「volatile element」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a non-volatile memory element which reduces a power consumption by reading/writing data in a low voltage state, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

低電圧状態でデータをライト及びリードすることにより消費電力を低減する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a novel calixresorcinarene compound capable of selectively adsorbing VOCs (volatile organic compounds) having a specific substituent such as, ketone molecule, and to provide a sensor element and a sensor which use the calixresorcinarene compound suitable for detecting ketone molecules.例文帳に追加

ケトン分子などの特定の置換基を有するＶＯＣｓを選択的に吸着しうる新規なカリックスレゾルシンアレン系複合材料を提供する。 - 特許庁

To provide a new buffer and a new buffer system having a volatile combustion product used in an analytical technique using an element specificity detector.例文帳に追加

元素特異性検出器を用いた分析技術で使用するための、揮発性燃焼生成物を有する新規のバッファーおよびバッファーシステムの提供。 - 特許庁

To provide an adsorbent holding structure of an organic electroluminescent EL element for holding the adsorbent by using a means hardly producing a volatile matter or water.例文帳に追加

揮発性化合物や水分等の発生し難い手段により吸着剤が保持された、有機ＥＬ素子の吸着剤保持構造を提供する。 - 特許庁

Shielding materials 7, 8, 9 are placed between the protective tube 5 and the metal element wires 1, 2 to shield or adsorb volatile components emitted from the protective tube 5.例文帳に追加

保護管５と金属素線１，２との間に、保護管５から発生する揮発成分を遮断または吸着する遮蔽物７〜９を配置する。 - 特許庁

To structure a nonvolatile semiconductor storage element prepared in a non volatile semiconductor storage device by using a transistor manufactured by a standard CMOS process.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置が備える不揮発性半導体記憶素子を標準的なＣＭＯＳプロセスで製造するトランジスタを用いて構成する。 - 特許庁

Further, aggregate of fibrous objects (a refrigerant volatile element) is provided on the lower side of material which does not generate bubbles, whereby when the refrigerating machine oil passes through it, the surface area provided for making a refrigerant volatile is enlarged to achieve efficient vaporization and separation.例文帳に追加

さらに、気泡を生成しないものは、下方に繊維状物体の集合体（冷媒気散エレメト）を設けて、冷凍機油がこれを通過する際に冷媒の気散に供する表面積が拡大することによって効率的な気化、分離を達成する。 - 特許庁

To provide a transmission control device having no trouble in an engagement request when writing a learning value from a non-volatile memory into a volatile memory for correcting a hydraulic pressure command value during the engagement of a friction engaging element in hydraulic control of a transmission.例文帳に追加

変速機の油圧制御において摩擦係合要素を係合させるときの油圧指令値を補正するための学習値が不揮発性メモリから揮発性メモリに書き込まれているときに係合要求が生じても不具合を発生させない。 - 特許庁

The optical printer head includes a light emitting element array, in which a plurality of light emitting elements are arranged and divided into a plurality of light emitting element groups, a plurality of emission control units each having a volatile memory provided in correspondence with the plurality of light emitting element groups, and the volatile memory storing the correction data of the plurality of light emitting elements, respectively.例文帳に追加

光プリンタヘッドは、複数の発光素子が配列された発光素子アレイであって、複数の発光素子が複数の発光素子群に分けられている発光素子アレイと、複数の発光素子群に対応して設けられ、揮発性メモリをそれぞれ有する複数の発光制御部と、複数の発光素子それぞれの補正データが記憶された不揮発性メモリと、を有する。 - 特許庁

A nonvolatile ferroelectric capacitor is provided with a Bi4-xAxTi3O12 thin film obtained by replacing part of the bismuth, which is the volatile element of Bi4Ti3O12(BTO) with a nonvolatile element A, such as lanthanum(La), etc.例文帳に追加

本発明の非揮発性強誘電体キャパシタは、Ｂｉ_4Ｔｉ_3Ｏ_12（ＢＴＯ）の揮発性元素であるビスマスの一部を、ランタニウム（Ｌａ）等の非揮発性元素Ａに置換して得られたＢｉ_4-XＡ_XＴｉ_3Ｏ_12薄膜を備える。 - 特許庁

To increase the capacitance of a capacitor per unit area of a capacitor element and reduce the area of the capacitor element in a non-volatile semiconductor memory device including an MONOS type memory cell.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＮＯＳ型のメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置において、キャパシタ素子の単位面積当たりのキャパシタ容量を増加させ、キャパシタ素子の面積を低減することを目的とする。 - 特許庁

This method has a defective pixel detecting process of detecting defective pixels of an image pickup element to obtain defective pixel data, and a storing process of storing the defective pixel data into a non-volatile storage means attached to the image pickup element.例文帳に追加

撮像素子の欠陥画素を検出して、欠陥画素データを得る欠陥画素検出工程と、撮像素子に取り付けられた不揮発性記憶手段に、欠陥画素データを格納する格納工程とを有する。 - 特許庁

An electrically conducting interconnect element is deposited onto at least selected vertical pillar transistors and a non-volatile variable resistive memory cell is deposited onto the electrically conducting interconnect element to form a vertical transistor memory array.例文帳に追加

導電相互接続素子が、少なくとも選択された縦型ピラートランジスタ上に堆積されるとともに、不揮発性可変抵抗メモリセルが、導電相互接続素子上に堆積されて、縦型トランジスタメモリアレイを形成する。 - 特許庁

To provide a composition for a polymer-dispersed liquid crystal display element and a polymer-dispersed liquid crystal display element, excellent in low drive voltage characteristics in a low temperature region without using a highly volatile compound, having high voltage retention and which can be driven by an active element.例文帳に追加

揮発性の高い化合物を用いることなく低温域での低駆動電圧特性に優れ、電圧保持率が高くアクティブ素子にて駆動可能な、高分子分散型液晶表示素子用組成物、及び高分子分散型液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor storage device is provided with at least the memory cell array composed of a plurality of element separation areas 16, a plurality of element areas 12 surrounded on the element separation area 16, a plurality of floating gate electrodes 18, and a control gate electrode 22.例文帳に追加

複数の素子分離領域１６と、素子分離領域１６に囲まれた複数の素子領域１２と、複数の浮遊ゲート電極１８と、制御ゲート電極２２と、から構成されたメモリセルアレイを少なくとも具備する不揮発性半導体記憶装置である。 - 特許庁

To improve rewriting resistance and data holding characteristics, and to reduce an operating voltage without increasing an off leak current in a non-volatile storage element.例文帳に追加

不揮発性記憶素子において、オフリーク電流の増大を招くことなく、書き換え耐性及びデータ保持特性の向上、並びに動作電圧の低電圧化を図る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element which is subjected to reformation and prevented from deteriorating in data holding properties before delivery.例文帳に追加

くせ付けが行なわれるメモリ素子について、出荷前におけるデータ保持特性の劣化を防止することができる不揮発性メモリの製造方法等を提供する。 - 特許庁

To reduce a possibility to lose operation history information which is temporarily saved in a volatile storage element, without giving influence on the saving interval of an operation history information.例文帳に追加

動作履歴情報の保存間隔に影響を与えることなく、揮発性記憶素子に一時保存されている動作履歴情報の喪失可能性を減少させる。 - 特許庁

To elongate the life of a volatile anti-fungus/anti-bacterial agent by controlling the discharge amount of the agent using both a temperature-sensitive element and moisture-sensitive film.例文帳に追加

従来の揮発性抗菌・抗カビ製剤の徐放は、感温素子あるいは感湿膜により温度あるいは湿度に対して、放出量制御を行うものである。 - 特許庁

To improve throughput, to eliminate a high temperature acceleration test, and to extend the range of guarantee temperature and guarantee date in a semiconductor memory device provided with a non-volatile memory element.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子を備えた半導体記憶装置に関し、スループットを向上させ、高温加速試験を省略でき、保証温度や保証年月の範囲を広くすること。 - 特許庁

To prevent characteristics in a non-volatile semiconductor memory device from being deteriorated by an electromagnetic wave incident on an element isolation area in a plasma process out of manufacturing processes.例文帳に追加

製造工程中のプラズマ工程において、素子分離領域に入射した電磁波が不揮発性半導体記憶装置の特性を劣化させるのを防止する。 - 特許庁

There is provided a semiconductor device 100 comprises: a substrate 8; a connector 9; a volatile semiconductor storage element 20; nonvolatile semiconductor storage elements 10; and a controller 4.例文帳に追加

基板８と、コネクタ９と、揮発性半導体記憶素子２０と、不揮発性半導体記憶素子１０と、コントローラ４とを備える半導体装置１００が提供される。 - 特許庁

A non-volatile memory element and the contactless IC chip containing an antenna is embedded into the toner cartridge casing by an insert molding method in molding.例文帳に追加

そして、トナーカートリッジ筐体の内部に、その成型時に不揮発性記憶素子およびアンテナを内蔵する非接触ＩＣチップＣをインサート成形法によって埋め込む。 - 特許庁

To provide a nanoporous titanium oxide membrane bearing a Group IIIV element such as platinum and a method for removing a volatile organic compound such a methanol using the membrane.例文帳に追加

白金等の第８族元素を担持したナノ多孔性酸化チタン膜、およびこれを用いてメタノール等の揮発性有機化合物を除去する方法を提供する - 特許庁

To improve reliability of data storing characteristics for a long period of time in a non-volatile semiconductor memory using a blowable, displaceable, and sudden-cooling type fuse element.例文帳に追加

本発明は、溶融・偏在・急冷型のフューズ素子を用いた不揮発性の半導体メモリ装置において、データ保持特性における長期信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of realizing the increased precision and functionalization of a non-volatile memory and a polycrystalline silicon thin film resistive element at a low cost.例文帳に追加

不揮発性メモリと多結晶シリコン薄膜抵抗素子の高精度化、高機能化とを安価に実現できる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

Photographed image data are held temporarily in an image RAM 121 as a volatile memory while being displayed on an image display element (an LCD) 122 as a preview image.例文帳に追加

撮影された画像データを揮発性メモリである画像ＲＡＭ１２１に一時的に保持するとともに、画像表示素子（ＬＣＤ）１２２にプレビュー画像として表示する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which control voltage for a control gate line selection switching element is made low voltage by analyzing read-operation for a twin memory cell.例文帳に追加

ツインメモリセルへのリード動作を解析することで、コントロールゲート線選択スイッチング素子への制御電圧を低電圧化した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a capacitor of a semiconductor element which improves a conductivity of an electrode by removing a volatile by-product in a capacitor and can obtain a higher capacitance.例文帳に追加

キャパシタ内の揮発性副産物を除去して電極の伝導性を向上させ、より高い静電容量が得られる半導体素子のキャパシタ形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an air purifying device which removes and degrades volatile organic compounds by ozone generated by a discharge element and completely prevents the leakage of the ozone.例文帳に追加

放電素子により発生するオゾンによってＶＯＣを除去・分解した上で、そのオゾンの漏れ出しを徹底して防止することができる空気浄化装置を提供する。 - 特許庁

This non-volatile memory element has a plurality of first semiconductor layers, a plurality of second semiconductor layers, a plurality of first storage nodes and a plurality of first control gate electrodes.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ素子は、複数の第１半導体層、複数の第２半導体層、複数の第１ストレージノード、及び複数の第１制御ゲート電極を備える。 - 特許庁

A fuel adsorption member 16 for adsorbing volatile fuel is provided in a filter housing 11 to position in a downstream side of a pleated filter element 14.例文帳に追加

フィルタハウジング１１内に、揮発燃料を吸着するための燃料吸着部材１６を、ひだ折り状のフィルタエレメント１４の下流側に位置するように配設する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element with improved integration and improved performance, capable of controlling body bias and reducing the area per bit, and to provide a method of fabricating the same.例文帳に追加

本体バイアス制御が可能であり、ビット当たりの面積を縮小させて高集積の可能な高性能不揮発性メモリ素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable non-volatile semiconductor memory device capable of improving the inversion pressure resistance of a field transistor and the pressure resistance of an insulating film between a floating gate and a control gate, by protecting an element isolation region or producing method for non-volatile semiconductor memory device capable of improving throughput by protecting element isolation without using a lithography process.例文帳に追加

素子分離領域を保護することにより、フィールドトランジスタの反転耐圧及び浮遊ゲート・制御ゲート間絶縁膜の耐圧を向上出来る、高信頼性の不揮発性半導体記憶装置、またはリソグラフィ工程を用いずに素子分離を保護することで、スループットを向上できる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor storage device includes an element isolation insulating layer 33 arranged in a first dummy cell region 121, an element isolation insulating layer 43 installed in a second dummy cell region 122, and an element isolation insulating layer 51 positioned on a boundary between the first dummy cell region 121 and the second dummy cell region 122.例文帳に追加

第１ダミーセル領域１２１に設けられた素子分離絶縁層３３と、第２ダミーセル領域１２２に設けられた素子分離絶縁層４３と、第１ダミーセル領域１２１と第２ダミーセル領域１２２との間の境界に位置する素子分離絶縁層５１とを備える。 - 特許庁

To provide the non-volatile semiconductor memory device of low cost and high density reduced in the element separate width of a memory cell and improved in work controllability by reducing the embedding aspect of an element separate insulating film and a producing method therefor.例文帳に追加

素子分離絶縁膜の埋め込みアスペクトを小さくしてメモリセルの素子分離幅を小さくするとともに加工制御性に優れた、低コスト高密度の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a second semiconductor element on which a second adhesive layer, including a remaining volatile matter 0.2% or lower, is arranged on a first semiconductor element, and the second adhesive layer is adhered through the heating process in the temperature range of 120°C or higher, and of 150°C or lower.例文帳に追加

次いで、残存揮発分が0.2％以下の第２の接着剤層が形成された第２の半導体素子を第１の半導体素子上に配置し、第２の接着剤層を120℃以上150℃以下の範囲の温度に加熱して接着する。 - 特許庁

This passive sampler for collecting of the volatile organic compound is formed by housing an adsorbing element composed of an adsorbent of graphite carbon black and a pair of glass fiber filter papers for interposing the adsorbent in a container capable of penetrating the volatile organic compound from the outside by diffusion.例文帳に追加

グラファイトカーボンブラックである吸着剤と、該吸着剤を挟持する一対のガラス繊維濾紙とから成る吸着素子を、外部から揮発性有機化合物が拡散により入ることができる容器内に収容して成る揮発性有機化合物捕集用パッシブサンプラーを提供した。 - 特許庁

Further, the apparatus generates an HTML (Hyper Text Markup Language) element in which a hyper link to a storage position of both files in the nonvolatile storage section is embedded, and causes a volatile storage section to store the HTML.例文帳に追加

さらに、不揮発性記憶部におけるそれらの両ファイルの記憶位置へのハイパーリンクを埋め込んだＨＴＭＬ要素を生成し、そのＨＴＭＬ要素を揮発性記憶部に記憶させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a non-volatile storage device capable of forming a memory element with a stable characteristic by a simple method even when a memory cell is finely divided.例文帳に追加

メモリセルが微細化されても、安定した特性を有するメモリ素子を、簡易な方法で形成することができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a printer and a control method of the same which mounts a semiconductor non-volatile storage element which suppresses decrease of a read speed of print data, and is recovered from a read error.例文帳に追加

印刷データのリード速度が低下することを抑制すると共に、リードエラーを回復可能な半導体不揮発性記憶素子を搭載した印刷装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

To realize a high-integrated non-volatile semiconductor memory device with low power consumption, in which a nonlinear element having sufficient current driving performance and insulation property is provided in a memory cell.例文帳に追加

十分な電流駆動能力と遮断特性を有する非線形素子をメモリセルに備える、低消費電力で高集積の不揮発性半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

To provide a controller of a camera for batch outputting of photographic information and batch transferring of the photographic information to a non-volatile memory element in real time without prolonging the intervals of continuous control.例文帳に追加

連続制御の間隔を延ばさずにリアルタイムに撮影情報を一括出力し、不揮発性記憶素子に撮影情報を一括転送するカメラの制御装置を提供する。 - 特許庁

A photoelectric conversion unit 22 consisting of a light-receiving element provided with a scanner function is provided in an LCD display unit 2, and a replaceable non-volatile memory 6 is employed as a recording medium.例文帳に追加

ＬＣＤ表示部２にスキャナ機能を備える受光素子で構成された光電変換部２２を設け、又記録媒体として交換可能な不揮発性メモリ６を採用する。 - 特許庁

To provide a method for forming the element isolation film of a non-volatile memory device, capable of improving the embedding characteristics so as not to allow voids exist inside, by simplifying the processes.例文帳に追加

工程を単純化させ、内部に空隙（ｖｏｉｄ）が存在しないように、埋め込み特性を改善することができる不揮発性メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁