「stencil mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

An exposure mask 1 using extreme violet light for exposing a desired pattern on a body to be exposed by using the extreme violet light is configured with a stencil structure provided with an opening region 1a through which the extreme violet light made incident onto a mask surface from its vertical direction passes, and a shade area 1b for shading the extreme violet light.例文帳に追加

極短紫外光を用いて被露光体上に所望パターンを露光するための極短紫外光の露光用マスク１を、マスク表面に対して垂直方向から入射する極短紫外光を透過する開口領域１ａと、当該極短紫外光を遮蔽する遮光領域１ｂとを具備したステンシル構造によって構成する。 - 特許庁

To provide method and apparatus for printing capable of printing by drawing a printing substance from through holes without dragging the substance from a stencil mask in the holes even in the case that printing conditions such as a surface state of wall surfaces of the holes of the mask and type of a cream solder or the like are different.例文帳に追加

孔版マスクの貫通孔内壁面の表面状態やクリーム半田の種類等の印刷条件が異なる場合でも、貫通孔内の印刷物質が該孔版マスクに引きずられることなく該印刷物質が該貫通孔から抜けて良好な印刷を行うことができる印刷方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

The layout figure data of a stencil mask stored at a layout figure information storage section 107 are read, the layout figure data are divided by a segment in the horizontal and vertical directions for generating a plurality of division layout figure data, and the plurality of division layout figure data are divided into a plurality of complementary mask data for generating plurality of complementary mask data for storing at a complementary mask data storage section 108.例文帳に追加

レイアウト図形情報記憶部１０７に記憶したステンシルマスクのレイアウト図形データを読み込み、前記レイアウト図形データを横方向及び縦方向の線分で分割することによって複数の分割レイアウト図形データを生成し、前記複数の分割レイアウト図形データを複数の相補マスクデータに振り分けることによって複数の相補マスクデータを生成して相補マスクデータ記憶部１０８に記憶する。 - 特許庁

The stencil mask blank is provided with a supporting substrate 13 composed of a single crystal silicon wafer, an active layer 11 for preparing a transfer pattern, an intermediate insulation layer formed between the supporting substrate and the active layer, and an amorphous silicon layer 111 formed at the other side of the supporting substrate while an opening unit corresponding to the transfer pattern is prepared in the amorphous silicon layer, the supporting substrate, and the intermediate insulation layer.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 - 特許庁

In the stencil mask blank, openings corresponding to the transfer pattern are provided on the amorphous silicon layer, the supporting substrate and the intermediate insulating layer.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 - 特許庁

The method for inspecting a surface of a stencil mask to be used for charged particle beam exposure or the like includes an inspection step where a foreign matter or a defect on the surface of a membrane is inspected based on a first image of the surface of the membrane and on a second image of the back face of the membrane.例文帳に追加

荷電粒子線露光などに用いられるステンシルマスクの表面の検査を行う方法であって、その検査工程においてメンブレン部表面の第１の画像と、メンブレン部裏面の第２の画像とに基づいて、メンブレン部表面の異物や欠陥を検査することを特徴とするステンシルマスクの検査方法を提供する。 - 特許庁

The present invention provides a stencil mask having a membrane group provided with beams 2, a plurality of membranes 1 surrounded by the beams, and opening patterns 5 provided in the membranes, and having five or more membrane groups, with an opening pattern of each membrane group being a complementary division pattern which is a mutually different part of the same pattern.例文帳に追加

本発明は梁２と、梁により囲われた複数のメンブレン１と、メンブレンに設けた開口パターン５と、を備えたメンブレン群を有し、前記メンブレン群を５つ以上有し、各メンブレン群の開口パターンは、同一のパターンの互いに異なる一部である相補分割パターンであることを特徴とするステンシルマスクである。 - 特許庁

A stencil mask manufacturing process in the preceding back etching process includes forming gradations of a film thickness of a resist left in a pattern field, after developing by adjusting the amount of exposed light, and selectively thinning a masking substrate film in a minute pattern formation field, with an aspect ratio higher than that of the surrounding region, prior to patterning.例文帳に追加

先行バックエッチングプロセスのステンシルマスク製造工程において、現像後のパターン領域のレジスト残膜厚に露光量を調整することにより階調をつけ、周辺領域よりアスペクト比が高い微細パターン形成領域のマスク基板膜厚を選択的にパターニング以前に薄膜化することにより、ステンシルマスクを形成する。 - 特許庁

The pattern inspecting method includes: a film forming process of forming a film on a substrate; an ion implantation pattern forming process S12 of forming an ion implantation pattern on the film through an opening pattern formed on a stencil mask; and an optical inspecting process S13 of optically inspecting the ion implantation pattern based upon the opening pattern.例文帳に追加

基板上に膜を形成する膜形成工程と、ステンシルマスクに形成された開口パターンを通じて前記膜にイオン注入パターンを形成するイオン注入パターン形成工程Ｓ１２と、イオン注入パターンを開口パターンに基づいて光学的に検査する光学的検査工程Ｓ１３とを備える。 - 特許庁

A fragment processing part 114 performs fragment processing using a first auxiliary buffer 116 which is used as a depth buffer in the 3D graphics and as a mask buffer in the vector graphics, a second auxiliary buffer 117 used as a stencil buffer in the 3D graphics and as a scissor buffer in the vector graphics, and a shared color buffer 115.例文帳に追加

フラグメント処理部１１４は、３Ｄグラフィックスではデプスバッファ、ベクターグラフィックスではマスクバッファとして用いる第１の補助バッファ１１６と、３Ｄグラフィックスではステンシルバッファ、ベクターグラフィックスではシザーバッファとして用いる第２の補助バッファ１１７と、共通に用いるカラーバッファ１１５を用いて、フラグメント処理を行う。 - 特許庁

Thereafter, a stencil mask 8 provided with an pattern opening 10 where a silylation reagent passes through is arranged apart from the surface of the resist film 6 by a prescribed gap t4, and the silylation reagent is supplied onto the surface of the resist film 6 through the pattern opening 10 to turn a prescribed pattern 6a of the resist film 6 to silyl.例文帳に追加

その後、シリル化剤を通過させるパターン開口部１０が形成されたステンシルマスク８を、レジスト膜６の表面に対して所定隙間ｔ４で配置し、パターン開口部１０を通してシリル化剤をレジスト膜６の表面に供給し、所定パターン６ａのレジスト膜６をシリル化する。 - 特許庁

An inversion means for inverting both sides of a stencil mask 4 wherein an opening pattern 10 passing through the thickness direction is formed is provided for performing position change for a surface 4a irradiated with charged particles to the side opposite a treatment substrate 5, and for facing the treatment substrate 5 to the side subjected to incidence of charged particles.例文帳に追加

厚さ方向を貫通する開口パターン１０が形成されたステンシルマスク４の表裏を反転させる反転手段を設け、荷電粒子の照射を受けた面４ａを被処理基板５に対向する側に、被処理基板５に対向していた面を荷電粒子の入射を受ける側に位置変換できるようにした。 - 特許庁

In an electron beam aligning stencil mask in which membranes 11, 12 formed with patterns which should be transferred to an inductive substrate via through holes 21, 22 of a pattern form are supported by a support member, at least one pattern 41 out of the patterns formed with a single through hole is divided and disposed in a plurality of regions 11, 12.例文帳に追加

パターン状の貫通穴２１、２２により感応基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレン１１、１２が支持部材により支持されてなる電子線露光用ステンシルマスクにおいて、単一の貫通孔により形成されるパターンのうち少なくとも一つのパターン４１が分割されて、複数の領域１１、１２に配置されていることを特徴とする電子線露光用ステンシルマスク。 - 特許庁

This stencil mask 10 is used in the semiconductor lithography process for near exposure like the LEEPL and is provided with a supporting material 12 consisting of a Si substrate, a membrane 16 consisting of a Si film extended on the supporting material 12 via a SiO_2 film 14, and a groove type pattern 18 provided on the membrane 16.例文帳に追加

本ステンシルマスク１０は、ＬＥＥＰＬのような近接露光を行う半導体リソグラフィ工程で使用するステンシルマスクであって、Ｓｉ基板からなる支持体１２と、ＳｉＯ_２ 膜１４を介して支持体１２上に延在するＳｉ膜からなるメンブレン１６と、メンブレン１６に設けられた溝状のパターン１８とを備えている。 - 特許庁

In a mask 1 for drawing disclosed electron beams, a membrane structure 2 where a donut-like pattern (a pattern in an endless shape) 4 is formed, and a stencil structure 3 where a pattern in a straight line shape (a pattern other than the pattern in an endless shape) 5 is formed are bond by an insulating resin or the like such as resin in one piece.例文帳に追加

開示されている電子線描画用マスク１は、ドーナッツ形状パターン（無端形状パターン）４が形成されたメンブレン構造体２と、直線形状パターン（無端形状パターン以外のパターン）５が形成されたステンシル構造体３とが、樹脂等の絶縁性接着剤等により貼り合わされて一体化されている。 - 特許庁