「volatile element」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING FIN-TYPE CHANNEL REGION, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

フィン型チャンネル領域を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

COMPOSITION BUFFERING MATERIAL FOR ELECTRONIC CERAMIC CONTAINING VOLATILE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

揮発性元素を含む電子セラミックスの組成緩衝材とその製造方法 - 特許庁

NON-VOLATILE RESISTANCE VARIATION ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

不揮発性抵抗変化素子および不揮発性抵抗変化素子の製造方法 - 特許庁

To provide a volatile semiconductor element and an element information recording method capable of recording element information such as a wafer number, element number, and characteristics inspection data on a volatile semiconductor element at a low cost with a small space, without increasing a process or facility.例文帳に追加

揮発性半導体素子にウェーハ番号、素子番号、特性検査データ等の素子情報を、工程や設備を増やすことなく、わずかのスペースに低コストで記録できる揮発性半導体素子およびその素子情報記録方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element with low power consumption and high reliability.例文帳に追加

低消費電力であり、信頼性の高い不揮発性のメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a non-volatile memory element with low electric power and high reliability.例文帳に追加

低電力、高信頼性の非揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE SOLID STATE MEMORY COMPRISING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を備える不揮発性固体メモリ - 特許庁

NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT AND ITS INFORMATION READ/ WRITE METHOD例文帳に追加

不揮発性記憶素子とその情報読み出し方法及びその情報書き込み方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a non-volatile memory element in which a cell size is not increased.例文帳に追加

セルサイズを増加させない不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile resistance change element having a highly reliable rectification function.例文帳に追加

信頼性の高い整流機能を有する不揮発性抵抗変化素子を提供する。 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING CONTROL GATE ELECTRODE EXTENDING AT ANGLE INCLINED TO FIN例文帳に追加

フィンに傾斜した角度で伸張する制御ゲート電極を有する不揮発性メモリ素子 - 特許庁

MIS TYPE TRANSISTOR ELEMENT USING VOLATILE RAW MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING IT例文帳に追加

揮発性原料を用いたＭＩＳ型トランジスタ素子およびそれを備えた半導体装置 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING A PLURALITY OF LAYERS OF TUNNELING BARRIER LAYERS, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

複数層のトンネリング障壁層を備える不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

The circuit device is equipped with one programmable element 2 and a storage 10 with a volatile storage element 1.例文帳に追加

回路装置はそれぞれ１つのプログラミング可能な素子（２）と揮発性記憶素子（１）を有する記憶装置（１０）を備えている。 - 特許庁

This device comprises a data write-in block 12 comprising a non-volatile storage element, and a data restoring block 14 for reading out data stored in the non-volatile storage element.例文帳に追加

本発明は、不揮発性の記憶素子を含んだデータ書き込みブロック１２と、不揮発性の記憶素子に記憶されたデータを読み出すためのデータ復元ブロック１４と、を含むように構成した。 - 特許庁

To provide a non-volatile switching element having new structure having a high operation speed and allowed to be integrated, and an integrated circuit having the non-volatile switching element.例文帳に追加

動作速度が速くかつ集積化が可能な新しい構造の不揮発性スイッチング素子およびこの不揮発性スイッチング素子を有する集積回路を提供することを可能とする。 - 特許庁

To suppress dissociation of a semiconductor single crystal substrate in a high temp. by aerating this substrate composed of a metal and an element more volatile than the metal in a gas atmosphere composed of an easily volatile element, and contacting and chilling it with a semiconductor growing solution composed of a metal and an easily volatile element.例文帳に追加

液相エピタキシャル成長室内で、ＧａＰ（ガリウム・燐）単結晶基板にエピタキシャル成長層を形成する場合に、ＧａＰ単結晶基板をＰ（燐）からなる気体雰囲気中に曝気させることにより、高温中でのＧａＰ単結晶基板からのＰの解離を抑制させる。 - 特許庁

In the integrated circuit provided with a volatile memory element and a logical interface circuit connected to the volatile memory element, first and second power sources are prepared separately, the first power source is connected to the volatile memory element, and the second power source is connected to the logical interface circuit.例文帳に追加

揮発性メモリ素子及び該揮発性メモリ素子に接続された論理インターフェイス回路を備えた集積回路において、第１及び第２の電源を別個に備えており、第１の電源が前記揮発性メモリ素子に接続され、第２の電源が論理インターフェイス回路に接続されている。 - 特許庁

In order to store the state of the programmable element, the programmable element 2 is connected to the volatile storage element 1 for each storage 10.例文帳に追加

プログラミング可能な素子の状態を記憶するために、記憶装置（１０）ごとにプログラミング可能な素子（２）は揮発性記憶素子（１）と接続されている。 - 特許庁

Each of a plurality of memory cells of a semiconductor memory has a nonvolatile memory element and a volatile memory element connected to this nonvolatile memory element, the nonvolatile memory element is connected to one of a pair of data transfer lines, and the volatile memory element is connected to the other of the pair of data transfer lines.例文帳に追加

半導体記憶装置の複数のメモリセルの各々は、不揮発性メモリ素子と、この不揮発性メモリ素子に接続される揮発性メモリ素子とを有し、データ転送線対の一方に前記不揮発性メモリ素子が接続され、前記データ転送線対の他方に前記揮発性メモリ素子が接続される。 - 特許庁

On a non-volatile memory element, a semiconductor substrate 105 includes an active region 112 limited by an element isolation film 110.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子において、半導体基板１０５は、素子分離膜１１０により限定された活性領域１１２を備える。 - 特許庁

CARRIER SPIN INJECTED INVERTED MAGNETIZATION MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT USING THE FILM, AND MEMORY DEVICE USING THE ELEMENT例文帳に追加

キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element which enables high integration while extending channel length effectively, and to provide a manufacturing method for such a memory element.例文帳に追加

チャンネル長を効果的に延ばしつつも高集積化の可能な不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

FERROELECTRIC ELEMENT, NON-VOLATILE FEPROELECTRIC MEMORY ELEMENT, INK JET TYPE RECORDING HEAD AND ITS PRODUCTION AS WELL AS INK JET PRINTER例文帳に追加

強誘電体素子、不揮発性強誘電体メモリ素子、インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法並びにインクジェットプリンタ - 特許庁

To provide a ferromagnetic non-volatile storage element being superior in stability of information reproduction operation.例文帳に追加

情報再生動作の安定性に優れた強磁性体不揮発性記憶素子を提供する。 - 特許庁

To enhance the heat generating efficiency of a non-volatile memory element provided with a recording layer containing a phase changing material.例文帳に追加

相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリ素子の発熱効率を高める。 - 特許庁

This non-volatile storage element is provided with a substrate having at least first and second regions.例文帳に追加

この不揮発性記憶素子は少なくとも第１および第２領域を有する基板を具備する。 - 特許庁

To improve information holding performance for a long period by a memory cell, using a non-volatile storage element.例文帳に追加

不揮発性記憶素子を用いたメモリセルによる長期の情報保持性能を向上させる。 - 特許庁

To improve heat generating efficiency of a non-volatile memory element, provided with a recording layer containing a phase changing material.例文帳に追加

相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリ素子の発熱効率を高める。 - 特許庁

To enhance the heat generating efficiency of a non-volatile memory element, provided with a recording layer containing a phase changing material.例文帳に追加

相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリ素子の発熱効率を高める。 - 特許庁

A volatile memory element 312 and a nonvolatile memory element 313 each consisting of a field effect transistor are formed on one semiconductor chip.例文帳に追加

１つの半導体チップ上に電界効果トランジスタからなる揮発性メモリ素子３１２と不揮発性メモリ素子３１３を形成する。 - 特許庁

The non-volatile image memory element 1, the resistance value of which is changed by a phase transition, is connected to a pixel electrode 25 of a liquid crystal element 5.例文帳に追加

液晶素子５の画素電極２５に相変化により抵抗値が切り替わる不揮発性の画像メモリ素子１を接続する。 - 特許庁

An image electrode 25 of a liquid crystal element 5 is connected to a non-volatile image memory element 1 of which the resistance value is changed over by phase change.例文帳に追加

液晶素子５の画素電極２５に相変化により抵抗値が切り替わる不揮発性の画像メモリ素子１を接続する。 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT PROVIDED WITH TWO-BIT OPERATED TWO TRANSISTORS AND ITS DRIVING METHOD AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

２ビット作動の２トランジスタを備えた不揮発性メモリ素子並びにその駆動方法及び製造方法 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device comprises a plurality of memory strings, a selective transistor, and a carrier selection element.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリストリング、選択トランジスタ、及びキャリア選択素子を備える。 - 特許庁

The rewritable non-volatile memory cell 1 has a selection transistor 10 and a data storage element 20.例文帳に追加

書換え可能な不揮発性メモリセル１は、選択トランジスタ１０とデータ記憶素子２０とを備えている。 - 特許庁

To provide a multi-bit and multi-level non-volatile memory element and its operation method, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

マルチビット及びマルチレベル不揮発性メモリ素子、その動作方法及び製造方法を提供する。 - 特許庁

EVALUATION ELEMENT FOR NON-VOLATILE MEMORY CELL, SEMICONDUCTOR CHIP CONTAINING THE SAME, WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE CELL AND CHIP例文帳に追加

不揮発性メモリセル用の評価素子及びこれを含む半導体チップ、ウェハ、及び、これらの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR DISCRIMINATING NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT BY INADEQUATE SUBTHRESHOLD VALUE GRADIENT OR WEAK TRANSCONDUCTANCE例文帳に追加

不十分な副しきい値勾配または弱いトランスコンダクタンスによって不揮発性メモリ素子を識別する方法 - 特許庁

NON-VOLATILE SWITCHING ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD AND INTEGRATED CIRCUIT HAVING THE SAME例文帳に追加

不揮発性スイッチング素子およびその製造方法ならびに不揮発性スイッチング素子を有する集積回路 - 特許庁

To provide a semiconductor non-volatile storage element and its manufacturing method for suppressing the deterioration of read currents due to bit interference in a semiconductor non-volatile storage element for storing two bits at the physically separated places of one element.例文帳に追加

１つの素子の物理的に離れた場所に２ビットを記憶させる半導体不揮発性記憶素子において、ビット干渉による読み出し電流の低下を抑制し得る半導体不揮発性記憶素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that has a high-performance non-volatile memory element and a minute logic element.例文帳に追加

高性能の不揮発性メモリ素子と微細化されたロジック素子とを備えた半導体装置を実現するための製造方法を提供する。 - 特許庁

A non-volatile memory device comprises selection element layers containing silicon and nanomaterial aggregate layers stacked on the selection element layers.例文帳に追加

実施形態に係る不揮発性記憶装置は、シリコンを含む選択素子層と、前記選択素子層に積層されたナノマテリアル集合層と、を備える。 - 特許庁

In this way, unit cells and a predetermined transistor of the non-volatile storage element can all be optimized.例文帳に追加

これによって、不揮発性記憶素子の単位セルおよび所定のトランジスタは全部最適化されることができる。 - 特許庁

Data from a volatile memory element or a device such as a nonvolatile storage device are held in entries in the cache.例文帳に追加

揮発性メモリ素子または不揮発性記憶装置などの装置からのデータが、キャッシュ内のエントリに保持される。 - 特許庁