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to pの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 20700



例文

Since the upper face of a p-AlInAs clad layer 7 is directly covered by a p-InGaAsP etch-stopper layer 8, the p-AlInAs clad layer 7 is not exposed to atmospheric air during processing, therefore no reliability problem due to oxidation of the p-AlInAs clad layer 7 occurs.例文帳に追加

p-AlInAsクラッド層7の直上はp-InGaAsPエッチングストッパ層8に覆われているため、p-AlInAsクラッド層7がプロセス途中で大気中に露出することがないので、p-AlInAsクラッド層7の酸化に起因する信頼性の問題は発生しない。 - 特許庁

When the voltage range of the analog input signal is VIN_p-p/2, the full scale range of the sub A/D converter 9 is switched to VIN_p-p/2 and the gain of the operational amplifier circuit 11a is switched into double.例文帳に追加

アナログ入力信号の電圧レンジがVIN_p-p /2のときに、サブA/Dコンバータ9のフルスケールレンジはVIN_p-_p /2に切り替えられ、演算増幅回路11aの利得は2倍に切り替えられる。 - 特許庁

G is a rational point group of an elliptic curve, P is an element of G, p is the order of P, Q=xP with respect the element x of a set {1 to p} of secret keys, and (G, p, P, Q) is a public key.例文帳に追加

楕円曲線の有理点群をG,PをGの元、Gの位数をPとし、秘密鍵x∈{1,…,p}に対してQ=xPとし、(G,p,P,Q)を公開鍵とする。 - 特許庁

The acceleration upper limit value is set to a value lower than a value obtained when the present vehicle speed Vo_p is lower than a present vehicle speed threshold value when the present vehicle speed Vo_p is higher than the present vehicle speed threshold value TH_p.例文帳に追加

この加速度上限値は、現在の自車速Vo_pが現在車速閾値TH_pよりも高い場合、現在の自車速Vo_pがそれよりも低い場合より低く設定される。 - 特許庁

例文

A determining means (S3-3) sequentially detects waveform peaks (P_N-2, P_N-1, P_N and P_N+1) retrospectively on the time base and compares the detected peaks (P_N-2 to P_N+1) with a predetermined noise level range (NLR).例文帳に追加

判定手段(S3−3)は波形のピーク(P_N−2,P_N−1,P_N,P_N+1)を前記時間軸を遡って順次検出し、かつ検出したピーク(P_N−2〜P_N+1)を予め定められたノイズレベル範囲(NLR)と比較する。 - 特許庁


例文

In this method, current feedback signals ia and ib and grid phase voltage input signals Ua-g, Ub-g, and Uc-g are detected so as to synchronize the auxiliary power source 10 with the power grid, by controlling the three-phase output voltages Ua-p, Ub-p, and Uc-p of the auxiliary power source 10.例文帳に追加

本発明は、補助電源10の三相出力電圧Ua_p,Ub_p及びUc_pを制御してパワー・グリッドと同期させるために、電流フィードバック信号ia及びibとグリッド位相電圧入力信号Ua_g,Ub_g及びUc_gを検出する。 - 特許庁

This method for producing p,p'-biphenol comprises debutylating a 4,4'-biphenol compound having at least one tert-butyl group in the presence of a debutylating catalyst; wherein at least one compound selected from thiosulfates, sulfites and metal borohydrides is made to act on the crude p,p'- biphenol resulted from the debutylation reaction, or made to coexist in the process of the debutylation reaction.例文帳に追加

脱ブチル触媒の存在下に、少なくとも1個以上のtert-ブチル基を有する4,4'-ビフェノール類を脱ブチル化せしめて、p,p'-ビフェノールを製造するに際して、チオ硫酸類、亜硫酸類、水素化ホウ素金属類から選ばれる少なくとも1種の化合物を、脱ブチル化反応により得られた粗p,p'-ビフェノールに作用させる又は脱ブチル化反応時に共存させることを特徴とするp,p'-ビフェノールの製造法。 - 特許庁

To manufacture and supply an LED lighting lamp (P) of panel shape in which a lighting lamp fixing frame (S) of the LED lighting lamp (P) is made a heat sink part, and heat generated from the LED lighting lamp (P) is radiated to prevent deterioration of the lifetime of an LED by the heat.例文帳に追加

本発明は、パネル状のLED照明灯(P)においてLED照明灯(P)の照明灯固定用周囲枠(S)をヒートシンク部とすることにより、LED照明灯(P)から生じる熱を放出して、前記熱によりLEDの寿命を低下させることのないLED照明(P)を製作し提供することにある。 - 特許庁

When a magnetic pole slot teeth width is taken as B, a slot pitch as P, a slot pitch as P, and a teeth root portion height as H, H/P = 0.08 to 0.12 and S/P = 0.01 to 0.03 in the range of B/P = 0.5 to 0.7.例文帳に追加

また、磁極スロットティース幅をB、スロットピッチをP、ティース付根部高さをHとした時、B/P=0.5〜0.7の範囲のもので、H/P=0.08〜0.12とし、S/P=0.01〜0.03と設定したことを特徴とする。 - 特許庁

例文

A controller writes data with first to p-th (p is a natural number satisfying p<n) addresses and p-th+1 to m-th (m is a natural number satisfying p+2≤m≤n) addresses to the first and second original blocks.例文帳に追加

コントローラは、第1乃至第p(pはp<nを満たす自然数)アドレス、第p+1乃至第m(mはp+2≦m≦nを満たす自然数)アドレス、を付されたデータを第1、第2オリジナルブロックにそれぞれ書き込む。 - 特許庁

例文

The determination unit determines whether the user equipment is entitled to communicate in the P-NW by determining whether the P-NW to which the serving cell belongs is the same as or different from a P-NW in which the user equipment is entitled to communicate.例文帳に追加

判定手段は、在圏セルが属するP-NWと、当該ユーザ装置による通信が許可されているP-NWとの異同を確認することで上記の許否を判定する。 - 特許庁

The control unit 140 sets an output to which y_p^2 stored in the storage unit 110 and y_p are inputted in the multiplier unit 130 to be output y_p^3 and calculates a pairing value, based on the obtained x_p^3 and y_p^3.例文帳に追加

制御部140は、乗算部130に記憶部110に格納したy_p^2とy_pを入力した出力をy_p^3とし、算出したx_p^3及びy_p^3に基づきペアリング値を算出する。 - 特許庁

A control unit 140 of the pairing calculation device 100 inputs y_p and y_p into a multiplier unit 130 with respect to a given point (x_p, y_p) on an ellipsoidal curve, causes the multiplier unit to calculate y_p^2, and stores the result in a storage unit 110.例文帳に追加

ペアリング算出装置100の制御部140は、楕円曲線上の任意の点(x_p、y_p)に対し、乗算部130にy_pとy_pとを入力してy_p^2を算出させて記憶部110に格納する。 - 特許庁

The control modes are set so as to be switched from the closed-loop control to the open-loop control at each mode switching position p_T, p_P between a specific position before the drive target object reaches a target stop position P_S and the target stop position P_S.例文帳に追加

これらの制御モードは、駆動対象物が目標停止位置に到達する手前の特定位置と、目標停止位置と、の間のモード切替位置において、クローズドループ制御からオープンループ制御に切り替えられる。 - 特許庁

For example, for a memory cell 3(1, p) of address 1, sources of the NMOS transistors 11(1, p), 12(1, p) of which the gates are connected to the search bus SB(p) or XBP(p) are connected to a match line ML0 of address 0.例文帳に追加

例えば、1番地のメモリセル3(1、p)については、ゲートがサーチバスSB(p)又はXSB(p)に接続されているNMOSトランジスタ11(1、p)、12(1、p)のソースを0番地のマッチラインML0に接続する。 - 特許庁

The screens S 1 to S 9 of projection objects are allocated to the respective projectors P 1 to P 3.例文帳に追加

各プロジェクタP1〜P3には投影対象のスクリーンS1〜S9が割り当てられている。 - 特許庁

The generating module P is pressed and fixed to the installation surface by wind pressure due to a wind blowing to the generating module P.例文帳に追加

発電モジュールPに吹付ける風圧によって発電モジュールPを設置面に押圧固定する。 - 特許庁

A second fitting means 8 determines α_0 and n by fitting α_p data (P_s, α_p) to an equation, α_p=α_0×P_s^n.例文帳に追加

第2フィッティング手段8にて、α_pデータ(P_s,α_p)を、式α_p=α_0×P_s^nにフィッティングして、α_0およびnを決定する。 - 特許庁

A pipe travel guide tool 10 is fitted in a pipe P in the jacking method wherein the pipe P is inserted into the precedent pipe P to connect the pipes P together for newly arranging a pipeline inside a sleeve pipe P'.例文帳に追加

管Pを先行する管Pに挿入して継合わせつつさや管P’内に管路を新設する推進工法における、管Pに嵌められるその管走行案内器具10である。 - 特許庁

The fourth p-type layer is provided between the second p-type layer and the third p-type layer, and the concentration of the p-type impurity gradually decreases from the second concentration to the third concentration along the direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第4p形層は第2p形層と第3p形層との間に設けられ、p形不純物の濃度はn形半導体層からp形半導体層への方向に沿って第2濃度から第3濃度に漸減する。 - 特許庁

In the case of according to a Diffie-Hellman type key exchange system, the exchange keys α and Z of the computers 1-A, 1-C become gamod p and gzmod p, and the group secret keys calculated by the computers 1-A, 1-C become Zamod p, αzmod p, and become the same value as gazmod p.例文帳に追加

Diffie-Hellman型鍵交換方式に従った場合、計算機1-A,1-Cの交換鍵α,Zは、gamod p,gzmod pとなり、計算機1-A,1-Cが計算するグループ秘密鍵は、Zamod p、αzmod pとなり、同一値gazmod pとなる。 - 特許庁

In an upper layer of the P-type region 7a, a P-type doped polysilicon film 12 having an impurity concentration higher than that of the P-type region 7a and equivalent to that of the P-type region 4 is formed in contact with the P-type region 7a.例文帳に追加

P型領域7aの上層には、不純物濃度はP型領域7aより高く、P型領域4と同程度のP型ドープトポリシリコン膜12がP型領域7aに接触して形成されている。 - 特許庁

A group of rational points of an elliptic curve is considered as G, P is considered as an origin of G, an order of G is considered as P, a private key_x is considered as Q=xP to elements of a set {1, ..., p} and (G, p, P, Q) is considered as a public key.例文帳に追加

楕円曲線の有理点群をG,PをGの元、Gの位数をPとし、秘密鍵x∈{1,…,p}に対してQ=xPとし、(G,p,P,Q)を公開鍵とする。 - 特許庁

Then, an n-type GaN layer (third layer) and a p-type GaN layer (fourth layer) are further formed on the p-type GaN layer (second layer) without conducting p-type annealing to the p-type GaN layer (second layer) a p-type region.例文帳に追加

次いで、このp型GaN層(第2層)に対してp型化アニール処理をせずに、p型GaN層(第2層)の上に、さらにn型GaN層(第3層)およびp型GaN層(第4層)が形成される。 - 特許庁

To provide a phosphor-balanced condition estimating method excellent in accuracy by using variables such as the phosphor concentration (Rhm-P) and the final target P (R-P-aim) in a charged molten pig iron as explanatory variables.例文帳に追加

装入溶銑中のりん濃度 (Rhm-P)、終点目標P (R-P-aim)などの変数を説明変数として用いて、精度のよいりん平衡状態の推定方法を提供する。 - 特許庁

The p-electrode 6 is formed of such a material that cannot form ohmic junction between the p-type layer 4 and itself, so that a current does not flow from the p-electrode 6 to a part with which the p-electrode 6 of the p-type layer 4 is in direct contact.例文帳に追加

p電極6は、p型層4との間にオーミック接合が得られない材料で形成されており、p型層4のp電極6が直接に接触している部分には、p電極6から電流が流れない。 - 特許庁

The user inputs numbers of pages to be processed in the respective processing modes to the respective page number input boxes P(C), P(G), P(M).例文帳に追加

ユーザは各ページ番号入力ボックスP(C),P(G),P(M)に、各処理モードによって処理させたいページの番号を入力する。 - 特許庁

The partial lens 12_2 in a range from P_L' to P_L within the minimum period P_L is equivalent to a solid line in Figure (b).例文帳に追加

最小周期P_L内のP_L'〜P_Lの範囲にある部分レンズ12_2は図(b)中の実線部分に相当する。 - 特許庁

To improve carrier concentration of a p-type semiconductor layer much more than a conventional case and to promote p-type activation of the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

p型半導体層のキャリヤー濃度を従来よりも高めて、p型半導体層のp型活性化を促進させること。 - 特許庁

A pair of standby trays 10 are provided to receive sheets P in a state of having slid to the width of the sheets P and support the two sides of each sheet P.例文帳に追加

待機トレイ10は、一対から成り、用紙Pの幅にスライドした状態で用紙Pを受け取り、用紙Pの両側を支持する。 - 特許庁

The alignment film 5 is formed to have the film thickness dP'(R), dP'(G), dP'(B) corresponding to the color plates R, G, B.例文帳に追加

この配向膜5は、色版R、G、Bに各対応して、膜厚d_p'(R)、d_p'(G)、d_p'(B)を有して形成されている。 - 特許庁

Consequently, when the friction piece 70 is separated from the paper P, it does not kick out the paper P to the downstream side, and damage such as wrinkles is not given to the paper P.例文帳に追加

このため、摩擦片70が、用紙Pと離れるときに、用紙Pを下流側へけり出すことがなく、用紙Pへシワ等のダメージを与えない。 - 特許庁

By this setup, the resistivity of the p-type layer containing Si can be reduced to 40 to 90% of that of a Si-free p-type layer.例文帳に追加

これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90%に低減する。 - 特許庁

The second attraction mechanism electrifies the paper sheet P by discharging an electric current to the paper sheet P from the electrifying roller 4 and attracts the paper sheet P to the conveyance belt 8.例文帳に追加

第2吸着機構は、帯電ローラ4から用紙Pに放電することで用紙Pを帯電させ、搬送ベルト8に吸着させる。 - 特許庁

With this structure, slackness of the transfer paper P to be generated when the transfer paper P is stopped once is solved, and the noise to be caused by slackness of the transfer paper P can be prevented.例文帳に追加

これによって一時停止時の転写紙Pのたるみが解消され、転写紙Pのたるみが原因の騒音を防止できる。 - 特許庁

Thus, the tip of the sheet P runs along a direction perpendicular to the transport direction of the sheet P to correct with the skew of the sheet P.例文帳に追加

これにより、用紙Pの搬送方向と直交する方向に用紙Pの先端縁が沿うようになり、用紙Pのスキューが補正される。 - 特許庁

This p-well 14' is connected to the p-type semiconductor substrate 22 via the p-well 25 in order to be at the stable zero potential.例文帳に追加

このPウェル14’は、安定したゼロ電位をとるために、Pウェル25を介して、P型半導体基板22に接続されている。 - 特許庁

This p-well 13' is connected to a p-type semiconductor substrate 22 via a p-well 25 in order to be at the stable zero potential.例文帳に追加

このPウェル13’は、安定したゼロ電位をとるために、Pウェル25を介して、P型半導体基板22に接続されている。 - 特許庁

A modulus sign adjustment part 14 sets-P or P to an intermediate variable P' according to positive or negative of α.例文帳に追加

法符号調整部14は,αの正負に応じて中間法変数P’に−PまたはPを設定する。 - 特許庁

Quantity of light distributions P(1) to P(i) and P(i) to P(256) in the subscanning direction corresponding to some scan and quantity of light distributions P(256) and P(1) in the subscanning direction corresponding to preceding and following scans are combined to generate correction reference data.例文帳に追加

或るスキャンに対応する副走査方向の光量分布P(1),…,P(i),…,P(256)(図中に実線で示す)に、そのスキャンの前および後のスキャンに対応する副走査方向の光量分布P(256),P(1)(図中に点線で示す)を合成して、補正の基準となる補正基準データを作成する。 - 特許庁

I studied the textbook only from p. 20 to p. 30 on the chance that the examination questions would be set from that section [thinking that that was the part from which the exam questions were most likely to be selected]. 例文帳に追加

試験に山をかけて教科書の 20 ページから 30 ページまでしか勉強しなかった. - 研究社 新和英中辞典

Inserts a reference to object o at position pos of the tuple pointed to by p.例文帳に追加

p の指すタプルオブジェクト内の位置 pos に、オブジェクト o への参照を挿入します。 - Python

To equalize a P+ electrode and an emitter electrode in potential, and to prevent breakdown of the P+ electrode.例文帳に追加

P^+電極とエミッタ電極を同電位とし、P^+電極の破壊を防止する。 - 特許庁

The retroreflector 106 is moved to each measuring position p_i to detect the position coordinate information of the measuring position p_i.例文帳に追加

再帰反射体106を各測定位置p_iに移動させて、その位置座標情報を検出する。 - 特許庁

An arithmetic part 1 sets n pieces of replacement information P (1) to P (n) to a replacement data storage part 13.例文帳に追加

演算部1は、n個の入替情報P(1)〜P(n)を入替用データ記憶部13に設定する。 - 特許庁

Potential of the node P is reduced at this time until it becomes equal to the one of the node A, and the node P changes to L level.例文帳に追加

このとき、ノードPの電位はノードAと等しくなるまで引き下げられ、Lレベルへ遷移する。 - 特許庁

Thus, a pattern drawn on the reticle R is projected to the substrate P to expose the substrate P.例文帳に追加

これにより、レクチルRに描かれたパターンを基板Pへ投影し、基板Pを露光する。 - 特許庁

A ratio (D/P) of depth D of each of recesses of a transfer mold to a pitch P of the recesses is in a range of 0.05 to 0.45.例文帳に追加

転写型の凹部の深さDとピッチPとの比率D/Pは、0.05〜0.45である。 - 特許庁

A first device uses x={F1_(rx)(a1, a2, a3, a4)+F2_(a1, a2, a3, a4)(rx)}mod p to obtain X1=g1^x and X2=g2^x for transmitting to a second device.例文帳に追加

第1装置がx={ F1_(rx)(a1, a2, a3, a4)+F2_(a1, a2, a3, a4)(rx) } mod pを用い、X1=g1^x及びX2=g2^xを求めて第2装置に送信する。 - 特許庁

例文

A second device uses y={F1_(ry)(b1, b2, b3, b4)+F2_(b1, b2, b3, b4)(ry)}mod p to obtain Y1=g1^y and Y2=g2^y for transmitting to the first device.例文帳に追加

第2装置はy={ F1_(ry)(b1, b2, b3, b4)+F2_(b1, b2, b3, b4)(ry) } mod pを用い、Y1=g1^y及びY2=g2^yを求めて第1装置に送信する。 - 特許庁

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