「transistor operation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

VERTICAL REPLACEMENT-GATE (VRG) TRANSISTOR OF MULTIPLE- OPERATION-VOLTAGE例文帳に追加

多動作電圧垂直置換ゲート（ＶＲＧ）トランジスタ - 特許庁

MOS TRANSISTOR REALIZING HIGH-SPEED OPERATION AND LOW CONSUMPTION POWER OPERATION例文帳に追加

高速動作と低消費電力動作とを実現したＭＯＳトランジスタ - 特許庁

The operation of the transistor Tr1 is controlled by these outputs and the transistor Tr1 operates a motor M.例文帳に追加

トランジスタＴｒ１はこれらの出力により動作が制御されモータＭを動作させる。 - 特許庁

To improve a breakdown voltage after the operation of a transistor in a semiconductor device including the transistor.例文帳に追加

トランジスタを含む半導体装置において、トランジスタ動作後の耐圧を向上させる。 - 特許庁

To provide a measurement evaluation device of a transistor and its method for showing alternating operation of the transistor such as a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタなどのトランジスタの交流動作を表すトランジスタの測定評価装置とその方法を提供する。 - 特許庁

The output operation of the amplification transistor 30 is controlled by means of an output selecting transistor 40 and an output reset transistor 50.例文帳に追加

増幅トランジスタ３０の出力動作は、出力選択トランジスタ４０、出力リセットトランジスタ５０で制御する。 - 特許庁

The erroneous on-operation allows the output transistor to transit from on-operation to off-operation.例文帳に追加

この誤オン動作によって、オン動作していた出力トランジスタがオフ動作に移行する。 - 特許庁

Output power of the transistor 10 is larger than output power of the transistor 12, and operation efficiency of the transistor 10 is lower than operation efficiency of the transistor 12.例文帳に追加

トランジスタ１０の出力電力はトランジスタ１２の出力電力よりも大きく、トランジスタ１０の動作効率はトランジスタ１２の動作効率よりも低い。 - 特許庁

A low-transistor count is achieved by using a similar transistor during both a reset operation and a read operation.例文帳に追加

低トランジスタカウントは、リセット動作および読み出し動作の両方の動作中に同様のトランジスタを使用して達成される。 - 特許庁

A transistor which is paired with a drive transistor and has approximate characteristics is used to perform a first operation and a second operation in the same period.例文帳に追加

第１の動作と第２の動作を同じ期間で動作できるようにするために、駆動トランジスタと対をなす特性が近似したトランジスタを用いる。 - 特許庁

MOS TRANSISTOR FOR LOW VOLTAGE OPERATION CIRCUIT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

低電圧動作回路用ＭＯＳトランジスタとその製造方法 - 特許庁

To correct threshold variation of a transistor built in a pixel circuit through circuit operation.例文帳に追加

画素回路に組み込まれるトランジスタの閾値変動を回路的に補正する。 - 特許庁

HIGH-VOLTAGE OPERATION METHOD OF FIELD EFFECT TRANSISTOR AND BIAS CIRCUIT THEREOF例文帳に追加

電界効果トランジスタの高電圧動作方法とそのバイアス回路 - 特許庁

To provide an insulated gate field effect transistor of high operation efficiency.例文帳に追加

動作効率の高い絶縁ゲート型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which restrains parasitic operation by a parasitic transistor inside a semiconductor substrate.例文帳に追加

寄生動作を抑制した半導体装置を提供する。 - 特許庁

Namely, high-sensitivity amplification is carried out through transistor operation.例文帳に追加

すなわち、トランジスタ作用による高感度の増幅を行うことができる。 - 特許庁

The third transistor, the fourth transistor, the fifth transistor and the sixth transistor are turned on to thereby to suppress an increase in a threshold Vth caused by a back bias effect of the first transistor and the second transistor, so that a stable operation of the switching circuit is secured.例文帳に追加

上記第３トランジスタ、上記第４トランジスタ、上記第５トランジスタ、及び上記第６トランジスタがオンされることにより、上記第１トランジスタ及び上記第２トランジスタのバックバイアス効果によるしきい値Ｖｔｈの上昇が抑制され、スイッチ回路の安定動作が確保される。 - 特許庁

When the drain voltage changes with the output transistor that performs on-operation, the gate voltage of the detection transistor disposed in parallel to the output transistor that performs off-operation, changes more than the gate voltage of the output transistor, thus, the detection transistor performs erroneous on-operation before the output transistor performs erroneous on-operation.例文帳に追加

オン動作する出力トランジスタのドレインに電圧変化が生じると、オフ動作する出力トランジスタのゲート電圧よりも並列に設けられた検出トランジスタのゲート電圧が大きく変化し、この出力トランジスタが誤オン動作する前に検出トランジスタの方が早く誤オン動作する。 - 特許庁

HIGH-VOLTAGE OPERATION FIELD EFFECT TRANSISTOR, ITS BIAS CIRCUIT AND ITS HIGH-VOLTAGE OPERATION CIRCUIT ELEMENT例文帳に追加

高電圧動作電界効果トランジスタとそのバイアス回路およびその高電圧動作回路要素 - 特許庁

A switching control section 12 turns the first transistor M1 and the second transistor M2 off during ste-up stop period, and turns the first transistor M1 off, while turning the second transistor M2 on, during the step-up operation period.例文帳に追加

スイッチ制御部１２は、昇圧停止期間に、第１トランジスタＭ１および第２トランジスタＭ２をオフし、昇圧動作期間において第１トランジスタＭ１をオフし、第２トランジスタＭ２をオンする。 - 特許庁

In an output transistor of a first operation amplifier OP1 and a first control MOS transistor M1, a transistor size is increased for obtaining working current in a normal operation state, while a transistor size is reduced for obtaining working current in a low power consumption state in an output transistor of a second operation amplifier OP2 and a second control MOS transistor M2.例文帳に追加

第１のオペアンプＯＰ１の出力トランジスタ及び第１の制御ＭＯＳトランジスタＭ１は、通常動作状態の際の動作電流を得るためにトランジスタサイズを大きくし、第２のオペアンプＯＰ２の出力トランジスタ及び第２の制御ＭＯＳトランジスタＭ２は、低消費電力状態の際の動作電流を得るためにトランジスタサイズを小さくする。 - 特許庁

During normal operation, the substrate potential of the object transistor is made at the same as the substrate potential of the non-object transistor to use the transistor, and in performing the scan test, for the substrate potential of the object transistor, back bias is applied to the side of raising the threshold of the transistor to perform the test.例文帳に追加

通常動作時には、対象トランジスタの基板電位を、非対象トランジスタの基板電位と同電位にして使用し、スキャンテスト実施時には、対象トランジスタの基板電位を、トランジスタの閾値が上昇する側にバックバイアスを印加してテストする。 - 特許庁

Prior to threshold correcting operation, the sampling transistor 125 and initialization transistor 126 are both turned on in a time zone where an initialization potential Nini is supplied to the sampling transistor 125 and to the initialization transistor 126 to thereby initialize potentials of the gate and source of the driving transistor 121.例文帳に追加

閾値補正動作に先立って、サンプリングトランジスタ１２５および初期化トランジスタ１２６に初期化電位Ｎini が供給されている時間帯で両者をオンさせることで、駆動トランジスタ１２１のゲートとソースの電位を初期化する。 - 特許庁

Consequently, operation characteristics of the organic transistor and display performance of a display device using the organic transistor can suitably be maintained.例文帳に追加

その結果、有機トランジスタの動作特性、及び有機トランジスタを用いる表示装置の表示性能を好適に維持することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a MIS transistor with symmetry in transistor operation when a source is replaced with a drain.例文帳に追加

ソースとドレインを入れ替えたときのトランジスタ動作に対称性を有するＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

By the operation of the current mirror circuit, a source voltage of the second transistor that is turned on is lower than a source voltage of the second transistor that is turned off.例文帳に追加

カレントミラー回路の作用により、オンしている第２トランジスタのソース電圧は、オフしている第２トランジスタのソース電圧より低い。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for electric power having a superjunction electrostatic induction type transistor capable of improving a characteristic of inverse mode operation of the transistor.例文帳に追加

トランジスタの逆モード動作の特性改善が可能な超接合静電誘導型トランジスタを有する電力用半導体装置を提供する。 - 特許庁

As a result of this, even though the output power of the transistor QN1 increases, the amplification operation of the transistor QN2 is not saturated.例文帳に追加

その結果、トランジスタＱＮ１の出力電力が増大しても、トランジスタＱＮ２の増幅動作は飽和しない。 - 特許庁

A high level is outputted from an output terminal of an operation amplifier OP1, a transistor Q2 is turned on, and a transistor Q1 is turned on.例文帳に追加

オペアンプOP1の出力端子からハイレベルを出力し、トランジスタQ2をオンし、トランジスタQ1をオンする。 - 特許庁

A MOS transistor structure 4 in its normal operation mode functions as an nMOS transistor 4a to form a part of an input/output circuit.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ構造体４は、通常の動作時において、ｎＭＯＳトランジスタ４ａとして機能し、入出力回路の構成要素となる。 - 特許庁

The larger the output power of the transistor 1, the lower the anode potential of the diode 5, so that operation of the transistor 1 is restricted.例文帳に追加

ダイオード５のアノードの電位はトランジスタ１の出力電力が大きくなるほど低下するので、トランジスタ１の動作が制限される。 - 特許庁

As this operation of the transistor, voltage of the bit line is varied by coupling capacity of the transistor and the bit line.例文帳に追加

このトランジスタの動作に伴い、トランジスタとビット線との結合容量により、ビット線の電圧が変化する。 - 特許庁

In usual operation, the MOS transistor NSW5 is set to ON and the transistor DSW1 for discharge to OFF.例文帳に追加

通常動作時は、ＭＯＳトランジスタＮＳＷ５がオン、ディスチャージ用トランジスタＤＳＷ１がオフに設定される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device achieving high-speed operation of a Surrounding Gate Transistor (SGT) by increasing an on current of the SGT, namely a three-dimensional semiconductor.例文帳に追加

三次元半導体であるsurrounding gate transistor(SGT)のオン電流を増加させることにより、SGTの高速動作を実現する半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor having a high breakdown voltage and a high operation voltage and a method of manufacturing the field-effect transistor.例文帳に追加

高耐圧で、高い動作電圧を有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress a parasitic transistor operation of a transistor that starts operating at a threshold voltage lower than a design value.例文帳に追加

トランジスタが設計より低い閾値電圧で動作し始めるという寄生トランジスタ動作を抑制する。 - 特許庁

To provide a protection circuit of a power amplifier capable of preventing a power transistor from being destroyed and expanding an operation range of the power transistor.例文帳に追加

パワートランジスタの破壊を防ぐことができ、パワートランジスタの動作範囲を広くすることができるパワーアンプの保護回路を提供する。 - 特許庁

Thus, base current of the transistor 510 is controlled and the transistor 510 performs the switching operation.例文帳に追加

これにより、トランジスタ５１０のベース電流が制御されて、トランジスタ５１０がスイッチング動作を行う。 - 特許庁

According to operation, a transistor Tr1 is turned on and a node N2 is charged, a transistor Tr2 is turned on and a node N3 also is slightly charged.例文帳に追加

これに伴って、トランジスタＴｒ１がオンしてノードＮ２が充電され、トランジスタＴｒ２がオンしてノードＮ３も若干充電される。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit in which an operation speed of a transistor can be improved, using a simple technique, even if the transistor is structured more finely.例文帳に追加

トランジスタの微細化が進んでも、簡単な手法でトランジスタの動作速度を向上できる半導体集積回路を提案する。 - 特許庁

Thereby since the temperature of the transistor is reduced during operation, the transistor of large on-resistance and small chip size can be used.例文帳に追加

これにより、動作中のトランジスタの温度が低減されるため、オン抵抗の大きい、チップサイズのより小さいトランジスタを用いることができる。 - 特許庁

Then, the breakdown resistance of the MOS transistor 1 caused by the operation of the parasitic transistor can be improved.例文帳に追加

そして、寄生トランジスタ動作に起因するＭＯＳトランジスタ１の破壊耐量を向上させることができる。 - 特許庁

As the number of operations of the amplifying transistor and the switch transistor is decreased, power consumption at the operation is reduced.例文帳に追加

増幅トランジスタおよびスイッチトランジスタの動作数が減るため、動作時の消費電力が削減される。 - 特許庁

To provide a method for measuring a temperature inside a transistor, which accurately measures the temperature inside the transistor in operation while having a high spatial resolution.例文帳に追加

動作中のトランジスタの内部温度を、高い空間分解能を伴って精度良く測定するトランジスタ内部温度測定方法を提供する。 - 特許庁

After reset operation by the reset transistor 120, the select transistor 124 is turned ON.例文帳に追加

そして、リセットトランジスタ１２０によるリセット動作の終了後に、選択トランジスタ１２４をオンさせる。 - 特許庁