「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

The laminated chip capacitor comprises an upper dummy layer 152 or the like, a lower dummy layer 151 or the like, a plurality of internal electrodes or the like interposed between the upper and lower dummy layers, and external electrodes 118 or the like coupled to the internal electrodes, wherein the lower dummy layer has a thinner thickness than the upper dummy layer.例文帳に追加

本発明による積層型チップキャパシタは、上部ダミー層１５２等及び下部ダミー層１５１等と；上記上部及び下部ダミー層間に介在する複数の内部電極１１４等と；上記内部電極に連結された外部電極１１８等とを含み、上記下部ダミー層の厚さは上記上部ダミー層の厚さより薄い。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device includes a substrate, a semiconductor light-emitting layer, having an outer surface situated on the upper side of the substrate and apart from the substrate, a first transparent electroconductive layer situated on the upper side of the outer surface having a first surface, and a second transparent electroconductive layer situated on the upper side of the first transparent electroconductive layer having a second surface.例文帳に追加

本発明による半導体発光装置は、基板と、基板の上方に位置し基板から離れる外表面を有する半導体発光層と、外表面の上方に位置し第一の表面を有する第一の透光性導電層と、第一の透光性導電層の上方に位置し第二の表面を有する第二の透光性導電層と、を含む。 - 特許庁

Because the oxidation preventing film 5 is formed between the lower-layer electrode 3a and the upper layer electrode 6a together with the interlayer dielectric film 4, the interlayer dielectric film 4 is prevented from oxidizing in an overlapped portion between the upper electrode 6a and the lower-layer electrode 3a, in the process which oxidizes the upper-layer electrode 6a to form the interlayer dielectric film 7.例文帳に追加

下層電極３ａと上層電極６ａとの間に層間絶縁膜４と共に酸化防止膜５が形成されるため、上層電極６ａを酸化して層間絶縁膜７を形成する工程において、上層電極６ａと下層電極３ａとの間のオーバーラップ部で層間絶縁膜４が酸化されることを防止することができる。 - 特許庁

Thus, the upper horizontal member 18 of the reinforcing layer 14 and the upper horizontal member 70 of an upper layer 56 jointly resist the vertical force transmitted from the vertical flanges 38A, 38B of a corrugated steel plate 16, and the lower horizontal member 20 of the reinforcing layer 14 and a lower horizontal member 72 of a lower layer 58 jointly resist the vertical force.例文帳に追加

これにより、波形鋼板１６の縦フランジ３８Ａ、３８Ｂから伝達される鉛直力に対して、補強層１４の上部水平部材１８と上層５６の上部水平部材７０とが一体となってこれに抵抗し、また、補強層１４の下部水平部材２０と下層５８の下部水平部材７２とが一体となってこれに抵抗する。 - 特許庁

The light emitting element mounted substrate includes: an insulation substrate 1; a light reflecting layer 4 formed on the upper surface of the insulation substrate 1 and made of metal; an insulation layer 5 formed on the upper surface of the light reflecting layer 4; and a wiring conductor 3 formed on the upper surface of the insulation layer 5 to which the electrode of a light emitting element 6 is electrically connected.例文帳に追加

発光素子搭載基板は、絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に形成された金属から成る光反射層４と、光反射層４の上面に形成された絶縁層５と、絶縁層５の上面に形成された、発光素子６の電極が電気的に接続される配線導体３とを具備している。 - 特許庁

The core layer 140 is formed by piling up in order a lower SCH layer 141 made of InGaAsP, a Hall stop layer, an active layer 145 made of AlInGaAs, an electron stop layer 147, and an upper SCH layer 149 made of InGaAs from the side of the lower clad layer 130.例文帳に追加

コア層１４０は，下部クラッド層１３０側から，ＩｎＧａＡｓＰからなる下部ＳＣＨ層１４１とホール停止層１４３とＡｌＩｎＧａＡｓからなる活性層１４５と電子停止層１４７とＩｎＧａＡｓＰからなる上部ＳＣＨ層１４９とが順次積層された構成となっている。 - 特許庁

A bias substrate 29 is formed under the hard bias layer 26, a high Ms magnetic layer 27 of which the saturation magnetization Ms is larger than the hard bias layer 26 is formed on the hard bias layer 26, an upper part shield layer 31 is formed on the high Ms magnetic layer 27 through a non-magnetic protection layer 28.例文帳に追加

ハードバイアス層２６下にはバイアス下地層２９が形成され、前記ハードバイアス層２６上には前記ハードバイアス層２６よりも飽和磁化Ｍｓが大きい高Ｍｓ磁性層２７が形成され、前記高Ｍｓ磁性層２７上には非磁性の保護層２８を介して上部シールド層３１が形成されている。 - 特許庁

The recording layer (RL) comprises a lower layer of high-anisotropy FePt alloy having chemical regularity, an upper layer of a low-anisotropy Co/X laminate or multiple layer (ML) having perpendicular magnetic anisotropy, and a nonmagnetic isolation layer or coupling layer (CL) between the FePt layer and ML which is provided upon occasion.例文帳に追加

この記録層（ＲＬ）は、化学的規則性をもつ高異方性のＦｅＰｔ合金の下部層と、垂直磁気異方性を有する低異方性のＣｏ／Ｘ積層体または多重層（ＭＬ）の上部層と、場合によって設けられる、ＦｅＰｔ層とＭＬとの間の非磁性の分離層または結合層（ＣＬ）とから形成される。 - 特許庁

The core layer 140 has a structure, where, starting from the lower clad layer 130 side, a lower SCH layer 141 of InGaAsP, a hole-stopping layer 143, an active layer 145 of AlInGaAs, an electron-stopping layer 147 and an upper SCH layer 149 of InGaAsP are laminated in this order.例文帳に追加

コア層１４０は，下部クラッド層１３０側から，ＩｎＧａＡｓＰからなる下部ＳＣＨ層１４１とホール停止層１４３とＡｌＩｎＧａＡｓからなる活性層１４５と電子停止層１４７とＩｎＧａＡｓＰからなる上部ＳＣＨ層１４９とが順次積層された構成となっている。 - 特許庁

Further, a seed layer 5 coming in contact with a lower surface of the first intermediate layer 6a or the second intermediate layer 6b is provided at an upper surface side of the soft magnetic backlining layer 4, and a base layer 2 of at least one layer and a magnetic domain control layer 3 are laminated successively.例文帳に追加

さらに、軟磁性裏打層４の上面側に、第１の中間層６ａまたは第２の中間層６ｂの下面に接するシード層５を備えるようにし、非磁性基体１と軟磁性裏打層４の間に、少なくとも１層の下地層２と磁区制御層３とを順次積層して備えるようにした。 - 特許庁

To prevent a wiring conductor layer and a thin-film wiring conductor layer formed on the upper layer of a resin insulating layer from being short- circuited by preventing a defect hole from penetrating the wiring conductor layer even if a laser beam is applied to the resin insulating layer through a pin hole located on the dielectric layer of a mask and hence the defect hole is formed.例文帳に追加

マスクの誘電体層にあるピンホールを通してレーザ光が樹脂絶縁層に照射され欠損孔が形成されても、配線導体層まで貫通しないようにして、配線導体層と樹脂絶縁層の上層に形成した薄膜配線導体層とがショートするのを解消すること。 - 特許庁

In the capacitor layer forming material for printed wiring board provided with a dielectric layer 3 between a first conductive layer 2 used for forming an upper electrode and a second conductive layer 4 used for forming a lower electrode, the second conductive layer 4 is composed of a nickel layer or nickel alloy layer.例文帳に追加

上部電極形成に用いる第１導電層2と下部電極形成に用いる第２導電層4との間に誘電層3を備えるプリント配線板のキャパシタ層形成材において、第２導電層4はニッケル層又はニッケル合金層であることを特徴としたキャパシタ層形成材を採用する。 - 特許庁

The magnetoresistive effect element has a magnetoresistive effect film including pin layers 14a, 14b and a free layer 17 sandwiched between a lower shield layer 10 and an upper shield layer 19 wherein an antiferromagnetic layer 13 composed of an Mn based antiferromagnetic material is formed at a lower layer of the pin layer 14a through an Mn layer 22 on an interface.例文帳に追加

下部シールド層１０と上部シールド層１９との間に、ピン層１４ａ、１４ｂとフリー層１７とを備える磁気抵抗効果膜が配された磁気抵抗効果素子であって、前記ピン層１４ａの下層に、界面にMn層２２を挟んで、Mｎ系反強磁性材からなる反強磁性層１３が設けられている。 - 特許庁

A third internal metal layer 47, a second metal layer 48 and a fourth internal metal layer 49 are successively vapor-deposited on the entire top portion of the IMD oxide film, having the contact plug formed thereon, thereby forming the upper metal layer including the third internal metal layer, the second metal layer and the fourth internal metal layer.例文帳に追加

前記コンタクトプラグの形成された前記ＩＭＤ酸化膜の上部全体に、第３内部金属層４７、第２金属層４８、および第４内部金属層４９を順次蒸着し、前記第３内部金属層、前記第２金属層、および前記第４内部金属層を含む上部金属層を形成する。 - 特許庁

To provide an optical filter for dissolving the occurrence of the disconnection of an upper layer caused by the cause of a step generated by a protective layer since the protective layer covering a color filter layer, a color conversion layer or the like before forming each layer on and after a first electrode layer, and to provide an organic EL display using it.例文帳に追加

第１電極層以降の各層を形成するのに先立って、カラーフィルター層若しくは色変換層等を被覆する保護層を形成するため、その保護層によって生じる段差が原因となって起こる上層の断線の発生を解消した光学フィルター、及びこれを用いた有機ＥＬディスプレイを提供すること。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁

The capacitor layer forming material of the printed-wiring board having the dielectric layer between a first conductive layer used for forming an upper electrode and a second conductive layer used for forming the lower electrode uses the capacitor layer forming material, using the second conductive layer having a layer structure shown in the followings (1) or (2).例文帳に追加

上部電極形成に用いる第１導電層と下部電極形成に用いる第２導電層との間に誘電層を備えるプリント配線板のキャパシタ層形成材において、以下の（１）又は（２）に示す層構成を持つ第２導電層を用いることを特徴としたキャパシタ層形成材等を採用する。 - 特許庁

(1) The optical information recording medium is provided wherein at least a lower protective layer, a recording layer, an upper protective layer and a reflection layer are sequentially formed on a substrate having a guide groove and information is recorded by irradiation with blue laser light to generate a change in the recording layer, and the medium has no over coat layer on the reflection layer.例文帳に追加

（１）案内溝を有する基板上に、少なくとも下部保護層、記録層、上部保護層、反射層が順次形成されており、青色レーザ光の照射により記録層に変化を生じて情報の記録が行われる光情報記録媒体であって、反射層上にオーバーコート層を有しない光情報記録媒体。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction comprises an upper electrode, a tunnel barrier layer formed between a first ferromagnetic layer having a first magnetization direction and a second ferromagnetic layer having a second magnetization direction adjustable to the first magnetization direction, a front end layer, and a magnetic layer or a metal layer, on which the second ferromagnetic layer is accumulated.例文帳に追加

磁気トンネル接合が、上部電極と、第１磁化方向を有する第１強磁性層と第１磁化方向に対して調節可能な第２磁化方向を有する第２強磁性層との間に形成されたトンネル障壁層と、前端層と、第２強磁性層が上に堆積された磁性層又は金属層とから構成される。 - 特許庁

The upper and lower surfaces of a water conduction plate body 19 are formed into rough surfaces 31 and 32, the waterproof layer 10 bites into the lower rough surface 32, and the adhesive layer 15 bites into the upper rough surface 31.例文帳に追加

通水板本体１９の上下の面は粗面３１，３２に形成され、下の粗面３２に防水層１０が食い込むと共に、上の粗面３１に接着層１５が食い込んだ状態にある。 - 特許庁

After finishing a function test, a solder ball 32b for grounding is formed to a connection pad of a second upper layer wiring 29b for grounding and on a connection pad part of a second upper layer wiring 29c for test.例文帳に追加

ファンクションテストを終えた後に、グランド用の第２の上層配線２９ｂの接続パッド部およびテスト用の第２の上層配線２９ｃの接続パッド部上にグランド用の半田ボール３２ｂを形成する。 - 特許庁

Tin whisker and pin holes in the upper layer tin film can be prevented by forming the base film of very thin thickness, and specifying the thickness of the total film of the base film and the upper layer and the ratio of silver in the base film.例文帳に追加

下地皮膜をごく薄く形成し、下地と上層の合計皮膜の膜厚、及び下地皮膜での銀の比率を特定化することで、上層のスズ皮膜のスズホイスカーとピンホールを防止できる。 - 特許庁

To correct only the defect of a film which is located below upper layer films, such as a protection film and an insulating film, without damaging those upper layer films present over the film to be corrected.例文帳に追加

修正すべき膜の上層に保護膜や絶縁膜などが存在する場合にも、これら上層膜には損傷を与えず、その下層にある当該修正すべき膜の欠陥のみを修正する。 - 特許庁

Track width accuracy is improved by providing a lower part magnetic pole tip part on a lower part magnetic pole main layer and forming an upper part magnetic pole tip part or an upper part magnetic pole tip layer on this flat plane.例文帳に追加

下部磁極主層上に下部磁極先端部を設けこの平坦面上に上部磁極先端部または上部磁極先端層を形成することによりトラック幅精度を向上する。 - 特許庁

Further, the upper and lower first clad layers of the first active layer are composed of a substantially identical semiconductor material, and the upper and lower second clad layers of the second active layer are composed of a substantially identical semiconductor material.例文帳に追加

更に、第１活性層の上下の第１クラッド層が略同一の半導体材料からなり、かつ第２活性層の上下の第２クラッド層が略同一の半導体材料からなる。 - 特許庁

In a capacitance element 10, a lower layer electrode 13, a protective insulating film 14, a capacitance insulating film 15 and an upper layer electrode 16 are arranged on a semiconductor substrate 11 whose upper surface is covered with a protective film 12.例文帳に追加

容量素子１０は、上面が保護膜１２で被覆された半導体基板１１上に、下層電極１３と、保護絶縁膜１４と、容量絶縁膜１５と、上層電極１６とを有する。 - 特許庁

The face surface side area is preferably a ferrous sintered body excellent in wear resistance, or can be an upper and lower double layer having ferrous sintered material excellent in wear resistance in a lower surface and ferrous sintered body excellent in property for light metal alloy cast-covering in an upper layer.例文帳に追加

また、フェース面側である下層を耐摩耗性に優れた鉄系焼結体とし、上層を軽金属合金鋳包み性に優れた鉄系焼結体とする上下２層としてもよい。 - 特許庁

To provide a newsprint web package which reduces the dynamic friction coefficient of the upper rolled layer of a newsprint web through a wax component of a dampproofing sheet to suppress the occurrence of tears of the upper rolled layer.例文帳に追加

防湿性シートのワックス成分により、新聞巻取紙の上巻の動摩擦係数が低下することにより、巻取り上巻破れの発生を抑えた新聞巻取紙包装体を提供する - 特許庁

To provide a composition for forming an upper layer film of which the applied quantity is reduced, and from which the upper layer film which hardly causes a foreign substance in the lapse of time, and further hardly causes a Blob defect is formed.例文帳に追加

塗布量が低減でき、経時における異物を生じにくく、さらにＢｌｏｂ欠陥を生じにくい上層膜を得ることができる上層膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

The pseudo response packet reports the satisfactory reception of the data packet at the reception node to the upper layer of the transmission node and burden for the upper layer of the reception node to prepare an actual response packet is removed.例文帳に追加

擬似応答パケットは、受信ノードがデータパケットを首尾よく受信したことを送信ノードの上部層に通知し、受信ノードの上部層に実際の応答パケットを生成させるという負担を取り除く。 - 特許庁

An upper layer light shielding Al film 9a formed by patterning an Al film being used in the upper layer Al film 9b for the pat of a TEG is provided on the source-drain regions 5a and 5b of the monitor transistor.例文帳に追加

ＴＥＧのパット用上層Ａｌ膜９ｂに用いられるＡｌ膜をパターニングして形成された遮光用上層Ａｌ膜９ａを、モニタ用トランジスタのソース／ドレイン領域５ａ、５ｂ上に設ける。 - 特許庁

Then, a polarizing electric field is applied between the upper surface polarizing electrode 14 and the conductive sacrificing layer, and subsequently the upper surface polarizing electrode 14, the meander electrode 20, and the conductive sacrificing layer are removed.例文帳に追加

上面分極電極１４と導電性犠牲層との間に分極電界を印加した後、圧電基板から上面分極電極１４、ミアンダ電極２０、および導電性犠牲層を除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which stacked upper and lower packages can be connected by a short wiring distance and a chip in the lower-layer package and the upper-layer package can be connected at low impedance.例文帳に追加

積層された上下のパッケージ間を短い配線距離で、かつ、下層パッケージ内のチップと上層パッケージとの間を低インピーダンスで接続することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory 1, STIs are formed to the upper layer of a silicon substrate, and the upper layer of the silicon substrate is partitioned into a plurality of active areas AA that extend in the Y direction.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１において、シリコン基板の上層部分にＳＴＩを形成し、シリコン基板の上層部分をＹ方向に延びる複数本のアクティブエリアＡＡに区画する。 - 特許庁

A gate electrode 4 formed on an upper surface of the gate insulating film 3 is a double structure of a lower layer electrode 4a made of Al or the like and an upper layer gate electrode 4b made of Mo or the like.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３の上面に形成されたゲート電極４は、Ａｌ等からなる下層ゲート電極４ａとＭｏ等からなる上層ゲート電極４ｂとの２層構造となっている。 - 特許庁

This shoe sole 3 is formed with the felt sole 3a with the spikes 4 inserted therein, a rubber elastic layer 3b welded on its upper face, and a base part 3d attached to the upper face of the rubber elastic layer 3b.例文帳に追加

靴底３は、スパイク４が挿通されたフエルト底３ａとこの上面に溶着されたゴム弾性層３ｂが形成され、ゴム弾性層３ｂの上面にベース部３ｄが取り付けられている。 - 特許庁

An upper part shield layer 32 has magnetostriction within a range -2 to 0, also the magnetization direction 32a of the upper part shield layer 32 is the same direction as a direction (+X direction) of a sense current (i).例文帳に追加

上部シールド層３２が、−２〜０の範囲内の磁歪を有し、さらに上部シールド層３２の磁化方向３２ａが、前記センス電流ｉの方向（＋Ｘ方向）と同一方向となっている。 - 特許庁

The high frequency circuit board of this invention is provided with a ground conductor 1, a dielectric layer 3 formed on the upper surface of the ground conductor 1 and a circuit conductor 4 formed on the upper surface of the dielectric layer 3.例文帳に追加

本発明の高周波回路基板は、地導体１と、前記地導体１の上面に形成された誘電体層３と、前記誘電体層３の上面に形成された回路導体４とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device 10 further comprises a first upper wiring layer 121 and a second upper wiring layer 131, electrically connected to a first lower electrode 104 through the second holes 130.例文帳に追加

さらに、半導体装置１０は、第１の上部配線層１２１と、第２の孔１３０を介して第１の下部電極１０４に電気的に接続される第２の上部配線層１３１とを備える。 - 特許庁

An upper electrode 17 is formed to the upper surface of the AlN layer 12 within the first aperture 15, while a lower electrode 18 is formed to the lower surface of the AlN layer 12 within the second aperture 16.例文帳に追加

第１の開口１５内においてＡｌＮ層１２の上面に上部電極１７が形成され、第２の開口１６内においてＡｌＮ層１２の下面に下部電極１８が形成されている。 - 特許庁

A lower substrate 10 with a lower electrode layer 12 and an upper transparent substrate 20 with an upper electrode layer 22 are provided facing each other, and a display section 30 is formed in the gap between them.例文帳に追加

下部電極層１２を有する下部基板１０と、上部電極層２２を有する透明体である上部基板２０とが、互いに対向するように設けられ、その間隙に表示部３０が設けられる。 - 特許庁

The surface emission laser comprises a substrate having an upper surface and a bottom surface, a first mirror layer stack arranged on the upper surface of the substrate with alternate refractive index, and an active layer arranged on the first stack.例文帳に追加

上面及び底面を有する基板と、基板の上面に配置された交互の屈折率の第１ミラー層スタックと、第１スタック上に配置された活性層とを有する表面発光レーザである。 - 特許庁

An upper-part electrode 7 is firstly formed on the dummy layer 6, and then the dummy layer is removed before ferroelectric film is formed at a void 9 between a part of the upper-part electrode and the lower-part electrode.例文帳に追加

そして上部電極７をダミー層６の上にまず形成し、その後ダミー層を除去してから上部電極の一部と下部電極との空洞９に強誘電体膜を形成する。 - 特許庁

In a floor structure 1, a polyethylene sheet 3 is laid on an upper surface of a concrete base floor 2, a silica gel layer 4 is laminated on its surface, and a tatami 5 is laid on an upper surface of the silica gel layer 4.例文帳に追加

床構造１は、コンクリート製の基床２の上面に、ポリエチレンシート３を敷設し、その上面にシリカゲル層４を積層して、さらにシリカゲル層４の上面に畳５を敷設した構造になっている。 - 特許庁

The electronic component 1 includes the body 20 including the dielectric layer comprising the ceramic and forming an upper surface 20A, and the conductor layer 21 for the inductor disposed on the upper surface 20A of the body 20.例文帳に追加

電子部品１は、セラミックよりなり、上面２０Ａを形成する誘電体層を含む本体２０と、本体２０の上面２０Ａに配置されたインダクタ用導体層２１とを備えている。 - 特許庁