「stripe type」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The isolation groove 62 is a stripe groove parallel with the ridge 14 and the multilayer structure 21 having a bottom defined by the substrate face of the p-type GaAs substrate 12 and the opposite walls defined by the {111} B face and is provided to dig the burying multilayer structure.例文帳に追加

分離溝６２は、ｐ型ＧａＡｓ基板１２の基板面を溝底とし、｛１１１｝Ｂ面を両溝壁とする、リッジ１４及び積層構造２１に平行なストライプ状溝であって、埋め込み積層構造を堀り込むようにして設けられている。 - 特許庁

The system is easily configured by minimizing change of the automatic transaction device 210 or the host computer 310 for dealing with the transaction medium provided with the IC chip because the magnetic stripe data is the same type with data recorded in a conventional magnetic card or the like.例文帳に追加

磁気ストライプデータは、従来の磁気カード等に記録されているデータと同様の形式のデータであるため、自動取引装置２１０やホストコンピュータ３１０の改変を最低限に抑制しつつ、ＩＣチップを備えた取引媒体を取り扱い可能なシステムを容易に構築することが可能となる。 - 特許庁

To provide a lateral stripe type fuel cell increasing the strength of a support of a fuel cell, preventing leak current generating between one side main surface and the other side main surface of the fuel cell, and enhancing power generation performance.例文帳に追加

燃料電池セルの支持体の強度を高めるとともに、前記燃料電池セルの一方側主面と他方側主面との間での漏れ電流の発生を防止でき、発電性能を向上することができる横縞型燃料電池セルを提供することである。 - 特許庁

In the transmission type liquid crystal device, a pixel electrode 9 consisting of a structural birefringent body provided with a light reflection body 9a arranged in a stripe-shape with a pitch shorter than the wavelength of light made incident to a liquid crystal layer 50 is formed at a TFT array substrate 10 of a visual confirmation side.例文帳に追加

本発明の透過型液晶装置は、視認側のＴＦＴアレイ基板１０に、液晶層５０に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された光反射体９ａを具備する構造複屈折体からなる画素電極９が形成されている。 - 特許庁

To prevent a diffracting function from being deteriorated at the time of a stopping to a small aperture and a stripe pattern noise from being produced in a video camera equipped with a diffraction type optical low-pass filter 1h for restraining a sprious signal caused by the interference of the pixel pitch of a CCD 2i and a specified spatial frequency of a subject by using a diffraction grating.例文帳に追加

回折格子を用いてＣＣＤ２ｉの画素ピッチと被写体の特定空間周波数との干渉に起因する偽信号の発生を抑制する回折型光学ローパスフィルタ１ｈを備えたビデオカメラにおいて、小絞り時の回折機能の低下と縞模様ノイズの発生とを防止する。 - 特許庁

In this sleeve drive-in type mechanical anchor bolt installed in a hole cut and bored in existing concrete, an engaging step part is formed on the circumferential surface of a taper part 11 of the bolt body, and a circumferential stripe engaging part gearing with the engaging step part is formed between the inside surfaces of an expansion part 23 of a sleeve 20.例文帳に追加

既存コンクリートに削孔された孔内に設置されるスリーブ打ち込みタイプのメカニカルアンカーボルトにおいて、ボルト本体のテーパ部１１の周面に係合段部を設ける一方、スリーブ２０の拡張部２３の内周面間に係合段部と噛み合う円周縞係合部を形成する。 - 特許庁

In the trench type IGBT 10, a ladder-like emitter region 15 is formed in a surface portion of a P-channel region 14 and trenches 16 are formed from the surface of a stripe-geometry portion 15a of the emitter region 15 in such a manner as to reach an N^- semiconductor layer 13, penetrating part of the P-channel region 14.例文帳に追加

トレンチ型ＩＧＢＴ10は、Ｐチャネル領域14の表面部に梯子状のエミッタ領域15が形成され、エミッタ領域15のストライプ状部15ａの表面からＰチャネル領域14の一部を貫いてＮ^−半導体層13に達するように、トレンチ16が形成されている。 - 特許庁

To provide a single pulse type ink jet recorder capable of suppressing occurrence of a connection stripe at an interface section of a band by an operation based on binarized image data at a side of this ink jet recorder in comparatively simple method and structure.例文帳に追加

比較的簡便な方法および構成で、２値化画像データに基づくインクジェット記録装置側での処理により、バンドの境界部のつなぎスジの発生を緩和することのできるシングルパス方式のインクジェット記録装置を提供する。 - 特許庁

A SiO_2 thin film 107, a tangsten gate electrode 108, and a SiO_2 thin film 109 are selectively formed in this order on an n^+-type GaN semiconductor layer 104, and a stripe-shaped opening is formed in three-layer multi-layer structure.例文帳に追加

ｎ＋型ＧａＮ半導体層１０４上に選択的にＳｉＯ_２薄膜１０７、タングステンゲート電極１０８、ＳｉＯ_２薄膜１０９がこの順に形成され、３層の多層膜構造にはストライプ状の開口部が形成されている。 - 特許庁

To early find out the unauthorized use of an illegally copied card to thereby prevent the occurrence of damage due to the unauthorized use without performing troublesome procedure of notifying the use of the card to a settlement system before the use by using a magnetic stripe type card with small storage capacity.例文帳に追加

磁気ストライプ型などの記憶容量が少ないカードを用いて、カード利用前に決済システムへその利用の通知をするなどの煩わしい手続き無しに、不正にコピーされたカードの不正使用を早期発見し、不正使用によって生じる損害を防止できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

To prevent breakdown of symmetry of a horizontal far-field image of a laser even if a center of an opening does not match with that of a ridge when the opening is formed in a dielectric on an upper surface of the ridge in a method of manufacturing the ridge stripe type gallium nitride semiconductor laser.例文帳に追加

リッジストライプ型窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法で、リッジ上面において誘電体に開口部を設ける際に、開口部のセンターをリッジのセンターが一致していなくとも、レーザの水平遠視野像の対称性が崩れることがないようにする。 - 特許庁

To provide a fuel battery cell of "horizontal stripe type" arranged in which a remaining gas composition which has entered a fuel gas passage can be reformed in the course of passing through many pores inside a support substrate while ensuring the insulation between adjacent fuel electrodes.例文帳に追加

隣り合う燃料極間にて絶縁性を確保しつつ、燃料ガス流路に流入した改質前の残存ガス成分を支持基板内部の多数の気孔を通過する過程にて改質できる「横縞型」の燃料電池セルを提供すること。 - 特許庁

To prevent occurrence of a black stripe caused by that carbon for light shielding in a light shielding sheet is transferred to a first image receiving sheet in a film unit when the light shielding sheet is pulled out in an instant film pack of a peal apart type.例文帳に追加

ピールアパートタイプのインスタント写真フイルムパックにおいて、遮光シートを引き出すと、遮光シート中の遮光用カーボンが最初のフイルムユニットの受像シートに転写して黒スジを発生するのを防止すること。 - 特許庁

The two regions are arranged so that they are adjacent alternately and at least two stripe type patterns which are tilted for a relative movement direction of the first and the second mechanical elements are made line symmetry, and the surface energy patterns are formed.例文帳に追加

前記２つの領域が交互に隣り合いかつ前記第１及び第２の機械要素の相対的移動方向に対して傾斜してなる縞状パターンが少なくとも２つ線対称になるように配置され、前記表面エネルギーパターンを形成している。 - 特許庁

To prevent a white stripe-like density irregularity from being generated and to obtain a faithful and optimum printed image even in an apparatus for stencil printing of a type suppressing an amount of ink transfer and in any copy image (a letter image, a photograph image or the like).例文帳に追加

インキ転移量を抑制する方式の孔版印刷装置においても、且つ、如何なる原稿画像（文字画像、写真画像等）においても白スジ状の濃度ムラの発生を防止でき、忠実で最適な印刷画像が得られるようにする。 - 特許庁

Between a radiation source 8 for emitting radiation and the radiation solid detector 10 of an improved type direct conversion system for reading latent image charges carrying image information by a stripe-like electrode, a grid plate 16 for leading out only the radiation from a specified direction to the radiation solid detector 10 is provided.例文帳に追加

放射線を発する放射線源８と画像情報を担持する潜像電荷をストライプ状電極により読み出す改良型直接変換方式の放射線固体検出器１０との間に、特定方向からの放射線のみを放射線固体検出器１０へ導出するグリッド板１６を設ける。 - 特許庁

The semiconductor optical device apparatus has a structure where a conductive block structure is provided at one portion of a rectangular bottom section in a ridge type semiconductor optical device where both the sides of a mesa stripe are dug in a rectangular shape by depth that does not reach an active layer.例文帳に追加

本願発明は、メサストライプの両脇を活性層に達しない深さで矩形状に掘り込んだリッジ型半導体光デバイスにおいて、当該矩形状の底部の一部に導電阻止構造を設けた構造を有する半導体光デバイス装置である。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a clad layer 2, a guide layer 3, an MQW active layer 4, a guide layer 5, a first clad layer 6, an etching stopping layer 7, and a stripe-like second clad layer 8 are successively formed on an n-type GaAs substrate 1, and current blocking layers 9 are formed on both sides of the second clad layer 8.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１上にクラッド層２、ガイド層３、ＭＱＷ活性層４、ガイド層５、第一のクラッド層６、エッチングストップ層７、ストライプ状の第二クラッド層８を順次形成しており、第二のクラッド層８の両側に電流ブロック層９を有している。 - 特許庁

In the semiconductor laser diode, a current path from a p-type cap layer to a p-type clad layer has a stripe ridge comprising a semiconductor layer of at least three layers each having a different band gap wherein the width at the top of the p-type clad layer is 2.5 μm or less and the differential resistance of an element is 8 Ω or less at the working current.例文帳に追加

ｐ型キャップ層からｐ型クラッド層にかけての電流通路が、バンドギャップが異なる少なくとも３層の半導体層で構成されているストライプ状のリッジを有し、ｐ型クラッド層の頂上の幅が２.５μｍ以下であり、動作電流における素子の微分抵抗値が８Ω以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 特許庁

By selectively carrying out the etching removal of unnecessary n-type GaAs current inhibition layer 1160 on the ridge stripe 150 and the p-type GaAs top cap layer 111 with ammonia/hydrogen peroxide based etchant, the etching removal of the p-type Al_yGa_1-yAs cap etching stop layer 110 is selectively carried out with hydrofluoric acid.例文帳に追加

リッジストライプ１５０上の不要なｎ型ＧａＡｓ電流阻止層１１６０とｐ型ＧａＡｓ上キャップ層１１１とをアンモニア過酸化水素系エッチャントで選択的にエッチング除去して、ｐ型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓキャップエッチングストップ層１１０をフッ化水素酸で選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

A buried layer 111 which contributes to the constriction of a current is provided on each side 131b of a mesa stripe 131a, at least, composed of a first conductivity-type first clad layer 103, an active layer 103, and a second conductivity- type second clad layer 107, and a second conductivity-type third clad layer 121 is provided on all the surface.例文帳に追加

少なくとも第１導電型の第１クラッド層１０３、活性層１０５および第２導電型の第２クラッド層１０７からなるメサストライプ部１３１ａの両側１３１ｂに電流狭窄に寄与する埋め込み層１１１が設けられ、その上に全面に第２導電型の第３クラッド層１２１が設けられている。 - 特許庁

Processes for forming the ridge stripe structure (9) includes a first etching process for dry-etching a second conductive type second clad layer 7 leaving a prescribed thickness, and a second etching process for wet-etching and removing the second conductive type second clad layer 7 having the prescribed thickness to a second conductive type etching stop layer 6.例文帳に追加

リッジストライプ構造（９）を形成する工程は、ドライエッチングにより、第２導電型の第２クラッド層７を所定の厚さ残してエッチングする第１のエッチング工程と、ウエットエッチングにより、所定の厚さ残した第２導電型の第２クラッド層７を第２導電型のエッチングストップ層６までエッチングして除去する第２のエッチング工程とを有する。 - 特許庁

Further, a base formation layer 4 is formed on the n-type epitaxial growth layer 2 by epitaxial growth for example, and the base lead high concentration layer (p^+-type) 5 is formed like a stripe so as for the base formation layer to be engaged into the base formation layer 4 from the upper portion of the embedded oxide film (element isolation) 3 for deriving a base electrode.例文帳に追加

さらに、Ｎ型エピタキシャル成長層２の上には、ベース形成層４が例えばエピタキシャル成長によって形成され、埋込酸化膜(素子分離)３の上部からベース形成層４にくい込むように、ベース引出し高濃度層(Ｐ+型)５がベース電極取出しの為にストライプ状に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises a selective mask 12, having an opening 13 opening into a stripe-like state at a base 11, a semiconductor layer formed to have a ridge 17 parallel to the long side of the opening 13 according to selective growth from the opening 13, a first conductivity-type clad layer formed on the semiconductor layer, an active layer and a second conductivity-type clad layer.例文帳に追加

半導体発光素子を、基体１１にストライプ状に開口した開口部１３を有する選択マスク１２を設け、その開口部１３からの選択成長により開口部１３の長辺に平行な稜線１７を有するように形成された半導体層と該半導体層上に形成される第１導電型クラッド層、活性層、及び第２導電型クラッド層とを有する構成とする。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device includes: a p-type semiconductor layer 14 formed on a substrate 11 and having a ridge stripe 14a; a dielectric layer 15 formed on the p-type semiconductor layer 14; an intermediate adhesive layer 16 formed on the dielectric layer 15; and a p-side electrode 17 formed on the intermediate adhesive layer 16.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ装置は、基板１１の上に形成され、リッジストライプ部１４ａを有するｐ型半導体層１４と、ｐ型半導体層１４の上に形成された誘電体層１５と、誘電体層１５の上に形成された中間接着層１６と、中間接着層１６の上に形成されたｐ側電極１７とを備えている。 - 特許庁

The surface of the glass substrate 33 on the opposite side to the field emission type electron source 10 is formed with collector electrodes 31 in a stripe state, and a phosphor layer 32 emitting visible light by electrons emitted from surface electrodes 7 of the field emission type electron source 10 so that the phosphor layer 32 covers the collector electrodes 31.例文帳に追加

ガラス基板３３の電界放射型電子源１０と対向する側の面にはストライプ状にコレクタ電極３１が形成され、電界放射型電子源１０の表面電極７から放射される電子によって可視光を発光する蛍光体層３２がコレクタ電極３１を覆うように形成されている。 - 特許庁

Out of electrostatic energy converting devices, a type in which counter-electrodes 406 and 407 move in parallel with a dielectric surface against a charged region 403 of a surface of a dielectric 402 can be enlarged in an output current by using a structure in which the charged regions are accumulated in a stripe shape repeatedly (four pieces in FIG. 4).例文帳に追加

静電式エネルギー変換装置のうち、誘電体４０２の表面の帯電領域４０３に対して対向電極４０６，４０７が誘電体表面に平行に運動する型のものは、帯電領域を繰り返し（図４では４個）ストライプ状に集積した構造を使用する事により出力電流を大きくすることが出来る。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a recording sheet, which can perform stable coating and in which coating problem such as stripe does not occur even when quickly applying a film-hardening coating liquid for hardening an ink absorbing layer onto the ink absorbing layer containing inorganic fine particles and a water-soluble resin within a range of 100-250 m/min using a coating head of an extrusion type during manufacturing the recording sheet.例文帳に追加

記録用シート製造の際に、無機微粒子と水溶性樹脂とを含むインク吸収層の上にエクストルージョンタイプの塗布ヘッドを用いてインク吸収層を硬膜化する硬膜化塗布液を１００〜２５０ｍ／分の範囲で高速塗布しても、スジ故障等の塗布トラブルを発生しない安定塗布を行うことができる。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor laser element comprises: a nitride semiconductor layer that is formed above an n-type GaN substrate 10 and includes an active layer 14; a stripe-shaped waveguide structure formed in the nitride semiconductor layer; and a p-side electrode 22 that is formed above the nitride semiconductor layer and has wire-bond regions 22a.例文帳に追加

このＧａＮ系半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成され、活性層１４を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層に形成されたストライプ状導波路構造と、窒化物半導体層上に形成され、ワイヤボンド領域２２ａを有するｐ側電極２２とを備えている。 - 特許庁

Regarding the transmission type screen, the focal distance of the lenticular lens 11-4b of the first layer is set so that the external light passing through a gap between the black stripes of the first layer after obliquely entering from the observer's side may be reflected by the lens surface of the lenticular lens 11-4b of the first layer and may hit against the black stripe 11-5.例文帳に追加

観測者側から斜めに入射して第一層のブラックストライプ１１−５の隙間を通過した外光が第一層のレンチキュラーレンズ１１−４ｂのレンズ面にて反射してブラックストライプ１１−５に当たるように、第一層のレンチキュラーレンズ１１−４ｂの焦点距離を設定する。 - 特許庁

A horizontal-stripe type cell for the fuel cell with power generating elements 13 formed on a front surface and a back surface of the porous supporting body 11 has power generating elements 13, on both surfaces opposite to the porous supporting body 11 in a cell tip electrically connected with each other by the connecting member 30 between the opposing surfaces installed on the surface and/or inside the porous supporting body 11.例文帳に追加

多孔質支持体１１の表面と裏面に発電素子１３が形成された横縞型燃料電池セルにおいて、セル先端部における前記多孔質支持体１１の対向する両表面の発電素子１３同士が、前記多孔質支持体１１の表面および／または内部に配設された対向面間接続部材３０によって電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a polyisocyanate composition containing a polyisocyanate compound having sufficient compatibility with a low polar organic solvent and a silicate compound even at a low temperature and capable of giving extensibility to a coating film, and a two-liquid type polyurethane composition containing the polyisocyanate composition and a main agent containing a polyol and capable of forming a coating film having excellent extensibility and rain stripe contamination-resistance.例文帳に追加

低温時でも低極性有機溶剤やシリケート化合物と相溶性が良好であり、塗膜に伸展性を付与できるポリイソシアネート化合物を含むポリイソシアネート組成物、及び該ポリイソシアネート組成物と、ポリオールを含有する主剤とを含み、優れた伸展性及び耐雨筋汚染性を有する塗膜を形成できる二液型ポリウレタン組成物を提供すること。 - 特許庁

When the video signal having a title is entered into the black stripe part below the video signal having black stripes above and below a screen, the type of the video signal currently received is estimated using a function 3 capable of detecting presence of that title and an optimal video image menu is set automatically.例文帳に追加

スタジオ番組などとビデオやＤＶＤなどの映画ソースで入力される映像信号の平均画像レベルに違いがあるためであり、これら二種類の映像信号を最適な状態で見るためには、入力される映像信号にあわせてユーザー自らがそれぞれに最適な映像メニューに設定するという煩雑な作業が必要である。 - 特許庁

An air delivery unit 100 incorporates a motor 101 driven fan 102, e.g. a centrifugal motor fan, an impeller (fan type) motor fan, or an air compressor, and delivers air from the air outlets 103 of two air discharge pipes 105a, 105b in order to produce a stripe-like air flow 1.例文帳に追加

空気吹出装置１００には、遠心式電動送風機またはインペラ式（ファン式）電動送風機あるいは空気圧縮機のような電動機１０１を動力として動作する送風機１０２が内蔵されており、上記のような帯状の空気の流れ１を作り出せるように、２本の空気放出管１０５ａ，１０５ｂそれぞれの吹出口１０３から空気を吹き出す。 - 特許庁

Visible light is blocked by forming a band-like and stripe-like shading film 47 which extends in the line direction at each non-discharging reverse slit S2 in an intermediate part in the thickness direction of a dielectric layer 17 of a three-electrode style surface discharge type plasma display panel.例文帳に追加

本発明は、前面基板上１１に、面放電のための放電スリットを隔てて配置した表示電極対４１をそれぞれ放電しない所定の逆スリットを隔てて複数対平行に配置し、背面基板上２１に、表示電極対４１と交差する複数のアドレス電極Ａおよび複数のストライプ状蛍光体２８を備えてなる３電極形式の面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルに関する。 - 特許庁

This transmission type projection screen is provided with black stripe 14 layer parts in the portions where the projected light from projection is not transmitted and light diffusion layer parts 16a by foaming only in the portions where the light is transmitted on the flat surface side of a lenticular sheet 10 which is provided with cylindrical lenses in juxtaposition on one surface and the other surface is a flat surface.例文帳に追加

片面にシリンドリカルレンズが並設され、他面が平坦面であるレンチキュラーシート１０の平坦面側にプロジェクションからの投影光が透過しない部分にブラックストライプ１４層部、透過する部分のみに発泡による光拡散層部１６ａが設けられている透過型プロジェクションスクリーン。 - 特許庁

Next, a line-and-space type resist mask extended in a [1-10] direction is formed thereon, and then, the semiconductor constituent material layer is etched using low-temperature hydrochloric acid as an etchant, thereby forming a semiconductor constituent material layer having a stripe-like mesa structure having a (111) face and a (11-1) face as an opposing side face.例文帳に追加

次に、その上に［１−１０］方向に延伸したライン・アンド・スペース型のレジストマスクを形成した後、低温の塩酸をエッチャントとして上記半導体構成材料層をエッチングして、（１１１）面および（１１−１）面を対向側面とするストライプ状のメサ構造を有する半導体構成材料層を形成する。 - 特許庁

Therefore, boundaries between liquid crystal display elements for use in character display and those for use as the background are not made rugged even microscopically when horizontal lines are displayed on a liquid crystal display device 100 on the same manner, whereby character display more approximating one on a liquid crystal display device having a stripe type pixel arrangement suitable for display of drawing lines, graphics, and characters is possible.例文帳に追加

これにより、液晶表示装置１００では、同様に横ラインを表示するとき、微視的にも文字表示に使用される液晶表示素子と背景として使用される液晶表示素子との境界線が凹凸になることがなく、図線、図形、文字表示に適したストライプ型の画素配置を有する液晶表示装置により近い文字表示ができる。 - 特許庁

The reflection type liquid crystal display element having a liquid crystal layer interposed between a pair of substrates having electrodes is characterized in that a reflection film 13 is electrically isolated by slits 13B to be electric insulation parts having gap t and a plurality of stripe-shaped reflection films 13A having width W are provided in the direction parallel to the scanning electrode direction COM-D.例文帳に追加

一対の電極付き基板間に液晶層が挟持された反射型液晶表示素子であって、反射膜１３が間隙ｔを有する電気的絶縁部であるスリット１３Ｂで電気的に分離され、幅Ｗを有するストライプ状反射膜１３Ａが走査電極方向ＣＯＭ−Ｄに平行な方向に、複数設けられてなることを特徴とする。 - 特許庁

A plurality of stripe type electrode patterns 8 formed to have a wider pattern width than the width of a space 10 is arranged so that the liquid crystal molecules are oriented in the pattern longitudinal direction when the polymerizable components mixed in the liquid crystal layer 24 while applying the voltage to the liquid crystal display layer 24 are solidified to form the polymer.例文帳に追加

液晶層２４に電圧を印加しながら液晶層２４中に混合された重合性成分を固化してポリマーを形成する際に液晶分子がパターン長手方向に配向するように、スペース１０の幅よりパターン幅の方が広く形成された複数のストライプ状電極パターン８が配列している。 - 特許庁

The side seal plate is made of a foamed polyethylene molded plate having 35° to 60° hardness in a rubber hardness meter type C, and a stripe like groove 88 having a length L of 1/3 to 1/2 of the contact length L' of a curved surface 86 and provided from the contact starting point 86a toward the contact finishing point 86b is provided on the curved surface 86.例文帳に追加

サイドシール板は、ゴム硬度計タイプＣで３５°以上６０°以下の硬度の発泡ポリエチレン成形板により形成され、湾曲面８６の褶接長Ｌ′の１／３以上１／２以下の長さＬで褶接開始点８６ａから褶接終了点８６ｂに向かって設けられた筋状溝８８を湾曲面８６に有する。 - 特許庁

To provide a developing device of a non-contact type in which increase in a developing sound and the occurrence of a stripe image is suppressed by inserting a planar member under an oscillating electric field, and consequently the scattering of a developer is suppressed resulting in satisfactory developing operation.例文帳に追加

非接触方式の現像装置において、板状部材を振動電界下に挿入しすることにより、現像音の増加やスジ画像の発生を抑えて、現像剤の飛散やを抑制することができ、良好に現像動作が行われる現像装置及びそれを備えるプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A voltage resistance between the drain region and the embedded layer can be improved by forming a diffused layer in the shape of stripe at the part lower than a diffusing layer extended to the drain layer from the offset layer, and forming a perfect depletion area between the drain region and the embedded layer in the LOCOS offset drain type high voltage resistance transistor including the embedded layer.例文帳に追加

埋め込み層を有するＬＯＣＯＳオフセットドレイン型高耐圧トランジスタの、オフセット層からドレイン層にわたる拡散層の下部にストライプ状に拡散層を形成し、ドレイン領域と埋め込み層の間を完全に空乏化させることで、ドレイン領域と埋め込み層の間の耐圧を向上させる。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser element 10 is constituted so that the main surface of the nitride semiconductor substrate 101 is a (1-100) surface, a resonator end surface intersects with the main surface, in a cleavage constituting the resonator end surface, a digging portion 115 which is a digging region opened toward the nitride semiconductor layer surface is formed aside of at least one side of a stripe type waveguide.例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ素子１０は、窒化物半導体基板１０１の主面が（１−１００）面であり、共振器端面は、主面に直交し、共振器端面を構成する劈開面において、ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部１１５を備える構成とする。 - 特許庁

In this semiconductor laser diode with SAS type structure that has a current block layer where a stripe-shaped opening from one resonance end to the other is formed by etching to inject current to an active layer in a specific width, an area near an emission part being located directly below an opening is disordered without disordering the current lock layer.例文帳に追加

活性層に対して所定の幅に電流を注入するように、一方の共振端面から他方の共振端面に至るストライプ状の開口部がエッチングにより形成されてなる電流ブロック層を備えたＳＡＳ型構造の半導体レーザダイオードであって、各共振端面近傍において、電流ブロック層を無秩序化することなく、開口部直下に位置する出射部近傍を無秩序化した。 - 特許庁