「substrate temperature」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD AND APPARATUS FOR MEASUREMENT OF TEMPERATURE OF SUBSTRATE例文帳に追加

基材の温度測定方法および温度測定装置 - 特許庁

When SiC substrate temperature is a high temperature in the order of 1800°C, the sublimation of SiC from a SiC substrate 10 is generated.例文帳に追加

ＳｉＣ基板温度が１８００℃程の高温では、ＳｉＣ基板１０からＳｉＣの昇華が発生する。 - 特許庁

METHOD FOR HEAT COATING WITH LITTLE TEMPERATURE INCREASE OF SUBSTRATE例文帳に追加

基材温度上昇の少ない加熱コーティング方法 - 特許庁

To measure accurately the temperature of a substrate having a plurality of layers even if a thin film layer causing multiple interference exists, concerning a temperature measuring method of the substrate.例文帳に追加

多重干渉を引き起こす薄膜層があっても，複数層基板の温度を正確に測定する。 - 特許庁

The substrate is cooled by water and kept at a room temperature during film formation.例文帳に追加

成膜中は基板を水冷して室温に保った。 - 特許庁

APPARATUS FOR MEASURING TEMPERATURE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS UTILIZATION例文帳に追加

半導体基板の温度測定装置及びその利用 - 特許庁

The temperature adjustment section TC is so controlled by a main control unit 4 that the temperature of the substrate W is adjusted by the temperature adjustment section TC to a target substrate temperature T2 which is different from the substrate temperature T1 after ashing and higher than room temperature.例文帳に追加

この温度調整部ＴＣにより基板Ｗの温度がアッシング後基板温度Ｔ１と異なりかつ常温よりも高い目標基板温度Ｔ２に調整されるように、温度調整部ＴＣがメイン制御部４により制御される。 - 特許庁

To adjust temperature of a substrate during transportation of the substrate or alignment of the substrate.例文帳に追加

基板を搬送する間や基板の位置合わせを行う間にその基板の温度調整を行うこと。 - 特許庁

Temperature of a substrate E1 is changed toward a temperature T_G1 for crystal growth.例文帳に追加

基板Ｅ１の温度を結晶成長のための温度Ｔ_Ｇ１に向けて変更する。 - 特許庁

The temperature control means 11 controls the temperature condition of the TFT substrate 6 under inspection to be a set temperature that is not lower than the temperature of the TFT substrate, when it is actually operating.例文帳に追加

温度制御手段１１は、検査中のＴＦＴ基板６の温度状態を、ＴＦＴ基板の実際の駆動時の温度以上の設定温度に制御する。 - 特許庁

During the film deposition, the substrate temperature T2 to be detected by the temperature sensor 9 is fed back to perform the heater control, and the temperature of the substrate 10 is maintained at the optimum film deposition temperature.例文帳に追加

成膜中は温度センサ９で検出される基板温度Ｔ２をフィードバックしてヒータ制御を行い、基板１０の温度を成膜最適温度に保持する。 - 特許庁

A temperature controller 23 outputs a control signal for a plasma power source 24 based on the temperature of the substrate for controlling the temperature of the substrate to reach a target temperature.例文帳に追加

温度調節器２３が、被処理物の温度に基づいて、被処理物の温度を目標温度に制御するためのプラズマ電源２４用の制御信号を出力する。 - 特許庁

The temperature of the substrate 25 is adjusted by operating a Peltier element group 23 by a controller 12 to set the temperature of the substrate 25 within a temperature setting range lower than the temperature of the ink.例文帳に追加

基板２５の温度が、インクの温度より低い温度設定範囲内になるように、コントローラ１２によりペルチェ素子群２３を動作させて、基板２５の温度を調節する。 - 特許庁

A titanyl phthalocyanine film 106 is vapor-deposited thereon with substrate temperature set at room temperature.例文帳に追加

その上に、基板温度を室温にしてチタニルフタロシアニン膜１０６を蒸着する。 - 特許庁

The first substrate and the second substrate disposed facing each other are heat-treated by being heated to a high temperature area and cooled down, and one substrate is heated at higher temperature than the other substrate in the high temperature area.例文帳に追加

対向配置された第１基板および第２基板を高温領域まで昇温した後、降温して熱処理し、高温領域において、一方の基板よりも他方の基板を高温に加熱する。 - 特許庁

CONTACT-TYPE TEMPERATURE MEASURING DEVICE FOR SUBSTRATE AND HEAT TREATMENT APPARATUS FOR SUBSTRATE EQUIPPED THEREWITH例文帳に追加

基板の接触式温度測定装置およびそれを備えた基板の熱処理装置 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR REGULATING TEMPERATURE OF SUBSTRATE, AND FOR PROCESSING SUBSTRATE例文帳に追加

基板温調装置、基板温調方法、基板処理装置及び基板処理方法 - 特許庁

To prevent uneven processing of a substrate by effectively equalizing temperature distribution of the substrate.例文帳に追加

基板の温度分布を効率的に均一化させ，基板の処理むらを防止する。 - 特許庁

When final target control temperature is within a specified temperature range including some final target temperature, the control target temperature is set, so that the temperature deviation from the final target temperature is maximum within the range of the final target control temperature of the substrate and that the temperature difference between the temperature of the substrate and the control target temperature becomes maximum.例文帳に追加

最終目標管理温度が、ある最終目標温度を含む特定の温度範囲である場合、基板の最終目標管理温度の範囲内で最終目標温度からの温度偏差が最大且つ基板の温度と制御目標温度の温度差が最大となるように制御目標温度を設定する。 - 特許庁

The substrate of an optical component is heated so that the temperature of the substrate falls into the range of ±20°C of the glass transition temperature of the substrate when a multilayer antireflection film is deposited.例文帳に追加

多層反射防止膜を蒸着する際に光学部品基板のガラス転移温度の±２０℃の範囲になるように基板を加熱する。 - 特許庁

At a substrate temperature lower than a room temperature, the ozone gas is supplied to the substrate to form an ozone molecule film on the Ge substrate 2.例文帳に追加

室温よりも低温の基板温度のもとで前記基板に前記オゾンガスを供給してＧｅ基板２上にオゾン分子層を形成させる。 - 特許庁

According to the temperature of the substrate 1 at heating, a difference in the substrate in-plane temperature Δt expressed by a formula (1) which does not cause warpage in the substrate 1 is determined.例文帳に追加

加熱時の基板１の温度に応じて基板１の反りが発生しない下記に示す基板面内温度偏差Δｔを求める。 - 特許庁

A temperature measuring means 4 measures susceptor temperature in the vicinity of a substrate mounting plane in the central portion of the substrate mounting plane of a susceptor 3 while in substrate processing.例文帳に追加

基板処理中に、温度測定手段４が、サセプタ３の基板載置面中央部の、基板載置面近傍のサセプタ温度を測定する。 - 特許庁

At this time, the temperature of the substrate 1 is measured by a thermocouple 3 and the temperature of the infrared image furnace 4 is controlled based on the temperature of the substrate 1 by a temperature controller 5 to keep the temperature of the synthetic part 8 at 700°C.例文帳に追加

このとき、熱電対３により基板１の温度測定して、その温度を基に度コントローラー５により赤外線イメージ炉４の温度を調節し、合成部８の温度を７００℃に保持する。 - 特許庁

The temperature detecting plate 30 has a temperature sensor 50 which is fixed to the insulating substrate 31.例文帳に追加

温度検出プレート３０は、絶縁基板３１に温度センサー５０を固定している。 - 特許庁

Preferably, the heat resistant temperature of the metal substrate is higher than the heat resistant temperature of the piston.例文帳に追加

金属基材の耐熱温度は、ピストンの耐熱温度よりも高いことが好ましい。 - 特許庁

TEMPERATURE CONTROL METHOD, METHOD OF OBTAINING TEMPERATURE CORRECTION VALUE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS例文帳に追加

温度制御方法、温度補正値取得方法、半導体製造方法、基板処理装置 - 特許庁

The second part (12) imparts the heat of a second temperature lower than the first temperature to the substrate (2).例文帳に追加

第２部分（１２）は、第１温度より低い第２温度の熱を基板（２）に与える。 - 特許庁

To provide a substrate treating apparatus capable of properly performing a heat treatment wherein temperature control is performed by properly measuring the actual temperature of a wafer by a heater.例文帳に追加

ヒータによるウエハの実際の温度を適正に計測して温度制御する。 - 特許庁

TEMPERATURE MEASURING INSTRUMENT, DEPOSITION DEVICE AND DEPOSITED SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

温度測定器、成膜装置、及び成膜基板製造方法 - 特許庁

To prevent the increase of the temperature of a substrate in emergency.例文帳に追加

非常事態の時に、基板の温度上昇を防止する。 - 特許庁

The electrostatic attraction of the substrate is released with a predetermined interval until the temperature of the substrate reaches to a predetermined temperature.例文帳に追加

基板の温度が所定の温度に達するまでの間に、基板の静電吸着を所定の間隔で解除する。 - 特許庁

LOW-TEMPERATURE BAKED CERAMIC MULTILAYER SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

低温焼成セラミックス多層基板およびその製造方法 - 特許庁

A temperature control means 7 is set on the element substrate 2.例文帳に追加

素子基板２上に、温度制御手段７を備えている。 - 特許庁

At time t5, the substrate temperature reaches 1,080°C.例文帳に追加

時刻ｔ５で基板温度が摂氏１０８０度に到達する。 - 特許庁

TEMPERATURE CONTROLLER FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND HEAT EXCHANGE PLATE例文帳に追加

半導体基板の温度制御装置及び熱交換プレート - 特許庁

LOW-TEMPERATURE SINTERED CERAMIC MULTILAYER SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

低温焼結セラミック多層基板およびその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR CALCULATING SUBSTRATE TEMPERATURE DATA AND VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS例文帳に追加

基板温度データの演算方法および気相成長装置 - 特許庁

The substrate 10 is temperature-elevated to flocculate the copper particles.例文帳に追加

基板１０を昇温させて、銅粒子を凝集させる。 - 特許庁

To provide a substrate holder which can control a substrate temperature at high speed and with high accuracy over a range of temperature of 200-500°C.例文帳に追加

２００〜５００℃の温度範囲で、高速かつ高精度に基板温度を制御可能な基板ホルダを提供する。 - 特許庁

The temperature of the sample m is equal to that of the substrate W.例文帳に追加

試料ｍの温度は基板Ｗの温度と同じである。 - 特許庁

ADVANCED FI BLADE FOR EXTRACTING SUBSTRATE AT HIGH TEMPERATURE例文帳に追加

高温下での基板取り出しのための進化したＦＩブレード - 特許庁

LOW-TEMPERATURE FIRED CERAMIC CIRCUIT SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS OF CONTROLLING UP AND DOWN TEMPERATURE FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板の昇降温制御方法とその装置 - 特許庁

To prevent the height of a front surface of a substrate from being changed when supporting and cooling the substrate at a temperature higher than the normal temperature.例文帳に追加

常温より高い温度の基板を支持して冷却する際、基板の表面の高さの変動を抑制する。 - 特許庁