「stripe type」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

There is provided a semiconductor layer 20, which is formed of an n-type clad layer 21, an active layer 22, a p-type clad layer 23 that includes a stripe shaped embedded ridge portion 28, an n-type buffer layer 24, a p-type contact layer 25, an etching stop layer 26, and a gap layer 27, laminated in this order.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２１、活性層２２、ならびにストライプ状の埋込リッジ部２８を含むｐ型クラッド層２３、ｎ型バッファ層２４、ｐ側コンタクト層２５、エッチングストップ層２６およびキャップ層２７をこの順に積層してなる半導体層２０を備える。 - 特許庁

In this semiconductor laser, a stripe-type active layer waveguide is formed into a mesa-like shape on an n-type InP substrate 10 by successively laminating an n-type InP clad layer 20, optical confinement layer 22, MQW active layer 24, optical confinement layer 26, and p-type InP clad layer 28 upon the substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層２０、光閉じ込め層２２、ＭＱＷ活性層２４、光閉じ込め層２６、及びｐ型ＩｎＰクラッド層２８とが順次積層して、ストライプ状の活性層導波路がメサ型に形成されている。 - 特許庁

A mesa stripe 131a is composed of, at least a first conductivity- type first clad layer 103, an active region, and a second conductivity-type second clad layer 107, both the sides of the mesa stripe 131a are subjected to surface treatment by the use of a buffered hydrofluoric acid to remove an oxide film or impurities.例文帳に追加

少なくとも第１導電型の第１クラッド層１０３、活性領域および第２導電型の第２クラッド層１０７からなるメサストライプ部１３１ａに電流ブロック層１１１、１１２を再成長する前に、メサストライプ部１３１ａの両側面をバッファードフッ酸で表面処理して酸化膜や不純物を除去する。 - 特許庁

In the laser device having a first waveguide region C_1 and a second waveguide region C_2 as stripe-like waveguide regions and having the stripe-like projection as a resonator by forming a complete refraction factor type waveguide in the region C_1 and having an effective refraction factor type waveguide in the region C_2, this laser device can acquire various element characteristics, improve device reliability and improve the beam characteristics.例文帳に追加

本発明では、ストライプ状の導波路領域として、第１の導波路領域Ｃ_1、第２の導波路領域Ｃ_2とを有し、Ｃ_1で完全屈折率型の導波路が形成され、Ｃ_2で実効屈折率型の導波路を有することで、ストライプ状の凸部を共振器として有するレーザ素子において、様々な素子特性を得ることができ、また素子信頼性に優れ、ビーム特性に優れるレーザ素子を得ることができる。 - 特許庁

The p-type AlGaInP diffusion layer 107 and n-type AlGaInP current blocking layer 105 are provided with a stripe-shaped window therein, and Zn having an impurity concentration of 3×10^18 cm^-3 is doped in the p-type AlGaInP diffusion layer 106.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６、ｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０５にはストライプ状の窓が形成されており、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６には、不純物濃度が３×１０^18ｃｍ^-3であるＺｎが添加されている。 - 特許庁

In a semiconductor laser, a stripe-like contact layer 3 is provided on a p-type compound semiconductor substrate 1 or a p-type semiconductor layer 2, and a light-emitting layer forming section 12 is provided on the contact layer 3, so that a p-type clad layer 4 comes into contact with the section 12.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板１上またはｐ形半導体層２上にストライプ状のコンタクト層３が設けられ、ストライプ状のコンタクト層３上にｐ形クラッド層４が接するように発光層形成部１２が設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device, a first conductive type clad layer, an active layer and a second conductive type clad layer are formed by turns from below on a substrate, and the semiconductor light-emitting device includes a ridge-shaped stripe structure containing at least the second conductive type clad layer.例文帳に追加

半導体発光素子は、基板上に、下から順に第１導電型のクラッド層、活性層、及び第２導電型のクラッド層が形成され、第２導電型のクラッド層を少なくとも含む層にリッジ形状のストライプ構造を備える。 - 特許庁

To provide a ridge waveguide type nitride semiconductor laser element having a ridge stripe offering a fine yield, and to provide a method for manufacturing the nitride semiconductor laser element.例文帳に追加

歩留まりの良好なリッジストライプ部を有するリッジ導波路型の窒化物半導体レーザ素子およびその窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A lower substrate of a touch panel integrated type parallax barrier 16 is formed with Y axial electrodes 8 in a stripe state, and an upper substrate is formed with X electrodes 10 in the direction orthogonal to the Y axial electrodes 8.例文帳に追加

タッチパネル一体型視差バリア１６の下基板にＹ軸電極８をストライプ状に形成し、上基板にＹ軸電極８と直行する方向にＸ電極１０をストライプ状に形成する。 - 特許庁

Consequently, the data signal of an odd-numbered or even-numbered frame is delayed by 1H and processed to prevent defects in picture quality of the lateral stripe type.例文帳に追加

これによって、奇数番目のフレームのデータ信号または偶数番目のデータ信号を１Ｈ遅延して処理することで横ストライプ形態の画質不良を防止することができる。 - 特許庁

The first clad layer 104 is formed in a mesa stripe type, and current block layers 106 are formed on both sides of the first clad layer 104 in such a manner as covering the whole side surfaces.例文帳に追加

そして、第１のクラッド層１０４をメサストライプ形状とするとともに、第１のクラッド層１０４の両側において、その側面の全体を覆うようにして電流ブロック層１０６を形成する。 - 特許庁

This self oscillation type semiconductor laser includes a first clad layer 2, an SCH structure 3 containing an active layer formed on it, and second clad layers 4-6 formed on the SCH structure while having a first ridge stripe structure 9.例文帳に追加

自励発振型半導体レーザは、第１のクラッド層２、その上に形成され活性層を含むＳＣＨ構造３、その上に形成され第１リッジストライプ構造９を有する第２のクラッド層４〜６を備える。 - 特許庁

To solve the problem that ripples appear in far field images and interrupt the concentration of laser spot light, in a gallium nitride-based compound semiconductor laser, having a ridge optical waveguide-type stripe structure.例文帳に追加

リッジ導波型ストライプ構造を有する窒化ガリウム系半導体化合物レーザおいて、遠視野像にリップルが現れるためにレーザスポットの集光に支障きたす。 - 特許庁

The mesa stripe is buried in a high resistance Fe doped InP layer 28 and an n-type InP layer 29 grown sequentially to form a current confinement structure in the lateral direction.例文帳に追加

メサストライプは、順次成長させた、高抵抗のＦｅドープＩｎＰ層２８、及びｎ型ＩｎＰ層２９で埋め込まれ、横方向の電流閉じ込め構造が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device that can be manufactured by a simple method, and has stable laser characteristics and a ridge waveguide type stripe structure.例文帳に追加

本発明は簡便な方法で製造することが可能で、レーザ特性が安定している、リッジ導波型ストライプ構造を有する半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element of a ridge stripe type having a window structure, for high yield and reliability by surely preventing coming off of an etching stop layer.例文帳に追加

窓構造を有するリッジストライプ型の半導体レーザ素子において、エッチングストップ層の抜けを確実に防止し、歩留まりが高く且つ信頼性が高い半導体レーザ素子を実現できるようにする。 - 特許庁

The stripe type ribs 3 for dividing cells as discharge spaces have grooves d formed substantially parallel to a longitudinal direction of the ribs 3 at a top portion of the ribs 3.例文帳に追加

放電空間としてのセルを区画するためのストライプ状のリブ３であって、リブ３の頂部にリブ３の長さ方向と実質的に平行な溝ｄが形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

This card type compact disk has at least the design printing layer having the magnetic stripe section and the protective layer on a substrate and the surface roughness of the protective layer is ≥0.6 μm Ra.例文帳に追加

基板上に少なくとも磁気ストライプ部を有するデザイン印刷層及び保護層を有し、該保護層の表面粗さが０．６μｍＲａ以上であるカード型コンパクトディスク。 - 特許庁

A ridge 2 for red laser, which extends in a direction <011> and has a shape of inverse mesa stripe, is formed on the main surface of the n-type GaAs off-board 1.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓオフ基板１の主面には、＜０１１＞方向に延在する逆メサストライプ形状の赤色レーザ用リッジ２が形成されている。 - 特許庁

The superconductive cable 1 for the direct current is a coaxial type cable for the direct current in which one stripe of a cable core 1a having two superconductor layers to which a voltage of a different polarity is concentrically equipped in a heat insulating tube.例文帳に追加

直流用超電導ケーブル1は、異なる極性の電圧が印加される2つの超電導導体層を同心円状に有するケーブルコア1aを断熱管内に1条具える同軸型の直流用ケーブルである。 - 特許庁

The display element 13 is a hot matrix type having a pair of translucent substrates and a transparent electrode film of stripe shape respectively formed in the translucent substrate.例文帳に追加

表示素子１３は、一対の透光性基板と、透光性基板に夫々形成されたストライプ状の透明電極膜と、を有するドットマトリクス型である。 - 特許庁

Removal areas 51, 52 are formed by partially removing the layers containing Al in the group III nitride semiconductor multilayer structure 2 on both sides of a ridge stripe 20 formed by removing a part of the p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２の一部を除去して形成したリッジストライプ２０の両側には、III族窒化物半導体積層構造２中のＡｌを含む層を除去した除去領域５１，５２が設けられている。 - 特許庁

A measuring head 1 of a trigonometric measurement type laser displacement gauge is moved in a direction perpendicular to a longitudinal direction of a black-stripe formed on an inside surface of a cathode-ray tube panel 8.例文帳に追加

三角測量式のレーザー変位計の測定ヘッド１を陰極線管パネル８の内面に形成されたブラックストライプの長手方向に対して直角方向に移動させる。 - 特許庁

The organic EL element 39 comprises a first electrode 34 of stripe type, insulating layers 35, 45, an organic layer 36, and second electrodes 37c-37d, and is laminated on a substrate 32.例文帳に追加

有機ＥＬ素子３９は、ストライプ状の第一電極３４と、絶縁層３５，４５と、有機層３６と、第二電極３７ａ〜３７ｄとを有し、基板３２に積層形成されている。 - 特許庁

Lattice patterns of red, green and blue are displayed sequentially on the screen of a color cathode ray tube (stripe type fluorescent face structure), and a specified measuring area is imaged by means of a CCD camera (S1).例文帳に追加

カラー陰極線管（ストライプタイプの蛍光面構造）の画面上に赤、緑、青の格子状パターンを順に表示して、所定の測定エリアをＣＣＤカメラで撮像する（Ｓ１）。 - 特許庁

The contact and noncontact type common-use IC card has an IC module like this mounted on its card base body and is equipped with a magnetic stripe.例文帳に追加

また、本発明の接触型非接触型共用ＩＣカードは、このようなＩＣモジュールをカード基体に装着し、かつ磁気ストライプを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A vertical-type field effect transistor includes a semiconductor layer 2 having multiple trenches 10 with a stripe geometry, a gate electrode 50 partially embedded in the multiple trenches 10, base regions 20 and 21, and a source region 25.例文帳に追加

ストライプ状の複数のトレンチ１０を有する半導体層２と、複数のトレンチ１０に部分的に埋め込まれたゲート電極５０と、ベース領域２０，２１と、ソース領域２５とを備える。 - 特許庁

To reduce vertical stripe shaped display unevenness in an active matrix type liquid crystal display device in which a horizontal scanning driving circuit and a vertical scanning driving circuit are integrally formed on a glass substrate.例文帳に追加

水平走査駆動回路及び垂直走査駆動回路をガラス基板上に一体形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置における、縦縞状の表示むらの低減を図る。 - 特許庁

A light intensity correcting plate 15 is disposed between the halogen lamp 11 and the stripe-type plate 13, thereby uniformizing the light pattern in light intensity.例文帳に追加

ハロゲンランプ１１と縞状板１３との間に、光強度補正板１５が設けられ、これにより、光パターンの光強度の均質化が図られている。 - 特許庁

To provide a horizontal stripe type fuel battery cell, which can reduce a thermal expansion difference between a porous supporter and a solid electrolyte, and to provide a cell stack and a fuel battery.例文帳に追加

多孔質支持体と固体電解質との熱膨張係数差が低減することができ、信頼性および経済性に優れた横縞形燃料電池セル、セルスタックおよび燃料電池を提供すること。 - 特許庁

A stripe type patterned adhesion preventive layer 3 is formed on a heat sealant layer 2 (HS layer) which is the constituent layer of the cover tape by photogravure.例文帳に追加

カバーテープの構成層であるヒートシーラント層２（ＨＳ層）上に、グラビア印刷法により、ストライプ状のパターンとした密着防止層３を形成する。 - 特許庁

To enhance durability, stability of power generation, and reliability by solving problems of an inter-connector, in particular, in a lateral-stripe type solid oxide fuel cell stack.例文帳に追加

横縞方式の固体酸化物形燃料電池スタックにおいて、特にインターコネクタに関する問題を解決し、その耐久性を向上させ、発電の安定性、信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of securing a stable breakdown voltage without generating a difference between potential distributions in both directions even in a drift layer having a stripe type SJ structure.例文帳に追加

ストライプ型のＳＪ構造のドリフト層であっても、両方向の電位分布の差を生じさせず安定した耐圧を確保できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Hence, when etching for the formation of a ridge stripe is conducted, etching will not progress penetrating the p-type GaInP etching stop layer 105, and a desired ridge shape can be formed.例文帳に追加

従って、リッジストライプを形成するエッチングの際、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層１０５を貫通してエッチングが進行することなく、所望のリッジ形状を形成し得る。 - 特許庁

To provide a ridge stripe type semiconductor laser device which suppresses a film exfoliation of a current constriction layer on a ridge having a high perpendicularity, makes light confinement of the current constriction layer function normally, and has high reliability.例文帳に追加

垂直性の高いリッジ上の電流狭窄層の膜剥がれを抑制し、電流狭窄層の光閉じ込めを正常に機能させ、信頼性の高いリッジストライプ型半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the occurrence of moire stripes in a direct viewing type liquid crystal display device provided with a light diffusion layer having a stripe structure extending in the vertical direction on a viewer side of a liquid crystal display panel without spoiling display quality.例文帳に追加

垂直方向に延びるストライプ構造を有する光拡散層を液晶表示パネルの観察者側に備えた直視型の液晶表示装置におけるモアレの発生を、表示品位を損なうことなく抑制する。 - 特許庁

An opening part 1107h obtained by partially removing a near region of a resonator end face in the thickness direction is formed in the p-type cap layer 1107 constituting an upper part of the ridge stripe 1700.例文帳に追加

リッジストライプ部１７００の上部を構成するｐ型キャップ層１１０７には、共振器端面近傍領域を厚み方向に部分的に除去した開口部１１０７ｈが形成されている。 - 特許庁

To provide a lateral stripe type fuel battery cell capable of reducing the difference in contraction coefficient between an insulating support and a solid electrolyte and enhancing reliability and economy.例文帳に追加

絶縁支持体と固体電解質との収縮率差を低減することができ、信頼性及び経済性に優れた横縞型燃料電池セルを提供すること。 - 特許庁

To solve the problem of peeling off or durability issue of an intermediate layer of an interconnector and enhance a yield in manufacturing steps in a traversal stripe type solid oxide fuel cell stack.例文帳に追加

横縞方式の固体酸化物形燃料電池スタックにおいて、特にインターコネクタの中間層の剥離や耐久性の問題を解決し、製造段階での歩留を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing an electric field intensity in an edge portion of a stripe type cell and of improving an endurance quantity of RBSOA without lowering the other properties.例文帳に追加

ストライプ型セルのエッジ部分での電界強度を緩和し、他の特性を低下させることなく、ＲＢＳＯＡ耐量を向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The reflection type polarizing element is constituted of, for example, a wire grid which is formed to a stripe shape with pitches finer than the wavelength of visible light, and the polarizing element can be electrically rotated in the polarizing axis direction.例文帳に追加

反射型偏光素子は、例えば、可視光の波長よりも微細なピッチで縞状にされたワイヤグリッドなどから成り、偏光軸方向を電動式に回転可能な構成とする。 - 特許庁

To provide a horizontal stripe type solid-oxide fuel cell bundle allowing connection of cell stacks with each other, and excellent in long-term reliability, and to provide a fuel cell using the same.例文帳に追加

セルスタック同士の接続が可能で、長期信頼性に優れた横縞型固体酸化物形燃料電池バンドルおよびそれを用いた燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a coating method using a slit type die coater and a low-viscosity coating liquid and forming two or more stripe-like thin films with a stable film thickness and an organic electronics element formed by the coating method.例文帳に追加

スリット型ダイコーターを用い、低粘度の塗布液を使用し、安定した膜厚でストライプ状の複数の薄膜を形成する塗布方法及びこの塗布方法より形成された有機エレクトロニクス素子を提供することである。 - 特許庁

The semiconductor laser device 41 has p-type AlGaAs refractive index control layers 49 for correcting distributions of an amplitude and a phase of the optical field that should be generated or has been generated by the light emitting stripe region 48.例文帳に追加

半導体レーザ装置４１は、発光ストライプ領域４８が生成すべき、あるいは生成した光電界の振幅および位相の分布を補正するｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９を備える。 - 特許庁

To provide an electrophotographic device which can suppress stripe type image defects even when the device is left to stand for a long time after an end of image formation to the next image formation, while achieving a high-speed process and a long service time of the electrophotographic device.例文帳に追加

電子写真装置や高速化、高寿命化を達成しつつ、画像形成終了時から次の画像形成まで長時間放置されてもスジ状の画像不良を抑制できる電子写真装置を提供することである。 - 特許庁