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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > stripe typeに関連した英語例文

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stripe typeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 254



例文

STRIPE TAPE CUTTER SLIDE TYPE例文帳に追加

ストライプテープカッタースライド式 - 特許庁

LATERAL STRIPE TYPE FUEL BATTERY CELL例文帳に追加

横縞型燃料電池セル - 特許庁

DOUBLE STRIPE-TYPE MAGNETIC CARD例文帳に追加

ダブルストライプ型磁気カード - 特許庁

A stripe-shaped stripe 2 is formed on the p-type clad layer.例文帳に追加

p型クラッド層には、ストライプ状のストライプ部2が形成される。 - 特許庁

例文

HORIZONTAL STRIPE TYPE FUEL BATTERY CELL AND FUEL BATTERY例文帳に追加

横縞型燃料電池セルおよび燃料電池 - 特許庁


例文

FUEL CELL AND HORIZONTAL-STRIPE TYPE CELL THEREFOR例文帳に追加

横縞型燃料電池セル及び燃料電池 - 特許庁

HORIZONTAL-STRIPE TYPE FUEL BATTERY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

横縞型燃料電池セル及びその製法 - 特許庁

HORIZONTAL-STRIPE SOLID OXIDE TYPE FUEL BATTERY CELL STACK, HORIZONTAL-STRIPE SOLID OXIDE TYPE FUEL BATTERY BUNDLE AND FUEL BATTERY例文帳に追加

横縞型固体酸化物形燃料電池セルスタック、横縞型固体酸化物形燃料電池バンドルおよび燃料電池 - 特許庁

HORIZONTAL STRIPE TYPE FUEL BATTERY CELL, CELL STACK, AND FUEL BATTERY例文帳に追加

横縞形燃料電池セル、セルスタック、および、燃料電池 - 特許庁

例文

HORIZONTAL STRIPE TYPE SOLID OXIDE FUEL CELL STACK, AND FUEL CELL例文帳に追加

横縞型固体酸化物形燃料電池セルスタックおよび燃料電池 - 特許庁

例文

HORIZONTAL STRIPE TYPE SOLID OXIDE FUEL CELL STACK AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

横縞型固体酸化物形燃料電池スタック及びその作製方法 - 特許庁

RIDGE STRIPE TYPE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

リッジストライプ型半導体レーザ装置及びその製造方法 - 特許庁

STRIPE WAVEGUIDE STRUCTURE TYPE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ストライプ導波構造型半導体レーザ素子及びその製造方法 - 特許庁

LATERAL STRIPE TYPE FUEL CELL STACK, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND FUEL CELL例文帳に追加

横縞型燃料電池セルスタックおよびその製法ならびに燃料電池 - 特許庁

An upper layer and a p-type contact layer of the p-type clad layer are formed as a ridge stripe 26 extended in a ridge stripe-like state in one direction, and both sides of the stripe 26 are covered with an insulating film 28.例文帳に追加

p型クラッド層の上層部及びp型コンタクト層は、一方向にリッジストライプ状に延びるリッジストライプ部26として形成され、リッジストライプ部26の両脇は絶縁膜28で被覆されている。 - 特許庁

A drain/drift region 190 is configured as a stripe-shaped parallel structure where stripe-shaped n-type divided drift path regions 1 and stripe- shaped p-type compartment regions 2 are alternately arrayed on a plane.例文帳に追加

ドレイン・ドリフト領域190は、短冊状のn型分割ドリフト経路域1と短冊状のp型仕切領域2とが平面上で交互に繰り返し配列されたストライプ状並行構造となっている。 - 特許庁

A semiconductor laser element 70 is provided with a ridge stripe 30 including a second p-type clad layer formed in ridge stripe.例文帳に追加

半導体レーザ素子70は、リッジストライプ状に形成された第2p型クラッド層を含むリッジストライプ30を備えている。 - 特許庁

The stripe type tag 21 or the card type tag 4 is used as a ticket.例文帳に追加

これらのストラップ型タグ21やカード型タグ4がチケットとして利用される。 - 特許庁

To provide a color display type panel for information display, in which a shift amount of a pitch due to thermal shrinkage in forming transparent stripe electrodes and stripe color filters is reduced so as to reduce the pitch shift of the transparent stripe electrodes and the stripe color filters.例文帳に追加

透明ストライプ電極およびストライプカラーフィルター形成時の熱収縮によるピッチのずれ量を小さくして、透明ストライプ電極とストライプカラーフィルターとのピッチずれを抑制したカラー表示型情報表示用パネルのカラーフィルター基板を提供する。 - 特許庁

To promote a high output of a ridge waveguide-type semiconductor laser device having a mesa stripe structure.例文帳に追加

メサストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の高出力化を推進する。 - 特許庁

To improve symmetry of ridge shape of a semiconductor laser having a ridge type stripe structure.例文帳に追加

リッジ型ストライプ構造を有する半導体レーザのリッジ形状の対称性の向上を図ること。 - 特許庁

To reduce the stripe of an image caused by variation in manufacturing a diffraction grating type optical modulator.例文帳に追加

回折格子型の光変調装置の製造上のばらつきによって生じる画像のスジを低減する。 - 特許庁

A p-type side electrode 32 is extended along the ridge stripe between the high density fault regions.例文帳に追加

p側電極32は、高密度欠陥領域間をリッジストライプ部に沿って延在している。 - 特許庁

To provide refractive index guide-type inner stripe nitride laser diode structure.例文帳に追加

屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造を提供することである。 - 特許庁

To suppress display of stripe patterns on an active matrix type liquid crystal display.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、縞模様が表示されてしまうことを抑制する。 - 特許庁

The curved stripe type oscillating weight 13 is produced continuously by repeating the steps.例文帳に追加

以下、この工程を繰り返すことで、湾曲した短冊形の回転重錘13を連続的に製造できる。 - 特許庁

A first conductive type deep well is arranged in the separation region at a place below the stripe-shape active region.例文帳に追加

第一導電型の深ウェルは、分離領域とストライプ状アクティブ領域の下に配置する。 - 特許庁

Stripe width is about 1,500 nm on the flat top surface Σ of the p-type contact layer 105b.例文帳に追加

p型コンタクト層105bの平頂面Σにおけるストライプ幅は約1500nmである。 - 特許庁

To decrease the number of data lines of a stripe array type full-color display device.例文帳に追加

ストライプ配列のフルカラー液晶表示装置において、データライン数を少なくする。 - 特許庁

To provide a wet type image forming apparatus providing a uniform image without any noise in a vertical stripe state.例文帳に追加

縦スジ状のノイズの無い、均一な画像の得られる湿式画像形成装置を提供することである。 - 特許庁

An n-type current constriction layer 6 is formed on the side surfaces of the ridge stripe 30.例文帳に追加

リッジストライプ30の側面には、n型電流狭窄層6が形成されている。 - 特許庁

The upper part of the p-type clad layer 22 and the p-type cap layer 24 are formed as a ridge-shaped wide stripe having a stripe width w of 100 mm, and current non-injection regions 26 are formed on both the sides of the ridge-shaped wide stripe.例文帳に追加

p型クラッド層22の上部及びp型キャップ層24は、ストライプ幅Wが100μmのリッジ状ワイドストライプとして形成され、リッジ状ワイドストライプの両側は電流非注入領域26となっている。 - 特許庁

The stripe structure 18 is buried by a p-type InP buried layer 19, an n-type InP buried layer 20, and a p-type InP buried layer 21.例文帳に追加

ストライプ構造18をp型InP埋込層19、n型InP埋込層20およびp型InP埋込層21で埋め込む。 - 特許庁

To adjust a current density distribution of an ion implantation apparatus with precision by finely bending a part of a stripe type ion beam in a surface of the stripe type ion beam.例文帳に追加

イオン注入装置において、帯状イオンビームの一部分を帯状イオンビームの面内で小さく曲げて電流密度分布を精度よく調整する。 - 特許庁

To improve the performance of an optoelectronic component or to obtain new functionality by a new type grating not only unified preferentially with BRS (Buried Ridge Stripe) structure but also suitable for a stripe structure of another arbitrary type.例文帳に追加

光電子素子の性能を改善すること、またはBRS構造に優先的に統合されるだけでなく、他の任意のタイプのストライプ構造にも適した新規のタイプの格子によって、新規の機能性を得る。 - 特許庁

A p-type cap layer 23 is formed on the stripe part, and an n-type AlGaAs embedded layer 24 is formed on parts other than the stripe part.例文帳に追加

ストライプ部上にはp型キャップ層23が形成され、ストライプ部以外の部分の上にはn形AlGaAs埋め込み層24が形成されている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 14 includes a ridge stripe 14a, and the first insulating film 15 is formed to cover at least areas at both sides of the ridge stripe 14a in the p-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

p型半導体層14はリッジストライプ部14aを有し、第1の絶縁膜15は、少なくともp型半導体層14におけるリッジストライプ部14aの両側方の領域を覆うように形成されている。 - 特許庁

A curable reaction type resin is coated on a sticking surface of the base material, and the magnetic stripe is made at a low-temperature in a temporal drying condition of the curable reaction type resin, and then the adhesion of the magnetic stripe is performed by fully drying it.例文帳に追加

基材の被貼り付け面に硬化反応型樹脂をコーティングし、その硬化反応型樹脂の仮乾燥状態において磁気ストライプを低温で施し、その後、本乾燥させて、磁気ストライプの貼り付けを行う。 - 特許庁

Furthermore, the solid electrolyte type fuel cell substrate tube is laminated with an electrolyte film, a fuel electrode, an air electrode, and an inter-connector to thereby obtain a solid electrolyte type fuel cell of a lateral stripe type and a solid electrolyte type fuel cell of a vertical stripe type.例文帳に追加

さらに、かかる固体電解質型燃料電池用基体管に、電解質膜と燃料極と空気極とインタコネクタとを積層してなる横縞型の固体電解質型燃料電池セル及び縦縞型の固体電解質型燃料電池セルも提供する。 - 特許庁

A stripe-shaped P-side electrode 15 is formed on a P-type contact layer contained in the uppermost layer of the P-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

p型半導体層14の最上層に含まれるp型コンタクト層の上には、ストライプ状のp側電極15が形成されている。 - 特許庁

Moreover, a projected ridge stripe of the p-type AlGaN clad layer 4 and the p-type GaN contact layer 5 constitutes a ridge part A.例文帳に追加

また、p型AlGaNクラッド層4の凸形状のリッジストライプとp型GaNコンタクト層5とでリッジ部Aが構成されている。 - 特許庁

A stripe pattern formed of a metal film 3 is formed on a semiconductor film 2 where a p-type or n-type impurity is introduced onto a substrate 1.例文帳に追加

基板1の上にp型又はn型の不純物を導入した半導体膜2の上に金属膜3からなる縞状のパターンを形成する。 - 特許庁

Nearby a surface of an n-type well 11, a p-type diffusion region 12 to be a bit line is formed in a stripe shape.例文帳に追加

n型ウェル11の表面付近にビット線となるp型拡散領域12をストライプ状に形成する。 - 特許庁

In addition to a p-type InGaAlP ridge stripe type optical waveguide layer 6, a p-type InGaAlP ridge stripe 6a is formed on a p-type InGaP etching stop layer 5, so that each optically non-waveguide projected part is formed on both sides of an optical waveguide projected part 13.例文帳に追加

p型InGaPエッチングストップ層5上に、p型InGaAlPリッジストライプ型光導波層6に加え、p型InGaAlPリッジストライプ6aを形成することにより、光導波部盛り上がり13の両側に光非導波部盛り上がり13aを形成する。 - 特許庁

An n-type current inhibition layer 1201 is formed so that a p-type ridge stripe 1700 formed of parts obtained by working p-type AlGaAs clad layer 1106 and a p-type GaAs cap layer 1107 in stripe shapes is sandwiched with both sides.例文帳に追加

p型AlGaAsクラッド層1106、p型GaAsキャップ層1107をストライプ形状に加工した部位からなるp型のリッジストライプ部1700を両側面側から挟むように、n型電流阻止層1201が形成されている。 - 特許庁

A ridge stripe 150 is constituted by: a p-type GaAs top cap layer 111 of a ridge stripe shape; a p-type Al_yGa_1-yAs cap etching stop layer 110; a p-type GaAs bottom cap layer 109; and a p-type Al_xGa_1-xAs second cladding layer 108.例文帳に追加

リッジストライプ形状のp型GaAs上キャップ層111、p型Al_yGa_1−yAsキャップエッチングストップ層110、p型GaAs下キャップ層109及びp型Al_xGa_1−xAs第2クラッド層108でリッジストライプ150を構成する。 - 特許庁

This laser array has a plurality of stripe structures in one LD chip and p-electrodes on the p-type contact layers which become the uppermost layers of the stripe structures.例文帳に追加

特に、この窒化物半導体レーザアレイは、1つのLDチップに複数のストライプ構造を備え、かつストライプ構造の最上層となる各p型コンタクト層に、p電極を有する。 - 特許庁

The refractivity of the both ends in the width direction of the light emitting stripe region 48 is made smaller by the p-type AlGaAs refractive index control layers 49 than the refractivity of a central part in the width direction of the light emitting stripe region 48.例文帳に追加

p型AlGaAs屈折率制御層49によって、発光ストライプ領域48の幅方向両端部の屈折率が、上記発光ストライプ領域48の幅方向中央部の屈折率よりも小さくなっている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ridge waveguide type semiconductor laser device which has a vertical mesa ridge stripe structure without crystal defects.例文帳に追加

結晶欠陥がない垂直メサ構造のリッジストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a GaAs semiconductor laser device having the narrow stripe type internal current narrowing structure of low threshold current.例文帳に追加

しきい値電流が低い、狭ストライプ型の内部電流狭窄構造を有するGaAs系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

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