to pの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 20708件
To convert a nitride semiconductor doped with p-type impurities into a low resistance p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加
p型不純物がドープされた窒化物半導体を低抵抗なp型とする。 - 特許庁
An MB_P selection circuit 61 selects a macro block pair p to be processed.例文帳に追加
MB_P選択回路61が、処理対象となるマクロブロックペアpを選択する。 - 特許庁
A P side IGBT 2a is bonded to the surface of the P side collector electrode board 4.例文帳に追加
P側IGBT2aがP側コレクタ電極板4の表面にダイボンディングされている。 - 特許庁
The structure of the crystal of La_lX_m(AO_4)_6-n(ZO_4)_nO_p belongs to appatite-type structure.例文帳に追加
このLa_lX_m(AO_4)_6-n(ZO_4)_nO_pの結晶の構造は、アパタイト型構造に属する。 - 特許庁
An impact applying part 121 abuts on the sheet P and applies the impact to the sheet P from the outside.例文帳に追加
衝撃印加部121は、シート材Pに接触し、このシート材Pにその外部から衝撃を加える。 - 特許庁
Further, in the injecting hydrogen quantity into the blast furnace, the quantity supplied as H_2O from a tuyere is made to 1.5-7.6 kg/t-p.例文帳に追加
また、高炉への投入水素量のうち、羽口からH_2Oとして供給される量を1.5乃至7.6kg/t-pとする。 - 特許庁
The p-type NiO_x film 8a is formed to make up a p-type semiconductor.例文帳に追加
p−NiO_x膜8aは、p型半導体になるように形成されている。 - 特許庁
The refractive index (n_P) of the inorganic oxide particles is in the range of 1.20 to 2.50.例文帳に追加
前記無機酸化物粒子の屈折率(n_P)が1.20〜2.50の範囲にある。 - 特許庁
A height of the confluence P is, favorably, set to be lower than that the drain outlet la and 2a of the turning motors 1 and 2.例文帳に追加
また合流点(P) の高さを二つの旋回モータ(1,2) のドレン出口(1a,2a) よりも低くした方が良い。 - 特許庁
To prevent missing of P when growth on a group III-V compound semiconductor layer containing P is carried out again.例文帳に追加
Pを含むIII‐V族化合物半導体層上に再成長を行う際のP抜けを防止する。 - 特許庁
The present invention may be applicable to a video signal processing apparatus that performs I/P conversion of a video signal.例文帳に追加
本発明は、映像信号のI/P変換を行う映像信号処理装置に適用することができる。 - 特許庁
To ensure smooth conveyance of a substrate P and secure quality of the substrate P.例文帳に追加
基板Pの円滑な搬送を保証しかつ基板Pの品質を確保すること。 - 特許庁
The density patch P (P1 to P8) and the belt surface before and behind the patch P are measured by the density sensor 37 (S3).例文帳に追加
濃度センサ37で濃度パッチP(P1〜P8)と前後のベルト面を測定(S3)。 - 特許庁
To reduce a computing error rate in a quantum computing technology for computing (a+b)mod p.例文帳に追加
(a+b)mod pの演算を行う量子演算技術において演算誤り率を低減させる。 - 特許庁
At this time, the insulation film contains Cr and P which have a mole ratio of P/Cr=0.010 to 0.50.例文帳に追加
この時、絶縁被膜には、Cr及びPが、モル比でP/Cr=0.010〜0.50含有する。 - 特許庁
At this time, the P frame is subjected to the encoding such that the same decoding result is obtained in both the directions.例文帳に追加
このとき、Pフレームについては両方向で復号結果が同じになるような符号化を行う。 - 特許庁
To provide compounds for inhibiting the substance P-induced liberation of histamine from mast cells.例文帳に追加
サブスタンスPによって誘導されるマスト細胞からのヒスタミン放出を阻害する化合物の提供。 - 特許庁
A P type diffusion layer 6 is formed to be coupled with the P type buried diffusion layer 5.例文帳に追加
P型の拡散層6が、P型の埋込拡散層5と連結するように形成されている。 - 特許庁
Magnetic metal catalyst particles P are stuck to the each magnetic filter and the particles P stand together in large numbers.例文帳に追加
各磁性フィルタには磁性金属触媒粒子Pが付着して林立している。 - 特許庁
A paper feeding roller 3 feeds paper P to a recording part keeping the paper P in contact with its roller surface.例文帳に追加
給紙ローラ3は,用紙Pをそのローラ面に接触させて記録部に給送する。 - 特許庁
A plurality of p-type rings 124a to 124e are formed around a p-base region 13a.例文帳に追加
pベース領域13aの周りには複数のp型リング124a〜124eが形成されている。 - 特許庁
A P-well 5 common to a peripheral NMOS Tr 52 region is formed in the memory cell Tr 50 region.例文帳に追加
メモリセルTr50領域には、周辺NMOSTr52領域と共通のPウェル5が形成されている。 - 特許庁
To certainly clean the flat surface P of a work W having the flat surface P and a stepped part S.例文帳に追加
平坦面Pと段部Sを有するワークWのうち、平坦面Pを確実に清掃すること。 - 特許庁
I_boost is preferably maintained proportional to the difference of the desired value and I_p or I_m.例文帳に追加
I_boostは好ましくは所望値およびI_pまたはI_mの差に比例するよう維持される。 - 特許庁
A p-type electrode 46 is electrically connected to the p-type GaN contact layer 36.例文帳に追加
p型電極46がp型GaNコンタクト層36に電気的に接続されている。 - 特許庁
The optical amplifier uses an excitation light P_i to amplify a signal light (P_s).例文帳に追加
本発明の光増幅器は、信号光(P_S)を、励起光P_iを用いて増幅する光増幅器である。 - 特許庁
A resist layer R is formed on a film P to be processed, the film P being formed of a polycrystalline silicon film.例文帳に追加
多結晶シリコン膜からなる被加工膜P上にレジスト層Rを形成する。 - 特許庁
To provide a method for decomposing 2,3,7,8-tetrachlorinated dibenzo-p-dioxin in higher level than that of conventional way.例文帳に追加
2,3,7,8-四塩素化ジベンゾ-p-ジオキシンを従来よりも高いレベルで分解できる方法を提供する。 - 特許庁
A p-electrode is connected to the p-type clad layer through the opening 26 of the insulation film 24.例文帳に追加
p電極は、絶縁膜24の開口26を介してp型クラッド層に接続されている。 - 特許庁
A urine collecting pad 100 is attached to the penis P and absorbs the urine excreted from the penis P.例文帳に追加
採尿パッド100は、男性器Pに装着され、男性器Pから排泄される尿を吸収する。 - 特許庁
A p-side electrode 15 is formed on a surface of the p-type semiconductor layer 11 on the side opposite to the light emitting layer 12.例文帳に追加
p型半導体層11の発光層12と反対側の面にp側電極15を形成する。 - 特許庁
To achieve high performance of an oxide film as a p-type conductive film and a p-type transparent conductive film.例文帳に追加
p型の導電膜及びp型の透明導電膜としての酸化物膜の高性能化を図る。 - 特許庁
In this case, the potential of the node P is reduced down to that of the node (A), and the node P enters L level.例文帳に追加
このとき、ノードPの電位はノードAと等しくなるまで引き下げられ、Lレベルへ遷移する。 - 特許庁
The p-type deep well region 5a is adjacent to at least the p-type well region 2.例文帳に追加
p型深ウェル領域5aは、少なくともp型ウェル領域2と接している。 - 特許庁
To provide layer structures used in n-channel and p-type channel transistors.例文帳に追加
nチャネルおよびp型チャネルトランジスタに用いられる層構造を提供する。 - 特許庁
The p-type body region 50a is electrically connected to a p-type base region 220.例文帳に追加
p型ボディ領域50aと、p型ベース領域220とは、電気的に接続されている。 - 特許庁
To expand the range of P-type diffusion condition in a P^+-type embedded diffusion layer.例文帳に追加
P^+型埋め込み拡散層におけるP型拡散条件の範囲を拡大する。 - 特許庁
Excessive force is not applied to the paper P in the direction A of conveyance, and high precision in conveyance of the paper P is kept.例文帳に追加
用紙Pには搬送方向Aに過大な力は加わらず、用紙Pの搬送精度は保たれる。 - 特許庁
The other branch that is branched by the branch node N1 is connected to a gate of the P-channel MOS transistor MP1.例文帳に追加
分岐ノードN1で分岐された他方は、PチャネルMOSトランジスタMP1のゲートに接続されている。 - 特許庁
To enlarge the range of P type diffuse conditions in a P^+ type buried diffusion layer.例文帳に追加
P+型埋め込み拡散層におけるP型拡散条件の範囲を拡大する。 - 特許庁
To provide a method for making a p-type semiconductor out of a group III nitride compound semiconductor and an element having the p-type region.例文帳に追加
III 族窒化物系化合物半導体のp型化とp型領域を有する素子の形成 - 特許庁
A color (nearest point R), closest to the point P in the color patch in 729 colors, is searched.例文帳に追加
729色のカラーパッチの中で点Pに最も近い色(最近点R)を探索する。 - 特許庁
According to the state of the paper P, the surfaces of both arms 51 and 52 also come into contact with the paper P.例文帳に追加
用紙Pの状態によっては、両アーム51、52の表面も接触する。 - 特許庁
A side face Pc of a substrate P has a vertical region 61 substantially vertical to a front face Pa of the substrate P.例文帳に追加
基板Pの側面Pcは、基板Pの表面Paとほぼ垂直な垂直領域61を有する。 - 特許庁
Next, the p-type impurity is diffused inside by effecting heat treatment to activate the p-well.例文帳に追加
次に、熱処理をすることでp型不純物を内部に拡散させ、pウェルを活性化する。 - 特許庁
The anodes are electrically connected to the p type dope layer, and patterns of the anodes are separated from each other.例文帳に追加
陽極は、p型ドープ層に電気接続され、該陽極のパターンは、お互いから分離されている。 - 特許庁
An interval (P) between the circumferential ribs and a depth (H) of the recess are set to satisfy the relationship, 0.13×P≥H.例文帳に追加
周方向リブの間隔(P)及び凹部の深さ(H)は、0.13×P≧Hの関係に設定される。 - 特許庁
Also, since the well region PWEL is connected to the p-type substrate P-sub, it does not float.例文帳に追加
また、ウェル領域PWELはP型基板P-subとつながっているのでフローティングにならない。 - 特許庁
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