「stencil mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a stencil mask by which the deposition of foreign matter is prevented in a step for forming a pattern opening in a single-crystalline silicon wafer, particularly in a step for etching a middle silicon dioxide film and a high quality stencil mask is produced in a high yield.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハにパターン開口部を形成する工程や、特に中間シリコン酸化膜をエッチングする工程での異物の付着を無くし、製造歩留まりの高い高品質のステンシルマスクを製造する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing the effect of shadowing or attaining fining process of the implanted region of a semiconductor substrate by delaying a deterioration speed of a stencil mask disclosed herein, and to provide semiconductor manufacturing equipment and the stencil mask.例文帳に追加

本発明ステンシルマスクの劣化速度を遅らせ、シャドーイングの影響の抑制又は半導体基板の注入領域の微細加工が可能な半導体装置の製造方法、半導体製造装置及びステンシルマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁

Disclosed is the stencil mask defect inspecting method and device which irradiates the stencil mask obliquely with linear parallel light and measures the shape of the opening 8 using a non-reflection image of an image obtained by imaging surface reflected light, so as to inspect a defect of the opening 8.例文帳に追加

ステンシルマスクに対して斜め方向から線状平行光を照射し、表面反射光を撮像した撮像画像における非反射像により開口部の形状を測定することにより開口部の欠陥を検査するステンシルマスク欠陥検査方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a stencil mask in which the transfer of a defect of the stencil mask to a material to be exposed is reduced and the positional accuracy of a circuit pattern to be transferred to the material to be exposed can be improved, and to provide a method of exposing and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ステンシルマスクの欠陥が被露光体へ転写されるのを低減し、かつ、被露光体へ転写される回路パターンの位置精度を向上させることができるステンシルマスク、露光方法、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a stencil mask and an alignment apparatus used for the alignment of the stencil mask whereby the alignment marks of a wafer can be sensed even when Si is used in its pattern portion for depictions, and the large improvement of the accuracy of the alignment can be achieved.例文帳に追加

描画用のパターン部にＳｉを使用しても、ウエハの位置合わせマークが検出可能であり、位置合わせ精度の大幅な向上が達成できるステンシルマスク、及びその位置合わせに使用されるアライメント装置を提供する。 - 特許庁

To provide a stencil mask for reducing an influence on the roughness of a transfer penetration pattern, and for controlling the dimension of the transfer penetration pattern while maintaining the rectangularity of the transfer penetration pattern or dimension uniformity in a plane, and a method for manufacturing the stencil mask.例文帳に追加

転写貫通パターン端部のラフネスへの影響が小さく、また転写貫通パターンの矩形性や面内の寸法均一性を維持したまま転写貫通パターンの寸法を制御することができるステンシルマスク及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

This electron beam device irradiates a stencil mask 800 with electron beams emitted from an electron gun 710, and the electron beams transmitted through the stencil mask 800 are amplified by an electron lens and detected by a detector having a plurality of picture elements, and an image of a testpiece is formed.例文帳に追加

本発明は、上記課題を解決すべく電子銃７１０から放出された電子線をステンシルマスク８００に照射し、ステンシルマスク８００を透過した電子線を電子レンズで拡大して複数の画素を有する検出器で検出して試料の画像を形成する電子線装置である。 - 特許庁

Prior to a pattern boring process by dry etching, a stencil mask substrate 1 on a region 13 of a fine pattern is etched away along the depth to make the substrate film thickness less than that of a region 12, and then even a stencil mask substrate having various pattern sizes can be processed to precise size in the mask surface.例文帳に追加

ドライエッチングによるパターン開口工程に先立って、微細パターンの領域１３上のステンシルマスク基板１をエッチングによりエッチング深さ方向に除去し、基板膜厚を他の領域１２に対し薄膜化することにより、種々のパターン寸法が混在するステンスルマスク基板においてもマスク面内の寸法を精度よく加工することができる。 - 特許庁

Since the stencil mask is cleaned by using the cleaning liquid added containing an added surface active agent having surface tension lowering ability after pattern openings are formed in a membrane 3 (refer to Fig. (i)), the surface tension of the cleaning liquid is lowered by the surface active agent and the pressure applied to the stencil mask is reduced at the time of cleaning the mask.例文帳に追加

メンブレン３にパターン開口部を形成した後に（図６（ｉ）参照）、表面張力低下能力を有する界面活性剤を添加した洗浄液を用いて洗浄していることから、洗浄液の表面張力が界面活性剤により低下し、洗浄時にステンシルマスクにかかる圧力が低減される。 - 特許庁

With such constitution, the mask for forming the throughhole pattern in the thin-film layer can be formed with the fine pattern, and the stencil mask having the fine throughhole pattern can be manufactured.例文帳に追加

よって、薄膜層に貫通孔パターンを形成するためのマスクを微細なパターンで形成することが出来、微細な貫通孔パターンを備えたステンシルマスクを製造することが可能となる。 - 特許庁

To provide a stencil mask which holds a prescribed strength and effectively avoids deforming due to a thermal stress, even if the mask is made fine and as a thin film, and has a pattern having a precise processing accuracy.例文帳に追加

微細化され且つ薄膜化されたステンシルマスクに於いても、所定の強度を保持すると同時に熱応力による変形を有効に防止すると共に、精密な加工精度を有するパターンを有するステンシルマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a stencil mask with which an appropriate pattern can be formed through one time of exposure in a case where fine patterns and rough patterns coexist, and to provide a method of manufacturing the mask.例文帳に追加

微細なパターンと粗大なパターンとが混在する場合において、１回の露光で適正なパターンが形成できるステンシルマスク及びその製法を提供する。 - 特許庁

At that time, a surface of a transfer surface side of the stencil mask is held in a projecting state to a transfer surface side than a transfer surface side bottom surface of the mask holder.例文帳に追加

このとき、ステンシルマスクの転写面側表面は、マスクホルダの転写面側底面よりも転写面側へ突き出した状態で保持することができる。 - 特許庁

To provide a defect inspection apparatus and defect inspection method capable of detecting the defect on the back surface side of a mask blank for a stencil mask with high accuracy.例文帳に追加

ステンシルマスク用マスクブランクスの裏面側の欠陥を精度良く検出することができる欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a screen printing device which can restrain the distortion of a screen mask at the time of breaking-off from a stencil in which a medium for an image to be printed on, is separated from the screen mask without the necessity of arranging a locking mechanism.例文帳に追加

ロック機構を設けることなくスクリーンマスクから被印刷媒体を引き離す版離れ時のスクリーンマスクの変形を抑制することができるスクリーン印刷装置を得る。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method, which is capable of carrying out complementary split processing at a high speed without creating a pattern which is impossible or hard to form on a stencil mask.例文帳に追加

ステンシルマスクに形成不可能または形成困難なパターンを発生させずに、高速で相補分割処理を行えるマスクパターン作成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask for extreme ultraviolet rays exposure used for the EUV exposure which has stencil structure so as to solve the manufacturing difficulty of a reflection type EUV mask, and to provide an exposure method of extreme ultraviolet rays by using it.例文帳に追加

反射型ＥＵＶマスクの製造困難性を解消するために、ステンシル構造を有するＥＵＶ露光のための極端紫外線露光用マスク並びにそれを用いた極端紫外線の露光方法を提供する。 - 特許庁

Only the pixels of the light source dummy object 23 which is judged to be present in front of another object are written with '1', and the other pixels are written with '0' in a stencil buffer 22-4 so that the mask of an area to which light beams are emitted can be prepared in the stencil buffer 22-4.例文帳に追加

光源ダミーオブジェクト２３が他のオブジェクトより手前にあると判断されたピクセルのみステンシルバッファ２２−４に“１”を書き込み、その他の部分は“０”とし、ステンシルバッファ２２−４には光の当たっている領域のマスクが作成される。 - 特許庁

The formation of this solder mask is performed by using a stencil print unit 12 to apply photo-imageable ink 2 to a carrier film 1A, compressing the photo-imageable ink 2 through a stencil opening 12d by a scraper 12c along the upper surface of a metal stencil plate 12b to form a photo-imageable ink layer to be transferred to the carrier film 1A.例文帳に追加

ソルダ・マスクの形成はステンシル印刷ユニット１２を使用して、フォトイメージャブル・インク２が、キャリア・フィルム１Ａに金属ステンシル板１２ｂの上面に沿ってスクレーパ１２ｃによって、ステンシル開口１２ｄを介してフォトイメージャブル・インク２を圧搾し、フォトイメージャブル・インク層を形成し、キャリア・フィルム１Ａに転写することによって行われる。 - 特許庁

The stencil mask includes substantially identical mask patterns 21, 22 of on at least two unit exposure regions 11, 13 so that the mask patterns 21, 22 formed on unit exposure regions 11-14 are multiply exposed to the material to be exposed.例文帳に追加

本発明のステンシルマスクでは、各単位露光領域１１〜１４に形成されたマスクパターン２１，２２を被露光体に多重露光し得るように、略同一のマスクパターン２１，２２が少なくとも２つの単位露光領域１１，１３に形成されている。 - 特許庁

By the mask inspecting method of the present invention, the Si stencil mask 10 is irradiated with probe light from a laser light source 3 and a photodiode 5 detects a probe light 15 scattered by dust 13 sticking onto a hole part 9 of the mask 10.例文帳に追加

本発明のマスク検査方法は、Ｓｉステンシルマスク１０にレーザ光源３からプローブ光を当て、マスク１０の孔開き部９に付着したごみ１３によってプローブ光が散乱された光１５をフォトダイオード５で検出する。 - 特許庁

Therefore, the substantially identical mask pattern 22 on the other unit exposure regions 13 is exposed over the same position of the material to be exposed by which the mask pattern 21 formed on the one unit exposure region 11 of the stencil mask is exposed, and a desired circuit pattern is transferred by the multiplex exposure.例文帳に追加

従って、上記のステンシルマスクの一つの単位露光領域１１に形成されたマスクパターン２１が露光された被露光体の同一位置に、他の単位露光領域１３に形成された略同一のマスクパターン２２が重ねて露光されて、多重露光により所望の回路パターンが転写される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a transfer mask (stencil mask) that reduces a defect of a warpage caused in a transfer mask fabricated by using an SOI wafer due to a compressive stress of an etching stopper layer and has excellent transfer accuracy.例文帳に追加

ＳＯＩウェハを用いて作製される転写マスク（ステンシルマスク）に発生するエッチングストッパ層の圧縮応力に起因した反りという転写マスクの欠陥を低減し、優れた転写精度を有する転写マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The energy beam irradiator is provided with an energy beam emitting device 12, a mask stage 22 for holding the stencil mask 6, a specimen stage 2 for holding the semiconductor wafer 4 and a vibration generating mechanism 23 which causes the mask stage 22 and the specimen stage 2 to relatively vibrate.例文帳に追加

エネルギービームの射出装置１２と、ステンシルマスク６を保持するマスクステージ２２と、半導体ウェーハ４を保持する試料ステージ２と、マスクステージ２２と試料ステージ２を相対的に振動させる振動発生機構２３を備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stencil mask for ion implantation, having thermal resistance and durability which improves the fault, where a membrane is bent as a result of generation of heat, caused by a collision of an ion beam and improves the ion implantation accuracy, in an ion implantation process which uses the stencil mask for ion implantation.例文帳に追加

イオン注入用ステンシルマスクを用いたイオン注入工程において、イオンビームの衝突による発熱に起因してメンブレンが撓むという欠点を改善し、イオン注入精度を向上させた耐熱性及び耐久性を有するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for obtaining the stencil mask 100 comprises steps of forming an indium oxide thin film 11 on the supporting substrate 1 comprising a silicon wafer to manufacture the substrate 10 for the stencil mask, forming an opening 31 in the supporting substrate 1 by pattern-processing the supporting substrate 1 and the indium oxide thin film 11, and forming a charged beam transmitting hole 12 in the indium oxide thin film 11.例文帳に追加

シリコンウェハーからなる支持基板１上に酸化インジウム薄膜１１を形成してステンシルマスク用基板１０を作製し、支持基板１及び酸化インジウム薄膜１１をパターニング処理して支持基板１に開口部３１、酸化インジウム薄膜１１に荷電ビーム透過孔１２を形成してステンシルマスク１００を得る。 - 特許庁

To provide a novel self-assembled monolayer capable of reducing stress generated on a solid surface by impact of corpuscular beam in an ion projection direct structuring (IPDS) method or the like, a self-assembled monolayer constitution body, a stencil mask realizing fine processing of a magnetic body at a high speed and high accuracy and a fine processing method using this stencil mask.例文帳に追加

直接描画型マイクロイオンプロジェクションパターニング法等において、粒子線衝撃により固体表面に発生する応力を低減することができる新しい自己組織単分子膜と、自己組織単分子膜構成体、および、より高速で、高精度な磁性体の微細加工を可能とするステンシルマスクと、このステンシルマスクを用いた微細加工方法を提供する。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for irradiating a substrate 12 being processed with charged particles 13 through a stencil mask 11 having an opening disposed oppositely to the substrate 12 being processed, wherein the potential difference between the stencil mask 11 and the substrate 12 being processed is regulated depending on the level of a current flowing between the substrate 12 being processed and the ground.例文帳に追加

被処理基板１２に対して対向して配置された、開口部を有するステンシルマスク１１を介して、前記被処理基板１２に荷電粒子１３を照射する工程において、前記被処理基板１２とグランドの間を流れる電流値に応じて、前記ステンシルマスク１１と前記被処理基板１２との電位差を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

When a charge particle beam injector 5 irradiates a charge particle beam 9 to the stencil mask 1 and the semiconductor wafer 3 while moving to a scan direction 7, the charge particle beam 9 exposes the resist 11 through a stencil mask 17 existing in an irradiation range 13 and also electrifies the semiconductor wafer 3.例文帳に追加

荷電粒子ビーム射出機５がステンシルマスク１および半導体ウェーハ３に対して荷電粒子ビーム９を照射しながらスキャン方向７に移動すると、照射範囲１３に存在するステンシルマスク１７を通して荷電粒子ビーム９はレジスト１１を感光すると共に半導体ウェーハ３を帯電させる。 - 特許庁

To provide a stencil mask for ion implantation improved in position precision of ion implantation by having superior heat resistance and durability and by improving a fault of a stencil mask for ion implantation that a membrane bends due to heat generation caused by a collision of an ion beam with the membrane, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

イオンビームのメンブレンへの衝突による発熱に起因してメンブレンが撓むというイオン注入用ステンシルマスクの欠点を改善し、優れた耐熱性や耐久性を具備することでイオン注入の位置精度を向上させたイオン注入用ステンシルマスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a stencil mask facilitating thickness reduction and stress adjustment, high in mechanical strength, excelling in electron beam irradiation resistance, suitable for providing a stencil mask for electron beam exposure, simple in a manufacturing process, and high in pattern position accuracy; a method of manufacturing the same; and a method of transferring a pattern for the same.例文帳に追加

薄膜化及び応力調整が容易であるとともに、機械的強度が高くかつ電子線照射耐性に優れた電子線露光用のステンシルマスクを得るために好適で、かつ製造プロセスが簡便かつパターン位置精度の高いステンシルマスク、その製造方法、およびそのパターン転写方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The stencil mask 10 comprises a mask layer 13, having an opening part 14 which has one or a plurality of openings 15, a support base 11 composed of other parts 16 than the opening part 14 for supporting the mask layer 13, and a metal-containing silicon oxide film layer 12 provided between the mask layer 13 and the base 11.例文帳に追加

一つ或いは複数個の開口１５を有する開口部１４を有するマクス部層１３、当該開口部１４以外の部分１６からなるマクス部層１３を支持する支持台部１１及び当該マスク部層１３と当該支持台部１１との間に設けられている金属を含んだシリコン酸化膜層部１２とで構成されているステンシルマスク１０。 - 特許庁

To provide a stencil mask ion implanting device enabling uniform ion implantation while controlling a divergence angle at which an ion beam enters into a substrate within a set value and enhancing accuracy of ion implantation.例文帳に追加

イオンビームが基板に入射する発散角度を測定すると共に設定値内に制御し、イオンの注入精度を向上させるとともに、均一なイオン注入を可能にしたステンシルマスクイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stencil mask which reduces flexure of a membrane resulting from ion beam heat generation, and has excellent heat resistance, durability, and ion implantation accuracy, in an ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程において、イオンビーム発熱に起因したメンブレンのたわみを低減し、優れた耐熱性や耐久性およびイオン注入精度を有するステンシルマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A diffraction device having a specified three-dimensional diffraction grating formed in the object is produced by irradiating the object with energy beams through a stencil mask having a specified form (pattern) to etch.例文帳に追加

所定の形状（パターン）を有するステンシルマスクを介し、エネルギービームを被加工物に照射してエッチングすると、所定の３次元形状の回折格子を被加工物に形成させた回折素子が製造できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which carries out ion implantation into an exact area when carrying out the ion implantation using a stencil mask, semiconductor device manufacturing equipment, a semiconductor device, an electrooptic apparatus, and an electronic apparatus.例文帳に追加

ステンシルマスクを用いてイオン注入を行う場合にも、正確な領域にイオン注入を行う半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、半導体装置、電気光学装置及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide an inspection device and inspection method capable of inspecting whether or not ions are injected to a desired position in an ion injection process by use of a stencil mask.例文帳に追加

ステンシルマスクを用いたイオン注入工程においても、所望の位置にイオンが注入されたか否かを検査できる検査装置および検査方法を提供する。 - 特許庁

A metal plate 41, on which a photodetection semiconductor device 2 is mounted, is attached to a vacuum printer, and a mask 61 is positioned so that the photodetection semiconductor device 2 and an external electrode 3 are contained in an opening part of stencil 61.例文帳に追加

光検出半導体素子２を実装した金属板４１を真空印刷機に取り付け、光検出半導体素子２および外部電極３が孔版６１の開口部に入るように、マスク６１の位置あわせをする。 - 特許庁

A photoresist layer is formed on the PMGI layer 28, and a two-layer lift-off stencil mask (a laterally symmetric overhang part is included) is formed with its uniform height upward of the GMR layer 26.例文帳に追加

ＰＭＧＩ層２８上にフォトレジスト層が形成され、ＧＭＲ層２６の上方において均一な高さに２層リフトオフステンシルマスク（左右対象なオーバーハング部分を含む）が形成される。 - 特許庁

Excessive coatings (overspreading) of a conductive lead layer and magnetic bias layer are controlled, based on the uniformity of the stencil mask formed on the flat layer.例文帳に追加

平坦な層上に形成されたステンシルマスクの均一性に基づき、導電リード層および磁気バイアス層の過剰被覆（オーバースプレッド）が制御される。 - 特許庁

To provide a stencil mask having through-holes for forming a variety of irradiation regions in which a desired region on the surface of a semiconductor substrate is irradiated with ionized atoms having passed through the through-hole with high coincidence.例文帳に追加

多様な照射領域を形成可能な貫通孔を有するとともに、貫通孔を通過したイオン化原子が、半導体基板の表面の所望の領域によく一致して照射されるステンシルマスクを提供すること。 - 特許庁

The fine processing is carried out by ion irradiation using the stencil mask comprising the self-assembled monolayer constitution body provided with the self-assembled monolayer in which tensile stress is generated on the solid surface by irradiation with corpuscular beam.例文帳に追加

粒子線照射により固体表面に引張り応力を生じさせる自己組織単分子膜を備えている自己組織単分子膜構成体からなるステンシルマスクを用いてイオン照射により微細加工する。 - 特許庁

With this structure, even if a design pattern has a large area (for example, larger pattern than a size of the membrane), the complementary division patterns can be arranged in the membrane group of the stencil mask.例文帳に追加

これにより、設計パターンが大面積（例えば、メンブレンのサイズより大きいパターン）であっても、相補分割パターンをステンシルマスクのメンブレン群に配置することが出来る。 - 特許庁

Each of the first and second silicon thin films 2 and 5 can micromachine an opening 7, and the strength of the stencil mask is enhanced by laying them in layers thereby making thick the silicon thin film.例文帳に追加

第１及び第２のシリコン薄膜２，５は各々開口部７形成の微細加工が可能であり、これらを重ね合わせることによってシリコン薄膜の膜厚を厚くすることでステンシルマスクの強度を高めることができる。 - 特許庁

This mechanism has spacers 14 mounted on the electrode 12 for mounting the stencil mask blank 13 on the electrode through the spacers, thereby forming spaces 14a between the blank 13 and the electrode.例文帳に追加

この機構は、上記電極１２上にゲタ１４を取り付け、このゲタを介してステンシルマスク基板１３を電極上に載置することにより、該ステンシルマスク基板と該電極との間に隙間１４ａを形成したものである。 - 特許庁