「tungsten contact」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To prevent tungsten from abnormally growing on a contact hole when the tungsten is deposited by a method for forming a tungsten plug in the contact hole through an adhesive layer.例文帳に追加

コンタクトホール内に密着層を介してタングステンプラグを形成する方法において、タングステンの堆積時に、コンタクトホール上にタングステンの異常成長が生じないようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a reliable tungsten contact connected with a tungsten buried wire.例文帳に追加

タングステン埋め込み配線に接続される信頼性の高いタングステンコンタクトを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A polysilicon sidewall 5 makes tight contact with the tungsten nitride 6b on the side of the tungsten 6c.例文帳に追加

タングステン６ｃの側面にある窒化タングステン６ｂにはポリシリコンサイドウォール５を密着させる。 - 特許庁

After that, a tungsten plug 7 is buried in the contact hole 3 using a blanket tungsten CVD method.例文帳に追加

その後、ブランケットタングステンＣＶＤ法を用いて、コンタクトホール３内にタングステンプラグ７を埋め込む。 - 特許庁

After that, a second tungsten film 16 is formed with the first tungsten film 15 as a seed layer, and the contact hole 12a is filled.例文帳に追加

その後、第１のタングステン膜１５をシード層として第２のタングステン膜１６を形成し、コンタクトホール１２ａを埋め込む。 - 特許庁

Tungsten is deposited in the remaining space in a contact hole to form a tungsten plug 84.例文帳に追加

コンタクトホールの残存するスペースにタングステンを堆積してタングステンプラグ８４を形成する。 - 特許庁

A tungsten plug 48 is formed in a contact hole 46 by depositing a tungsten film 60 on a silicon oxide film 44 and etching back the tungsten film.例文帳に追加

シリコン酸化膜４４にタングステン膜６０を堆積し、これをエッチバックして、コンタクトホール４６内にタングステンプラグ４８が形成される。 - 特許庁

To lower the contact resistance between an interconnect part and a transfer electrode without using aluminum or tungsten.例文帳に追加

アルミニウムやタングステンを用いることなく、配線部と転送電極とのコンタクト抵抗を下げる。 - 特許庁

Combination flame of a Brown's gas is brought into contact with tungsten chips under the water.例文帳に追加

ブラウンガスの燃焼火炎を水中においてタングステン片に接触させる。 - 特許庁

To prevent a decrease in the contact area of an active region with a tungsten plug.例文帳に追加

活性領域とタングステンプラグとの接触面積の低下を防止する。 - 特許庁

A via contact B is composed of a first close contact layer 109 (titanium film), a second close contact layer 110 (titanium nitride film), and a tungsten plug 111 (tungsten film).例文帳に追加

ヴィアコンタクトＢは、第１の密着層１０９（チタニウム膜）、第２の密着層１１０（窒化チタン膜）及びタングステンプラグ１１１（タングステン膜）からなる。 - 特許庁

A contact part of a contact body 5 is made of a non-magnetic material having tungsten carbide mixed with about 6-16% as binder.例文帳に追加

接触体の接触部がタングステンカーバイトに結合材としてニッケル約６〜１６％を混入した非磁性材で形成されている。 - 特許庁

These tungsten rich layers can be used as barrier and/or adhesion layers in tungsten contact metallization and bitlines.例文帳に追加

これらのタングステンリッチ層は、タングステンコンタクトのメタライゼーション、および、ビットラインにおけるバリアおよび／または接着層として用いられうる。 - 特許庁

A barrier film 110a composed of tungsten nitride is formed on the upper part of the contact plug 110 by a thermal CVD method in which WF6 is used for source gas of tungsten and NH3 is used for source gas of nitrogen.例文帳に追加

コンタクトプラグ１１０上部に、タングステンのソースガスとしてＷＦ_6を用い，窒素のソースガスとしてＮＨ_3を用いた熱ＣＶＤ法により、窒化タングステンからなるバリア膜１１０ａを形成する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a tungsten plug and to prevent a semiconductor substrate, which is a layer under the plug, and the like from being attacked with fluorine ions when a tungsten layer is furthermore deposited in a contact hole.例文帳に追加

タングステンプラグの製造方法を提供し、タングステン層を更に堆積する時、フッ素イオンが下層の半導体基板等を侵蝕（attack）するのを防止する。 - 特許庁

In the electric contact material, the content of a tungsten carbide reinforcing material in a tungsten carbide/copper composite material ranges from 30 to 80%.例文帳に追加

銅−炭化タングステン複合材料中の炭化タングステン強化材の含有率が３０〜８０％の範囲となるようにして電気接点材料を構成する。 - 特許庁

In forming the first tungsten film 15, the mean value of the grain diameter of a crystal grain at the part formed on the bottom surface of the contact hole 12a in the first tungsten film 15 is suppressed to 30 nm or smaller.例文帳に追加

第１のタングステン膜１５を形成する際に、第１のタングステン膜１５におけるコンタクトホール１２ａの底面上に形成されている部分の結晶粒の粒径の平均値を３０ｎｍ以下に抑制する。 - 特許庁

The interconnection structure of a semiconductor device contains a tungsten plug (14) deposited in a via or a contact window (11).例文帳に追加

本発明によると、半導体デバイスの相互接続構造は、バイア或いはコンタクト窓（１１）内に堆積されたタングステンプラグ（１４）を含む。 - 特許庁

Thirdly, a tungsten film 25 for covering the nickel film 24 and burying the contact hole 22 is formed by the thermal CVD method.例文帳に追加

次に、ニッケル膜２４を覆うと共に、コンタクトホール２２を埋め込むタングステン膜２５を熱ＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

A tungsten film 5 is deposited inside the contact hole 21 and on the silicon oxide film 2 through a CVD method.例文帳に追加

次に、コンタクトホール２１内とシリコン酸化膜２の上に、タングステン膜５をＣＶＤ法により堆積する。 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING ULTRA THIN LOW RESISTIVITY TUNGSTEN FILM FOR SMALL CRITICAL DIMENSION CONTACT AND INTERCONNECT例文帳に追加

小臨界次元の接点装置及び相互接続子用の超薄低抵抗タングステンフィルムの堆積方法 - 特許庁

A contact-wiring plug 13 of a two-layer structure consisting of a barrier metal layer and a tungsten layer is formed by a sputtering method.例文帳に追加

バリアメタル層とタングステン層との２層構造のコンタクト配線プラグ１３を、スパッタリング法等を用いて形成する。 - 特許庁

A tungsten metal layer 200a is formed on the surface of the layer 180a under the state of the second temperature to completely fill the contact hole.例文帳に追加

第２温度下で、ケイ化タングステン層の表面にタングステン金属層２００ａを形成して、コンタクトホールを完全に充填する。 - 特許庁

After a contact hole 46 is formed on a silicon oxide film 44, a tungsten (W) film 48 is deposited.例文帳に追加

シリコン酸化膜４４にコンタクトホール４６を形成した後、タングステン（Ｗ）膜４８を堆積する。 - 特許庁

The coil 42 is formed by winding a pure tungsten wire brought into close contact around a center of a winding axis α with a fixed radius.例文帳に追加

コイル４２は、捲回軸αを中心に純タングステンの線材を一定の半径で密着巻して形成されたものである。 - 特許庁

Each contact plug 34 is formed by implanting an n^+-type poly-Si film 17 and a tungsten film 18 in respective films 13-16.例文帳に追加

各膜１３〜１６膜内にｎ^＋型ポリＳｉ膜１７およびタングステン膜１８を埋め込んでコンタクトプラグ３４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an MOSFET device where a self-alignment contact process is appropriately performed, while maintaining the thickness of a tungsten gate to be constant.例文帳に追加

自己整列コンタクト工程を適正に行え、タングステンゲートの均一厚さの維持が可能なMOSFET素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a contact plug structure having a structure which restrains generation of voids by improving a W (tungsten) plug technique, and a manufacturing method of the structure.例文帳に追加

Ｗプラグ技術を改良し、ボイドの発生を抑える構造を有するコンタクトプラグ構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the tungsten silicide film 10 has been eliminated at the contact part 14 and the alignment mark part 16.例文帳に追加

コンタクト部１４及びアライメントマーク部１６では、タングステンシリサイド膜１０が除去されている。 - 特許庁

The cupper which is a jointing material 2 is joined to the cupper tungsten alloy which is the first metal material by a friction press-contact.例文帳に追加

第１の金属材料１である銅タングステン合金に対して、摩擦圧接によって接合材２である銅を接合する。 - 特許庁

The contact parts 12 are configured to fill a via hole penetrating the third interlayer insulating film 23 with a high melting-point metal such as tungsten.例文帳に追加

コンタクト部１２は、第３層間絶縁膜２３を貫通するビアホールに、タングステンなどの高融点金属が充填された構成となっている。 - 特許庁

To form an SDB which is excellent in breakdown strength by using a metal such as tungsten, which can be buried in a fine contact hole.例文帳に追加

微細なコンタクトホールに埋め込むことが可能な金属たとえばタングステンを用いて、耐圧に優れたＳＤＢを形成する。 - 特許庁

After forming a contact hole connecting an element in the element substrate and wiring, a tungsten layer is formed, the tungsten layer at a part other than the contact hole is removed and then annealing in a nitrogen and hydrogen atmosphere or annealing in a hydrogen atmosphere is conducted.例文帳に追加

素子基板中の素子と配線とを接続するコンタクトホールを形成後に、タングステン層を形成し、該コンタクトホール以外のタングステン層を除去後、窒素水素雰囲気のアニールもしくは水素雰囲気のアニールを行うことを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサ。 - 特許庁

This DC motor is equipped with a metal brush 24, where the contact sliding part A with the commutator is cladded by silver tungsten carbide and/or the commutator, where the contact-sliding part with the metal brush 24 is cladded with silver tungsten carbide.例文帳に追加

本発明に係るＤＣモータは、整流子との接触摺動部Ａを銀—タングステンカーバイドによりクラッドしてなる金属ブラシ２４、及び／又は、金属ブラシ２４との接触摺動部を銀—タングステンカーバイドによりクラッドしてなる整流子を備えている。 - 特許庁

A tungsten nitride film 201 is formed on a contact plug 110 by thermal CVD employing WF6 as the source gas of tungsten and NH3 as the source gas of nitrogen and then they are heated at 450°C or above thus forming a WsiN film on the upper surface of the contact plug 110.例文帳に追加

コンタクトプラグ１１０上部に、タングステンのソースガスとしてＷＦ_6を用い，窒素のソースガスとしてＮＨ_3を用いた熱ＣＶＤ法により、窒化タングステン膜２０１を形成し、これらを４５０℃以上に加熱することで、コンタクトプラグ１１０上面にＷＳｉＮ膜を形成する。 - 特許庁

The method for production of tungsten hexafluoride (WF_6) using the fluidization reactor includes: introducing tungsten powder into a closed reactor; spraying a pressurized inert gas onto the tungsten powder to fluidize it; and continuously supplying the tungsten powder and a pressurized gaseous fluorinating agent to the fluidized bed of tungsten powder to perform a contact reaction in such a fluidized state.例文帳に追加

タングステンとフッ素化剤とを接触反応させて六フッ化タングステン（ＷＦ_６）を製造する方法において、密閉した反応器内にタングステン粉末を投入し、ここに加圧された不活性ガスを噴射してタングステン粉末を流動化させ、ここに加圧されたガス状フッ素化剤とタングステン粉末を連続的に供給して流動化状態で接触反応させる、流動化反応器を用いる六フッ化タングステンの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method for manufacturing a tungsten-containing diamond-like carbon coating on the base material of the contact probe pin for the semiconductor inspection device, the tungsten-containing diamond-like carbon coating is formed on the base material by performing sputtering in mixed gas of hydrocarbon gas and argon gas by using a tungsten carbide target.例文帳に追加

半導体検査装置用コンタクトプローブピンの基材上にタングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜を製造する方法であって、前記タングステン含有ダイヤモンドライクカーボン皮膜は、タングステン炭化物ターゲットを用いて、炭化水素ガスとアルゴンガスとの混合ガス中でスパッタリングを行うことにより基材上に形成されることを特徴とする製造方法を用いる。 - 特許庁

To provide a reaction system for production of tungsten hexafluoride, which has a remarkably reduced reactor volume, can more easily control a reaction heat and significantly improves reaction efficiency by allowing tungsten having a specific gravity of 19.25 g/cm^3 to be distributed uniformly in the whole of reactor inside, thus maximizing the contact area between tungsten and reactant gas.例文帳に追加

比重１９．２５ｇ／ｃｍ^３のタングステンを反応器の内部全体にわたって均一に分布させて反応ガスとの接触面積を極大化させるにより、反応器の体積を著しく減少させたうえ、反応熱の制御をより容易にすることができ、反応効率を著しく改善させた六フッ化タングステンの製造反応システムの提供。 - 特許庁

This method of producing ε-caprolactam is characterized by bringing cyclohexanone oxime into contact with a tungsten-containing solid catalyst that is prepared from a tungsten element-containing compound under basic conditions of ≥9 pH.例文帳に追加

タングステン元素を含む化合物をｐＨ９以上の塩基性条件下で調製したタングステン含有固体触媒と、シクロヘキサノンオキシムを気固相で接触させることを特徴とするε-カプロラクタムの製造方法により解決される。 - 特許庁

A tungsten plug 6 is buried in the contact holes 5, and titanium compound (TiN) film 7 is formed at the tungsten plug 6, an aluminium film 8, the BPSG film and the polycide film 3.例文帳に追加

このコンタクト孔５内には、タングステンプラグ６が埋め込まれているが、このタングステンプラグ６及びアルミニウム膜８と、ＢＰＳＧ膜８及びポリサイド膜３との間には、チタン及びチタン化合物（ＴｉＮ）膜７が形成されている。 - 特許庁

Consequently, even if the polypad electrode 7a has a chemically reacting property on the tungsten film 10, the polypad electrode 7a and tungsten film 10 do not come into direct contact with each other, so that no chemical reaction is produced in the electrode 7a.例文帳に追加

そのため、ポリパッド電極７ａが、タングステン膜１０と化学的に反応する性質を有しても、ポリパッド電極７ａとタングステン膜１０とは直接接触していないため、ポリパッド電極７ａには化学反応が生じない。 - 特許庁

The surface of a metal member is brought into contact with a hydrogen peroxide solution containing metal and/or metal carbide selected from the group consisting of tungsten, tungsten carbide, silicon carbide and titanium carbide, the surface of the metal member is converted into corresponding metal oxide, so as to form an oxide film 33.例文帳に追加

金属部材の表面に、タングステン、タングステンカーバイド、シリコンカーバイド及びチタンカーバイドから成る群から選択される金属及び／又は金属カーバイドを含む過酸化水素溶液を接触させ、前記金属部材表面を対応する金属酸化物に変換し酸化膜３３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a configuration for electrically connecting aluminum wire layers by a tungsten plug wherein a barrier metal layer is formed on the whole inner face of a through-hole, and the tungsten plug and the aluminum wire layers are electrically connected with high reliability and a low contact resistance.例文帳に追加

アルミ配線層間をタングステンプラグによって電気的に接続する構成において、スルーホール内面全面にバリアメタル層が形成され、タングステンプラグとアルミ配線層との電気的接続の信頼性が高く、接触抵抗が低い半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A tungsten plug 31 is formed by embedding metal materials such as W in a contact hole 8a formed in an inter-layer insulating film 8, and the top end of the tungsten plug 31 is projected by etching back the inter-layer insulating film 8 only by predetermined thickness.例文帳に追加

層間絶縁膜８に形成したコンタクトホール８ａにＷ等の金属材料を埋め込んでタングステンプラグ３１を形成した後、この層間絶縁膜８を所定の厚さだけエッチバックしてタングステンプラグ３１の先端部を突出させる。 - 特許庁

The first contact 15 is made of a gold-nickel alloy (Au-Ni alloy) having excellent reliability and durability, and the second contact 24 is made of tungsten (W) having excellent reliability and durability.例文帳に追加

第１接点１５は、信頼性と耐久性の良い金・ニッケル合金（Ａｕ−Ｎｉ合金）が用いられ、第２接点２４には、信頼性と耐久性の良いタングステン（Ｗ）が用いられている。 - 特許庁