「stripe type」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type GaAlAs clad layer 22 is formed on the GaAs active layer 20, and a stripe part is formed in the center thereof.例文帳に追加

ＧａＡｓ活性層２０上にはｐ形ＧａＡｌＡｓクラッド層２２が形成され、その中央部にはストライプ部が形成されている。 - 特許庁

Further, p-type third semiconductor layers 112, 113, 114, which form a stripe-like ridge 130, are provided on the second semiconductor layer 111.例文帳に追加

さらに、第二半導体層１１１上にストライプ状のリッジ１３０をなすｐ型の第三半導体層１１２，１１３，１１４を備える。 - 特許庁

To reduce signal non-uniformity caused by the linear resistance of a stripe electrode concerning an optical read type image detector having the electrode.例文帳に追加

ストライプ電極を有する光読出方式の画像検出器において、電極の線抵抗に起因する信号ムラを低減する。 - 特許庁

To prevent occurrence of water mark or/and stripe type particle on the substrate surface by successfully removing a solution for rinse.例文帳に追加

リンス液を良好に除去することにより、基板表面におけるウォーターマークまたは／および筋状パーティクルの発生を防止する。 - 特許庁

At the upper part of the p-type semiconductor layer 14 at the resonator forming part, the ridge part, whose central part is protruded in the stripe shape, is formed.例文帳に追加

共振器形成部におけるｐ型半導体層１４の上部には中央部がストライプ状に突出したリッジ部１４ａが形成されている。 - 特許庁

The short arc type discharge lamp has a stripe-like tungsten carbide formed on a tip side of the emitter of the negative electrode.例文帳に追加

前記陰極のエミッター部の先端面に、縞状のタングステン炭化物が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain light-gathering characteristics capable of gathering light up to a diffraction limit in a multi-stripe type semiconductor laser element.例文帳に追加

マルチストライプ型の半導体レーザ素子において回折限界にまで集光可能な集光特性を得られるようにする。 - 特許庁

To provide a horizontal stripe type solid oxide fuel cell bundle having a high reliability for a long period and a fuel cell using the same.例文帳に追加

高い長期信頼性を有する横縞型固体酸化物形燃料電池バンドルおよびそれを用いた燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a pixel structure for removing a persistence image and a stripe phenomenon in an active matrix type organic electro-luminescence display device.例文帳に追加

有機電界発光ディスプレー装置に係り、残像及びストライプ現象を除去するための画素構造に関する。 - 特許庁

To provide an active matrix type liquid crystal display device in which the display irregularity of a vertical stripe state in a display picture can be largely reduced.例文帳に追加

表示画像における縦縞状の表示むらを大幅に低減することができるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To easily extract a dark part when preparing a composition image, as to a stripe illumination type observation device.例文帳に追加

本発明は、ストライプ照明型の観察装置に関し、合成画像の作成時に暗部の抽出を容易に行うことを目的とする。 - 特許庁

To provide a coating method by which uniform and extremely thin coating free from coating stripe is carried out in a scraping type coating.例文帳に追加

掻き落としタイプの塗布において、塗布スジのない極薄で均一の塗布を行うことのできる塗布方法を提供する。 - 特許庁

To remove a longitudinal stripe defect caused by nonoverlap sampling of an active matrix type display device.例文帳に追加

アクティブマトリクス型表示装置のノンオーバーラップサンプリングで生じる縦スジ不良を取り除く。 - 特許庁

To provide a non-contact type IC card capable of preventing faulty writing and reading to a magnetic stripe part.例文帳に追加

磁気ストライプ部への書込みおよび読み取り不良を未然に防止することができる非接触式ＩＣカードを提供する。 - 特許庁

To provide a color cathode ray tube with a stripe type fluorescent screen capable of reducing color cast due to a tube axis (Z axis) component of the earth magnetism at low cost.例文帳に追加

ストライプ型蛍光面を有するカラー陰極線管において、地磁気の管軸（Ｚ軸）成分による色ずれを低コストで低減する。 - 特許庁

To provide a structure of a fuel cell of "lateral stripe type" in which cracks hardly occur in a dense membrane or around the dense membrane.例文帳に追加

「横縞型」の燃料電池の構造体であって、緻密膜又は緻密膜の周辺にクラックが発生し難いものを提供すること。 - 特許庁

To uniformly form a fine stripe-shaped pattern in a vertical alignment division type liquid crystal display.例文帳に追加

垂直配向分割型液晶表示装置において、微細なストライプ状パターンを均一に形成する。 - 特許庁

A plurality of stripe shape grooves 5 are formed at a p-type base layer 4 side which has a p-type emitter layer 3, a n-type base layer 1 and a p-type base layer 4, and an insulated gate electrode 7 is embedded/formed in the groove 5.例文帳に追加

ｐ型エミッタ層３，ｎ型ベース層１，ｐ型ベース層４を持つｐ型ベース層４側に複数のストライプ状の溝５が形成され、この溝５に絶縁ゲート電極７が埋込み形成される。 - 特許庁

To obtain high yield in a self-oscillating type nitride semiconductor laser element, wherein a substrate is overlaid with an n-type clad layer, an active layer and a p-type clad layer, the p-type clad layer is provided with a stripe part protruding upward, and n-type current-constriction layers are formed on both sides of the stripe part, respectively.例文帳に追加

基板１上に、ｎ型クラッド層３、活性層４、及びｐ型クラッド層５が形成され、ｐ型クラッド層５は上向きに突出するストライプ部53を具え、該ストライプ部53の両側にｎ型電流狭窄層６、６を形成している自励発振型の窒化物半導体レーザ素子において、従来よりも高い歩留まりを実現する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device of the present invention comprises an n-type InP substrate 1, an n-type InP lower cladding layer 3 formed in stripe shape on the n-type InP substrate 1, an activity layer 4 having a resonator resonating in parallel direction against the above-mentioned n-type InP substrate 1, and a stripe structure 10 including the n-type InP upper cladding layer 5.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は、ｎ型ＩｎＰ基板１と、このｎ型ＩｎＰ基板１上にストライプ状に形成された、ｎ型ＩｎＰ下部クラッド層３、前記ｎ型ＩｎＰ基板１に対して平行な方向の共振器を有している活性層４、およびｐ型ＩｎＰ上部クラッド層５を含むストライプ構造１０とを備えている。 - 特許庁

The p-type AlGaAs refractive index control layers 49 are formed in layers which are located on a layer thickness directional one-side of the light emitting stripe region 48 while corresponding to both ends in a width direction of the light emitting stripe region 48, respectively, and regions whose refractive indices are smaller than those of the layers where the layers are formed.例文帳に追加

このｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９は、発光ストライプ領域４８の層厚方向片側に位置する層に、発光ストライプ領域４８の幅方向両端部に対応するように形成されて、この層の屈折率よりも屈折率が小さい領域である。 - 特許庁

As a result, even if throughholes are formed at parts of forming of the slit type openings 5 of a conductive sheet material 20, the stripe strips 6 become in a mutually connected state, thus it becomes possible that an arrangement of the stripe strips 6 is appropriately maintained, and the etching or the like can be carried out accurately.例文帳に追加

その結果、導電性板材２０のスリット状開口５形成部分に貫通孔が形成された場合においても、ストライプ片６は相互に接続された状態となり、ストライプ片６の配置を適切に維持することができ、エッチング等を精度良く行うことができる。 - 特許庁

An n type InP buried layer 22 to which Se or S are added at a concentration of 5×1018 cm-3 or more, is formed around a mesa stripe 18 other than a surface on which a SiO2 film 16 is formed for a mesa stripe 18 having a surface on which the SiO2 film 16 is formed.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜１６が形成された面を有するメサストライプ１８に対し、ＳｉＯ_2膜１６が形成された面以外のメサストライプ１８の周辺にＳｅ又はＳを５×１０^18ｃｍ^-3以上の濃度で添加したｎ型ＩｎＰ埋込層２２を形成する。 - 特許庁

To provide a card type compact disk which has surfaces resistant to flawing even by insertion and discharge into and from a read/write device and can protect the information of a design printing layer and a magnetic stripe section by providing the surface of the design printing layer having the magnetic stripe section with a protective layer.例文帳に追加

磁気ストライプ部を有するデザイン印刷層上に保護層を設けることにより、読み取り書き込み装置に対する挿入排出などによっても表面に傷がつき難く、デザイン印刷層及び磁気ストライプ部の情報を保護することが出来るカード型コンパクトディスクの提供。 - 特許庁

To achieve a high-output and long-life semiconductor light-emitting device with a ridge stripe type wave guide structure, by improving the production yield depending on the cleavage and assembling of the semiconductor light-emitting device, and reducing the stress to the ridge-stripe part when the semiconductor light-emitting device is assembled in a j-down manner.例文帳に追加

リッジストライプ型導波路構造半導体発光装置の劈開、組立による歩留まりを向上させ、ｊ−ｄｏｗｎで組み立てた場合にリッジストライプ部分へのストレスを軽減し、高出力、長寿命を達成する。 - 特許庁

This etching is carried out by using a resist pattern 40a having bridge-like resist films 42a to connect neighboring stripe type resist films 41 corresponding to stripe strips 6 across resist non-forming regions 43 to form slit-like openings 5.例文帳に追加

スリット状開口５を形成するためのレジスト非形成領域４３を横切って、ストライプ片６に対応する隣接するストライプ状レジスト膜４１を接続するブリッジ状レジスト膜４２ａを有するレジストパターン４０ａを用いて、エッチングを行う。 - 特許庁

A stripe-like ridge 19 is constituted of a p-type AlGaAs 2nd clad layer 9 and a p-type cap layer 10 formed on the p-type AlGaAs 2nd clad layer 9.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層９と、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層９上に形成されたｐ型キャップ層１０とでストライプ状のリッジ１９を構成する。 - 特許庁

An n-type etching stop layer 2 is provided on an n-type semiconductor substrate 1, and an n-type stripe-like ridge layer 3 is formed partly in the stop layer 2.例文帳に追加

ｎ形の半導体基板１上にｎ形のエッチングストップ層２が設けられ、そのエッチングストップ層２上の一部にｎ形のストライプ状リッジ層３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a p-type column region 14 (a column region body part 14a and a stripe part 14b) and an n^--type drift region 12 surrounding the column region 14 in a columnar shape on an n^+-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

本発明は、ｎ型＋の半導体基板１１上にｐ型のコラム領域１４（コラム領域本体部１４ａ及びストライプ部１４ｂ）と、コラム領域１４を囲むｎ−型のドリフト領域１２が柱状に形成される。 - 特許庁

The P-type intermediate layer 56 and the P-type can layer 57 above the P-type clad layer 55 are formed into a stripe 58 which serves as a current injection region.例文帳に追加

ｐ型クラッド層の上部、ｐ型中間層及びｐ型キャップ層は、ストライプ部５８として形成され、電流注入領域となっている。 - 特許庁

An n-type elevated semiconductor layer 7 formed like a stripe along the travelling direction of current is laminated on an n-type offset drain layer 6, a trench 21a is formed to an insulating layer 21 on the n-type elevated semiconductor layer 7 formed like a stripe, and an embedding electrode 22 is embedded to the trench 21a via the insulating layer 21.例文帳に追加

電流の進行方向に沿ってストライプ状に形成されたｎ型エレベーテッド半導体層７をｎ型オフセットドレイン層６上に積層し、ストライプ状に形成されたｎ型エレベーテッド半導体層７上の絶縁層２１にトレンチ２１ａを形成し、絶縁層２１を介してトレンチ２１ａに埋め込み電極２２を埋め込む。 - 特許庁

A stripe base layer arranged alternately and repeatedly with an n-type base layer 21 and a p-type base layer 22 is formed on one surface of an n-type buffer layer 1 and a p-type well layer 3, an n-type emitter layer 4, an emitter electrode 10 and an insulating gate electrode 6 are formed on the base layer.例文帳に追加

ｎ型バッファ層１の一方の表面上にｎ型ベース層２１とｐ型ベース層２２が交互に繰返し配列されたストライプ状のベース層を形成し、このベース層状にｐ型ウェル層３、ｎ型エミッタ層４、エミッタ電極１０及び絶縁ゲート電極６を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a single crystal semiconductor portion 19 including an n-type first semiconductor layer 15 and a p-type second semiconductor layer 17 arranged alternately on the surface of a semiconductor substrate to constitute a stripe plane.例文帳に追加

半導体装置１は、ストライプ状の平面が構成されるように、半導体基板の表面上に交互に配置されたｎ型の第１半導体層１５とｐ型の第２半導体層１７を含む単結晶半導体部１９を備える。 - 特許庁

The laser further comprises a ridge stripe-like second conductivity type second clad layer formed on the first clad layer, and a first conductivity type current block layer formed so as to embed its ridge side face.例文帳に追加

そして、この第１クラッド層上にリッジストライプ状の第２導電型の第２クラッド層が形成され、そのリッジ側面を埋め込むように第１導電型の電流ブロック層が形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor laser device, an n-type AlGaAs buffer layer 5 as an intermediate layer is formed between a stripe-like convex portion 3 and an n-type AlGaAs lower cladding layer 6 as a first clad layer.例文帳に追加

この半導体レーザ装置では、中間層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５がストライプ状の凸部３と第１クラッド層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層６との間に形成されている。 - 特許庁

To provide a handy terminal which contains all functions allowing settlement by magnetic stripe cards, contact type IC cards or non-contact type IC cards in an all-in-one manner without making its device body larger.例文帳に追加

磁気ストライプカード、接触型ＩＣカード、非接触型ＩＣカードのいずれでも決済可能な機能の全てを、装置本体を大型化することなく、オールインワンで搭載したハンディターミナルを提供すること。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor multilayer structure 2 includes an n-type semiconductor layer 11, a p-type semiconductor layer 12 and a light emitting layer 10 held between them, and a laser resonator is formed at a ridge stripe 20.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１と、ｐ型半導体層１２と、これらに挟まれた発光層１０とを含み、リッジストライプ２０の部分にレーザ共振器が形成されている。 - 特許庁

Then, the second p-type clad layer 107 is dry-etched until reaching the etching stop layer 106, by using as a mask a stripe-form SiO_2 film 109 formed on the second p-type clad layer 107.例文帳に追加

次に、ｐ型第２クラッド層１０７上に形成したストライプ状のＳｉＯ_2膜１０９をマスクとして第２クラッド層１０７をエッチングストップ層１０６に至るまでドライエッチングする。 - 特許庁

On the upper clad layer 109, a third upper clad layer 111 of the second conduction type having a stripe-like ridge structure 130 and a contact layer 113 of the second conduction type are formed.例文帳に追加

ストライプ状のリッジ構造１３０をなす第２導電型の第三上クラッド層１１１と、第２導電型のコンタクト層１１３とを備える。 - 特許庁

Subsequently, an n-type layer 102, an emission layer 103, and a p-type layer 104 are laminated in order along the uneven shape by low pressure MOCVD on the surface of the substrate 101 where the uneven saw-tooth stripe shape is formed.例文帳に追加

次に、基板１０１のノコギリ歯状ストライプの凹凸形状が形成された側の表面上に、減圧ＭＯＣＶＤ法によって、その凹凸形状に沿って、ｎ型層１０２、発光層１０３、ｐ型層１０４を順に積層させる。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a first conductivity type clad layer, an active layer, and a second conductivity type clad layer formed on a substrate, and also has a stripe structure for injecting a carrier.例文帳に追加

基板上に形成された、第１の導電型クラッド層と、活性層と、第２の導電型クラッド層とを備え、キャリアを注入するためのストライプ構造を有する。 - 特許庁

A dielectric film of SiO2 is then deposited on the entire surface of the an n-type contact layer 13 followed by formation of a stripe mask pattern 25 extending in the (1-100) direction on the upper surface of n-type contact layer 13.例文帳に追加

次に、ｎ型コンタクト層１３の上に全面にＳｉＯ_2 からなる誘電体膜を堆積し、ｎ型コンタクト層１３の上面の（１−１００）方向に延びるストライプ状のマスクパターン２５を形成する。 - 特許庁

To provide a parallel-line type mask which has an extremely small variation in stripe width, i.e., in parallel pitch of monofilament yarns and maintains the parallel pitch with high accuracy, in a parallel-line type mask having fine pitch using the monofilament yarns.例文帳に追加

単繊維の糸を使用した微細なピッチを有する平行線型マスクにおいて、ストライプの幅、すなわち、単繊維糸の平行ピッチのバラツキが極めて少なく平行ピッチが高精度に保持された平行線型マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming delicate and highly accurate stripe type ink pattern on the inside surface 13 of a ring type seamless belt 10 by printing, and a device for forming the ink pattern.例文帳に追加

輪状かつシームレスであるベルト１０の内表面１３に微細でかつ高精度のストライプ状インキパターンを印刷形成する方法と、当該インキパターンを形成する装置とを提供する。 - 特許庁

On an n-type guide layer 16 grown on a p-type GaN semiconductor substrate 11, a current constriction insulating layer 17 of about 1 μm thick having a stripe-like opening is formed.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮからなる半導体基板１１上に成長したｎ型ガイド層１６の上には、ストライプ状の開口部を持ち、膜厚が１μｍ程度の電流狭窄絶縁層１７が形成されている。 - 特許庁