」領域で、「コンポーネントの種類」の値を「静的テキスト」から「テキストフィールド」に変更します。 - NetBeans

As a result, static pressure by the liquid column is generated in a liquid inflow port 9, and the refrigerant is sent at a speed to the inside of the boiling type heat absorbing part 1.例文帳に追加

その結果、液流入口9では液柱による静圧が生じ、冷媒は沸騰式吸熱部1の内部へと速度を持って送られる。 - 特許庁

The difference Δp=p1-p2 between the two pressures is smaller than the liquid-column Static pressure (phydr=p.g.[h2-h1]) of the fractions between the first and second levels.例文帳に追加

両圧力の差Δp=p1−p2は第1レベルと第2レベルの間の留分の液柱静圧(p_hydr=p・g・[h2−h1])より小さい。 - 特許庁

例文

By separating the CO_2 contained in the digestion gas 11A by virtue of the static mixer 13 and the absorption column 14, a CH_4 gas 33 wherein the CH_4 is concentrated to a high concentration is obtained from the absorption column 14.例文帳に追加

スタティックミキサ13と吸収塔14とにより消化ガス11A中に含まれるCO_2を分離することで、吸収塔14からはCH_4を高濃度に濃縮したCH_4ガス33を得ることができる。 - 特許庁

例文

There are provided a method and a circuit for achieving a dynamic RF column including a pseudo-static dynamic bit lines in, for example, a register file circuit.例文帳に追加

ここでは、例えばレジスタ・ファイル回路内に、擬似スタティック・ダイナミック・ビット・ラインを具備するダイナミックRFカラムを実現するための方法および回路が提供される。 - 特許庁

In the Column Details area at the bottom of the dialog box, change the Component Type from Static Text to Text Field, as shown in the following figure, and click Apply. 例文帳に追加

ダイアログ下部の「列の詳細」領域で、次の図に示すように「コンポーネントの種類」を「静的テキスト」から「テキストフィールド」に変更し、「適用」をクリックします。 - NetBeans

To provide a semiconductor integrated circuit device which mounts an asynchronous pseudo-SRAM having a high-speed operation mode, such as static column mode.例文帳に追加

スタティックカラムモードなどの高速動作モードを有した非同期仕様の擬似SRAMを搭載した半導体集積回路装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device 1 is equipped with; a SRAM (Static RAM) cell array 11 in which a plurality of memory cells each of which consists of CMOSFETs are arranged in matrix; and power source lines VL1 and GL1, etc., which are provided every one bit column , such as one bit column of the SRAM cell array 11.例文帳に追加

半導体集積回路装置1は、CMOSFETから構成される複数のメモリセルが格子状に配置されたSRAMセルアレイ11と、SRAMセルアレイ11の1ビット列等の1ビット列ごとに設けられた電源線VL1、GL1等を備えている。 - 特許庁

A high speed operation mode, such as a static column mode can be made feasible, by providing a pseudo SRAM with an ATD circuit 11 for row access, an ATD circuit 10 for column access, and a mode determination circuit 26 to find out which mode is being accessed, row access or column access, and by automatically generating the mode determination signals SC inside the chip to control the inner circuit.例文帳に追加

擬似SRAMに、ロウアクセス用のATD回路11と、カラムアクセス用のATD回路10と、ロウアクセスとカラムアクセスのどちらのモードが実行されているかを判定するモード判定回路26を設け、チップ内部で自動的にモード判定信号SCを生成して内部回路を制御することにより、スタティックカラムモードなどの高速動作モードが可能となる。 - 特許庁

To prevent propagation of a soft error between adjoining column groups in a static random access memory comprising a semiconductor substrate on which a first conductivity type common well is formed, and a memory cell array consisting of memory cells arranged in matrix in the common well on the semiconductor substrate, so that a group of memory cells connected with a common bit line while being arranged in the column direction forms a memory cell column.例文帳に追加

第1の導電型の共通ウェルが形成された半導体基板と、前記半導体基板上の前記共通ウェルに行列状に配列されたメモリセルよりなり、列方向に整列して共通のビット線に接続される一群のメモリセルがメモリセルカラムを形成するメモリセルアレイからなるスタティックランダムアクセスメモリにおいて、隣接カラム群間のソフトエラーの伝搬を抑制する。 - 特許庁

The distance between an object lens 30 and the object to be irradiated 1 is made closer by separating the object lens 30 at the top end of the electron beam column 12, and integrating the object lens with the static pressure floating pad 19.例文帳に追加

電子ビームカラム12の先端の対物レンズ部30を切り離し、これを静圧浮上パッド19と一体化した構造とすることにより、対物レンズ部30と被照射体1との間の距離を近接させる。 - 特許庁

The liquid mixture 10 is passed, as a turbulent flow, for a first period of time, through a packing body which can be used for a packed column or an equipped material such as a static mixer in order to stick liquid droplets to each other.例文帳に追加

液体混合物(10)は、液滴の合着を生じさせるために、第1の期間、充填カラムに使用され得る充填体又は静的ミキサのような装備物(110,113)に乱流として通過される。 - 特許庁

Even if the fixed side column 7b is pressed in a direction of an arrow mark Q by the extending force (an arrow mark P) of a chuck cylinder (refer to Figure (B)), static pressure (an arrow mark R) of the operating fluid in the hydraulic bag 11 competes with the force Q (refer to Figure (A)).例文帳に追加

((B)図参照)チャックシリンダの伸張力(矢印P)によって、固定側コラム7bが矢印Q方向に押されても、((A)図参照)上記の力Qに対して油圧バッグ11内の作動油の静圧(矢印R)が拮抗し、該固定側コラム7bに大きい歪みを生じさせない。 - 特許庁

例文

b) Microprocessors, microcomputers, microcontrollers, programmable ROM that can electronically delete programs (including flash memory), static RAM, and devices using storage elements that employ compound semiconductors, analog-to-digital converters, digital-to-analog converters, electro-optical integrated circuits or optical integrated circuits used for signal processing, field programmable logic devices, those using neural networks, custom integrated circuits (excluding those for which it is possible to determine whether or not they are goods that fall under any of (c) through (h), or (k), or those for which it is possible to determine whether or not they are goods falling under any of the goods in the middle column of rows 5 through 15 of the appended table 1 of the Export Order; hereinafter the same shall apply in this Article) or FFT processors that fall under any of the following categories (excluding those designed for use in other goods 例文帳に追加

ロ マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、プログラムを電気的に消去することができるプログラマブルロム(フラッシュメモリーを含む。)、スタティック式のラム、化合物半導体を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、デジタルアナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールドプログラマブルロジックデバイス、ニューラルネットワークを用いたもの、カスタム集積回路(ハからチまでのいずれか若しくはルに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計したものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。以下この条において同じ。)又はFFTプロセッサであって、次のいずれかに該当するもの(他の貨物に使用するように設計したものを除く。) - 日本法令外国語訳データベースシステム




  
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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
  
この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。
  
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