「surge protective device」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a travel outlet device having a surge protective circuit removing surge momentarily set at an abnormal voltage.例文帳に追加

瞬間的に異常な電圧となるサージを取り除くサージ保護回路を備える旅行用コンセントデバイスを提供する。 - 特許庁

A lightning surge current discharged from a protective device 3 to a grounding wire 4 when a lightning surge is applied is detected by a detector 5.例文帳に追加

雷サージ印加時に、保安器３から接地線４へ放電される雷サージ電流が、検出器５で検出される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which suppresses element area of a protective element so as to be small and has high surge resistance without making manufacturing processes complicated.例文帳に追加

保護素子の素子面積を小さく抑え且つ製造工程を複雑にすることなくサージ耐性が高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a protective function for prevention of the insulation breakage of a gate insulating film caused by surge currents.例文帳に追加

サージ電流によるゲート絶縁膜の絶縁破壊の防止のための保護機構を有する半導体装置の提供を目的とする。 - 特許庁

By this setup, a protective circuit of this constitution can be enhanced in surge resistance to a surge voltage that penetrates through an outer power supply pad or the like, and a protective circuit which is having a snap-back voltage that is suitable for an adventitious surge for ensuring reliability for a semiconductor device and used for a different power supply tolerant I/O can be formed.例文帳に追加

このようにすれば、外部電源パッド等を介して侵入するサージ電圧に対して大きなサージ耐量が得られ、かつ、半導体装置の信頼性保証上、外来サージに対し適切なスナップバック電圧の値を有する異電源トレラントＩ／Ｏに用いる保護回路を形成することができる。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device comprises a pad 1 for external connection, an electrostatic discharge protective circuit 2, an input circuit 3, and an internal circuit 4 wherein the electrostatic discharge protective circuit 2 protects the input circuit 3 and the internal circuit 4 against surge.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、外部接続用パッド１と、静電放電保護回路２と、入力回路３と、内部回路４とを備えており、静電放電保護回路２は、入力回路３及び内部回路４をサージから保護している。 - 特許庁

A varistor 3 and vacuum micro devices 4a, 4b are connected to each other in parallel and constitute a protective device which protects a semiconductor device in an electric circuit against a surge invading into a power supply line.例文帳に追加

バリスタ３と真空マイクロ素子４ａ，４ｂは、互いに並列に接続され、電源ラインに入り込むサージから電気回路内の半導体素子を保護する保護素子を構成する。 - 特許庁

To provide a package for an optical semiconductor device, capable of enhancing the reliability of the electrical properties, without impairing the functions of a built-in surge protective element during an injection-molding, and to provide an optical semiconductor device which uses the same.例文帳に追加

射出成形の際に、内蔵したサージ保護素子の機能を損なうことなく、電気的特性の信頼性を向上させることが可能な光半導体装置用パッケージとそれを用いた光半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is equipped with a protective diode to protect a semiconductor element such as MOSFET from insulation breakdown, suppress a leakage current which may be caused on the protective diode at the time of low voltage, and can supply a greater amount of current when high voltage is applied, such as in the case of coming of surge.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのような半導体素子を絶縁破壊から保護する保護ダイオードを備え、当該保護ダイオードにおける低電圧印加時のリーク電流を抑え、サージが入ってきたような高電圧印加時により多くの電流を流すことのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an output circuit capable of effectively protecting it from an electrostatic surge and capable of suppressing the voltage drop and the power consumption due to a protective resistor.例文帳に追加

静電サージから有効に保護することができ、かつ、保護抵抗による電圧降下や消費電力を抑制することができる出力回路を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The second semiconductor laser 13 is used as a part of the protective circuit 12, thus improving the surge breakdown voltage of a double wavelength semiconductor laser device 10 with a simplified circuit configuration.例文帳に追加

第二の半導体レーザ１３を保護回路１２の一部として用いることにより、簡単な回路構成で２波長半導体レーザ装置１０としてのサージ耐圧を改善することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that also protects a wiring layer used in the surge current route of an ESD protective circuit by efficiently radiating the heat generated in the wiring layer.例文帳に追加

ＥＳＤ 保護回路のサージ電流経路に使用される配線層に生じる熱を効率よく放熱でき、サージ電流経路に使用される配線層も保護する。 - 特許庁

To improve the surge durability of capacitive elements of a shunt circuit, included in a high-frequency switch circuit device, without changing the manufacturing processes or adding protective diodes.例文帳に追加

製造プロセスの変更や保護ダイオードの追加なしに、高周波スイッチ回路装置に含まれるシャント回路の容量素子のサージ耐量を向上させる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an inner circuit unit, first and second protective circuit units 200, 400 for preventing the surge breakdown of the inner circuit unit, a power supply terminal, and a signal terminal.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、内部回路部と、前記内部回路部のサージ破壊を防止するための第１および第２の保護回路部２００，４００と、電源端子および信号端子と、を含む。 - 特許庁

To provide a power supply reverse connection protective circuit which can recognize the reverse connection of an external DC power supply and the application of a negative surge and can surely prevent the generation of an overcurrent in an electronic control device.例文帳に追加

外部直流電源の逆接続や負サージの印加を認識し、確実に電子制御装置に過電流が発生することを防止できる電源逆接続保護回路を提供する。 - 特許庁

The surge propagated along the power supply line 18.2 and entering the building 2 cannot be propagated along a path including a distribution line 24.2, an indoor power supply line 26.2, a communication apparatus 6, an indoor communication line 28.2, a protective device 8 and a ground line 20.3.例文帳に追加

そのため、電源線１８．２を伝搬して構造物２へ侵入したサージは、分配線２４．２、屋内電源線２６．２、通信装置６、屋内通信線２８．２、保安器８および接地線２０．３という経路を伝搬することができない。 - 特許庁

To provide a protective device of a polar capacitor, which can suppress properly a surge generated in a load operation state and protect surely the polar capacitor, when a DC power supply is connected with reverse polarity.例文帳に追加

負荷の動作時において発生するサージを好適に抑制するとともに、直流電源の逆極性での接続に対して有極性コンデンサを確実に保護することができる有極性コンデンサの保護装置を提供する。 - 特許庁

To reduce an allowable loss of an element, to downsize an element size and to decrease a mounting area, by suppressing power consumption of a protective device when a power supply surge (an abnormal voltage) is applied.例文帳に追加

電源サージ（異常電圧）が印加された場合の保護装置の消費電力を抑えることにより、素子の許容損失を低減し、素子サイズを小さくする。 - 特許庁

This outlet device provides a perfect surge protective function to a transformer by connecting the transformer to a power cable, and allows a user to connect relatively many power outlet units to other electric appliances.例文帳に追加

このコンセントデバイスが変圧器と電源ケーブルとを接続することで変圧器に完全なサージ保護機能を提供し、且つ使用者に、比較的多くの電源コンセントユニットで他の電器に接続させる。 - 特許庁

To provide a thin-type low-cost SPD (Surge Protective Device) with a breaker plate for detaching zinc oxide-form varistors quickly and without fail in case of abnormal heat generation caused by deterioration or the like of zinc oxide-form varistors.例文帳に追加

酸化亜鉛形バリスタの劣化などによる異常発熱が発生した場合、その酸化亜鉛形バリスタを迅速かつ確実に切り離し得る薄型で安価な遮断板付ＳＰＤを提供する。 - 特許庁

In an input/output protective circuit of the semiconductor device with SOI structure, for an external terminal, a unit channel width resistance in a drain resistance of each of a plurality of NMOS transistors which are connected in reverse-bias in parallel is set so that an HBM surge breakdown voltage comparable as the HBM surge breakdown voltage in forward-biased connection is obtained.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の半導体装置の入出力保護回路において、外部端子に対し、各々が並列に逆方向バイアス接続される複数のＮＭＯＳトランジスタそれぞれのドレイン抵抗の単位チャネル幅抵抗値を、順方向バイアス接続時のＨＢＭサージ耐圧と同程度のＨＢＭサージ耐圧が得られるように設定する。 - 特許庁

In an input/output protective circuit of the semiconductor device with SOI structure, for an external terminal, a unit channel width resistance in a drain resistance of each of a plurality of NMOS transistors which are connected in reverse-bias in parallel is set so that an HBM surge breakdown voltage comparable as an HBM surge breakdown voltage in forward-biased connection is obtained.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の半導体装置の入出力保護回路において、外部端子に対し、各々が並列に逆方向バイアス接続される複数のＮＭＯＳトランジスタそれぞれのドレイン抵抗の単位チャネル幅抵抗値を、順方向バイアス接続時のＨＢＭサージ耐圧と同程度のＨＢＭサージ耐圧が得られるように設定する。 - 特許庁

Consequently, the ESD protective element functions to be off in a stationary state, but to operate before the internal element breaks down if a surge or noise is applied to the semiconductor device to discharge a large current and then turn off again.例文帳に追加

定常状態においてはオフ状態にあるが、サージやノイズが半導体装置に印加された場合には、内部素子が破壊に至る前にＥＳＤ保護素子が動作して大電流を放出し、その後再びオフ状態に戻るという機能を満たす。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with a manufacturing method therefor which has a high ESD-resistance value before mounting, and which can prevent breakage of an ESD protective element caused by latch up and the surge voltage generated due to internal circuit actuation after mounting.例文帳に追加

実装前は、高いＥＳＤ耐量を有し、実装後は、内部回路が動作することにより発生するサージ電圧やラッチアップ等によるＥＳＤ保護素子の破壊を防ぐことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a protective circuit which enables the user to take a measure to counter surge voltage at power OFF of load in circuit structure where this circuit is applied while contriving the downsizing of circuit constitution and the cost reduction, and besides does not need to use a device such as a Zener diode for generating high frequency noise.例文帳に追加

回路構成の小型化および低コスト化を図りつつ、本発明が適用される回路構造における負荷の電源オフ時のサージ電圧対策を図ることができ、しかも高周波ノイズを発生するツェナーダイオードのような素子を使用する必要のない保護回路を提供する。 - 特許庁

The power consumption of the protective device is reduced, for energy of the power supply surge is not consumed by a power zener-diode.例文帳に追加

本発明は、電源サージ電圧が印加された場合、装置側の電圧を所定電圧以上に上昇することを防止することにより、装置を電源サージ電圧から保護し、電源サージのエネルギーをパワーツエナーダイオードに消費させなくてもよいために保護装置の消費電力を低減できる。 - 特許庁

If arc discharge occurs and the potential of the core wire of the coaxial cable 26 is high to exceed a specified value, the one end of the diode group 34 of the protective device 32a is higher than the grounding potential and part of a surge current in discharge flows into the grounding side through the diode group 34.例文帳に追加

アーク放電が発生して、同軸ケーブル２６の芯線の電位が高くなり、所定値を超えると、保護装置３２ａのダイオード群３４の一端側が、接地電位よりも高くなり、放電時のサージ電流の一部がダイオード群３４を介して、接地側に流れる。 - 特許庁

The igniter of the ignition device is composed of a first lead frame 22, a power element 25 mounted on it, a second lead frame 46, a control element 50 mounted on it for controlling the power element, and the protective resistor 30 mounted in an island shape on the first lead frame or the second lead frame for limiting the power supply surge.例文帳に追加

点火装置のイグナイタは、第１リードフレーム２２及びその上に実装されたパワー素子２５と、第２リードフレーム４６及びその上に実装されパワー素子を制御する制御素子５０と、第１リードフレーム又は第２リードフレーム上に島状に実装され電源サージを制限する保護抵抗３０と、から成る。 - 特許庁