「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

The photosensitive resin layer 37 is developed and upper electrode 2 and porous layers 4 are formed (h).例文帳に追加

感光性樹脂層３７を現像して上部電極２、多孔状層４を形成する（ｈ）。 - 特許庁

The gate electrode 3 is connected to a word line and the upper layer wiring through a second contact C2.例文帳に追加

ゲート電極３は第２コンタクトＣ２を介してワード線や上層配線に接続される。 - 特許庁

Plural sides at the ends of the upper electrode 518 are arranged outside the radiation detection layer 522.例文帳に追加

上部電極518の端部の１辺以上が放射線検出層522よりも外側に配置する。 - 特許庁

The vertical wiring portion is formed with electrolytic plating, which is connected to the upper metal layer.例文帳に追加

電解メッキをすることにより、上層金属層に接続された垂直配線部を形成する。 - 特許庁

Penetration of Ti can be stopped almost at a GaAs layer just under an upper semiconductor.例文帳に追加

Ｔｉの侵入は、上層半導体直下のＧａＡｓ層でほぼ停止させることができる。 - 特許庁

The laser chip 4 is fixed to the upper part front surface of the sub-mount 2 via a solder layer 17.例文帳に追加

レーザチップ４はサブマウント２の上部表面上にはんだ層１７を介して固定される。 - 特許庁

In the pixel, an organic EL layer is nipped and held between a lower electrode and an upper electrode 23.例文帳に追加

画素において、有機ＥＬ層が下部電極と上部電極２３の間に挟持されている。 - 特許庁

The capacitor is formed out of the lower electrode 11, the dielectric layer 12, and the upper electrode 13.例文帳に追加

下部電極１１、誘電体層１２及び上部電極１３により、キャパシタが形成される。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 102 is formed on the upper of an n^+-type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

Ｎ^+ 型半導体基板１０１の上面にＮ型半導体層１０２が形成されている。 - 特許庁

Then, films of a lower electrode 8, a piezoelectric material layer 9, and an upper electrode 10 of the piezoelectric element are formed ((c)).例文帳に追加

その後、圧電素子の下電極８、圧電材層９、上電極１０を成膜する（（ｃ））。 - 特許庁

The upper electrode 5, the organic EL layer 6 and the lower electrode 7 each has a width W=10 nm.例文帳に追加

上部電極５，有機ＥＬ層６、および下部電極７の幅Ｗ＝１０ｎｍである。 - 特許庁

An n electrode 108 is formed like a lattice on the upper surface of the semiconductor layer 101.例文帳に追加

半導体層１０１の上面には、格子状にｎ電極１０８が形成されている。 - 特許庁

A urethane coating material blended with a prescribed foaming agent is applied onto an upper surface side of the primer layer 2.例文帳に追加

プライマー層２の上面側に、所定の発泡剤の混入されたウレタン系塗料を塗布する。 - 特許庁

A p-GaAs cap layer 19 and an upper DBR 18 are formed as a mesa post 20.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓキャップ層１９及び上部ＤＢＲ１８は、メサポスト２０として形成される。 - 特許庁

The oxide superconducting wire rod has a copper protective layer provided on at least upper and lower surfaces thereof.例文帳に追加

少なくとも上下の表面に、銅保護層が設けられている酸化物超電導線材。 - 特許庁

The upper layer film is etched by using etching gas containing fluorine in a chamber 20.例文帳に追加

チャンバー２０内において、上層膜に対してフッ素を含むエッチングガスを用いてエッチングを行なう。 - 特許庁

The intermediate layer 18 containing aluminum is formed between the titanium lower and upper layers 14 and 20.例文帳に追加

アルミニウムを含む中間層１８は、チタンの下層１４と上層２０の間に形成される。 - 特許庁

Circuit patterns 4a-4c are formed on the upper surface of a metal base 2 via an insulating layer 3.例文帳に追加

絶縁層３を介して金属ベース２の上面に回路パターン４ａ〜４ｃが形成される。 - 特許庁

Further, a second insulating film 114 made of a low permittivity material is formed on its upper layer.例文帳に追加

さらにその上層に低誘電率材料からなる第２絶縁膜１１４が形成されている。 - 特許庁

The upper layer 14 of the strip mask 13 is formed of acrylic resin having resistance to heat.例文帳に追加

ストリップマスク１３の上層部１４は、耐熱性を有するアクリル系の樹脂から形成されている。 - 特許庁

After that, dry etching treatment is applied to the low-permittivity film 103 from the upper portion of the mask pattern layer successively.例文帳に追加

その後、連続してマスクパターン層上から低誘電率膜１０３をドライエッチング処理する。 - 特許庁

A Pd film 106 formed by electroless plating is provided on the upper surface of a copper layer 105.例文帳に追加

また、銅層１０５の上面に、無電解めっきにより形成されたＰｄ膜１０６を備える。 - 特許庁

The anode electrode 5 is formed on the entire of an upper surface 14a of the p-type contact layer 14.例文帳に追加

アノード電極５は、ｐ型コンタクト層１４の上面１４ａの全面に形成されている。 - 特許庁

The piezoelectric element 40 comprises a piezoelectric layer 43 sandwiched between upper and lower electrodes 44, 42.例文帳に追加

上部電極(45)と下部電極(42)に挟まれた圧電体層(44)を備える圧電体素子(40)である。 - 特許庁

Only the upper crystal layer 32 with low fault density can be separated from the different kind substrate 1.例文帳に追加

欠陥密度の低い上部結晶層３２のみを、異種基板１から分離することができる。 - 特許庁

The upper coat layer 51 is formed of a material having basicity weaker than this NOx storage catalyst.例文帳に追加

上部コート層５１はこのＮＯ_X吸蔵触媒よりも塩基性の弱い材料から形成されている。 - 特許庁

Vertical profiles also exhibited order of magnitude differences between the upper and lower layer average Lindane concentrations.例文帳に追加

縦断プロフィールにおいて，Lindane濃度の上層の平均と下層の平均で桁違いの相違を示した。 - 英語論文検索例文集

Residual part of the upper layer is used for protecting the side wall of the RIE process.例文帳に追加

ＲＩＥプロセスでリッジ構造の側壁を保護するために上側層の残存部分を使用する。 - 特許庁

The lower conductor layer 10 has an upper surface, side surfaces, and angular parts formed by these surfaces.例文帳に追加

下部導体層１０は、上面と、側面と、これらによって形成される角部を有している。 - 特許庁

A reaction domain 60 is formed by using a nozzle unit 32 on the upper surface of the reaction layer 14.例文帳に追加

反応層１４の上面にはノズルユニット３２を用いて反応領域６０が形成される。 - 特許庁

A support base material 13 which can be peeled later is fixed to an upper surface of the element formation layer 11.例文帳に追加

素子形成層１１の上面には、後で剥離可能な支持基材１３が固定される。 - 特許庁

Then, the solvent is removed after clay content liquid mixing clay and an organic electronic material for an upper layer into the solvent is applied in a film shape on the organic electronic material layer, and a mixture layer consisting of a mixture with the clay and the organic electronic material for an upper layer is formed on the organic electronic material layer.例文帳に追加

そして、粘土と上層用の有機電子材料とをその溶媒に混合した粘土含有液を、有機電子材料層の上に膜状に配した後に溶媒を除去して、粘土と上層用の有機電子材料との混合物からなる混合物層を有機電子材料層の上に形成した。 - 特許庁

In an FeRAM capacitor cell formed by sandwiching a ferroelectric layer 30 between a lower electrode layer 20 being connected with a word line W and an upper electrode layer 40 being connected with a bit line B, the boundary surface of the ferroelectric layer 30 and the upper electrode layer 40 is rugged in disorder.例文帳に追加

ワード線Ｗが接続される下部電極層２０と、ビット線Ｂが接続される上部電極層４０とを強誘電体層３０を挟んで積層してなるＦｅＲＡＭキャパシタセルにおいて、強誘電体層３０と上部電極層４０との積層面を、互いに入り乱れた凹凸形状とする。 - 特許庁

An aromatic deodorizer comprises a double layer structure having a gel layer containing a volatilizable compound such as a perfume or the like as an upper layer and a fluidized layer composed of a fluidized liquid- state or sol-state state containing the same volatilized compound as or different from the volatilized compound contained in the upper layer.例文帳に追加

本発明は、２層構造をとり、上層には香料等の揮散性化合物を含むゲル層を、下層には上層に含まれる揮散性化合物とは同じ又は異なる揮散性化合物を含む流動性のある液状又はゾル状で構成される流動層からなる芳香消臭剤に関する。 - 特許庁

The iron based parts are provided with an iron based base material 13X, a surface modification layer 12X in which at least a nitrogen element is diffused as a surface modification diffusing element and formed on the upper layer of the base material 13X, and an oxide layer 11X formed on the upper layer of the surface modification layer 12X and consisting of lithium-iron compound oxide.例文帳に追加

鉄系の基材１３Ｘと、少なくとも窒素元素が表面改質拡散元素として拡散されるとともに、基材１３Ｘの上層に形成された表面改質層１２Ｘと、表面改質層１２Ｘの上層に形成されたリチウム・鉄複合酸化物よりなる酸化物層１１Ｘと、を備える。 - 特許庁

Part of a conductive layer 57 configuring an electrode connected to an MR element is placed in a groove formed between the lower shield layer 53 and the first part 54a of the upper shield layer in a state insulated from the lower shield layer 53 and the first part 54a of the upper shield layer via an insulation film 56.例文帳に追加

下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａの間に形成された溝内に、ＭＲ素子に接続される電極を構成する導電層５７の一部が、絶縁膜５６によって、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａに対して絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

After forming a large number of protrusion 2 in the state of micro-tablelands on the upper surface of a single crystal semiconductor substrate 1, a buffer layer 3 is laminated on the upper surface of the single crystal semiconductor layer, and a single crystal semiconductor layer 4 of a kind different from the single crystal semiconductor layer is laminated on the buffer layer for manufacturing the semiconductor substrate.例文帳に追加

単結晶半導体基板１の上面に微細な台地状の多数の突起２を形成した後、単結晶半導体基板の上面にバッファー層３を積層し、バッファー層上に単結晶半導体基板と異なる種類の単結晶半導体層４を積層して製造した。 - 特許庁

The touch panel 12 also comprises a terminal part 21 in which the end 25 of the second conductive layer 26 inclines to the outside toward the first conductive layer 24, and a wiring part 23 formed from the upper part of the second conductive layer 26 of the terminal part 21 to the end 25 of the second conductive layer 26 and the upper part of the first conductive layer 24.例文帳に追加

タッチパネル１２は、第２導電層２６の端部２５が第１導電層２４へ近づくにつれて、より外側へ向かうように傾斜した端子部２１と、端子部２１の第２導電層２６上から、第２導電層２６の端部２５及び第１導電層２４上にかけて形成された配線部２３と、を備える。 - 特許庁

The solar cell includes a substrate 11, a lower electrode film 12, a p type semiconductor layer 13 (2nd semiconductor layer), an n type semiconductor layer 14 (1st semiconductor layer), an upper electrode layer 15 and a reflection preventive film 16 stacked in order on the substrate 11, and an extraction electrode 17 formed on the upper electrode film 15.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に順次積層された下部電極膜１２、ｐ形の半導体層１３（第２の半導体層）、ｎ形の半導体層１４（第１の半導体層）、上部電極膜１５および反射防止膜１６と、上部電極膜１５上に形成された取り出し電極１７とを含む。 - 特許庁

Organic light-emitting elements 10R, 10G and 10B have a resonator structure in which an end face closer to an upper organic layer 15 of a first electrode layer 13 is a first end P1 and an end face closer to an upper organic layer 15 of a second electrode layer 16 is a second end P2 on a planarized insulating layer 12 disposed on a substrate 11.例文帳に追加

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、基板１１に設けられた平坦化絶縁層１２の上に、第１電極層１３の上部有機層１５側の端面を第１端部Ｐ１、第２電極層１６の上部有機層１５側の端面を第２端部Ｐ２とする共振器構造を有するものである。 - 特許庁

The upper and lower layers 18A and 18B are joined to each other at a line 18-4, along which the upper layer 18A is folded back to obtain a garment body part with extended portion.例文帳に追加

上下層18A, 18Bはライン18-4では連接しており、ライン18-4に沿って上層１８Ａを折り返し、延長部を有する身頃パーツを得る。 - 特許庁

Moreover, it has the upper wiring formed on the SiCN film and a plug configured from the same material as the upper layer wiring.例文帳に追加

また、ＳｉＣＮ膜上に形成された絶縁膜内に上層配線と上層配線と同一材料から構成されるプラグを備える。 - 特許庁

A PD chip array 13 is mounted on the upper face of the metal core layer 11, and a scintillator 14 is mounted on the upper face of the PD chip array 13.例文帳に追加

金属コア層１１の上面には、ＰＤチップアレイ１３が搭載され、ＰＤチップアレイ１３の上面にシンチレータ１４が載置されている。 - 特許庁

An intermediate layer which includes nitrogen is formed on the upper part of the interior surface of the contact hole or groove and on the upper part of the main surface of the semiconductor substrate (301).例文帳に追加

コンタクトホールまたは溝の内面上部と半導体基板の主表面上部とに窒素を含有する層間膜を形成する（３０１）。 - 特許庁

The transfer device 10 is characterised in that a material transmitting laser beams LB is used for an upper mold 12, and a photoelectric conversion layer 18 is formed on the upper mold.例文帳に追加

転写装置１０には、上型１２としてレーザービームＬＢを透過する材質を用い、この上型に光熱変換層１８を形成する。 - 特許庁