「substrate temperature」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate processing apparatus capable of suppressing a rise of a substrate temperature and thermal budget, and heating and processing the substrate uniformly.例文帳に追加

基板温度の上昇を抑えサーマルバジェットを抑制しつつ、基板を均一に加熱処理することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method, capable of executing high-temperature processing and rotation processing for a substrate.例文帳に追加

基板に対して高温処理および回転処理を実施することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

Even when the substrate is rapidly cooled, the temperature on the substrate is uniform in the cross direction, which effectively prevents the substrate from bending into a saddle-shaped curved surface.例文帳に追加

その冷却速度が速くても、基板は幅方向に均一であって、鞍型曲面に反り曲がることが有効に防止される。 - 特許庁

A substrate having the strength higher than that of the Z-plate crystal substrate under higher temperature by utilizing an X-plate crystal substrate.例文帳に追加

本発明ではＸ板水晶基板を用いることにより、Ｚ板水晶基板より高温において強度の強い基板が得られる。 - 特許庁

To provide a substrate heating carrying device capable of carrying a substrate while uniformizing the temperature distribution of the substrate without using a tray.例文帳に追加

トレイを用いることなく基板の温度分布の均一化を図りながら当該基板を搬送することができる基板加熱搬送装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heat treatment apparatus of a substrate which can promptly heat the whole substrate such as glass substrate to a treatment temperature.例文帳に追加

ガラス基板等の基板全体を処理温度まで迅速に加熱することができる基板の熱処理装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a composite substrate from being remained warped after getting high-temperature in which a piezoelectric substrate and a support substrate are joined with a resin adhesive layer.例文帳に追加

圧電基板と支持基板とを樹脂製の接着層で接合した複合基板において、一度高温となった後に反りが残るのを防止する。 - 特許庁

To reduce damages to a substrate or the like when processing the substrate utilizing plasma and to lower a substrate processing temperature.例文帳に追加

プラズマを利用して基板を処理する際に基板等へのダメージを小さくし、しかも基板処理温度を低くする。 - 特許庁

To provide a substrate heat treatment apparatus capable of executing heat treatment while highly accurately forming temperature gradient on a substrate even for the substrate having warpage.例文帳に追加

反りが生じている基板であっても、精度よく温度勾配を基板に形成しつつ熱処理することができる基板熱処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heat treatment apparatus capable of excellently monitoring the temperature of a heated substrate when the substrate is heated by irradiating the substrate with a flash.例文帳に追加

基板に閃光を照射することにより基板加熱する場合において、加熱された基板温度を良好に監視できる熱処理装置を提供する。 - 特許庁

Sensors that detects whether the glass substrate is positioned correctly as well as a function for the temperature adjustment of the glass substrate and of the glass substrate holding apparatus are added.例文帳に追加

ガラス基板が正しく位置決めされたことを検出するセンサやガラス基板とガラス基板保持装置の温度調節の機能を付加する。 - 特許庁

A substrate is heated by spraying a heated high-temperature pressurized gas from a heated plate to the substrate while supporting the substrate.例文帳に追加

加熱した高温の加圧ガスを加熱したプレートから基板に向けて吹き付けて基板を支持しながら加熱する。 - 特許庁

To provide a substrate heating apparatus improving a temperature distribution when a substrate is heated by equalizing the discharge of thermal electrons onto a substrate surface to be heated.例文帳に追加

加熱される基板面上への熱電子の放出が均一になるようにして、基板の加熱時の温度分布を改善すること。 - 特許庁

To provide a substrate heating device which is able to heat a substrate with high uniformity and to quickly change the heating temperature for each substrate.例文帳に追加

基板を均一性高く加熱することができ、基板ごとに加熱温度を速やかに変更することができる基板加熱装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing device which is capable of uniformly processing a substrate even when there is a difference in temperature between the substrate and a chemical.例文帳に追加

基板と薬液との温度差がある場合にも均一な基板処理が可能な基板処理装置を提供する。 - 特許庁

In a stage of bonding a first substrate to a second substrate, the substrate heating time and the temperature of the bond interface are optimized.例文帳に追加

第一の基板と第二の基板を接合する段階において、基板加熱時間と接合界面の温度を最適化する。 - 特許庁

The heat treatment method for the substrate comprises after cutting the MgO single crystal substrate, heating the cut MgO single crystal substrate at a temperature of at least 1,000°C or higher at the normal pressure in air or the like.例文帳に追加

ＭｇＯ単結晶基板を切断した後、常圧大気中等で少なくとも１０００℃以上の温度で加熱する。 - 特許庁

The substrate (105) is a polymer substrate having a glass transition temperature of 120°C or more and has a first barrier stack (115) adjacent to the polymer substrate.例文帳に追加

基体１０５は、120℃を越えるガラス転移点を有するポリマー基体であり、ポリマー基体に隣接する第１バリアスタック１１５を有する。 - 特許庁

To provide substrate transfer device and substrate transfer method maintaining the temperature of an electronic component and a substrate increased when packaging even after packaging.例文帳に追加

実装時に上昇した電子部品と基板の温度を実装後も維持できるようにした基板移送装置および基板移送方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate mounting table excelling in contact with a substrate and capable of accurately controlling the temperature of the substrate at a desired value.例文帳に追加

基板との接触が良好で基板の温度を高精度で所望の温度に制御することができる基板載置台を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate conveying device, in which a temperature of a joint part between a substrate and an electronic component mounted on the substrate is maintained even during conveyance.例文帳に追加

基板と基板に実装された電子部品との接合部の温度を搬送中も維持できるようにした基板搬送装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for treating a substrate, which can treat a substrate effectively, even if the treatment temperature of the substrate is changed.例文帳に追加

基板の処理温度が変更された場合においても、基板を効率よく処理することができる基板処理装置および方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an in-line type processing apparatus for a substrate (glass substrate), which keeps the substrate uniformly at a prescribed temperature in a short period of time.例文帳に追加

基板（ガラス基板）に対し、短時間のうちに均一な温調を行えるインライン式処理装置を提供する。 - 特許庁

The substrate treatment equipment is provided with the substrate retainer 38 for retaining a substrate 32, first temperature detecting means 44a, 44b for detecting the temperature of the substrate retainer 38 in noncontact, and second temperature detecting means 46a, 46b which detect the temperature in contact with the substrate retainer in order to calibrate the first temperature detecting means 44a, 44b.例文帳に追加

基板３２を支持する基板支持体３８と、この基板支持体３８の温度を非接触で検出する第１の温度検出手段４４ａ，４４ｂと、この第１の温度検出手段４４ａ，４４ｂの校正のために、前記基板支持体に接触して温度を検出する第２の温度検出手段４６ａ，４６ｂとを有する。 - 特許庁

The method for vapor growth of growing the epitaxial layer on a semiconductor substrate comprises growing the epitaxial layer by measuring previously the concentration of a carrier of the semiconductor substrate at a room temperature and then by controlling a set temperature of the substrate responding to the carrier concentration at the room temperature so that a real surface temperature of the substrate may become a desired temperature regardless of the carrier concentration of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる気相成長方法において、予め半導体基板の室温におけるキャリア濃度を測定し、該半導体基板のキャリア濃度に関わらず実際の基板の表面温度が所望の温度となるように、前記室温におけるキャリア濃度に応じて基板の設定温度を制御し、エピタキシャル層を成長させるようにした。 - 特許庁

In the cleaving device 10, the lower substrate 62 is kept at a temperature higher than that of the upper substrate 61 near the cleaving extended line 71 in the substrate 60 to produce stress due to the temperature difference between the upper substrate 61 and the lower substrate 62 near the cleaving extended line 71 in the upper substrate 61.例文帳に追加

割断装置１０は、被加工基板６０のうち割断予定線７１近傍において、上基板６１に対して下基板６２を高温とし、上基板６１のうち割断予定線７１近傍に、上基板６１と下基板６２との間の温度差による応力を発生させる。 - 特許庁

In the heating and cooling method of a substrate, a substrate 60 is heated only from the one side by a heat sources 56, and a temperature difference is set to 50-400°C between the temperatures of a substrate surface and a substrate rear surface in each position inside the substrate surface when the temperature of one side of the substrate becomes maximum.例文帳に追加

基板の加熱冷却方法において、加熱源５６により基板６０をその片面側からのみ加熱し、基板の片面の温度が最大になる時に、基板面内の各位置における基板表面および裏面の温度差を５０℃〜４００℃とする。 - 特許庁

The resistance of the resistor 31 varies depending upon the temperature, but the temperature of the temperature detecting voltage VT of a temperature detecting section 40 provided on the same semiconductor substrate also varies depending upon the temperature.例文帳に追加

抵抗３１の抵抗値は温度によって変化するが、同一半導体基板上の温度検出部４０の温度検出電圧ＶＴも温度で変化する。 - 特許庁

Temperature at the device side may be identified in response to the previous device-side temperature or in response to the previous temperature at the substrate side different from the previous device side temperature and the temperature history of the wafer.例文帳に追加

装置側温度は、先の装置側温度に応答して識別してもよく、先の装置側温度とは異なる基板側の先の温度およびウェハの温度履歴に応答して識別してもよい。 - 特許庁

A low temperature end of a pulse tube in which a low temperature end, a high temperature end and an inner cavity connecting the low temperature end and the high temperature end are defined is coupled with the substrate holding table.例文帳に追加

低温端と高温端、及び該低温端と高温端とを結ぶ内部空洞が画定されたパルスチューブの低温端が基板保持台に結合している。 - 特許庁

To provide a substrate for a temperature control mat and a method of manufacturing the same eliminating the necessity of work for fitting a soaking material to a groove for piping arrangement of a substrate body by manual work during manufacturing of the temperature control mat and construction on site and the temperature control mat using the substrate for the temperature control mat.例文帳に追加

温調マットの製造時や現場での施工時に、基板本体の配管配設用溝に手作業にて均熱材を嵌め付ける作業が不要である温調マット用基板及びその製造方法と、この温調マット用基板を用いた温調マットとを提供する。 - 特許庁

Therein, surface temperature of the SiC substrate is lower than back surface temperature thereof, therefore, the gas sublimated from the vicinity 12b of the back surface of the substrate having a high temperature is moved to the vicinity 12a of the surface of the substrate having a low temperature through a micropipe defect 11 which is hollow.例文帳に追加

そして、ＳｉＣ基板裏面より基板表面の温度が低くなっていることから、温度が高い基板裏面近傍１２ｂから昇華したガスが中空であるマイクロパイプ欠陥１１を通して、温度の低い基板表面近傍１２ａに移動する。 - 特許庁

A difference between a temperature at the center part of the substrate 1 and a temperature at both ends of the substrate 1 is reduced, and the temperature at the center part of the substrate 1 is maintained at or below an operation compensation temperature TS of the LED element 11 even when the LED element 11 is continuously driven.例文帳に追加

基板１の中央部の温度と基板１の両端部の温度との差が小さくなり、ＬＥＤ素子１１を連続して駆動した場合でも、基板１の中央部の温度をＬＥＤ素子１１の動作補償温度ＴＳ以下に維持される。 - 特許庁

When a substrate having a temperature close to a normal temperature is exactly placed on a predetermined position of the surface of the baking plate, heat transfer from the surface of the baking plate to the substrate immediately occurs, and the temperature of the substrate rises rapidly and the surface temperature of the baking plate temporally decreases.例文帳に追加

常温近傍の基板がベークプレートの表面所定位置に正確に載置されると、ベークプレート表面から基板への熱伝導が直ちに生じ、基板が急速に昇温する一方でベークプレートの表面温度が一時的に低下する。 - 特許庁

A layer that is composed by a material where temperature can be easily increased is provided in advance in the inner layer of a part where the temperature cannot be easily increased on a substrate, thus obtaining uniform temperature on the substrate, or the color of resist on the surface of the substrate or that of silk is set to a color where temperature can be partially and easily increased.例文帳に追加

予め基板上の温度の上昇し難い部分の内層に温度の上昇し易い素材の層を設けることにより基板上で均一な温度が得られるようにする、或いは、基板の表面のレジスト又は、シルクの色を部分的に温度が上昇し易いような色にするものである。 - 特許庁

For example, while each casting heater for heating the substrate is divided into two heaters of a high temperature casting heater 9H and a low temperature casting heater 9L, the temperature is kept high in the first half of each heater, and low in the latter half so as to average the temperature of the substrate, which can suppress the problem that the film substrate is wrinkled.例文帳に追加

例えば、基板加熱用の鋳込みヒータを２分割して、高温用鋳込みヒータ９Ｈおよび低温用鋳込みヒータ９Ｌとし、それぞれのヒータの前半で温度を高く、後半で低くすることにより、基板温度の平均化を行なうことにより、皺の発生を抑制する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a semiconductor substrate; a temperature detecting element that is formed on the semiconductor substrate and detects the temperature of the semiconductor substrate; an insulating film coating the temperature detecting element; and a metal portion coating at least a portion of the temperature detecting element via the insulating film.例文帳に追加

本半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、前記半導体基板の温度を検知する温度検知素子と、前記温度検知素子を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記温度検知素子の少なくとも一部を被覆する金属部と、を有する。 - 特許庁

To provide a system and a substrate for detecting the temperature information of a substrate capable of measuring a temperature even if the substrate is in a high-temperature state of ≥145°C, and enabling the extraction of the temperature information from a process treatment chamber without using a cable.例文帳に追加

基板の温度情報を検出するシステム、検出基板であって、基板が１４５℃以上の高温状態であっても温度測定が可能であり、温度情報をケーブルを用いることなくプロセス処理室から取り出しができるものを提供する。 - 特許庁

Since a gas jetting part jetting gas to a substrate is provided for a substrate transport part, and a temperature regulating part for regulating the temperature of the gas is arranged, the temperature of the gas jetted to the substrate can be regulated by the temperature regulating part.例文帳に追加

基板へ気体を噴出する気体噴出部が基板搬送部に設けられており、この気体の温度を調節する温度調節部を備えるので、当該温度調節部によって基板へ噴出される気体の温度を調節することができる。 - 特許庁

Next, the substrate is subjected to alignment processing of dipoles at above the high- temperature side glass transition temperature of the non-irradiated portions and is then subjected to alignment processing of a reverse direction at a temperature above the low-temperature side glass transition temperature of the irradiated portions and below the high-temperature side glass transition temperature.例文帳に追加

次に非照射部位の高温側ガラス転位温度以上でダイポールの配向処理を行い、その後照射部位の低温側ガラス転位温度以上でかつ高温側ガラス転位温度未満の温度で逆向きの配向処理を行う。 - 特許庁

With the temperature of the substrate 25 kept in the temperature setting range, the ink is discharged, thereafter the inside of a drying vessel is depressurized in the state where the temperature of the substrate 25 carried in the drying vessel is adjusted to keep the ink deposited on the substrate 25 at an appropriate viscosity, and the substrate 25 is dried.例文帳に追加

基板２５の温度がこの温度設定範囲内に維持された状態で、インクを吐出し、その後、乾燥槽内に搬入された基板２５の温度を、基板２５に着弾したインクが適切な粘度に保持されるように調節した状態で、槽内を減圧させて、基板２５の乾燥を行う。 - 特許庁

This bonder comprises a chip-holding means 121 for holding the chip 1, a substrate-holding means 141 for holding a substrate 2, a temperature control means 142 for heating or cooling either the chip-holding means or substrate-holding means, and a temperature-recognizing means 160 for conducting image recognition of the surface temperature change of the substrate.例文帳に追加

チップ１を保持するチップ保持手段１２１、基板２を保持する基板保持手段１４１、チップ保持手段及び基板保持手段のいずれか一方を加熱または冷却する温調手段１４２、基板の表面の温度変化を画像認識する温度認識手段１６０を備える。 - 特許庁

The substrate of an inverter body (20) is divided into a high temperature substrate (62) with an IGBT (41) composed of an SiC element and a feedback diode (42) mounted thereon, and a low temperature substrate (63) insulated thermally from the high temperature substrate (62) and having a rectifier diode (32) composed of an Si element mounted thereon.例文帳に追加

インバータ本体（20）の基板を、ＳｉＣ素子で構成されるＩＧＢＴ（41）及び帰還ダイオード（42）が実装された高温基板（62）と、該高温基板（62）と熱的に絶縁され、Ｓｉ素子で構成される整流ダイオード（32）が実装された低温基板（63）とに分割する。 - 特許庁

To provide a low temperature baked multilayer ceramic substrate formed with simplified manufacturing process with improvement in high density of wiring of substrate, and also to provide an assembling structure of low temperature baked multilayer ceramic substrate to form a single substrate by mutually coupling a plurality of the low temperature baked multilayer ceramic substrates.例文帳に追加

基板配線の高密度化と共に製造工程を簡略化できる低温焼成多層セラミック基板を提供すると共に、低温焼成多層セラミック基板を相互に複数連結して単一の基板を構成する低温焼成多層セラミック基板の組立構造を提供する。 - 特許庁

Consequently, heat transmission to an outer peripheral portion in contact with the support portion 12 of the substrate 1 decreases, so the generation of a temperature distribution on the substrate 1 resulting from a rise in temperature of the substrate 1 at the outer peripheral portion is suppressed to make the temperature distribution of the substrate 1 uniform.例文帳に追加

その結果、基板１の支持部１２と接触している外周部への熱伝達が減少するので、外周部において基板１の温度が高くなり基板１に温度分布が生じることを抑制し、基板１の温度分布を均一化することができる。 - 特許庁